JP5745360B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の半導体装置に適用可能な回路について図1(A)、図1(B)及び図2を用いて説明する。
本実施の形態では、図3(A)、図3(B)、図4(A)、及び図4(B)を参照して、アンテナ、整流回路、および保護回路に適用可能な回路が実施の形態1とは異なる構成について説明する。
本実施の形態では、図5(A)、図5(B)を参照して、アンテナ、整流回路、および保護回路に適用可能な回路が実施の形態1及び実施の形態2とは異なる構成について説明する。
本実施の形態では、図6を参照して、保護回路に適用可能な回路が上記実施の形態とは異なる構成について説明する。
本実施の形態では、上記実施の形態1乃至4において、トランジスタの半導体層に用いる酸化物半導体層を用いたトランジスタの他の一例を、図7を用いて説明する。なお、トランジスタの構造は特に限定されず、例えば、トップゲート構造またはボトムゲート構造の、スタガ型またはプレーナ型など、適当な構造を採用することができる。また、トランジスタはチャネル形成領域を一つ有するシングルゲート構造でも、二つ有するダブルゲート構造であっても、三つ有するトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された2つのゲート電極を有する、デュアルゲート型でもよい。なお、以下に説明する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
本実施の形態では、実施の形態1において、図2に示した酸化物半導体層を用いたトランジスタの作製方法の一例を、図8を用いて詳細に説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る保護回路を備えたRFIDの使用例について図9を用いながら説明する。RFIDの用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図9(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図9(C)参照)、記録媒体(DVDソフトやビデオテープ等、図9(B)参照)、乗り物類(自転車等、図9(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人体、衣類、生活用品類、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図9(E)、図9(F)参照)等に設けて使用することができる。
102 整流回路
103 復調回路
104 定電圧回路
105 論理回路
106 変調回路
107 保護回路
201 トランジスタ
202 トランジスタ
300 トランジスタ
301 基板
302 ゲート電極
303 ゲート絶縁層
304 酸化物半導体層
305a ソース電極またはドレイン電極
305b ソース電極またはドレイン電極
306 絶縁層
307 保護絶縁層
401 アンテナ
402 整流回路
403 復調回路
404 定電圧回路
405 論理回路
406 変調回路
407 保護回路
501 トランジスタ
502 トランジスタ
505 基板
507 保護回路
516 絶縁層
600 トランジスタ
601 基板
602 ゲート電極
603 ゲート絶縁層
604 酸化物半導体層
605a ソース電極またはドレイン電極
605b ソース電極またはドレイン電極
606 絶縁層
607 ゲート電極
609 保護絶縁層
701 アンテナ
702 整流回路
703 復調回路
704 定電圧回路
705 論理回路
706 変調回路
707 保護回路
708 スイッチング回路
801 トランジスタ
802 トランジスタ
803 トランジスタ
901 アンテナ
902 整流回路
903 復調回路
904 定電圧回路
905 論理回路
906 変調回路
907 保護回路
908 クロック生成回路
1000 基板
1001 ゲート電極
1002 ゲート絶縁層
1003 酸化物半導体層
1005a ソース電極またはドレイン電極
1005b ソース電極またはドレイン電極
1007 絶縁層
1009 保護絶縁層
1020 トランジスタ
1027 絶縁層
1030 トランジスタ
1036a 配線
1036b 配線
1037 絶縁層
1040 トランジスタ
1105 基板
1106 保護絶縁層
1107 ゲート絶縁層
1110 トランジスタ
1111 ゲート電極
1115a ソース電極またはドレイン電極
1115b ソース電極またはドレイン電極
1116 絶縁層
1130 酸化物半導体層
1131 酸化物半導体層
1200 トランジスタ
1201 基板
1202 ゲート電極
1203 ゲート絶縁層
1204 酸化物半導体層
1205a ソース電極
1205b ドレイン電極
1206 絶縁層
1207 ゲート電極
1208 絶縁層
1209 保護絶縁層
1301 実線
1302 実線
1303 実線
1304 実線
4000 RFID
Claims (4)
- 第1の回路と、第2の回路と、を有し、
前記第1の回路は、アンテナを介して受信した無線信号を整流し、内部電圧を生成する機能を有し、
前記第2の回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第1のソース電極と、第1のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第1の半導体層と、を有し、
前記第1のゲート電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のドレイン電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のソース電極は、接地され、
前記第2のトランジスタは、第2のゲート電極と、第2のソース電極と、第2のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第2の半導体層と、を有し、
前記第2のゲート電極は、接地され、
前記第2のソース電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第2のドレイン電極は、接地され、
前記第1のゲート電極に供給される電圧が所定の正の電圧以上になると、前記第1のトランジスタが導通し、
前記第2のソース電極に供給される電圧が所定の負の電圧以下になると、前記第2のトランジスタが導通することを特徴とする半導体装置。 - 第1の回路と、第2の回路と、第3の回路と、第4の回路と、第5の回路と、第6の回路と、を有し、
前記第1の回路は、アンテナを介して受信した無線信号を整流し、内部電圧を生成する機能を有し、
前記第2の回路は、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、を有し、
前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第1のソース電極と、第1のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第1の半導体層と、を有し、
前記第1のゲート電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のドレイン電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第1のソース電極は、接地され、
前記第2のトランジスタは、第2のゲート電極と、第2のソース電極と、第2のドレイン電極と、酸化物半導体を有する第2の半導体層と、を有し、
前記第2のゲート電極は、接地され、
前記第2のソース電極は、前記アンテナに電気的に接続され、
前記第2のドレイン電極は、接地され、
前記第3の回路は、前記無線信号を復調し、内部信号を生成する機能を有し、
前記第4の回路は、前記第1の回路にて生成された前記内部電圧を定電圧化して電源電圧として出力する機能を有し、
前記第5の回路は、前記第4の回路にて生成された前記電源電圧と、前記第3の回路にて生成された前記内部信号と、を用いて解析を行い、応答信号を生成する機能を有し、
前記第6の回路は、前記第5の回路にて生成された前記応答信号を変調し、前記アンテナに変調信号を出力する機能を有し、
前記第1のゲート電極に供給される電圧が所定の正の電圧以上になると、前記第1のトランジスタが導通し、
前記第2のソース電極に供給される電圧が所定の負の電圧以下になると、前記第2のトランジスタが導通することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1または2において、
前記第1のトランジスタは、第3のゲート電極を有し、
前記第2のトランジスタは、第4のゲート電極を有し、
前記第1の半導体層は、前記第1のゲート電極と前記第3のゲート電極との間に設けられ、
前記第2の半導体層は、前記第2のゲート電極と前記第4のゲート電極との間に設けられることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、
前記無線信号は、搬送波または振幅変調波であることを特徴とする半導体装置。
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