JP5742874B2 - 表示装置 - Google Patents
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Description
一方、自発光素子で形成された有機ELディスプレイは、前記の視野角や応答性の課題を克服できるのに加え、バックライト不要の薄い形態、高輝度、高コントラストを達成できるため、液晶ディスプレイに代わる次世代表示装置として期待されている。
但し有機ELディスプレイは、現在実用化されているものも存在する中でありながら、消費電力の高さがまだまだ問題視されている。
全ての表示装置にとっても共通して言えることでもあるが、消費電力を抑えることは、取組むべき大きな課題として捉えられている。
また、高画質化、高視認性ということも、各種の表示装置の課題とされている。
この手法は画像の高周波成分を強調することによって画像全体を鮮鋭化し、画質向上を実現するものとして一般的なものである。この場合、一つはエッジ部分のコントラスト感が上がること、もう一つはプラス方向へ強調されるエッジの輝度が上がることによって、画質向上や視認性向上が実現されると考えられている。
特許文献1の技術は、エッジ成分の一画面分のヒストグラムを抽出し、ヒストグラムの結果に応じてエッジ強調量をコントロールすることで、映像の状態に応じた適切なエッジ強調処理と可能とする。
また特許文献2の技術は、エッジ成分から、映像のダイナミックレンジを超えない範囲で有効的に使用されるエッジ強調量ゲインを動的に算出し、映像に適切なエッジ強調処理を実現する。
自発光ディスプレイでは、画面内の平均表示輝度が高いほど、消費電力を多く必要とする。従って、明るく綺麗な表示を実現する、一般的な高画質化と低消費電力化を両立させることは今まで困難とされてきた。
そこで本発明では、エッジ強調による視認性の維持又は向上を行いつつ、消費電力を増加させないようにすることができる手法を提案する。
ここで、プラス方向へのエッジ成分は輝度を増大させ消費電力を増加させるが、マイナス方向へのエッジ成分は輝度を減少させ消費電力を減少することになる。
通常のエッジ強調であればプリエッジとオーバーエッジは、階調に対して均等につけられる。但し、通常ディスプレイパネルモジュールは、入力映像信号の階調に対する輝度の変化を表すガンマ特性が2.2乗に近い特性をしていることが一般的であり、これはCRTの持っている特性に合わせて構築された撮像/受像のしくみがそのまま現在まで継承されていることによる。この結果、自発光ディスプレイデバイスにおいては、プラス方向のエッジ強調により増加する消費電力の方が、マイナス方向のエッジ強調により減少する消費電力より大きくなり、映像信号でプリエッジとオーバーエッジを同量強調しても、消費電力で考えると必ず増加が起こってしまうことが言える。
これに対して本発明では、プラス方向のエッジに対してマイナス方向のエッジをより大きくするように非対称強調をすることによって電力の増加を防止する。これによって電力増加を伴わないエッジ強調を実現する。
[1.表示装置構成]
[2.表示データ処理部の構成]
[3.表示データ処理部による電力抑制エッジ強調]
[4.エッジ制御係数決定処理の他の例]
[5.変形例]
図1に実施の形態の表示装置の要部の構成を示す。本例の表示装置1は、有機EL素子を発光素子として用いる有機ELディスプレイパネルモジュール3を有する。
そして有機ELディスプレイパネルモジュール3に対して供給する表示データ信号について処理を行う部位として、表示データ処理部2が設けられる。表示データ処理部2は、表示データ信号Dinに対して後述する処理を行い、処理後の表示データ信号Doutを有機ELディスプレイパネルモジュール3に供給する。
図2に有機ELディスプレイパネルモジュール3の構成の一例を示す。この有機ELディスプレイパネルモジュール3は、有機EL素子を発光素子とし、アクティブマトリクス方式で発光駆動を行う画素回路10を含むものである。
また水平セレクタ11により選択され、輝度情報に応じた映像信号を画素回路10に対する入力信号として供給する信号線DTL1、DTL2・・・が、画素アレイ部20に対して列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・は、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素回路10の列数分だけ配される。
書込制御線WSL(WSL1,WSL2・・・)はライトスキャナ12により駆動される。ライトスキャナ12は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線WSL1,WSL2・・・に順次、走査パルスWS(WS1,WS2・・・)を供給して、画素回路10を行単位で線順次走査する。
電源制御線DSL(DSL1,DSL2・・・)はドライブスキャナ13により駆動される。ドライブスキャナ13は、ライトスキャナ12による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線DSL1,DSL2・・・に駆動電位(Vcc)、初期電位(Vini)の2値に切り替わる電源電圧としての電源パルスDS(DS1,DS2・・・)を供給する。
水平セレクタ11は、ライトスキャナ12による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線DTL1、DTL2・・・に対して、画素回路10に対する入力信号としての信号電位(Vsig)と基準電位(Vofs)を供給する。
画素回路10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子15とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子15のアノードは駆動トランジスタTrDのソースsに接続され、カソードは所定の接地配線(カソード電位Vcath)に接続されている。
サンプリングトランジスタTrSは、そのドレインとソースの一端が信号線DTLに接続され、他端が駆動トランジスタTrDのゲートに接続される。またサンプリングトランジスタTrSのゲートは書込制御線WSLに接続されている。
駆動トランジスタTrDのドレインは電源制御線DSLに接続されている。
信号線DTLに信号電位Vsigが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタTrSが書込制御線WSLによってライトスキャナ12から与えられる走査パルスWSによって導通される。これにより信号線DTLからの入力信号Vsigが保持容量Csに書き込まれる。駆動トランジスタTrDは、ドライブスキャナ13によって駆動電位V1が与えられている電源制御線DSLからの電流供給により、保持容量Csに保持された信号電位に応じた電流IELを有機EL素子15に流し、有機EL素子15を発光させる。
表示データ処理部2の構成を説明する。
本実施の形態では、図1に示したように、表示データ信号Dinは、表示データ処理部2で必要な処理を施され、その処理後の表示データ信号Doutが有機ELディスプレイパネルモジュール3に供給される。
有機ELディスプレイパネルモジュール3においては、表示データ信号Doutが図2の水平セレクタ11に供給され、水平セレクタ11は、表示データ信号Doutに基づく各画素毎の信号値Vsigを、各画素回路10に与えることになる。
表示データ処理部2は、加算回路22、エッジ抽出フィルタ23、エッジ量可変部24、電力量算出部25,エッジ制御係数決定部26を備える。
図5(a)にエッジ抽出フィルタ23によるエッジ抽出の例を示す。一般的にエッジ(高周波成分)を抽出するフィルタは、プリシュート、オーバーシュートの双方の強調を行うため、2次微分フィルタ(HPF)が使用される。エッジ抽出フィルタ23は、図示するように入力信号(表示データ信号Din)のエッジについて、2次微分波形を取り出すものとなる。
2次微分フィルタの例としては図5(b)のように、対象画素に対し周囲の近傍データが使われるが、空間方向で考えて、横方向のみ:横方向2次微分、縦方向のみ:縦方向2次微分、縦横方向:ラプラシアン(4近傍)、縦横斜め方向:ラプラシアン(8近傍)のディジタルフィルタが使用されることが一般的となっている。
なお、エッジ量制御信号ECは、表示装置1に対するユーザの操作、或いはアプリケーションプログラムによる処理などに応じて、図示しない制御系によって所要の値として供給されるもので、エッジ強調の度合いを制御する信号である。
エッジ量可変部24は、非線形関数補正回路24aとゲイン演算回路24bを有する。
非線形関数補正回路24aは、ノイズ強調の抑制とプリシュート/オーバーシュート(大振幅エッジ強調)の抑制の2つが主な目的になっている。前者はコアリング、後者はクリッピングと呼ばれる。
図6(b)に一般的なコアリング及びクリッピングの様子を示す。
図示するように、抽出したエッジ量の大きさに応じて出力するエッジを「core」「clip」の2つのパラメータで制限する。
コアリングのパラメータ「core」は、ノイズ量に応じて決定される。
クリッピングのパラメータ「clip」は、大振幅エッジの強調を抑えるように決定される。
両パラメータは一般的には固定値として与えられ、エッジ強調による画質悪化を抑制する役目を担っており、画像を見て適値が決められる。
但し本実施の形態では、パラメータ「clip」によるクリップレベルが、エッジ制御係数決定部26からの係数制御信号KCによって可変制御される。これによって非線形関数補正回路24aが、エッジ成分の波形について、プラス方向のエッジ強調量とマイナス方向のエッジ強調量を別々に設定してエッジ波形補正処理を行う。詳しくは後述する。
このゲイン演算回路24bの出力が、エッジデータEgとして図4の加算回路22に供給されることになる。
即ち、表示データ信号にエッジデータEgを付加し、エッジ強調された表示データ信号Doutを得る。この表示データ信号Doutが、有機ELディスプレイパネルモジュール3に供給される。
エッジ制御係数決定部26は、電力量算出部25から供給される表示データ信号Dinでの推定発光消費電力Pαと、表示データ信号Doutでの推定発光消費電力Pβとに基づいて、エッジ量可変部24に与える係数制御信号KCを生成し、出力する。
例えばエッジ制御係数決定部26は、推定消費電力Pα、Pβの比較結果に基づいて係数制御信号KCを生成する。
そして、この非線形関数補正回路24aが、係数制御信号KCに基づいてプラス方向のエッジ強調量とマイナス方向のエッジ強調量をそれぞれ設定してエッジ波形補正処理を行うことで、エッジ強調度、映像信号の内容によらず、入力表示データ信号から推定計算される発光消費電力に対し、出力表示データ信号から推定計算される発光消費電力が必ず低くなるようにコントロールされるものである。
なお上述のようにクリップレベルはクリッピングのパラメータ「clip」として設定されるが、本例ではプラス側のクリップレベルとマイナス側のクリップレベルが個別に可変設定される。以下では、プラス側のクリップレベルを「上クリップレベルCL(+)」、マイナス側のクリップレベルを「下クリップレベルCL(−)」と呼ぶこととする。
ここで本例では図7(a)に示すように、下クリップレベルCL(−)が「CD1」〜「CD10」の10段階に可変設定されるものとし、上クリップレベルCL(+)が「CU1」〜「CU10」の10段階に可変設定されるものとする。
なお、以下ではこのように上下クリップレベルCL(+)、CL(−)がそれぞれ10段階に可変設定可能とされた例で説明を続けるが、10段階というのは一例にすぎず、複数段階であれば何段階でも良い。また上クリップレベルCL(+)の可変段階数と下クリップレベルCL(−)の可変段階数が同数である必要もない。
また、1段階毎のレベル差は適切に設定されるものであるが、各段階で等レベル間隔である必要もなく、さらに下クリップレベルCL(−)の各段階のレベル差と上クリップレベルCL(+)の各段階のレベル差が同様である必要もない。
本例では、この下クリップレベルCL(−)と上クリップレベルCL(+)が、係数制御信号KCによって可変制御される。
例えば図7(b)は、係数制御信号KCによって下クリップレベルCL(−)=CD10,上クリップレベルCL(+)=CU10に制御された状態を示している。この場合、非線形関数補正回路24aでは、太線で示す特性でエッジ成分に対する補正処理を行うことになる。
また例えば図7(c)は、係数制御信号KCによって下クリップレベルCL(−)=CD3,上クリップレベルCL(+)=CU3に制御された状態を示している。この場合も、非線形関数補正回路24aでは、太線で示す特性でエッジ成分に対する補正処理を行うことになる。
本例では、このようなクリップレベルの可変設定に応じたエッジ成分の補正が行われ、そのエッジ成分が加算回路22で表示データ信号に加算されることで、エッジ強調による視認性向上とともに、有機ELディスプレイパネルモジュール3における消費電力の増大防止もしくは削減を図る。
以上のような表示データ処理部2では、プラス方向のエッジに対してマイナス方向のエッジをより大きくするように非対称強調をすることによって有機ELディスプレイパネルモジュール3における消費電力の増加を防止する。つまり電力増加を伴わないエッジ強調機能を実現する。
上述したように電力量算出部25は、表示データ信号Din及びDoutのそれぞれについて、一画面の消費電力量(発光消費電力)を推定計算する。ここでいう、表示データ信号Dinについての発光消費電力とは、表示データ信号Dinを有機ELディスプレイパネルモジュール3に与えて発光駆動した場合を想定した、1フレームでの消費電力である。また表示データ信号Doutについての発光消費電力とは、表示データ信号Doutを有機ELディスプレイパネルモジュール3に与えて発光駆動した場合を想定した、1フレームでの消費電力である。
まず、この発光消費電力の推定計算の手法について説明する。
発光電流と輝度との関係はI−L特性として表されるが、一般的に比例関係にある。そのため、必要輝度に対して流さなければならない電流は一意的に決まってしまう。
この発光に必要な電流IELを電圧源Vcc(図3の電源制御線DSLに与えられる駆動電位Vcc)からカソード(Vcathのノード)に対し流すことで有機EL素子15は発光が行われる。このため、有機EL素子15の発光に関わる消費電力PELは、
PEL=(Vcc−Vcath)×IEL
として表される。
即ち、このガンマ特性の情報(n乗)をあらかじめ入手しておけば、映像データから電流に相当するデータへの変換計算は可能になる。変換計算は演算で行うかテーブル変換で行うかのどちらかの手法が採択される。
(階調/100%階調)nの計算をしたそれぞれのサブピクセルでの算出結果を基準ホワイト電流比で足し合わせ、平均値を算出することで1画素の電力に相当する量を算出できる。これを全画素分行い、平均値を算出する。
この値を相対値比較計算することで電力量の増減率を算出することができる。
この図9は、図4の構成について電力量算出部25の演算処理内容を具体的に示している。
電力量算出部25は、処理ST1として、表示データ信号Dinについての発光消費電力Pαの推定計算を行う。
また処理ST2として、表示データ信号Doutについての発光消費電力Pβの推定計算を行う。
ここでは発光消費電力Pα、Pβは、表示データ信号Din、並びに表示データ信号Doutそれぞれから、一画面分の電力パラメータの推定計算を行う。
具体的には、(階調/100%階調)nの全画素分の積算値(Σ{(階調/100%階調)n})を画素数で割って平均値を算出する。つまり、
Pα=(Σ{(階調/100%階調)n})/画素数
Pβ=(Σ{(階調/100%階調)n})/画素数
を計算する。
階調とは、各画素に対応する表示データ信号値、100%階調とは、最大輝度としての表示データ信号値である。nは、図8に示したn乗の値である。
因みにここで、RGBサブピクセルの場合の計算は次のようなものになる。
仮に基準ホワイトを発光するためのRGBの電流比が1:2:3だったとすると、
Pα=(Σ([1×{(R階調/100%階調)n}+2×{(G階調/100%階調)n}+3×{(B階調/100%階調)n}]/(1+2+3)))/画素数
となる。
これに対して通常のエッジ強調処理を行うと、図10(b)のように、Lowレベルに対しプリシュート、Highレベルに対しオーバーシュート(プリシュートとオーバーシュートのエッジ量は同量)が加わるような処理結果となる。
このような場合、前述したようにガンマ特性が2.2乗に近い(1乗より大きい)特性をしているため、マイナスエッジの1ステップの電力に対して、プラスエッジの1ステップの電力の方が必ず高くなってしまう。
つまり図示するように、マイナスエッジによる電力減少分をΔPd、プラスエッジの電力上昇分をΔPuとすると、ΔPu>ΔPdであることは自明であり、通常エッジ強調処理を行うと消費電力の増加も伴っていることになる。
従って、エッジ強調前の消費電力をPa、エッジ強調後の消費電力をPbとすると、Pa<Pbとなる。
即ち図10(c)のように、トータルのエッジ波形のピークtoピークを同程度以上に維持することで、エッジ強調効果を維持しながら、プラス方向のエッジ量を低減、マイナス方向のエッジ量を増加させる方向にエッジ量を調整する。これにより消費電力の増加を確実に防止する。
図10(c)の場合、電力上昇分ΔPu’は、ΔPu’<ΔPuとなるように抑制され、かつ電力減少分ΔPd’は、ΔPd’>ΔPdとなるように制御される。ここで、ΔPu’≦ΔPd’となるところまで調整すれば、Pa≧Pc(Pcは電力抑制エッジ強調の処理後の消費電力)を実現することが可能になる。
そこで、このような非線形関数補正回路24aでのエッジ成分波形の補正処理を実現するため、エッジ制御係数決定部26及び非線形関数補正回路24aは以下に説明する処理を行うことになる。
なお、エッジ制御係数決定部26は上述したように係数制御信号KCによりエッジ量可変部24における非線形関数補正回路24aの上クリップレベルと下クリップレベルを制御するものである。
ここでPβ≦Pαではない場合、即ち表示データ信号Dinによる発光消費電力Pαより、表示データ信号Doutによる発光消費電力Pβの方が高い場合は、エッジ制御係数決定部26の処理はステップF102からF103に進む。このステップF103に進む場合とは、エッジ加算によって消費電力が増大している状況である。
エッジ制御係数決定部26は、ステップF103では、下クリップレベルCL(−)が図7(a)で述べた最大設定値CD10に達しているか否かを確認する。つまり、それ以上、下クリップレベルCL(−)を下げることができないか否かを確認する。
下クリップレベルCL(−)が最大設定値に達していなければ、エッジ制御係数決定部26は処理をステップF104に進める。そして下クリップレベルCL(−)の設定を1段階進めることを指示する係数制御信号KCを発生させ、エッジ量可変部24における非線形関数補正回路24aに供給する。そして現フレーム期間での処理を終える。
上クリップレベルCL(+)が最大設定値に達していなければ、エッジ制御係数決定部26は処理をステップF106に進める。そして上クリップレベルCL(+)の設定を1段階進めることを指示する係数制御信号KCを発生させ、エッジ量可変部24における非線形関数補正回路24aに供給する。そして現フレーム期間での処理を終える。
ステップF105で、上クリップレベルCL(+)も最大設定値に達していると判断した場合は、それ以上は制御不能として可変制御は行わず、現フレーム期間での処理を終える。
そしてその場合、まず非線形関数補正回路24aにおける下クリップレベルCL(−)を一段階づつ低下させていく。下クリップレベルCL(−)が最大設定値CD10とされても、なお表示データ信号Dinによる発光消費電力Pαより表示データ信号Doutによる発光消費電力Pβの方が高い場合には、さらに上クリップレベルCL(+)を一段階づつ低下させていく。このような処理によって、発光消費電力Pβが、発光消費電力Pα以下となるように追い込んでいく処理となる。
つまり、エッジ成分のマイナス方向のクリップレベルを低下させる方向に可変制御することを優先し、マイナス方向のクリップレベルを所定レベルまで低下させた後で必要がある場合に、プラス方向のクリップレベルを低下させる方向に可変制御するように係数制御信号KCを生成する。
図12(a)(b)は下クリップレベルCL(−)及び上クリップレベルCL(+)の設定値例である。例えばクリップレベルは8ビット値で設定されるとする。
図7で述べたように、下クリップレベルCL(−)の設定値としてCD1〜CD10の10段階が可変制御される。また上クリップレベルCL(+)の設定値としてCU1〜CU10の10段階が可変制御される。
エッジ制御係数決定部26は、上記ステップF104では、係数制御信号KCによって、CD1〜CD10のいずれかを指示することになる。またステップF106では係数制御信号KCによって、CU1〜CU10のいずれかを指示する。
図12(a)のように、下クリップレベルCL(−)については、例えばこのデフォルト値CD1を示す値「63」に対して、CD2は1.25倍の値、CD3は1.50倍の値、・・・CD10は3.25倍の値として、それぞれレベルが設定されている。
また図12(b)のように、上クリップレベルCL(+)については、例えばデフォルト値CU1を示す値「63」に対して、CU2は0.9倍の値、CU3は0.8倍の値、・・・CU10は0.1倍の値として、それぞれレベルが設定されている。
そして発光消費電力Pβは抑制が十分な状態になるまで、1フレーム期間毎に、下クリップレベルCL(−)をCD3→CD4→CD5→・・・と下げていくようにする。
さらに発光消費電力Pβの抑制が十分でなければ、1フレーム期間毎に、上クリップレベルCL(+)をCU3→CU4→CU5→・・・と下げていくようにする。
例えば最高で図14(b)のように、上クリップレベルCL(+)=CD10となるまで制御を行う。もし、この状態まで制御しても、まだ発光消費電力Pβの抑制が十分でない場合は、上述したように、図11のステップF105からF106には進まず、制御は打ち切られる。但し、図12のクリップレベル可変設定範囲が適切になされていれば、この制御打ち切りの状態に至ることは殆ど無いようにできると考えられる。
以下、非線形関数補正回路24a側の処理を説明する。
図15は、非線形関数補正回路24aが係数制御信号KCに応じて設定変更を行う処理を示している。
非線形関数補正回路24aは、エッジ制御係数決定部26が上記図11の処理で係数制御信号KCを発生させるたびに、図15の処理を行う。
非線形関数補正回路24aはステップF302では、係数制御信号KCによる設定指示が、下クリップレベルCL(−)の設定変更の指示であるか否かを確認する。
エッジ制御係数決定部26が図11のステップF104で係数制御信号KCを発生させた場合は、下クリップレベルCL(−)についての設定変更指示である。この場合非線形関数補正回路24aは、下クリップレベルCL(−)の設定変更指示であることを認識して処理をステップF303に進める。
下クリップレベルCL(−)の設定変更を行ったら、非線形関数補正回路24aはステップF304で線形補間により下エッジ成分に与える係数を設定する。
例えば図13(a)の初期状態においては、下クリップレベルCL(−)=CD1、上クリップレベルCL(+)=CU1である。
図中入力軸(横軸)でx1〜x2の範囲は図6で説明したコアリング範囲である。
そしてマイナス側のエッジ波形は、x0〜x1の範囲で傾きA1に相当するゲインを与え、x0以下は下クリップレベルCL(−)=CD1に固定して出力する。換言すれば、傾きA1に相当するゲインは、座標(x1,0)と座標(x0,CD1)の間の直線補間によって求められるものである。
またプラス側のエッジ波形も同様の考え方であり、x2〜x3の範囲で傾きB1に相当するゲインを与え、x3以上は上クリップレベルCL(+)=CU1に固定して出力する。つまり傾きB1に相当するゲインは、座標(x2,0)と座標(x3,CU1)の間の直線補間によって求められるものである。
例えばステップF303で下クリップレベルCL(−)をCD1からCD2に変更した場合、ステップF304では、図13(b)の傾きA2に相当する係数を設定することになる。この場合、座標(x1,0)と座標(x0,CD2)の間の直線補間によって傾きA2に相当する係数を求める。
そして、非線形関数補正回路24aは、係数制御信号KCによる設定指示が、上クリップレベルCL(+)の設定変更の指示であるか否かを確認する。
なお、図11のように、エッジ制御係数決定部26が、下クリップレベルCL(−)を低下させることを優先し、下クリップレベルCL(−)を所定レベルまで低下させた後で必要がある場合に上クリップレベルCL(+)を低下させるような制御を行う場合、下クリップレベルCL(−)の設定変更指示と、上クリップレベルCL(+)の設定変更指示は同時には発生されない。
従って、例えば図13(c)のように下クリップレベルCL(−)=CD10となるまでは、非線形関数補正回路24aでのステップF305は、上クリップレベルCL(+)の変更指示ではないとして図15の処理を終えることになる。
この場合、上クリップレベルCL(+)の設定変更指示であることから、図15の処理はステップF301→F302→F305→F306と進む。
上クリップレベルCL(+)の設定変更を行ったら、非線形関数補正回路24aはステップF307で線形補間により上エッジ成分に与える係数を設定する。即ち図14の傾きB2に相当する係数を設定する。
非線形関数補正処理は図16に示される。非線形関数補正回路24aはエッジ抽出フィルタ23から入力される二次微分によるエッジ成分波形(入力値IN)に対して、図16の処理で補正を行う。なお図16におけるx0〜x3は、図13,図14の入力軸上の値を指す。
入力値INがx3>IN>x2であるときは、出力値OUTは、その時点で設定されているプラス側エッジ係数KUを入力値INに乗算した値とする(F203→F204)。プラス側エッジ係数KUとは、図13,図14における傾きB1,B2・・・B10に相当する係数値であり、上記図15のステップF307で設定される値である。
入力値INがx2≧IN≧x1であるときは、コアリング範囲であるため、出力値OUT=0とする(F205→F206)。
入力値INがx1>IN>x0であるときは、出力値OUTは、その時点で設定されているマイナス側エッジ係数KDを入力値INに乗算した値とする(F207→F208)。マイナス側エッジ係数KDとは、図13,図14における傾きA1,A2・・・A10に相当する係数値であり、上記図15のステップF304で設定される値である。
それ以外のばあい、つまり入力値INがx0以下であるときは、出力値OUTは、その時点で設定されている下クリップレベルCL(−)の値とする(F207→F209)。
すると例えば図10(c)で示したように上下非対称のエッジ波形となりながら、Pα≧Pβとなるまで追い込まれることになる。
これによって、エッジ強調を行うにもかかわらず、有機ELディスプレイパネルモジュール3における消費電力の上昇は必ず防止される。従って、コントラスト感向上効果が維持されることで視認性の低下を抑制しつつ電力消費増大を防止できる。
或いは、Pα≧Pβではなく、Pα>Pβとなるまで制御するようにすれば、積極的に電力の低減を図ることも可能である。
また本例の場合、図11の処理で下クリップレベルCL(−)の設定変更を優先させている。つまりマイナス側エッジの波形レベルを下げることを、プラス側エッジの波形レベルを下げるよりも優先させる。これは、エッジ強調効果をなるべく低減させないという意味で有効である。これは、プラス側エッジのレベルが高いほど画像におけるコントラスト感が得られやすいからである。
エッジ制御係数決定部26による係数制御信号KCの発生処理としては図11以外にも多様に考えられる。以下説明していく。
上記のようにコントラスト感を優先させたい場合は図11の処理が好適であるが、消費電力の観点を重視すれば、図17のような手法も考えられる。
ここでPβ≦Pαではない場合、即ち表示データ信号Dinによる発光消費電力Pαより、表示データ信号Doutによる発光消費電力Pβの方が高い場合は、エッジ制御係数決定部26の処理はステップF111からF112に進む。
エッジ制御係数決定部26は、ステップF103では、下クリップレベルCL(+)が図7(a)で述べた最大設定値CU10に達しているか否かを確認する。つまり、それ以上、上クリップレベルCL(+)を下げることができないか否かを確認する。
上クリップレベルCL(+)が最大設定値に達していなければ、エッジ制御係数決定部26は処理をステップF113に進める。そして上クリップレベルCL(+)の設定を1段階進めることを指示する係数制御信号KCを発生させ、エッジ量可変部24における非線形関数補正回路24aに供給する。そして現フレーム期間での処理を終える。
下クリップレベルCL(−)が最大設定値に達していなければ、エッジ制御係数決定部26は処理をステップF115に進める。そして下クリップレベルCL(−)の設定を1段階進めることを指示する係数制御信号KCを発生させ、エッジ量可変部24における非線形関数補正回路24aに供給する。そして現フレーム期間での処理を終える。
ステップF114で、下クリップレベルCL(−)も最大設定値に達していると判断した場合は、それ以上は制御不能として可変制御は行わず、現フレーム期間での処理を終える。
この図18の場合、エッジ制御係数決定部26では、まずステップF120として電力量算出部25で算出された発光消費電力Pα、Pβを取り込む。そしてステップF121で発光消費電力Pα、Pβの比較を行う。
Pβ≦Pαの場合は、既に設定変更不要の状態であるため処理を終える。
ここでPβ≦Pαではない場合、即ち表示データ信号Dinによる発光消費電力Pαより、表示データ信号Doutによる発光消費電力Pβの方が高い場合は、エッジ制御係数決定部26の処理はステップF121からF122に進む。
エッジ制御係数決定部26は、ステップF122では、下クリップレベルCL(−)と上クリップレベルCL(+)のそれぞれについて、最大設定値CD10,CU10に達しているか否かを確認する。
その場合は、エッジ制御係数決定部26はステップF123に進み、上クリップレベルCL(+)の設定を1段階進めることを指示する係数制御信号KCを発生させ、エッジ量可変部24における非線形関数補正回路24aに供給する。そして現フレーム期間での処理を終える。
その場合は、エッジ制御係数決定部26はステップF125に進み、下クリップレベルCL(−)の設定を1段階進めることを指示する係数制御信号KCを発生させ、エッジ量可変部24における非線形関数補正回路24aに供給する。そして現フレーム期間での処理を終える。
Pβ≦Pαの場合は、既に設定変更不要の状態であるため処理を終える。
Pβ≦Pαではない場合は、エッジ制御係数決定部26はステップF132に進み、下クリップレベルCL(−)が最大設定値(例えばCD10)に達しているか否かを確認する。
一方、下クリップレベルCL(−)が最大設定値に達していれば、それ以上の設定変更はできないため、ステップF132から現フレーム期間での処理を終える。
Pβ≦Pαの場合は、既に設定変更不要の状態であるため処理を終える。
Pβ≦Pαではない場合は、エッジ制御係数決定部26はステップF142に進み、上クリップレベルCL(+)が最大設定値(例えばCU10)に達しているか否かを確認する。
一方、上クリップレベルCL(+)が最大設定値に達していれば、それ以上の設定変更はできないため、ステップF132から現フレーム期間での処理を終える。
以上、実施の形態について説明してきたが、本発明は実施の形態の例に限られず、多様な変形例が考えられる。
例えば、上記図11,図17,図18,図19で示した係数制御信号KCの発生処理では、下クリップレベルCL(−)又は上クリップレベルCL(+)を1段階づつ設定変更するようにしたが、1回の制御で複数段階の設定変更を指示するようにしてもよい。
またこの場合、単に発光消費電力Pα、Pβの比較だけでなく、その電力差又は電力比を求める。そして電力差又は電力比に基づいて、1回の制御で、表示データ信号Doutによる発光消費電力Pβが、表示データ信号Dinによる発光消費電力Pα以下となるようにするために必要な下クリップレベルCL(−)又は上クリップレベルCL(+)を求める。その結果により、当該求めた下クリップレベルCL(−)又は上クリップレベルCL(+)を指定するような係数制御信号KCを発生させてもよい。このようにすれば、1回の制御で、目的とする状態に達するようにすることが可能である。
例えば図7(c)に示したような固定の補正特性を設定するなどである。
例えば電力抑制エッジ強調処理を行う場合は、上述のように発光消費電力Pα、Pβに基づいて非線形関数補正回路24aの補正特性を変更するが、ユーザがその機能を求めないときは、常に非線形関数補正回路24aでは図6(b)のデフォルト設定で処理を行うようにするなどである。
Claims (12)
- 表示データ処理部と、上記表示データ処理部から出力される表示データ信号に基づき表示動作を行うように構成された表示部とを備え、
上記表示部は、上記表示動作における消費電力が表示映像の平均表示輝度に依存する自発光ディスプレイから成り、
上記表示データ処理部は、
入力される表示データ信号のエッジ成分の検出を行うエッジ検出処理と、
検出された上記エッジ成分のプラス方向のエッジ強調量とマイナス方向のエッジ強調量を各々設定するエッジ波形補正処理と、
上記入力される表示データ信号に、上記エッジ波形補正処理において設定された上記プラス方向のエッジ強調量と上記マイナス方向のエッジ強調量との各々を反映させるエッジ付加処理とを行うように構成され、
上記マイナス方向のエッジ強調量は、上記プラス方向のエッジ強調量より大きく設定され、上記表示データ処理部から出力される表示データ信号に基づき上記表示動作を行う場合の推定消費電力量が、上記入力される表示データ信号に基づき上記表示動作を行う場合の推定電力消費量より小さくなるように構成されている
表示装置。 - 上記エッジ波形補正処理は、プラス方向のクリップレベルと、マイナス方向のクリップレベルとをそれぞれ設定する処理を含む請求項1に記載の表示装置。
- 上記エッジ波形補正処理は、プラス方向のクリップレベル及びゲイン値と、マイナス方向のクリップレベル及びゲイン値とをそれぞれ設定する処理を含む請求項1に記載の表示装置。
- 上記表示データ処理部は、電力抑制エッジ強調処理と、通常のエッジ強調処理との実行を切り替えられるように構成され、
上記電力抑制エッジ強調処理においては、上記マイナス方向のエッジ強調量が上記プラス方向のエッジ強調量より大きく設定されて成る請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の表示装置。 - 上記表示データ処理部は、ユーザーの設定に応じて、上記電力抑制エッジ強調処理と、上記通常のエッジ強調処理との実行を切り替えられるように構成されている請求項4に記載の表示装置。
- 上記自発光ディスプレイは有機ELディスプレイである請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の表示装置。
- 表示データ処理部と、上記表示データ処理部から出力される表示データ信号に基づき表示動作を行うように構成され、自発光ディスプレイから成る表示部とを備え、
上記表示データ処理部は、
入力される表示データ信号のエッジ成分の検出を行うエッジ検出処理と、
検出された上記エッジ成分のプラス方向のエッジ強調量とマイナス方向のエッジ強調量を各々設定するエッジ波形補正処理と、
上記入力される表示データ信号に、上記エッジ波形補正処理において設定された上記プラス方向のエッジ強調量と上記マイナス方向のエッジ強調量との各々を反映させるエッジ付加処理とを行うように構成され、
上記マイナス方向のエッジ強調量は、上記プラス方向のエッジ強調量より大きく設定され、
上記エッジ波形補正処理は、プラス方向のクリップレベル及びゲイン値と、マイナス方向のクリップレベル及びゲイン値とをそれぞれ設定する処理を含む
表示装置。 - 表示データ処理部と、上記表示データ処理部から出力される表示データ信号に基づき表示動作を行うように構成され、自発光ディスプレイから成る表示部とを備え、
上記表示データ処理部は、
入力される表示データ信号のエッジ成分の検出を行うエッジ検出処理と、
検出された上記エッジ成分のプラス方向のエッジ強調量とマイナス方向のエッジ強調量を各々設定するエッジ波形補正処理と、
上記入力される表示データ信号に、上記エッジ波形補正処理において設定された上記プラス方向のエッジ強調量と上記マイナス方向のエッジ強調量との各々を反映させるエッジ付加処理とを行うように構成され、
上記マイナス方向のエッジ強調量は、上記プラス方向のエッジ強調量より大きく設定され、
上記表示データ処理部は、上記エッジ付加処理と、通常のエッジ強調処理との実行を切り替えられるように構成されて成る
表示装置。 - 上記表示データ処理部は、ユーザーの設定に応じて、上記エッジ付加処理と、上記通常のエッジ強調処理との実行を切り替えられるように構成されて成る請求項8に記載の表示装置。
- 上記エッジ波形補正処理は、プラス方向のクリップレベルと、マイナス方向のクリップレベルとをそれぞれ設定する処理を含む請求項8に記載の表示装置。
- 上記エッジ波形補正処理は、プラス方向のクリップレベル及びゲイン値と、マイナス方向のクリップレベル及びゲイン値とをそれぞれ設定する処理を含む請求項8から請求項10のいずれか1項に記載の表示装置。
- 上記表示部は、有機ELディスプレイを含む請求項7から請求項11のいずれか1項に記載の表示装置。
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