JP5740895B2 - Euvマスク白欠陥修正方法 - Google Patents
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Description
以下に本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[1]
反射層とその上に形成された吸収パターンと含んだEUVマスクの白欠陥を修正する方法であって、
前記白欠陥する反射層に、酸素ラジカルにより除去可能な修正補助膜を形成する工程と、
前記白欠陥にSi含有材料または金属含有材料を埋め込んで、白欠陥修正膜を形成する工程と、
前記修正補助膜を酸素ラジカルにより除去して、前記反射層を露出する工程と
を具備することを特徴とする白欠陥修正方法。
[2]
前記修正補助膜は、カーボン系膜であることを特徴とする請求項1に記載の白欠陥修正方法。
[3]
前記カーボン系膜は、炭化水素ガス雰囲気中でEB照射を行なうことにより形成されることを特徴とする[2]に記載の白欠陥修正方法。
[4]
前記Si含有材料は、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンおよびテトラエトキシシランからなる群から選択される有機珪素化合物であることを特徴とする[1]乃至[3]のいずれか1項に記載の白欠陥修正方法。
[5]
前記金属含有材料は、メチルシクロペンタジエニルトリメチル白金、ヘキサカルボニルタングステン、およびヘキサカルボニルモリブデンからなる群から選択される有機金属化合物であることを特徴とする[1]乃至[3]のいずれか1項に記載の白欠陥修正方法。
[6]
前記修正補助膜は、前記白欠陥が生じた前記吸収パターンの上にも形成されることを特徴とする[1]乃至[5]のいずれか1項に記載の白欠陥修正方法。
[7]
前記酸素ラジカルは、酸素含有雰囲気中で真空紫外線を照射することにより発生させることを特徴とする[1]乃至[6]のいずれか1項に記載の白欠陥修正方法。
[8]
前記酸素ラジカルによる前記修正補助膜の除去の後に、液体を用いた洗浄がさらに行なわれることを特徴とする[7]に記載の白欠陥修正方法。
[9]
前記液体は、硫酸と過酸化水素との混合液またはアンモニアと過酸化水素水との混合液であることを特徴とする[8]に記載の白欠陥修正方法。
[10]
[1]乃至[9]のいずれか1項に記載の方法により白欠陥を修正することを具備するEUVマスクの製造方法。
12a,12b,12c,12d…反射層; 13…白欠陥; 14…修正補助膜
15…白欠陥修正膜; 16…ハロ; 17…修正原料の薄膜。
Claims (9)
- 反射層とその上に形成された吸収パターンとを含んだEUVマスクの白欠陥を修正する方法であって、
前記反射層の一部の領域であって前記白欠陥と隣接した第1領域、および、前記反射層の一部の領域であって前記白欠陥から離れて位置し且つ前記第1領域と隣接した第2領域のうち、前記第1領域にのみ、酸素ラジカルにより除去可能な修正補助膜を、炭素原子の含有量が30モル%以上の炭化水素ガス雰囲気中でEB照射を行うことによって形成する工程と、
前記白欠陥にSi含有材料または金属含有材料を埋め込んで、EUV光を十分に吸収できる厚さの白欠陥修正膜を形成する工程と、
前記修正補助膜を酸素ラジカルにより除去して、前記反射層を露出する工程と
を具備することを特徴とする白欠陥修正方法。 - 前記修正補助膜は、カーボン系膜であることを特徴とする請求項1に記載の白欠陥修正方法。
- 前記Si含有材料は、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサンおよびテトラエトキシシランからなる群から選択される有機珪素化合物であることを特徴とする請求項1または2に記載の白欠陥修正方法。
- 前記金属含有材料は、メチルシクロペンタジエニルトリメチル白金、ヘキサカルボニルタングステン、およびヘキサカルボニルモリブデンからなる群から選択される有機金属化合物であることを特徴とする請求項1または2に記載の白欠陥修正方法。
- 前記白欠陥修正膜は、前記白欠陥が生じた前記吸収パターンの上にも形成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の白欠陥修正方法。
- 前記酸素ラジカルは、酸素含有雰囲気中で真空紫外線を照射することにより発生させることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の白欠陥修正方法。
- 前記酸素ラジカルによる前記修正補助膜の除去の後に、液体を用いた洗浄がさらに行なわれることを特徴とする請求項6に記載の白欠陥修正方法。
- 前記液体は、硫酸と過酸化水素との混合液またはアンモニアと過酸化水素水との混合液であることを特徴とする請求項7に記載の白欠陥修正方法。
- 請求項1乃至8のいずれか1項に記載の方法により白欠陥を修正することを具備するEUVマスクの製造方法。
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