JP5720296B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板上に半導体素子を搭載したものをモールド材で封止してなる半導体装置の製造方法に関する。

従来より、この種の半導体装置は、一面側に回路部を有する半導体素子における一面とは反対の他面側を、基板に対向させた状態で、半導体素子を基板上に搭載してなる構造体を、樹脂成形用の金型内に配置した後、モールド材として、絶縁性のフィラーを含有する樹脂を、金型内に充填することにより、半導体素子および基板を樹脂で封止してなる。（たとえば特許文献１参照）
ここで、モールド材には、樹脂の熱膨張係数特性を調整するなどの目的で、セラミック等からなるフィラーが含有されている。また、半導体素子の一面には、精密電源等の回路部が形成されているが、半導体素子を樹脂で封止した後に当該樹脂に含まれるフィラーによる局所応力が半導体素子の回路部内の素子に影響を与え、回路部特性を変動させるおそれがある。

このような問題に対して、従来では、モールド材を構成するエポキシ樹脂とは異なるポリイミド系樹脂等の比較的柔らかい樹脂よりなる保護膜を、半導体素子の一面に付け、この保護膜で回路部を保護することで、半導体素子のうち応力に弱い回路部に加わるフィラーの応力を減らすようにしたものが提案されている（たとえば特許文献２参照）。

特開２００５−１６６８９８号公報 特開平９−２８９２６９号公報

しかしながら、従来では、上記半導体素子の回路部を被覆する保護膜を形成するために、半導体素子の回路部上に保護膜を塗布し、これを硬化させた後に、モールド材による封止すなわちモールド工程を行うことになるため、工程が複雑になる。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、応力に弱い回路部を有する半導体素子を基板上に搭載したものを、フィラー入りの樹脂よりなるモールド材で封止するにあたって、簡略化された工程にて、半導体素子の回路部を適切に保護しつつ、フィラー入りの樹脂による半導体素子および基板の封止を行うことを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（２１）側に回路部（２３）を有する半導体素子（２０）における一面（２１）とは反対の他面（２２）側を、基板（１０）に対向させた状態で、半導体素子（２０）を基板（１０）上に搭載してなる構造体（１）を、樹脂成形用の金型（１００）内に配置する構造体配置工程の後、
絶縁性のフィラー（３１）を含有する樹脂（３０）を、金型（１００）内に充填することにより、半導体素子（２０）および基板（１０）を樹脂（３０）で封止するモールド工程を行うことにより製造される半導体装置の製造方法において、
構造体配置工程では、樹脂（３０）中のフィラー（３１）が回路部（２３）に侵入することなく且つ樹脂（３０）は侵入する大きさの隙間（２００）を規定する隙間規定手段（１０１、３００）を、金型（１００）内にて回路部（２３）を囲むように設けた状態とし、
その後、モールド工程では、隙間規定手段（１０１、３００）を設けた状態にてフィラー（３１）を含有する樹脂（３０）の金型（１００）への充填を行うものであり、
さらに、隙間規定手段は、金型（１００）の一部として半導体素子（２０）の一面（２１）の上方から当該一面（２１）と隙間（２００）を有して対向する対向部（１０１）であり、
対向部（１０１）は、半導体素子（２０）の一面（２１）に直交方向に移動可能なものであり、
モールド工程では、隙間（２００）から回路部（２３）に侵入した樹脂（３０）にて回路部（２３）を被覆した後、対向部（１０１）を引き上げて、フィラー（３１）を含有する樹脂（３０）の金型（１００）への充填を続け、回路部（２３）を被覆する樹脂（３０）を、さらにフィラー（３１）を含有する樹脂（３０）で被覆することを特徴とする。

それによれば、１回のモールド工程により、半導体素子（２０）および基板（１０）の封止が行えるとともに、半導体素子（２０）の中でも応力に弱い回路部（２３）上にはフィラー（３１）を含まない樹脂（３０）が侵入して当該回路部（２３）を被覆して保護する。この回路部（２３）を被覆する樹脂（３０）は、フィラー（３１）を含まず且つモールド材としての樹脂材料よりなるものであるから、回路部特性を変動させることなくモールド材としての封止機能を有するものとなる。

よって、本発明によれば、簡略化された工程にて、半導体素子（２０）の回路部（２３）を適切に保護しつつ、フィラー（３１）入りの樹脂（３０）による半導体素子（２０）および基板（１０）の封止を行うことができる。

また、請求項１の発明によれば、フィラー（３１）を含まない樹脂（３０）で回路部（２３）を適切に被覆して、その上にフィラー（３１）を含有する樹脂（３０）を配置して封止することになるが、この場合、回路部（２３）の保護膜となる樹脂（３０）とその保護膜上を被覆する樹脂（３０）とが同一の樹脂材料であるから、従来のように保護膜とモールド材とで異種の樹脂材料を使用する場合に比べて、これら両者の密着性に優れ、剥離防止が可能となる。

さらに、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、モールド工程では、対向部（１０１）を、対向部（１０１）以外の金型（１００）の部分よりも高い温度としておき、
この状態で隙間（２００）から回路部（２３）に侵入した樹脂（３０）にて回路部（２３）を被覆した後、対向部（１０１）を引き上げて、フィラー（３１）を含有する樹脂（３０）の金型（１００）への充填を続けることを特徴とする。

それによれば、隙間（２００）から回路部（２３）に侵入し回路部（２３）を被覆する樹脂（３０）が、先に半硬化もしくは硬化した後に、その上を、フィラー（３１）を含有する樹脂（３０）で被覆することになるから、当該回路部（２３）を被覆する樹脂（３０）にフィラー（３１）が侵入して混ざり合ってしまうのを防止しやすくなるため、好ましい。

また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、対向部（１０１）は、対向部（１０１）のうちの周辺部（１０２）が半導体素子（２０）の一面（２１）と隙間（２００）を有して対向する部位であって、この周辺部（１０２）よりも内側の部位（１０３）は周辺部（１０２）よりも凹んだ部位とされているものであることを特徴とする。

それによれば、隙間（２００）から侵入して回路部（２３）を被覆する樹脂（３０）、すなわち保護膜となる樹脂（３０）の厚さを確保しやすい。

また、請求項４に記載の発明では、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、隙間規定手段（１０１、３００）により規定される隙間（２００）は、フィラー（３１）の平均粒径よりも小さいものであることを特徴とする。それによれば、フィラー（３１）の侵入防止に好ましい。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

（ａ）は本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略断面図であり、（ｂ）は（ａ）の上視概略平面図である。 第１実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。 図２に続く製造方法を示す工程図である。 第１実施形態の対向部の他の例を示す図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。 第２実施形態の半導体装置の概略断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す図であり、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は（ａ）の上視概略平面図である。なお、図１（ｂ）に示される平面図中では、モールド材である樹脂３０の外形を一点鎖線で示し、この樹脂３０を透過してその内部に位置する構成要素を示している。

本実施形態の半導体装置は、大きくは、基板１０と、一面２１側に回路部２３を有し、一面２１とは反対の他面２２側を基板１０に対向させた状態で、基板１０上に搭載された半導体素子２０と、半導体素子２０および基板１０を封止するモールド材としての樹脂３０と、を備える。

基板１０は、たとえばリードフレームのアイランド、ヒートシンク、配線基板などにより構成されている。ここでは、基板１０は矩形板状を成している。

半導体素子２０は、シリコン半導体などよりなり一般的な半導体プロセスにより形成されるものである。ここでは、半導体素子２０は、一方の板面である一面２１側に回路部２３を有し、他方の板面である他面２２側を基板１０に対向させた状態で、図示しないダイマウント材などにより基板１０上に搭載されて固定されている。

具体的には、半導体素子２０は、ＩＣチップや圧力センサ素子などのセンサチップなどであり、その回路部２３は、たとえば精密電源、ダイアフラムなどのセンシング部などである。この回路部２３は、半導体素子２０の中でも応力に弱い部位であり、応力印加により、回路部特性が変動しやすいものである。

また、半導体素子２０の外側には、リードフレームのリード部分などとして構成されるリード端子４０が設けられている。このリード端子４０と半導体素子２０および基板１０とは、たとえば図示しないワイヤボンディングなどにより接続されており、半導体素子２０と外部との電気的なやり取りは、リード端子４０を介して行われるようになっている。

そして、モールド材としての樹脂３０は、これら半導体素子２０および基板１０とともに、リード端子４０のインナーリードを封止している。このモールド材としての樹脂３０は、一般的なモールド材と同様、絶縁性のフィラー３１を含有するエポキシ樹脂などよりなる樹脂である。

このようなフィラー３１としては、たとえばシリカ、アルミナ、窒化アルミナなどが挙げられる。また、フィラー３１の形状は、たとえば球状、フレーク状などをなすものであり、平均粒径がたとえば数十μｍ程度のものである。

ここで、モールド材としての樹脂３０は、半導体素子２０の一面２１における回路部２３上の所定領域３０ａを除いて全体にフィラー３１が分布しているものである。ここで、回路部２３上の所定領域３０ａとは、回路部２３直上の全体ではなく、回路部２３から所定の高さまでの一部の領域である。所定の高さとは、半導体素子２０を樹脂３０で封止した後に当該樹脂３０に含まれるフィラー３１による局所応力が半導体素子２０の回路部２３内の素子に影響を与え難く、当該局所応力による回路部特性の変動を抑制可能な距離を有していれば良い。

つまり、この所定領域３０ａ、換言すれば回路部２３周りの領域３０ａはフィラーを含まない樹脂（以下、フィラー不含樹脂という）３０ａの領域であり、回路部２３を被覆して保護する保護膜としてのフィラー不含樹脂３０ａの領域である。そして、回路部２３は、フィラー不含樹脂３０ａにより被覆され、さらに、その上をモールド材としての樹脂３０により封止されている。

次に、この半導体装置の製造方法について、図２、図３を参照して述べる。図２、図３は本製造方法を示す工程図であり、図２（ａ）、（ｃ）、図３はワークを断面的に示しており、図２（ｂ）は図２（ａ）中の対向部１０１の概略平面図である。

まず、図２（ａ）に示されるように、半導体素子２０の他面２２側を基板１０に対向させた状態で、半導体素子２０を基板１０上に搭載してなる構造体１を形成する。この構造体１においては、リード端子４０と基板１０とは、吊りリードなどの連結部やかしめなどにより一体化され、また、リード端子４０と基板１０とは図示しないボンディングワイヤなどにより接続されている。

そして、図２（ａ）に示される構造体配置工程では、樹脂成形用の金型１００内に構造体１を配置する。この金型１００は、鉄系金属などよりなり、基本的には、一般のトランスファーモールド法に用いられる上型と下型とを合致させ、これら上下型の間に、樹脂３０が充填されるキャビティを形成するものである。

さらに、本実施形態の金型１００には、金型１００内にて回路部２３を囲むように設けられる隙間規定手段１０１が備えられている。この隙間規定手段１０１は、モールド材としての樹脂３０中のフィラー３１が回路部２３に侵入することなく且つ樹脂３０は侵入する大きさの隙間２００を規定するものである。

ここでは、隙間規定手段は、金型１００の一部として半導体素子２０の一面２１の上方から当該一面２１と隙間２００を有して対向する対向部１０１であり、この対向部１０１は、半導体素子２０の一面２１に直交方向に移動可能なもの、すなわち当該一面２１に向かって引き上げたり、引き下げたりするように移動可能なものである。

具体的には、この対向部１０１は、鉄系金属などよりなる入れ子のようなものであって、金型１００の上型に設けられた穴に摺動可能に挿入されたものであり、電動アクチュエータなどにより、図２中の上下方向に移動可能とされている。

この対向部１０１における半導体素子２０の一面２１に対向する部位の平面サイズは、回路部２３の平面サイズよりも大きいものとされている。そして、金型１００に設置完了された構造体１において、半導体素子２０の一面２１に対向部１０１を対向させた状態において、対向部１０１は、回路部２３の外郭全体からはみ出して位置するようになっている。

ここでは、対向部１０１は、当該対向部１０１のうちの周辺部１０２が半導体素子２０の一面２１と上記隙間２００を有して対向する部位であって、この周辺部１０２よりも内側の部位１０３は周辺部１０２よりも凹んだ部位とされているものである。

ここでは、図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、対向部１０１は、その周辺部１０２が矩形枠状をなすロの字型のものとされている。この周辺部１０２の枠幅は薄いほどよく、当該内側の部位１０３は、たとえば周辺部１０２よりも１０ｕｍ以上凹んでいればよい。

そして、構造体配置工程では、この隙間規定手段としての対向部１０１を、金型１００内にて回路部２３を囲むように設けた状態とする。具体的には、金型１００内に構造体１を設置し、その半導体素子２０の一面２１に向けて対向部１０１を下降させる。

ここで、対向部１０１の周辺部１０２を半導体素子２０の一面２１に、いったん当てた後、上記隙間２００の分だけ、対向部１０１を上昇させることにより、半導体素子２０の一面２１と対向部１０１との間に上記隙間２００を規定する。

なお、このとき、金型１００および対向部１０１は鉄系金属などよりなるが、半導体素子２０に当てる部位、具体的には周辺部１０２はポリイミド樹脂などの耐熱性樹脂でコーティングなどがされていてもよい。これにより、対向部１０１が半導体素子２０に当たるときの半導体素子２０のダメージ緩和が可能となる。

ここで、上記隙間２００は、モールド材としての樹脂３０中のフィラー３１が回路部２３に侵入することなく且つ樹脂３０は侵入する大きさであるが、フィラー３１の平均粒径（たとえば数十μｍ）以下に設定する。

なお、隙間２００は、フィラー３１の平均粒径より大きくても、フィラー３１はベア状態ではなく樹脂３０に包み込まれた状態であるから、当該隙間２００がフィラー３１の平均粒径より多少大きくても実質的には入り込まないものとなりやすい。

その後、図２（ｃ）、図３に示されるモールド工程では、この対向部１０１を設けた状態にて、フィラー３１を含有するモールド材としての樹脂３０を、金型１００内に充填することにより、半導体素子２０および基板１０を当該樹脂３０で封止する。

このモールド工程において、モールド材としての樹脂３０を注入するゲートの位置は金型１００のどの位置でもよい。図２（ｃ）に示されるように、当該樹脂３０が注入され、対向部１０１に達すると樹脂３０中のフィラー３１はその隙間２００に入らずに、フィラー３１を含まない樹脂３０のみが隙間２００から回路部２３上に注入される。

そして、隙間２００から回路部２３に侵入した樹脂３０にて回路部２３を被覆した後、図３に示されるように、対向部１０１を引き上げて、フィラー３１を含有する樹脂３０の金型１００への充填を続け、回路部２３を被覆する樹脂３０（上記フィラー不含樹脂３０ａに相当）を、さらにフィラー３１を含有するモールド材としての樹脂３０で被覆する。

ここで、図３では、引き上げられた対向部１０１の周辺部１０２および内側の部位１０３ともに、キャビティ内面と同一平面に位置するが、これは、内側の部位１０３と周辺部１０２とを別体に摺動可能なものとして構成することにより、容易に実現できる。なお、対向部１０１としては、内側の部位１０３と周辺部１０２とが一体であってもよく、この場合には、図３の状態において、内側の部位１０３が周辺部１０２よりも凹んだままであってもよい。

本実施形態においても、一般のモールド工程と同様に、金型１００は、樹脂３０の硬化温度以上とされているので、樹脂３０の充填完了後、樹脂３０全体の硬化が進行する。そして、この硬化完了すなわちモールド工程の完了に伴い、上記図１に示される本実施形態の半導体装置ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、１回のモールド工程により、半導体素子２０および基板１０の封止が行えるとともに、半導体素子２０の中でも応力に弱い回路部２３上にはフィラー３１を含まない樹脂３０（上記フィラー不含樹脂３０ａに相当）が侵入して当該回路部２３を被覆して保護する。

この回路部２３を被覆する樹脂３０は、フィラー３１を含まず且つモールド材としての樹脂材料よりなるものであるから、回路部特性を変動させることなくモールド材としての封止機能を有するものとなる。

よって、本実施形態によれば、従来のように、回路部の保護膜を形成する塗布などの工程を別途行うことなく、簡略化された工程にて、半導体素子２０の回路部２３を適切に保護しつつ、フィラー３１入りの樹脂３０による半導体素子２０および基板１０の封止を行うことができる。

また、上記製造方法では、隙間２００から侵入した樹脂３０にて回路部２３を被覆した後、対向部１０１を引き上げて、回路部２３を被覆する樹脂３０を、さらにフィラー３１を含有する樹脂３０で被覆している。

この場合、回路部２３の保護膜となる樹脂３０とその保護膜上を被覆する樹脂３０とが同一の樹脂材料であるから、従来のように保護膜とモールド材とで異種の樹脂材料を使用する場合に比べて、これら両者の密着性に優れ、剥離防止が可能となる。

また、上記製造方法において、モールド工程では、対向部１０１を、対向部１０１以外の金型１００の部分よりも高い温度としておき、この状態で隙間２００から回路部２３に侵入した樹脂３０にて回路部２３を被覆した後、対向部１０１を引き上げて、フィラー３１を含有する樹脂３０の金型１００への充填を続けるようにしてもよい。

それによれば、隙間２００から回路部２３に侵入し回路部２３を被覆する樹脂３０が、先に半硬化もしくは硬化した後に、その上を、フィラー３１を含有する樹脂３０で被覆することになるから、当該回路部２３を被覆する樹脂３０にフィラー３１が侵入して混ざり合ってしまうのを防止しやすくなる。

ここで、金型１００は通常のものと同様に、通電式のヒータなどにより加熱されて所定温度とされるものであるが、ここでは、たとえば対向部１０１をそれ以外の金型１００の部分とは別の通電ヒータを有するものとし、対向部１０１をそれ以外に比べて大電流で加熱してやればよい。

たとえば、一般のモールド工程と同様、金型１００は樹脂３０の硬化温度（たとえばエポキシ樹脂なら１５０℃程度）以上の温度（たとえば１８０℃程度）とするが、さらに対向部１０１は、プラス１０℃（たとえば１９０℃程度）とする。

また、対向部１０１の熱の逃げを抑制するために、対向部１０１と、対向部１０１が挿入される金型１００部分の上記穴との間に断熱性部材を介在させてもよい。たとえば、ポリイミドなどの耐熱性樹脂よりなる膜を、対向部１０１の外面または当該穴の内面に設けてやればよい。

なお、もちろん、樹脂３０の粘性などの条件により、上記したフィラー３１の混ざり合いが発生しにくいような場合には、対向部１０１とそれ以外の金型１００の部分とを同一温度としてもよい。

また、上述したが、対向部１０１は、隙間２００を規定する周辺部１０２と、その内側の凹んだ部位１０３とを有するので、隙間２００から侵入して回路部２３を被覆する樹脂３０、すなわち保護膜となる上記フィラー不含樹脂３０ａの厚さ確保が容易となる。

なお、図２では、対向部１０１は、その周辺部１０２が矩形枠状をなすロの字型の対向部とされていたが、図４（ａ）に示されるように、周辺部１０２が円形枠状をなすもの、いわゆるドーナツ状の対向部１０１であってもよい。また、図４（ｂ）に示されるように、周辺部も内側の部位も一体の平坦面をなす対向部１０１でもよい。いずれにせよ、対向部１０１は、上記隙間２００の規定が行えるものであって、その内周に回路部２３が入る平面サイズのものであればよい。

また、上記製造方法とは異なり、隙間２００から回路部２３に侵入した樹脂３０にて回路部２３を被覆した後、対向部１０１を引き上げずに、そのままフィラー３１を含有する樹脂３０の金型１００への充填を続け、樹脂３０の充填および硬化を完了してもよい。

この場合、完成した半導体装置においては、樹脂３０において対向部１０１の形状に凹んだ凹部が形成されるが、その凹部の底においては、フィラー不含樹脂３０ａによる回路部２３の保護および封止がなされており、問題は無い。

（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す工程図であり、（ａ）、（ｃ）はワークを断面的に示しており、（ｂ）は（ａ）中の半導体素子２０の一面２１の概略平面図である。本実施形態は、上記第１実施形態の製造方法に比べて、隙間規定手段３００を予め構造体１の半導体素子２０側に設けたことが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。

図５（ａ）に示されるように、本実施形態では、モールド材としての樹脂３０中のフィラー３１が回路部２３に侵入することなく且つ樹脂３０は侵入する大きさの隙間２００を規定する隙間規定手段３００を、構造体１における半導体素子２０の一面２１にて回路部２３を囲むように設けている。

ここでは、隙間規定手段３００は、図５（ｂ）に示されるように、回路部２３を覆うように半導体素子２０の一面２１に固定され、網目状をなすとともに当該網目の開口部が隙間２００を構成する網目部材３００である。なお、図５（ｂ）では、回路部２３の表面に識別のため点ハッチングを施してある。

具体的には、網目部材は、半導体素子２０の一面２１に網目状に接続された複数本のボンディングワイヤ３００よりなる。これらボンディングワイヤ３００は、通常の金やアルミのワイヤボンディングなどにより容易に形成できる。

そして、本実施形態の製造方法では、予め網目部材３００が形成された構造体１を、金型１００に設置する。この場合の金型１００は、上記対向部１０１を持たない一般的なものでよい。

本実施形態の構造体配置工程では、このように金型１００に構造体１を設置するだけで、隙間規定手段である網目部材３００を、金型１００内にて回路部２３を囲むように設けた状態とすることができる。

その後、図５（ｃ）に示されるように、本実施形態のモールド工程では、この網目部材３００を設けた状態にてフィラー３１を含有する樹脂３０の金型１００への充填を行い、半導体素子２０および基板１０を樹脂３０で封止する。このとき、網目部材３００の開口部２００すなわち隙間２００からは、回路部２３にフィラー３１は侵入せず、樹脂３０のみが侵入する。

そのため、本実施形態においても、回路部２３はフィラー不含樹脂で被覆され、その上が更にフィラー３１入り樹脂３０で封止された構成となる。そして、本製造方法においても、樹脂３０の充填および硬化の完了すなわちモールド工程の完了に伴い、半導体装置ができあがる。

このように、本実施形態の製造方法によれば、予め半導体素子２０側に隙間規定手段としての網目部材３００を設け、その後は通常の金型１００を用いた樹脂封止を行えばよいから、金型１００を変更することなく一般的なモールド工程に適用できるという利点がある。

また、網目部材３００をボンディングワイヤ３００で形成することで、半導体素子２０に対して通常行われるワイヤボンディングにより、隙間規定手段としての網目部材３００を形成できるから、工程の簡略化などが期待される。なお、本実施形態の網目部材としては、ボンディングワイヤ３００以外にも、たとえば茶漉しのような金網を、半導体素子２０の一面２１に接着したものとしてもよい。

ここで、図６は、上記製造方法により完成した本実施形態の半導体装置の概略断面構成を示す図である。本半導体装置においては、樹脂３０中に網目部材３００が残って封止されていること以外は、上記図１の半導体装置と同様である。

本半導体装置においても、樹脂３０は、半導体素子２０の一面２１における回路部２３上の所定領域３０ａ（フィラー不含樹脂３０ａに相当）を除いて全体にフィラー３１が分布しているものである。

ここで、網目部材３００は、フィラー３１の平均粒径よりも小さな隙間としての開口部２００を有する網目状をなすことが望ましい。そして、この網目部材３００は、半導体素子２０の一面２１上にて、回路部２３とは離れる方向に凸となる形状、具体的には略ドーム状なしており、回路部２３を覆うように設けられている。

そして、網目部材３００の内部が、樹脂３０の回路部２３上の所定領域３０ａすなわちフィラー不含樹脂３０ａとされており、網目部材３００の外側はフィラー３１入り樹脂３０とされている。つまり、樹脂３０の所定領域３０ａは、この網目部材３００によって区画されている。

１ 構造体
１０ 基板
２０ 半導体素子
２１ 半導体素子の一面
２２ 半導体素子の他面
２３ 回路部
３０ 樹脂
３０ａ フィラー不含樹脂に相当する所定領域
３１ フィラー
１００ 金型
１０１ 隙間規定手段としての対向部
１０２ 対向部の周辺部
１０３ 対向部における周辺部の内側の部位
３００ 隙間規定手段としての網目部材

Claims (4)

1. 一面（２１）側に回路部（２３）を有する半導体素子（２０）における前記一面（２１）とは反対の他面（２２）側を、基板（１０）に対向させた状態で、前記半導体素子（２０）を前記基板（１０）上に搭載してなる構造体（１）を、樹脂成形用の金型（１００）内に配置する構造体配置工程の後、
   絶縁性のフィラー（３１）を含有する樹脂（３０）を、前記金型（１００）内に充填することにより、前記半導体素子（２０）および前記基板（１０）を前記樹脂（３０）で封止するモールド工程を行うことにより製造される半導体装置の製造方法において、
   前記構造体配置工程では、前記樹脂（３０）中の前記フィラー（３１）が前記回路部（２３）に侵入することなく且つ前記樹脂（３０）は侵入する大きさの隙間（２００）を規定する隙間規定手段（１０１、３００）を、前記金型（１００）内にて前記回路部（２３）を囲むように設けた状態とし、
   その後、前記モールド工程では、前記隙間規定手段（１０１、３００）を設けた状態にて前記フィラー（３１）を含有する前記樹脂（３０）の前記金型（１００）への充填を行うものであり、
   さらに、前記隙間規定手段は、前記金型（１００）の一部として前記半導体素子（２０）の前記一面（２１）の上方から当該一面（２１）と前記隙間（２００）を有して対向する対向部（１０１）であり、
   前記対向部（１０１）は、前記半導体素子（２０）の前記一面（２１）に直交方向に移動可能なものであり、
   前記モールド工程では、前記隙間（２００）から前記回路部（２３）に侵入した前記樹脂（３０）にて前記回路部（２３）を被覆した後、前記対向部（１０１）を引き上げて、前記フィラー（３１）を含有する前記樹脂（３０）の前記金型（１００）への充填を続け、前記回路部（２３）を被覆する前記樹脂（３０）を、さらに前記フィラー（３１）を含有する前記樹脂（３０）で被覆することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記モールド工程では、前記対向部（１０１）を、前記対向部（１０１）以外の前記金型（１００）の部分よりも高い温度としておき、
   この状態で前記隙間（２００）から前記回路部（２３）に侵入した前記樹脂（３０）にて前記回路部（２３）を被覆した後、前記対向部（１０１）を引き上げて、前記フィラー（３１）を含有する前記樹脂（３０）の前記金型（１００）への充填を続けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記対向部（１０１）は、前記対向部（１０１）のうちの周辺部（１０２）が前記半導体素子（２０）の前記一面（２１）と前記隙間（２００）を有して対向する部位であって、この周辺部（１０２）よりも内側の部位（１０３）は前記周辺部（１０２）よりも凹んだ部位とされているものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記隙間規定手段（１０１、３００）により規定される前記隙間（２００）は、前記フィラー（３１）の平均粒径よりも小さいものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。

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