JP5716096B2 - 多重モード弾性波素子 - Google Patents
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Description
12,13 出力端子
21,22 電極指
50,100 多重モード弾性波素子
101 圧電基板
52,102 第1反射器(反射器)
58,108 第2反射器(反射器)
53,103 第1のIDT電極(IDT電極)
54,104 第2のIDT電極(IDT電極)
55,105 第3のIDT電極(IDT電極)
56,106 第4のIDT電極(IDT電極)
57,107 第5のIDT電極(IDT電極)
200 第1多重モード弾性波素子
300 第2多重モード弾性波素子
Claims (20)
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上に配置された第1、第2反射器と、
前記圧電基板の上にあって前記第1、第2反射器の間に弾性波の伝播方向に沿って、前記第1反射器から前記第2反射器に以下の順に配置された第1のIDT電極と、第2のIDT電極と、第3のIDT電極と、第4のIDT電極と、第5のIDT電極と、を備え、
前記第1から第5のIDT電極はそれぞれ電極指ピッチが実質的に等しいピッチ一定領域を有し、
前記第1のIDT電極の電極指ピッチ平均と前記第5のIDT電極の電極指ピッチ平均は、前記第2のIDT電極の電極指ピッチ平均と前記第4のIDT電極の電極指ピッチ平均のいずれよりも小さい、多重モード弾性波素子。 - 前記第3のIDT電極の電極指ピッチ平均は、前記第2のIDT電極の電極指ピッチ平均と前記第4のIDT電極の電極指ピッチ平均のいずれよりも小さい、請求項1記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1反射器における、前記第1のIDT電極に近い第1領域での隣り合う電極指ピッチの変化率は、前記第1領域よりも前記第1のIDT電極から遠い第2領域での隣り合う電極指ピッチの変化率より大きい、請求項2記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第2反射器における、前記第5のIDT電極に近い第3領域での隣り合う電極指ピッチの変化率は、前記第3領域よりも前記第5のIDT電極から遠い第4領域での隣り合う電極指ピッチの変化率より大きい、請求項3記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1反射器の電極指ピッチが前記第1、第5のIDT電極に近い領域で極大、極小を有する、請求項2記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第2反射器の電極指ピッチが前記第1、第5のIDT電極に近い領域で極大、極小を有する、請求項5記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第3のIDT電極の電極指ピッチ平均は前記第1のIDT電極の電極指ピッチ平均と前記第5のIDT電極の電極指ピッチ平均のいずれよりも大きい、請求項1記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1反射器の電極指ピッチ平均と前記第2のIDT電極の電極指ピッチ平均の比の値は、1.02以上、1.035以下である、請求項1記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第2反射器の電極指ピッチ平均と前記第4のIDT電極の電極指ピッチ平均の比の値は、1.02以上、1.035以下である、請求項8記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1、第2反射器がそれぞれ少なくとも3種類の電極指ピッチを有する、請求項1記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1〜第5のIDT電極において、隣り合う2つのIDT電極の間で隣接する櫛電極同士の電極指ピッチは、前記第1〜第5のIDT電極のそれぞれの最小電極指ピッチより大きい、請求項1記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチと、前記第3のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチと、前記第5のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチとは、前記第2のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチと、前記第4のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチとのいずれより小さい、請求項1記載の多重モード弾性波素子。
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上に配置された第1、第2反射器と、
前記圧電基板の上にあって前記第1、第2反射器の間に弾性波の伝播方向に沿って、前記第1反射器から前記第2反射器に以下の順に配置された第1のIDT電極と、第2のIDT電極と、第3のIDT電極と、第4のIDT電極と、第5のIDT電極と、を備え、
前記第1から第5のIDT電極はそれぞれ電極指ピッチが実質的に等しいピッチ一定領域を有し、
前記第1のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチと、前記第3のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチと、前記第5のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチとは、前記第2のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチと、前記第4のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチとのいずれより小さく、
前記第1、第2反射器はそれぞれ電極指ピッチが実質的に等しいピッチ一定領域を有し、前記第2のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチと前記第4のIDT電極の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチとは、前記第1、第2反射器の前記ピッチ一定領域の電極指ピッチのいずれよりより大きい、多重モード弾性波素子。 - 前記第1反射器の電極指ピッチ平均と前記第2のIDT電極の電極指ピッチ平均の比の値は、1.02以上、1.035以下である、請求項13記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第2反射器の電極指ピッチ平均と前記第4のIDT電極の電極指ピッチ平均の比の値は、1.02以上、1.035以下である、請求項13記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1反射器の電極指ピッチが前記第1、第5のIDT電極に近い領域で極大、極小を有する、請求項13記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第2反射器の電極指ピッチが前記第1、第5のIDT電極に近い領域で極大、極小を有する、請求項16記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1、第2反射器がそれぞれ少なくとも3種類の電極指ピッチを有する、請求項13記載の多重モード弾性波素子。
- 前記第1〜第5のIDT電極において、隣り合う2つのIDT電極の間で隣接する櫛電極同士の電極指ピッチは、前記第1〜第5のIDT電極のそれぞれの最小電極指ピッチより大きい、請求項10記載の多重モード弾性波素子。
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上に配置された第1、第2反射器と、
前記圧電基板の上にあって前記第1、第2反射器の間に弾性波の伝播方向に沿って、前記第1反射器から前記第2反射器に以下の順に配置された第1〜第nのIDT電極と、を備え、
nは7以上の奇数であり、
前記第1のIDT電極の電極指ピッチ平均と前記第nのIDT電極の電極指ピッチ平均は、前記第2のIDT電極の電極指ピッチ平均と前記第n−1のIDT電極の電極指ピッチ平均のいずれよりも小さい、多重モード弾性波素子。
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