JP5707998B2 - 光ファイバコネクタ、光ファイバ配線板及びそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、光ファイバコネクタ、光ファイバ配線板及びそれらの製造方法に関し、詳しくは、光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易であり、基板の反りが軽減でき、電気配線の高密度化が図れ、且つ、小型化が可能となる、光ファイバコネクタ、及び当該光ファイバコネクタに光ファイバを搭載した光ファイバ配線板、並びにそれらの製造方法に関する。
一般的に、光ケーブル（光ファイバケーブルともいう）は、多量の情報の高速通信が可能であることから、家庭用、産業用の情報通信に広く利用されている。例えば、自動車には、カーナビゲーションシステム等の各種電装品が装備されているが、それらの電装品の光通信の手段として、光ケーブルが採用されている。
このような光ケーブルが有する光ファイバの端末同士を突き合わせて接続する光ケーブルコネクタとしては、特許文献１に記載のものがある。
このような光ケーブルが有する光ファイバの端末同士を突き合わせて接続する光ケーブルコネクタとしては、特許文献１に記載のものがある。
また、情報容量の増大に伴い、幹線やアクセス系といった通信分野のみならず、ルータやサーバ内の情報処理にも光信号を用いる光インターコネクション技術の開発が進められている。ルータやサーバ装置内のボード間又はボード内の短距離信号伝送に光通信を用いる場合、光伝送路としては、光ファイバに比べて、配線の自由度が高く、且つ、高密度化が可能であるため、光導波路が用いられている。
そして、このような光導波路と光ファイバとを接合する光ファイバコネクタとしては、特許文献２に記載のものがある。
また、特許文献３に記載の光導波路が形成された導波路基板と、光ファイバがキャリアされた光コネクタをそれぞれ別のホルダに装着し、各ホルダの端面同志を固着するような光ファイバと光導波路の接続方法が開示されている。
そして、このような光導波路と光ファイバとを接合する光ファイバコネクタとしては、特許文献２に記載のものがある。
また、特許文献３に記載の光導波路が形成された導波路基板と、光ファイバがキャリアされた光コネクタをそれぞれ別のホルダに装着し、各ホルダの端面同志を固着するような光ファイバと光導波路の接続方法が開示されている。
しかしながら、特許文献２に開示された光ファイバコネクタは、製造する上で光ファイバ搭載溝をダイシングによる切削加工をする必要があり生産性に問題がある。また、光導波路のコアが、光ファイバ搭載溝の形成工程とは別のフォトリソ及びエッチングによる工程で形成されるため、光ファイバコネクタに搭載される光ファイバと光導波路コアとの位置ずれが生じる場合がある。更に、シリコンウエハ等の寸法安定性の良い硬い基板上に形成しないと、この位置ずれが大きくなる。
また、特許文献２では、基板の全面に光導波路を形成しているため、基板の反りが発生し、基板のハンドリング性に問題がある。基板の反りを抑えるためには、基板としてシリコンウエハ等の硬い基板を用いる必要がある。しかし、シリコンウエハは、電気配線を光導波路が形成されている面とは反対側に設ける必要があり、両面電極化による光ファイバコネクタの小型化が困難である。
また、特許文献３に記載の光ファイバと光導波路の接続方法では、接続までの工程数が多く煩雑であり、作業性に問題がある。
また、特許文献２では、基板の全面に光導波路を形成しているため、基板の反りが発生し、基板のハンドリング性に問題がある。基板の反りを抑えるためには、基板としてシリコンウエハ等の硬い基板を用いる必要がある。しかし、シリコンウエハは、電気配線を光導波路が形成されている面とは反対側に設ける必要があり、両面電極化による光ファイバコネクタの小型化が困難である。
また、特許文献３に記載の光ファイバと光導波路の接続方法では、接続までの工程数が多く煩雑であり、作業性に問題がある。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが位置ずれを抑えて容易にでき、基板の反りが軽減されると共に、基板の両面に電気配線を形成することができ、両面電極による電気配線の高密度化が図れ、小型化が可能な、光ファイバコネクタ、光ファイバ配線板、及び、生産性を向上させ得るそれらの製造方法を提供することを目的とする。
本発明者らは、光ファイバを固定するための光ファイバ搭載溝を有する光ファイバガイド部と、クラッド層及び光信号伝達用コアパターンからなる光導波路とを基板上の一部に並設し、基板上に基板表面が露出したスペース部分を有する光ファイバコネクタが、上記課題を解決し得ることを見出した。
すなわち、本発明は、下記［１］〜［２４］を提供するものである。
［１］基板と、光ファイバを固定するための光ファイバ搭載溝を有する光ファイバガイド部と、クラッド層及び光信号伝達用コアパターンからなる光導波路とを有し、該光ファイバガイド部と該光導波路とが該基板上の一部に並設された光ファイバコネクタであって、
該基板上には、該光ファイバガイド部及び該光導波路が並設された部分以外の該基板表面が露出したスペース部分を有し、
搭載する光ファイバが、該光導波路の光信号伝達用コアパターンに光信号を伝達可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部と前記光導波路とが並設されてなる、光ファイバコネクタ。
［２］前記光ファイバガイド部の光ファイバ搭載溝の側壁が、少なくともコアパターン部材からなる光ファイバガイド用コアパターンを含む、上記［１］に記載の光ファイバコネクタ。
［３］前記光ファイバガイド用コアパターンが、前記光導波路の光信号伝達用コアパターンと同じ部材からなり、該光信号伝達用コアパターンと一括形成されたものである、上記［２］に記載の光ファイバコネクタ。
［４］前記光導波路が、パターン化された下部クラッド層、光信号伝達用コアパターン、及びパターン化された上部クラッド層が、この順で形成された光導波路である、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［５］前記光導波路の下部クラッド層と基板との間、及び前記光ファイバガイド部と基板との間に積層し、前記基板上の一部にパターン化された第１接着層を有する、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［６］前記第１接着層が、前記光導波路の下部クラッド層と同じ部材である、上記［５］に記載の光ファイバコネクタ。
［７］前記基板がフレキシブル基板である、上記［１］〜［６］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［８］前記光ファイバガイド部の高さが、搭載する光ファイバの外径以下である、上記［１］〜［７］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［９］前記光ファイバ搭載溝の側壁の高さが、搭載する光ファイバの外径の半分以上である、上記［１］〜［８］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１０］前記光導波路が、光路変換ミラーが形成された光導波路である、上記［１］〜［９］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１１］前記基板上に、それぞれが前記光ファイバガイド部及び該光ファイバガイド部と並設された光導波路を有する複数のユニットを備える、上記［１］〜［１０］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１２］前記基板が電気配線板である、上記［１］〜［１１］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１３］前記基板の前記光ファイバガイド部及び光導波路が並設された面と同じ側の基板表面上の前記スペース部分に形成された第１電気配線を有する、上記［１２］に記載の光ファイバコネクタ。
［１４］前記基板の前記光ファイバガイド部及び光導波路が並設された面と反対側の基板表面上に形成された第２電気配線を有する、上記［１２］又は［１３］に記載の光ファイバコネクタ。
［１５］前記光導波路及び光ファイバガイド部が形成された面と同じ側の基板表面上の前記スペース部分に形成された第１電気配線と、前記光導波路及び光ファイバガイド部が形成された面と反対側の基板表面上に形成された第２電気配線とを有し、該第１電気配線と該第２電気配線とが、電気的に接合されてなる、上記［１２］〜［１４］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１６］上記［１］〜［１５］のいずれかに記載の光ファイバコネクタと、前記光ファイバ搭載溝に搭載された光ファイバとを備え、該光ファイバの少なくとも一部が、前記基板に接合されてなる、光ファイバ配線板。
［１７］前記光ファイバが、第２接着層を介して前記基板と接合されてなる、上記［１６］に記載の光ファイバ配線板。
［１８］基板上の一部に、光ファイバを固定するための光ファイバ搭載溝を有する光ファイバガイド部と、クラッド層及びコアパターンからなる光導波路とが並設された光ファイバコネクタの製造方法であって、下記工程１及び２を含む、光ファイバコネクタの製造方法。
工程１：前記基板上に下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、前記光導波路の設置部分以外の前記基板上の積層した該下部クラッド層形成用フィルムを除去し、前記基板上の一部にパターン化した下部クラッド層を形成する工程
工程２：前記工程１で形成した下部クラッド層形成面側から、コア層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、前記下部クラッド上に光信号伝達用コアパターンを形成すると同時に、基板上の一部に光ファイバガイド用コアパターンを積層し光ファイバ搭載溝を一括形成する工程
［１９］更に、下記工程３を含む、上記［１８］に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程３：前記工程２で形成した光ファイバガイド用コアパターン及び光信号伝達用コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、少なくとも前記光ファイバ搭載溝部分及び光導波路が設置されていない基板上の部分に積層した該上部クラッド層形成用樹脂フィルムを除去し、少なくとも光信号伝達用コアパターン上に上部クラッド層を形成する工程
［２０］前記工程１の前工程として、前記基板上に接着層形成用樹脂フィルムを積層し、該接着層形成用樹脂フィルムをエッチングし、前記基板上の一部にパターン化された接着層を形成する工程を含む、上記［１８］又は［１９］に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
［２１］更に、下記工程４を含む、上記［１８］〜［２０］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程４：前記工程２又は３の後、前記光ファイバガイド部側の前記光導波路の端部において、該光導波路の上方から下部クラッド層の底面以下までの深さで切削し、スリット溝を形成する工程
［２２］前記工程２において、使用するコア層形成用樹脂フィルムの厚さが、積層後の光信号伝達用コアパターンの厚さよりも厚い、上記［１８］〜［２１］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
［２３］更に、下記工程５を含む、上記［１８］〜［２２］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程５：前記工程２又は３で得られた光導波路に、光路変換ミラーを形成する工程
［２４］上記［１８］〜［２３］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法により得られた光ファイバコネクタの前記光ファイバ搭載溝に光ファイバを搭載する工程を含む、光ファイバ配線板の製造方法。
［１］基板と、光ファイバを固定するための光ファイバ搭載溝を有する光ファイバガイド部と、クラッド層及び光信号伝達用コアパターンからなる光導波路とを有し、該光ファイバガイド部と該光導波路とが該基板上の一部に並設された光ファイバコネクタであって、
該基板上には、該光ファイバガイド部及び該光導波路が並設された部分以外の該基板表面が露出したスペース部分を有し、
搭載する光ファイバが、該光導波路の光信号伝達用コアパターンに光信号を伝達可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部と前記光導波路とが並設されてなる、光ファイバコネクタ。
［２］前記光ファイバガイド部の光ファイバ搭載溝の側壁が、少なくともコアパターン部材からなる光ファイバガイド用コアパターンを含む、上記［１］に記載の光ファイバコネクタ。
［３］前記光ファイバガイド用コアパターンが、前記光導波路の光信号伝達用コアパターンと同じ部材からなり、該光信号伝達用コアパターンと一括形成されたものである、上記［２］に記載の光ファイバコネクタ。
［４］前記光導波路が、パターン化された下部クラッド層、光信号伝達用コアパターン、及びパターン化された上部クラッド層が、この順で形成された光導波路である、上記［１］〜［３］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［５］前記光導波路の下部クラッド層と基板との間、及び前記光ファイバガイド部と基板との間に積層し、前記基板上の一部にパターン化された第１接着層を有する、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［６］前記第１接着層が、前記光導波路の下部クラッド層と同じ部材である、上記［５］に記載の光ファイバコネクタ。
［７］前記基板がフレキシブル基板である、上記［１］〜［６］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［８］前記光ファイバガイド部の高さが、搭載する光ファイバの外径以下である、上記［１］〜［７］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［９］前記光ファイバ搭載溝の側壁の高さが、搭載する光ファイバの外径の半分以上である、上記［１］〜［８］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１０］前記光導波路が、光路変換ミラーが形成された光導波路である、上記［１］〜［９］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１１］前記基板上に、それぞれが前記光ファイバガイド部及び該光ファイバガイド部と並設された光導波路を有する複数のユニットを備える、上記［１］〜［１０］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１２］前記基板が電気配線板である、上記［１］〜［１１］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１３］前記基板の前記光ファイバガイド部及び光導波路が並設された面と同じ側の基板表面上の前記スペース部分に形成された第１電気配線を有する、上記［１２］に記載の光ファイバコネクタ。
［１４］前記基板の前記光ファイバガイド部及び光導波路が並設された面と反対側の基板表面上に形成された第２電気配線を有する、上記［１２］又は［１３］に記載の光ファイバコネクタ。
［１５］前記光導波路及び光ファイバガイド部が形成された面と同じ側の基板表面上の前記スペース部分に形成された第１電気配線と、前記光導波路及び光ファイバガイド部が形成された面と反対側の基板表面上に形成された第２電気配線とを有し、該第１電気配線と該第２電気配線とが、電気的に接合されてなる、上記［１２］〜［１４］のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
［１６］上記［１］〜［１５］のいずれかに記載の光ファイバコネクタと、前記光ファイバ搭載溝に搭載された光ファイバとを備え、該光ファイバの少なくとも一部が、前記基板に接合されてなる、光ファイバ配線板。
［１７］前記光ファイバが、第２接着層を介して前記基板と接合されてなる、上記［１６］に記載の光ファイバ配線板。
［１８］基板上の一部に、光ファイバを固定するための光ファイバ搭載溝を有する光ファイバガイド部と、クラッド層及びコアパターンからなる光導波路とが並設された光ファイバコネクタの製造方法であって、下記工程１及び２を含む、光ファイバコネクタの製造方法。
工程１：前記基板上に下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、前記光導波路の設置部分以外の前記基板上の積層した該下部クラッド層形成用フィルムを除去し、前記基板上の一部にパターン化した下部クラッド層を形成する工程
工程２：前記工程１で形成した下部クラッド層形成面側から、コア層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、前記下部クラッド上に光信号伝達用コアパターンを形成すると同時に、基板上の一部に光ファイバガイド用コアパターンを積層し光ファイバ搭載溝を一括形成する工程
［１９］更に、下記工程３を含む、上記［１８］に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程３：前記工程２で形成した光ファイバガイド用コアパターン及び光信号伝達用コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、少なくとも前記光ファイバ搭載溝部分及び光導波路が設置されていない基板上の部分に積層した該上部クラッド層形成用樹脂フィルムを除去し、少なくとも光信号伝達用コアパターン上に上部クラッド層を形成する工程
［２０］前記工程１の前工程として、前記基板上に接着層形成用樹脂フィルムを積層し、該接着層形成用樹脂フィルムをエッチングし、前記基板上の一部にパターン化された接着層を形成する工程を含む、上記［１８］又は［１９］に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
［２１］更に、下記工程４を含む、上記［１８］〜［２０］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程４：前記工程２又は３の後、前記光ファイバガイド部側の前記光導波路の端部において、該光導波路の上方から下部クラッド層の底面以下までの深さで切削し、スリット溝を形成する工程
［２２］前記工程２において、使用するコア層形成用樹脂フィルムの厚さが、積層後の光信号伝達用コアパターンの厚さよりも厚い、上記［１８］〜［２１］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
［２３］更に、下記工程５を含む、上記［１８］〜［２２］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程５：前記工程２又は３で得られた光導波路に、光路変換ミラーを形成する工程
［２４］上記［１８］〜［２３］のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法により得られた光ファイバコネクタの前記光ファイバ搭載溝に光ファイバを搭載する工程を含む、光ファイバ配線板の製造方法。
本発明の光ファイバコネクタ及び光ファイバ配線板は、光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易にでき、基板の一部分にのみ光導波路と光ファイバガイド部を備え、基板上にスペース部分を有しているため、基板の反りが軽減できる。また、光導波路と光ファイバガイド部を形成しないスペース部分に、電気配線を具備した光ファイバコネクタとすることができるため、両面電極による電気配線の高密度化が図れ、小型化が可能となる。
また、本発明の光ファイバコネクタ又は光ファイバ配線板の製造方法によれば、生産性を向上し得る。
また、本発明の光ファイバコネクタ又は光ファイバ配線板の製造方法によれば、生産性を向上し得る。
以下、本発明の光ファイバコネクタ及び光ファイバ配線板について、図面を用いて説明する。なお、本発明の光ファイバコネクタに使用できる光ファイバに制限はないが、以下「光ファイバの外径」と表記した場合、光ファイバのクラッド外径もしくは光ファイバの被覆外径を表す。
〔光ファイバコネクタ、光ファイバ配線板〕
図１は、本発明の光ファイバコネクタの平面図である。本発明の光ファイバコネクタ１は、基板１０と、該基板１０上の一部に並設された光ファイバガイド部２０及び光導波路３０からなる。
光ファイバガイド部２０は、基板１０上の一部に設けられ、２つの側壁２２１、２２２より形成される、光ファイバが搭載される光ファイバ搭載溝２１を有する。
一方、光導波路３０は、基板１０上の一部に設けられ、クラッド層（下部クラッド層３１、上部クラッド層３３）及び光信号伝達用コアパターン３２（以下、「コアパターン３２」ともいう）からなる。
図１は、本発明の光ファイバコネクタの平面図である。本発明の光ファイバコネクタ１は、基板１０と、該基板１０上の一部に並設された光ファイバガイド部２０及び光導波路３０からなる。
光ファイバガイド部２０は、基板１０上の一部に設けられ、２つの側壁２２１、２２２より形成される、光ファイバが搭載される光ファイバ搭載溝２１を有する。
一方、光導波路３０は、基板１０上の一部に設けられ、クラッド層（下部クラッド層３１、上部クラッド層３３）及び光信号伝達用コアパターン３２（以下、「コアパターン３２」ともいう）からなる。
本発明において、光ファイバガイド部２０及び光導波路３０は、基板１０上の一部に並設されており、基板１０の全面に設けられているわけではない。基板１０上には、この光ファイバガイド部２０及び光導波路３０が並設された部分以外の基板表面が外部に露出したスペース部分１２を有する。スペース部分１２には、電気配線１３やスルーホール１５が設けられ、基板１０を電気配線板とすることができる。なお、本発明において、スペース部分１２とは、基板表面全体のうち、光ファイバガイド部２０及び光導波路３０が並設された部分並びに後述する任意の構成である第１接着層４０１、第２接着層４０２の形成部分以外の基板表面の領域を意味する。
基板１０上にスペース部分１２を設けることで、このようにスペース部分１２に電気配線１３を設置した光ファイバコネクタとすることができ、両面電極による電気配線の高密度化が図れ、光ファイバコネクタの小型化が可能となる。また、スペース部分１２を設けることで、基板の反りを軽減することができる。
光ファイバガイド部２０及び光導波路３０は、基板の反りを軽減させる観点から、図１のｘ方向に対して、基板１０上の中央部分で並設していることが好ましい。
また、表側の基板表面の全体に対するスペース部分１２の割合が、基板の反りを軽減させ、電気配線の高密度化を図る観点から、好ましくは０．１〜９０％、より好ましくは０．１〜５０％、更に好ましくは０．１〜３０％である。
基板１０上にスペース部分１２を設けることで、このようにスペース部分１２に電気配線１３を設置した光ファイバコネクタとすることができ、両面電極による電気配線の高密度化が図れ、光ファイバコネクタの小型化が可能となる。また、スペース部分１２を設けることで、基板の反りを軽減することができる。
光ファイバガイド部２０及び光導波路３０は、基板の反りを軽減させる観点から、図１のｘ方向に対して、基板１０上の中央部分で並設していることが好ましい。
また、表側の基板表面の全体に対するスペース部分１２の割合が、基板の反りを軽減させ、電気配線の高密度化を図る観点から、好ましくは０．１〜９０％、より好ましくは０．１〜５０％、更に好ましくは０．１〜３０％である。
また、図２は、本発明の光ファイバコネクタに光ファイバを搭載した光ファイバ配線板の断面図である。図２に示すように、基板１０上に、それぞれが光ファイバガイド部２０及び光導波路３０を有する複数のユニット（図２では２組のユニット）を備えた光ファイバコネクタも本発明に含まれる。光ファイバ５０は、各ユニットの光ファイバガイド部２０に搭載され固定される。そして、光ファイバのコア先端部５１と、光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２とが同じ高さとなるような位置で固定される。
本発明において、光導波路３０は、クラッド層及びコアパターンよりなるものであればよいが、図２のように、下部クラッド層３１、コアパターン３２、上部クラッド層３３の順で積層された光導波路が好ましい。なお、光導波路３０中において、光信号は、コアパターン３２の内部を進行しつつ、下部クラッド層３１又は上部クラッド層３３との境界面で全反射を繰り返しながら進行する。
また、図２のように、光導波路３０は、光信号の進行方向を変えるために、光路変換ミラー３４が形成されていてもよい。
本発明において、光導波路３０は、クラッド層及びコアパターンよりなるものであればよいが、図２のように、下部クラッド層３１、コアパターン３２、上部クラッド層３３の順で積層された光導波路が好ましい。なお、光導波路３０中において、光信号は、コアパターン３２の内部を進行しつつ、下部クラッド層３１又は上部クラッド層３３との境界面で全反射を繰り返しながら進行する。
また、図２のように、光導波路３０は、光信号の進行方向を変えるために、光路変換ミラー３４が形成されていてもよい。
光ファイバガイド部２０及び光導波路３０は、基板１０上に直接設けることもできるが、接着性のない基板を用いる場合や、基板に十分に固定して位置ずれを抑えるために、図２のように、第１接着層４０１を介して固定することが好ましい。また、搭載する光ファイバ５０と基板１０とを接合させるために、基板１０と光ファイバ５０との間に第２接着層４０２を設けてもよい。
以下、本発明の光ファイバコネクタの基板１０、光ファイバガイド部２０、及び光導波路３０について詳述する。
以下、本発明の光ファイバコネクタの基板１０、光ファイバガイド部２０、及び光導波路３０について詳述する。
〔基板〕
図３は、本発明の光ファイバコネクタの基板において、基板１０の両面に電気配線１３を備えた場合の基板の構造を表す断面図である。
図３に示すように、基板１０の光ファイバガイド部２０及び光導波路３０が並設された側（以下「基板の表側」ともいう）のスペース部分１２には、第１電気配線１３１が形成されている。一方、基板１０の光ファイバガイド部２０及び光導波路３０が並設された面とは反対側（以下「基板の裏側」ともいう）の表面には、第２電気配線１３２が形成されている。
基板１０の表側に形成された第１電気配線１３１と裏側に形成された第２電気配線１３２とを電気的に接合することができる。その一つの方法として、基板１０の表側から裏側へ貫通する穴であるスルーホール１５を介して、第１電気配線１３１及び第２電気配線１３２と接触する層間接続用金属層（めっき金属）１４を設け、第１電気配線１３１と第２電気配線１３２とを電気的に接合することができる。層間接続用金属層１４は、めっき処理をすることで容易に形成することができる。
図３は、本発明の光ファイバコネクタの基板において、基板１０の両面に電気配線１３を備えた場合の基板の構造を表す断面図である。
図３に示すように、基板１０の光ファイバガイド部２０及び光導波路３０が並設された側（以下「基板の表側」ともいう）のスペース部分１２には、第１電気配線１３１が形成されている。一方、基板１０の光ファイバガイド部２０及び光導波路３０が並設された面とは反対側（以下「基板の裏側」ともいう）の表面には、第２電気配線１３２が形成されている。
基板１０の表側に形成された第１電気配線１３１と裏側に形成された第２電気配線１３２とを電気的に接合することができる。その一つの方法として、基板１０の表側から裏側へ貫通する穴であるスルーホール１５を介して、第１電気配線１３１及び第２電気配線１３２と接触する層間接続用金属層（めっき金属）１４を設け、第１電気配線１３１と第２電気配線１３２とを電気的に接合することができる。層間接続用金属層１４は、めっき処理をすることで容易に形成することができる。
基板１０としては、特に制限はなく、例えば、ガラスエポキシ樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板、シリコン基板、プラスチック基板、金属基板、樹脂層付き基板、金属層付き基板、プラスチックフィルム、樹脂層付きプラスチックフィルム、金属層付きプラスチックフィルム、電気配線板等を用いることができる。
基板１０に用いる基材１１として、柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、前記クラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルム等を用いて、基板１０をフレキシブル基板とすることができる。本発明の光ファイバコネクタは、基板上にスペース部分１２を有するため、柔軟性のあるキャリアフィルム等の基材を用い、フレキシブル基板を使用しても、基板の反りを抑制することができる。
なお、光導波路３０に光路変換ミラーが形成され、該光路変換ミラーによって変換された光信号が、電気配線が設置されていない基板１０部分を透過する場合には、該光信号の信号波長に対して信号伝達に支障がない程度で透明である基板が好ましい。
基板１０に用いる基材１１として、柔軟性及び強靭性のある基材、例えば、前記クラッド層形成用樹脂フィルム及びコア層形成用樹脂フィルムのキャリアフィルム等を用いて、基板１０をフレキシブル基板とすることができる。本発明の光ファイバコネクタは、基板上にスペース部分１２を有するため、柔軟性のあるキャリアフィルム等の基材を用い、フレキシブル基板を使用しても、基板の反りを抑制することができる。
なお、光導波路３０に光路変換ミラーが形成され、該光路変換ミラーによって変換された光信号が、電気配線が設置されていない基板１０部分を透過する場合には、該光信号の信号波長に対して信号伝達に支障がない程度で透明である基板が好ましい。
電気配線板としては、特に限定されるものではないが、電気配線がＦＲ−４上に形成された電気配線板でもよく、電気配線がポリイミドやポリアミドフィルム上に形成されたフレキシブル配線板であってもよい。なお、電気配線は、予め表面に金属層が積層された基板を用いて、この金属層をエッチングすることで、形成することができる。
（接着層）
基板１０と、光導波路３０の下部クラッド層３１や光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２との接着性を向上させるために、基板１０上に、第１接着層４０１を設けることが好ましい。なお、第１接着層４０１は、光ファイバガイド部２０に搭載される光ファイバとの接着性を向上させるために、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝２１にも設けることが好ましい。また、基板１０と、搭載する光ファイバとの接着性を向上させるために、基板１０と搭載される光ファイバとの間に、第２接着層４０２を設けることが好ましい。
基板１０と、光導波路３０の下部クラッド層３１や光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２との接着性を向上させるために、基板１０上に、第１接着層４０１を設けることが好ましい。なお、第１接着層４０１は、光ファイバガイド部２０に搭載される光ファイバとの接着性を向上させるために、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝２１にも設けることが好ましい。また、基板１０と、搭載する光ファイバとの接着性を向上させるために、基板１０と搭載される光ファイバとの間に、第２接着層４０２を設けることが好ましい。
第１接着層４０１及び第２接着層４０２は、基板１０上の一部に形成されるものであり、第１接着層４０１であれば、光ファイバガイド部２０や光導波路３０の大きさに依存し、第２接着層４０２であれば、光ファイバの大きさや長さに依存する。
また、十分なスペース部分１２を確保すると共に、後述するように光導波路３０の各層の厚さの調整を容易にするため、第１接着層４０１は、光ファイバガイド部２０の側壁や光導波路３０の大きさに合わせて、パターン化されたものであることが好ましい。
さらに、基板１０の表面からコアパターンまでの高さのばらつきを低減するため、第１接着層４０１は、必要な箇所以外は形成せずにできる限り形成面積を小さくすることが好ましい。第１接着層４０１の形成面積を小さくする効果は、特に光ファイバガイド部において顕著である。
また、十分なスペース部分１２を確保すると共に、後述するように光導波路３０の各層の厚さの調整を容易にするため、第１接着層４０１は、光ファイバガイド部２０の側壁や光導波路３０の大きさに合わせて、パターン化されたものであることが好ましい。
さらに、基板１０の表面からコアパターンまでの高さのばらつきを低減するため、第１接着層４０１は、必要な箇所以外は形成せずにできる限り形成面積を小さくすることが好ましい。第１接着層４０１の形成面積を小さくする効果は、特に光ファイバガイド部において顕著である。
これら第１接着層４０１及び第２接着層４０２（以下、接着層ともいう）の種類としては、特に限定されないが、両面テープ、ＵＶ又は熱硬化性接着剤、プリプレグ、ビルドアップ材、電気配線板製造用途に使用される種々の接着剤が好適に挙げられる。また、特に第１接着層４０１については、光導波路３０に光路変換ミラー３４が形成され、光信号が基板１０を透過するような場合には、光信号波長に対して信号伝達に支障が出ない程度で透明であることが好ましい。その際、第１接着層４０１は、基板１０と接着力のあるクラッド層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂フィルムを用いることが好ましく、光導波路３０の下部クラッド層３１、上部クラッド層３３、及びコアパターン３２と同じ部材を用いることができる。
なお、接着層として、クラッド層又はコア層形成用樹脂フィルムを用いる場合、基板１０との接着機能があれば、屈折率の性質は必要ない。
なお、接着層として、クラッド層又はコア層形成用樹脂フィルムを用いる場合、基板１０との接着機能があれば、屈折率の性質は必要ない。
〔光ファイバガイド部〕
光ファイバガイド部の構成について、図１、２及び４を用いて説明する。図４は、図１のＸ１−Ｘ２における本発明の光ファイバコネクタの光ファイバガイド部の断面図である。
光ファイバガイド部２０は、基板１０上の一部に設けられたものであり、光ファイバ搭載溝２１を有する。光ファイバ搭載溝２１は、両端にある側壁２２１、２２２から構成され、２つの側壁２２１、２２２に挟まれた溝に光ファイバが搭載される。
光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２は、少なくともコアパターン部材からなる光ファイバガイド用コアパターンからなるものでもよい。なお、光ファイバガイド用コアパターンは、光ファイバ５０を固定するためのものであり、光信号伝達用のコアとして機能するものではない。
また、光ファイバを固定する際にガラスブロック等を用いる場合、ガラスブロックとの接地領域を大きくする観点から、この側壁２２１、２２２上に、光導波路３０の上部クラッド層３３と同じ部材よりなるクラッド層３３１が積層し、光ファイバガイド部２０と光導波路３０との高さを揃えてもよい。なお、当該クラッド層３３１についても、光信号伝達用としての機能を有するものではない。
光ファイバガイド部の構成について、図１、２及び４を用いて説明する。図４は、図１のＸ１−Ｘ２における本発明の光ファイバコネクタの光ファイバガイド部の断面図である。
光ファイバガイド部２０は、基板１０上の一部に設けられたものであり、光ファイバ搭載溝２１を有する。光ファイバ搭載溝２１は、両端にある側壁２２１、２２２から構成され、２つの側壁２２１、２２２に挟まれた溝に光ファイバが搭載される。
光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２は、少なくともコアパターン部材からなる光ファイバガイド用コアパターンからなるものでもよい。なお、光ファイバガイド用コアパターンは、光ファイバ５０を固定するためのものであり、光信号伝達用のコアとして機能するものではない。
また、光ファイバを固定する際にガラスブロック等を用いる場合、ガラスブロックとの接地領域を大きくする観点から、この側壁２２１、２２２上に、光導波路３０の上部クラッド層３３と同じ部材よりなるクラッド層３３１が積層し、光ファイバガイド部２０と光導波路３０との高さを揃えてもよい。なお、当該クラッド層３３１についても、光信号伝達用としての機能を有するものではない。
さらに、側壁２２１、２２２が光ファイバガイド用コアパターンよりなる場合、当該コアパターンは、光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２と同じ部材からなり、光信号伝達用コアパターン３２と一括形成されたものであることがより好ましい。
それぞれのコアパターンが一括形成されることで、得られる光ファイバコネクタにおいて、搭載する光ファイバのコア先端部５１と光導波路のコアパターン３２との、図１、４のｘ方向の位置ずれを抑制され、コア先端部５１とコアパターン３２との位置合わせが容易となる。
なお、ここで、一括形成とは、光ファイバガイド用コアパターンと光信号伝達用コアパターン３２との形成工程の手順が同時に進行して、同じタイミングで形成されることを意味する。
それぞれのコアパターンが一括形成されることで、得られる光ファイバコネクタにおいて、搭載する光ファイバのコア先端部５１と光導波路のコアパターン３２との、図１、４のｘ方向の位置ずれを抑制され、コア先端部５１とコアパターン３２との位置合わせが容易となる。
なお、ここで、一括形成とは、光ファイバガイド用コアパターンと光信号伝達用コアパターン３２との形成工程の手順が同時に進行して、同じタイミングで形成されることを意味する。
本発明において、光ファイバ５０を光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝２１に固定する方法としては、特に限定されないが、例えば、ガラスブロックでファイバを抑えて光ファイバ搭載溝２１に押し込み、光信号伝達用コアパターン３２の中心と光ファイバ５０の中心を位置合わせして、接着剤等により固定すればよい。また、光ファイバ搭載溝２１上には、上述の第１接着層４０１を設けて、搭載する光ファイバを固定してもよい。
この際、図４に示すＸ方向の位置合わせは光ファイバ搭載溝２１の２つの側壁２２１、２２２により行い、図４に示すＺ方向の位置合わせは基板１０（もしくは第１接着層４０１）により行うことができる。
この際、図４に示すＸ方向の位置合わせは光ファイバ搭載溝２１の２つの側壁２２１、２２２により行い、図４に示すＺ方向の位置合わせは基板１０（もしくは第１接着層４０１）により行うことができる。
ここで、光ファイバガイド部２０の高さが、搭載する光ファイバの外径以下であることで、ガラスブロック等で光ファイバを抑えて光ファイバ搭載溝２１に押し込む等の作業がしやすく、効果的に光ファイバを固定できるため好ましい。なお、「光ファイバガイド部の高さ」とは、光ファイバガイド部２０が側壁２２１、２２２のみからなる場合は側壁の高さ（図４のＺ１）を示し、図４のように側壁２２１、２２２上にクラッド層３３１が形成されている場合は、光ファイバ搭載溝２１の底面からクラッド層３３１の上面までの距離（図４のＺ２）を示す。
また、光ファイバ搭載溝２１の側壁２２１、２２２の高さ（図４のＺ１）が、搭載する光ファイバの外径の半分以上であることで、搭載する光ファイバの位置ずれが起こり難くなるため好ましい。
以上の観点から、側壁２２１、２２２の高さ（図４のＺ１）は、搭載する光ファイバの外径の半分以上で、且つ該光ファイバの外径以下であることが好ましく、光ファイバの実装性の向上の観点から、該光ファイバの外径の半分より５μｍ以上高く、且つ該光ファイバの外径より１μｍ以上低いことがより好ましい。
以上の観点から、側壁２２１、２２２の高さ（図４のＺ１）は、搭載する光ファイバの外径の半分以上で、且つ該光ファイバの外径以下であることが好ましく、光ファイバの実装性の向上の観点から、該光ファイバの外径の半分より５μｍ以上高く、且つ該光ファイバの外径より１μｍ以上低いことがより好ましい。
光ファイバ搭載溝２１の横幅としては、搭載する光ファイバの外径以上の幅であればよく、光ファイバの実装性及びトレランスの観点から、光ファイバの外径より０．１〜１０μｍ広い幅であることが好ましい。
搭載する光ファイバの外径としては、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１２５μｍ以下、更に好ましくは８０μｍ以下である。光ファイバの直径が２００μｍ以下であれば、コア層形成用樹脂フィルムの膜厚が制御し易くなる。
搭載する光ファイバの外径としては、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１２５μｍ以下、更に好ましくは８０μｍ以下である。光ファイバの直径が２００μｍ以下であれば、コア層形成用樹脂フィルムの膜厚が制御し易くなる。
〔光導波路〕
光ファイバガイド部の構成について、図１、２及び５を用いて説明する。図５は、図１のＸ３−Ｘ４における本発明の光ファイバコネクタの光導波路の断面図である。
本発明の光ファイバコネクタで用いる光導波路は、クラッド層及び光信号伝達用コアパターンよりなる。本発明で用いる光導波路の一態様として、図５に示すように、パターン化された下部クラッド層３１、光信号伝達用コアパターン３２、及びパターン化された上部クラッド層３３が、この順で形成された光導波路３０が好ましい。
更に、基板１０上に積層されたパターン化された第１接着層４０１を介して、光導波路３０が形成されていることが好ましい。なお、下部クラッド層３１、コアパターン３２、及び上部クラッド層３３の厚さの調整のし易さの観点から、パターン化された第１接着層４０１の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
光ファイバガイド部の構成について、図１、２及び５を用いて説明する。図５は、図１のＸ３−Ｘ４における本発明の光ファイバコネクタの光導波路の断面図である。
本発明の光ファイバコネクタで用いる光導波路は、クラッド層及び光信号伝達用コアパターンよりなる。本発明で用いる光導波路の一態様として、図５に示すように、パターン化された下部クラッド層３１、光信号伝達用コアパターン３２、及びパターン化された上部クラッド層３３が、この順で形成された光導波路３０が好ましい。
更に、基板１０上に積層されたパターン化された第１接着層４０１を介して、光導波路３０が形成されていることが好ましい。なお、下部クラッド層３１、コアパターン３２、及び上部クラッド層３３の厚さの調整のし易さの観点から、パターン化された第１接着層４０１の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
また、図２に示すように、光ファイバと光導波路を接続する光導波路端面を平滑化するために、例えばダイシングソーを用いて光導波路端面を切削し、スリット溝３５を形成することが好ましい。スリット溝３５の深さは、基板１０の表面以下（第１接着層４０１が形成されている場合は、第１接着層４０１の表面以下）とすることで、該スリット溝３５が、光ファイバ５０を固定する際の接着剤導入溝として機能できるため好ましい。また、スリット溝３５の幅は、接着剤導入溝としての機能を担わせる観点から、好ましくは１０〜６０μｍ、より好ましくは２０〜５０μｍである。
さらに、光導波路３０の上方から（図２では、上部クラッド層３３側から）、ダイシングソー等を用いて、光導波路に光路変換ミラー３４を形成することもできる。この際、光路変換ミラー３４は、４５°の光路変換ミラーであることが好ましい。
また、形成した光路変換ミラー３４の表面には、金等を蒸着し、光信号反射用金属層３４１を形成することが好ましい。この光信号反射用金属層３４１の厚さとしては、好ましくは０．０１〜１．０μｍ、より好ましくは０．１〜０．７μｍである。
また、形成した光路変換ミラー３４の表面には、金等を蒸着し、光信号反射用金属層３４１を形成することが好ましい。この光信号反射用金属層３４１の厚さとしては、好ましくは０．０１〜１．０μｍ、より好ましくは０．１〜０．７μｍである。
（クラッド層）
以下、本発明で使用される下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３（これらをまとめて、「クラッド層」ともいう）について説明する。クラッド層は、クラッド層形成用樹脂又はクラッド層形成用樹脂フィルムを用いて形成することができる。
以下、本発明で使用される下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３（これらをまとめて、「クラッド層」ともいう）について説明する。クラッド層は、クラッド層形成用樹脂又はクラッド層形成用樹脂フィルムを用いて形成することができる。
クラッド層形成用樹脂としては、光信号伝達用コアパターン３２より低屈折率で、光又は熱により硬化する樹脂組成物からなる樹脂であれば特に限定されず、熱硬化性樹脂組成物や感光性樹脂組成物なる樹脂を好適に使用することができる。
下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３において用いるクラッド層形成用樹脂組成物は、含有する成分が同一であっても異なっていてもよく、該樹脂組成物の屈折率が同一であっても異なっていてもよい。
下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３において用いるクラッド層形成用樹脂組成物は、含有する成分が同一であっても異なっていてもよく、該樹脂組成物の屈折率が同一であっても異なっていてもよい。
下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３はパターン化されたものであることが好ましい。特に、下部クラッド層３１は、必要な箇所以外は形成せずにできる限り面積を抑えてパターン化することで、基板１０の表面からコアパターンまでの高さのばらつきが低減されるため好ましい。
下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３をパターニングする方法としては、特に限定されず、ドライエッチングや、パターン露光後、現像によりパターン化することができる。後者の露光・現像によりパターン化する場合には、用いる樹脂組成物としては、感光性樹脂組成物であることが好ましい。
下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３をパターニングする方法としては、特に限定されず、ドライエッチングや、パターン露光後、現像によりパターン化することができる。後者の露光・現像によりパターン化する場合には、用いる樹脂組成物としては、感光性樹脂組成物であることが好ましい。
クラッド層の形成方法としては、特に限定されず、例えば、クラッド層形成用樹脂組成物の塗布による方法、クラッド層形成用樹脂フィルムのラミネートによる方法等が挙げられる。
塗布による形成方法としては、特に限定されず公知の方法が適用でき、例えば、塗工機を用いて、クラッド層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものを塗布し、溶媒を除去する方法が挙げられる。
また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、クラッド層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものをキャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
塗布による形成方法としては、特に限定されず公知の方法が適用でき、例えば、塗工機を用いて、クラッド層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものを塗布し、溶媒を除去する方法が挙げられる。
また、ラミネートに用いるクラッド層形成用樹脂フィルムは、例えば、クラッド層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものをキャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
クラッド層形成用樹脂フィルムに用いるキャリアフィルムとしては、柔軟性及び強靭性のあるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルサルファイド、ポリアリレート、液晶ポリマー、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミド、ポリイミド等が好適に挙げられる。
キャリアフィルムの厚さは、好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは１０〜１００μｍ、更に好ましくは１５〜５０μｍである。５μｍ以上であれば、キャリアフィルムとしての強度が得やすく、２００μｍ以下であれば、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できる。
キャリアフィルムの厚さは、好ましくは５〜２００μｍ、より好ましくは１０〜１００μｍ、更に好ましくは１５〜５０μｍである。５μｍ以上であれば、キャリアフィルムとしての強度が得やすく、２００μｍ以下であれば、パターン形成時のマスクとのギャップが小さくなり、より微細なパターンが形成できる。
下部クラッド層３１及び上部クラッド層３３の厚さは、乾燥後の厚さで、好ましくは５〜５００μｍ、より好ましくは１０〜１００μｍ、更に好ましくは１５〜５０μｍである。５μｍ以上であれば、光の閉じ込めに必要なクラッド厚さが確保でき、５００μｍ以下であれば、膜厚を均一に制御することが容易である。また、更に、下部クラッド層３１、上部クラッド層３３のそれぞれの厚さを、以下に詳述するように調整することが好ましい。
（下部クラッド層３１の厚さ）
下部クラッド層３１の厚さは、光ファイバの中心と光信号伝達用コアパターン中心との位置合わせの観点から、｛（（光ファイバの外径）−（下部クラッド層３１上に形成されるコアパターン３２の厚さ））／２｝であることが好ましい。
下部クラッド層３１の厚さは、光ファイバの中心と光信号伝達用コアパターン中心との位置合わせの観点から、｛（（光ファイバの外径）−（下部クラッド層３１上に形成されるコアパターン３２の厚さ））／２｝であることが好ましい。
例えば、光ファイバの外径８０μｍ、光ファイバのコア径５０μｍの光ファイバを用いた場合、好ましい下部クラッド層３１の厚さは、以下のようにして求められる。
まず、光ファイバから光信号伝達用コアパターンへ光信号が伝搬する場合、光導波路３０のコアパターン３２の垂直方向の断面は、光ファイバのコア径に外接する正方形であれば、光ファイバからの光信号を光損失なく伝搬できる。この場合、コアパターン３２の垂直方向の断面は５０μｍ×５０μｍ（コア高さ；５０μｍ）となる。上記の式に当てはめると、最適な下部クラッド層３１の厚さは、１５μｍ（＝（８０−５０）／２）となる。
また、上記と同一の光ファイバを用いて、光信号伝達用コアパターンから光ファイバへ光信号が伝搬する場合、光導波路３０のコアパターン３２の垂直方向の断面は、光ファイバのコア径に内接する正方形であれば、光ファイバへ光信号を光損失なく伝搬できる。この場合、コアパターン３２の垂直方向の断面は２５√２μｍ×２５√２μｍ（コア高さ；２５√２μｍ）となる。上記の式に当てはめると、最適な下部クラッド層３１の厚さは、約２２μｍ（＝（８０−２５√２）／２）となる。
まず、光ファイバから光信号伝達用コアパターンへ光信号が伝搬する場合、光導波路３０のコアパターン３２の垂直方向の断面は、光ファイバのコア径に外接する正方形であれば、光ファイバからの光信号を光損失なく伝搬できる。この場合、コアパターン３２の垂直方向の断面は５０μｍ×５０μｍ（コア高さ；５０μｍ）となる。上記の式に当てはめると、最適な下部クラッド層３１の厚さは、１５μｍ（＝（８０−５０）／２）となる。
また、上記と同一の光ファイバを用いて、光信号伝達用コアパターンから光ファイバへ光信号が伝搬する場合、光導波路３０のコアパターン３２の垂直方向の断面は、光ファイバのコア径に内接する正方形であれば、光ファイバへ光信号を光損失なく伝搬できる。この場合、コアパターン３２の垂直方向の断面は２５√２μｍ×２５√２μｍ（コア高さ；２５√２μｍ）となる。上記の式に当てはめると、最適な下部クラッド層３１の厚さは、約２２μｍ（＝（８０−２５√２）／２）となる。
また、パターン化された第１接着層４０１上に下部クラッド層３１を形成する場合は、樹脂の流動性のため、下部クラッド層として用いる下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さより、実際に形成される下部クラッド層３１の厚さが薄くなってしまう。そのため、所望する下部クラッド層３１の厚さよりも、厚い下部クラッド層形成用樹脂フィルムを用いることが好ましい。
具体的に、使用する下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さとしては、下記式（１）で表される関係を満たすことが好ましい。
式（１）：
（所望する下部クラッド層３１の厚さ）＝｛（使用する下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さ×基板面積）＋（第１接着層４０１の厚さ×パターン化された第１接着層４０１の総面積）＋（第１電気配線１３１の厚さ×第１電気配線１３１の総面積）＋（その他基板面に配置された凹凸物の体積（凹物の体積はマイナス、基準面は第１電気配線１３１の底面））｝／（基板面積）−（第１接着層４０１の厚さ）
具体的に、使用する下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さとしては、下記式（１）で表される関係を満たすことが好ましい。
式（１）：
（所望する下部クラッド層３１の厚さ）＝｛（使用する下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さ×基板面積）＋（第１接着層４０１の厚さ×パターン化された第１接着層４０１の総面積）＋（第１電気配線１３１の厚さ×第１電気配線１３１の総面積）＋（その他基板面に配置された凹凸物の体積（凹物の体積はマイナス、基準面は第１電気配線１３１の底面））｝／（基板面積）−（第１接着層４０１の厚さ）
なお、上記式（１）の関係を基に、用いる下部クラッド層形成用樹脂の流動性によって、使用する下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さを、適宜調整することが望ましい。つまり、上記式（１）の関係から算出された下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さに対して、−１５μｍ〜＋５μｍの範囲で適宜調整した厚さを有する下部クラッド層形成用樹脂フィルムを用いることで、所望の厚さの下部クラッド層３１を形成し易くなるため好ましい。
また、上記式（１）の関係より、下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さの調整のし易さを考慮すると、パターン化された第１接着層４０１の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
また、上記式（１）の関係より、下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さの調整のし易さを考慮すると、パターン化された第１接着層４０１の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
（上部クラッド層３３の厚さ）
上部クラッド層３３の厚さは、コアパターン３２の厚さ以上にすることが好ましい。また、基板１０の表面（第１接着層４０１がある場合は、第１接着層４０１の表面）から上部クラッド層上面までの高さが光ファイバの直径以下になるように、上部クラッド層３３の厚さを調整することがより好ましい。このように調整することで、例えば、ガラスブロック等を用いて、光ファイバ５０を光ファイバ搭載溝２１に良好に押し込むことができる。
上部クラッド層３３の厚さは、コアパターン３２の厚さ以上にすることが好ましい。また、基板１０の表面（第１接着層４０１がある場合は、第１接着層４０１の表面）から上部クラッド層上面までの高さが光ファイバの直径以下になるように、上部クラッド層３３の厚さを調整することがより好ましい。このように調整することで、例えば、ガラスブロック等を用いて、光ファイバ５０を光ファイバ搭載溝２１に良好に押し込むことができる。
使用する上部クラッド層形成用樹脂ファイルの厚さとしては、下記式（２）を満たすことが好ましい。
式（２）：
（所望するコアパターン３２上の上部クラッド層３３の厚さ）＝｛（使用する上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さ×基板面積）＋（第１接着層４０１の厚さ×パターン化された第１接着層４０１の総面積）＋（下部クラッド層３１の厚さ×パターン化された下部クラッド層３１の総面積）＋（第１電気配線１３１の厚さ×第１電気配線１３１の総面積）＋（コアパターン３２の総体積）＋（その他基板面に配置された凹凸物の体積（凹物の体積はマイナス、基準面は第１電気配線１３１の底面））｝／（基板面積）−（第１接着層４０１の厚さ）−（下部クラッド層３１の厚さ）−（コアパターン３２の厚さ）
式（２）：
（所望するコアパターン３２上の上部クラッド層３３の厚さ）＝｛（使用する上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さ×基板面積）＋（第１接着層４０１の厚さ×パターン化された第１接着層４０１の総面積）＋（下部クラッド層３１の厚さ×パターン化された下部クラッド層３１の総面積）＋（第１電気配線１３１の厚さ×第１電気配線１３１の総面積）＋（コアパターン３２の総体積）＋（その他基板面に配置された凹凸物の体積（凹物の体積はマイナス、基準面は第１電気配線１３１の底面））｝／（基板面積）−（第１接着層４０１の厚さ）−（下部クラッド層３１の厚さ）−（コアパターン３２の厚さ）
なお、上記式（２）の関係を基に、用いる上部クラッド層形成用樹脂の流動性によって、使用する上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さを、適宜調整することが望ましい。つまり、上記式（２）の関係から算出された上部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さに対して、−１５μｍ〜＋５μｍの範囲で適宜調整した厚さを有する上部クラッド層形成用樹脂フィルムを用いることで、所望の厚さの上部クラッド層３３を形成し易くなるため好ましい。
また、上記式（２）の関係より、上部クラッド層形成用樹脂フォルムの厚さの調整のし易さを考慮すると、パターン化された第１接着層４０１の総面積、パターン化された下部クラッド層３１の総面積、及びコアパターン３２の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
また、上記式（２）の関係より、上部クラッド層形成用樹脂フォルムの厚さの調整のし易さを考慮すると、パターン化された第１接着層４０１の総面積、パターン化された下部クラッド層３１の総面積、及びコアパターン３２の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
（光信号伝達用コアパターン３２）
以下、本発明で使用される光信号伝達用コアパターン３２（コアパターン３２）について説明する。コアパターン３２は、コア層形成用樹脂又はコア層形成用樹脂フィルムを用いてコア層を下部クラッド層３１上に積層した後、エッチングによりパターン化して形成することができる。本発明においては、光信号伝達用コアパターン３２と、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンとは、同じコアパターン部材からなるもので、一括形成されるものであることが好ましい。それぞれのコアパターンが一括形成されることで、得られる光ファイバコネクタにおいて、搭載する光ファイバのコア先端部５１と光導波路のコアパターン３２との、図１、４のｘ方向の位置ずれを抑制され、コア先端部５１とコアパターン３２との位置合わせが容易となる。
コア層形成用樹脂としては、クラッド層（下部クラッド層３１、上部クラッド層３３）よりも高屈折率であり、活性光線によりコアバターンを形成し得る樹脂組成物からなる樹脂であれば特に限定されない。
以下、本発明で使用される光信号伝達用コアパターン３２（コアパターン３２）について説明する。コアパターン３２は、コア層形成用樹脂又はコア層形成用樹脂フィルムを用いてコア層を下部クラッド層３１上に積層した後、エッチングによりパターン化して形成することができる。本発明においては、光信号伝達用コアパターン３２と、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンとは、同じコアパターン部材からなるもので、一括形成されるものであることが好ましい。それぞれのコアパターンが一括形成されることで、得られる光ファイバコネクタにおいて、搭載する光ファイバのコア先端部５１と光導波路のコアパターン３２との、図１、４のｘ方向の位置ずれを抑制され、コア先端部５１とコアパターン３２との位置合わせが容易となる。
コア層形成用樹脂としては、クラッド層（下部クラッド層３１、上部クラッド層３３）よりも高屈折率であり、活性光線によりコアバターンを形成し得る樹脂組成物からなる樹脂であれば特に限定されない。
パターン化する前のコア層の形成方法としては、特に限定されず、例えば、コア層形成用樹脂組成物を塗布する方法、コア層形成用樹脂フィルムのラミネートによる方法等が挙げられる。
塗布による形成方法としては、特に限定されず公知の方法が適用でき、例えば、塗工機を用いて、コア層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものを塗布し、溶媒を除去する方法が挙げられる。
また、ラミネートに用いるコア層形成用樹脂フィルムは、例えば、コア層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものをキャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。なお、コア層形成用樹脂フィルムに用いるキャリアフィルムとしては、柔軟性及び強靭性のあるものが好ましく、上述のクラッド層形成用樹脂フィルムに用いられるキャリアフィルムが好適に挙げられる。また、キャリアフィルムの厚さの好適範囲についても、クラッド層形成用樹脂フィルムに用いられるキャリアフィルムの厚さの好適範囲と同じである。
塗布による形成方法としては、特に限定されず公知の方法が適用でき、例えば、塗工機を用いて、コア層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものを塗布し、溶媒を除去する方法が挙げられる。
また、ラミネートに用いるコア層形成用樹脂フィルムは、例えば、コア層形成用樹脂組成物を溶媒に溶解したものをキャリアフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。なお、コア層形成用樹脂フィルムに用いるキャリアフィルムとしては、柔軟性及び強靭性のあるものが好ましく、上述のクラッド層形成用樹脂フィルムに用いられるキャリアフィルムが好適に挙げられる。また、キャリアフィルムの厚さの好適範囲についても、クラッド層形成用樹脂フィルムに用いられるキャリアフィルムの厚さの好適範囲と同じである。
光信号伝達用コアパターン３２の厚さは、乾燥後の厚さで、好ましくは１０〜１００μｍ、より好ましくは３０〜９０μｍ、更に好ましくは３５〜８０μｍである。１０μｍ以上であれば、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において位置合わせトレランスが拡大できるという利点があり、１００μｍ以下であると、光導波路形成後の受発光素子又は光ファイバとの結合において、結合効率が向上するという利点がある。
また、光信号伝達用コアパターン３２の厚さは、光損失を低減する観点から、光ファイバ５０から光信号伝達用コアパターン３２へ光信号を伝搬する場合は、光ファイバのコア径以上にすることが好ましく、光信号伝達用コアパターン３２から光ファイバ５０へ光を伝搬する場合は、光信号伝達用コアパターンの厚さと幅からなる矩形が、光ファイバのコア径の内側になるように調整することが好ましい。
また、光信号伝達用コアパターン３２の厚さは、光損失を低減する観点から、光ファイバ５０から光信号伝達用コアパターン３２へ光信号を伝搬する場合は、光ファイバのコア径以上にすることが好ましく、光信号伝達用コアパターン３２から光ファイバ５０へ光を伝搬する場合は、光信号伝達用コアパターンの厚さと幅からなる矩形が、光ファイバのコア径の内側になるように調整することが好ましい。
上述の厚さを有するコア層を形成するために、適宜コア層形成用樹脂フィルムの厚さを調整すればよい。具体的に、使用するコア形成用樹脂フィルムの厚さとしては、下記式（３）で表される関係を満たすことが好ましい。
式（３）：
（所望する光信号伝達用コアパターン３２の厚さ）＝｛（使用するコア層形成用樹脂フィルムの厚さ×基板面積）＋（第１接着層４０１の厚さ×パターン化された第１接着層４０１の総面積）＋（下部クラッド層３１の厚さ×パターン化された下部クラッド層３１の総面積）＋（第１電気配線１３１の厚さ×第１電気配線１３１の総面積）＋（その他基板面に配置された凹凸物の体積（凹物の体積はマイナス、基準面は第１電気配線１３１の底面））｝／（基板面積）−（第１接着層４０１の厚さ）−（下部クラッド層３１の厚さ）
式（３）：
（所望する光信号伝達用コアパターン３２の厚さ）＝｛（使用するコア層形成用樹脂フィルムの厚さ×基板面積）＋（第１接着層４０１の厚さ×パターン化された第１接着層４０１の総面積）＋（下部クラッド層３１の厚さ×パターン化された下部クラッド層３１の総面積）＋（第１電気配線１３１の厚さ×第１電気配線１３１の総面積）＋（その他基板面に配置された凹凸物の体積（凹物の体積はマイナス、基準面は第１電気配線１３１の底面））｝／（基板面積）−（第１接着層４０１の厚さ）−（下部クラッド層３１の厚さ）
なお、上記式（３）の関係を基に、用いるコア層形成用樹脂の流動性によって、使用するコア層形成用樹脂フィルムの厚さを、適宜調整することが望ましい。つまり、上記式（３）の関係から算出されたコア層形成用樹脂フィルムの厚さに対して、−１５μｍ〜＋５μｍの範囲で適宜調整した厚さを有するコア層形成用樹脂フィルムを用いることで、所望の厚さのコアパターン３２を形成し易くなるため好ましい。
また、上記式（３）の関係より、コア層形成用樹脂フォルムの厚さの調整のし易さを考慮すると、パターン化された第１接着層４０１の総面積、及びパターン化された下部クラッド層３１の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
また、上記式（３）の関係より、コア層形成用樹脂フォルムの厚さの調整のし易さを考慮すると、パターン化された第１接着層４０１の総面積、及びパターン化された下部クラッド層３１の総面積を、可能な限り小さくすることが好ましい。
〔光ファイバコネクタの製造方法〕
本発明の光ファイバコネクタは、図６に示すような工程を経ることで製造することができる。
本発明の光ファイバコネクタの製造方法は、少なくとも下部クラッド層形成工程（工程１、図６（ａ−１））、コアパターン形成工程（工程２、図６（ａ−２）（ｂ−２））を含む。
また、必要に応じて、接着層形成工程（前工程、図６（ａ−０））、上部クラッド形成工程（工程３、図６（ａ−３）（ｂ−３））、スリット溝形成工程（工程４、（ａ−４）（ｂ−４））、光路変換ミラー形成工程（工程５、（ａ−５）（ｂ−５））を経ることが好ましい。
本発明の光ファイバコネクタは、図６に示すような工程を経ることで製造することができる。
本発明の光ファイバコネクタの製造方法は、少なくとも下部クラッド層形成工程（工程１、図６（ａ−１））、コアパターン形成工程（工程２、図６（ａ−２）（ｂ−２））を含む。
また、必要に応じて、接着層形成工程（前工程、図６（ａ−０））、上部クラッド形成工程（工程３、図６（ａ−３）（ｂ−３））、スリット溝形成工程（工程４、（ａ−４）（ｂ−４））、光路変換ミラー形成工程（工程５、（ａ−５）（ｂ−５））を経ることが好ましい。
〔前工程：接着層形成工程〕
工程１前の前工程として、基板１０上に接着層形成用樹脂フィルムを積層し、該接着層形成用樹脂フィルムをエッチングし、前記基板上の一部にパターン化された接着層を形成する、接着層形成工程を経ることが好ましい。
用いる接着層形成用樹脂フィルムは、特に限定されないが、接着力のあるクラッド層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂フィルムを用いてもよい。
接着層形成用樹脂フィルムは、真空加圧式ラミネータ等のラミネータを用いて、基板１０上に積層することが好ましい。具体的な積層方法としては、例えば、真空加圧式ラミネータを用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後に、加熱しながら圧着し積層する方法が挙げられる。
また、接着層形成用樹脂フィルムのエッチング方法としては、公知の方法が適用できる。例えば、接着層を形成したい部分（光導波路及び光ファイバガイド部の形成予定の部分）が開口したネガ型フォトマスクを介して、キャリアフィルム側から紫外線を照射し、キャリアフィルムを剥離した後、アルカリ水溶液を現像液として用いエッチングする方法が挙げられる。
なお、接着層は、光導波路３０の形成予定部分、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２の形成予定部分だけでなく、光ファイバ搭載溝２１の底面にも形成することが好ましい。
工程１前の前工程として、基板１０上に接着層形成用樹脂フィルムを積層し、該接着層形成用樹脂フィルムをエッチングし、前記基板上の一部にパターン化された接着層を形成する、接着層形成工程を経ることが好ましい。
用いる接着層形成用樹脂フィルムは、特に限定されないが、接着力のあるクラッド層形成用樹脂フィルムやコア層形成用樹脂フィルムを用いてもよい。
接着層形成用樹脂フィルムは、真空加圧式ラミネータ等のラミネータを用いて、基板１０上に積層することが好ましい。具体的な積層方法としては、例えば、真空加圧式ラミネータを用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後に、加熱しながら圧着し積層する方法が挙げられる。
また、接着層形成用樹脂フィルムのエッチング方法としては、公知の方法が適用できる。例えば、接着層を形成したい部分（光導波路及び光ファイバガイド部の形成予定の部分）が開口したネガ型フォトマスクを介して、キャリアフィルム側から紫外線を照射し、キャリアフィルムを剥離した後、アルカリ水溶液を現像液として用いエッチングする方法が挙げられる。
なお、接着層は、光導波路３０の形成予定部分、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２の形成予定部分だけでなく、光ファイバ搭載溝２１の底面にも形成することが好ましい。
〔工程１：下部クラッド層形成工程〕
工程１は、基板１０上に下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、前記光導波路の設置部分以外の前記基板上の積層した該下部クラッド層形成用フィルムを除去し、前記基板上の一部にパターン化した下部クラッド層を形成する工程である。
下部クラッド層形成フィルムの積層方法及びエッチング方法としては、上述の接着層の形成工程と同様の方法が挙げられる。
本工程において、下部クラッド層は、光導波路３０の形成部分には積層するが、光ファイバガイド部２０の形成部分には積層しないことが好ましい。そのため、光ファイバガイド部２０の形成部分には、前工程の接着層形成工程を経ている場合は第１接着層４０１が形成されたままであり、前工程を経ていない場合は、基板１０表面（基材１１）が露出した状態のままであることが好ましい。
工程１は、基板１０上に下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、前記光導波路の設置部分以外の前記基板上の積層した該下部クラッド層形成用フィルムを除去し、前記基板上の一部にパターン化した下部クラッド層を形成する工程である。
下部クラッド層形成フィルムの積層方法及びエッチング方法としては、上述の接着層の形成工程と同様の方法が挙げられる。
本工程において、下部クラッド層は、光導波路３０の形成部分には積層するが、光ファイバガイド部２０の形成部分には積層しないことが好ましい。そのため、光ファイバガイド部２０の形成部分には、前工程の接着層形成工程を経ている場合は第１接着層４０１が形成されたままであり、前工程を経ていない場合は、基板１０表面（基材１１）が露出した状態のままであることが好ましい。
〔工程２：コアパターン形成工程〕
工程２は、前記工程１で形成した下部クラッド層形成面側から、コア層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、前記下部クラッド上に光信号伝達用コアパターンを形成すると同時に、基板上の一部に光ファイバガイド用コアパターンを積層し光ファイバ搭載溝を一括形成する工程である。
コア層形成フィルムの積層方法及びエッチング方法としては、上記と同様の方法が挙げられる。
本発明の製造方法においては、本工程により、光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２と、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンとが一括形成されることを特徴とする。それぞれのコアパターンが一括形成されることで、得られる光ファイバコネクタにおいて、搭載する光ファイバのコア先端部５１と光導波路のコアパターン３２との、図１、４のｘ方向の位置ずれを抑制され、コア先端部５１とコアパターン３２との位置合わせが容易となると共に、光ファイバコネクタの生産効率を向上させることができる。
工程２は、前記工程１で形成した下部クラッド層形成面側から、コア層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、前記下部クラッド上に光信号伝達用コアパターンを形成すると同時に、基板上の一部に光ファイバガイド用コアパターンを積層し光ファイバ搭載溝を一括形成する工程である。
コア層形成フィルムの積層方法及びエッチング方法としては、上記と同様の方法が挙げられる。
本発明の製造方法においては、本工程により、光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２と、光ファイバガイド部２０の光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンとが一括形成されることを特徴とする。それぞれのコアパターンが一括形成されることで、得られる光ファイバコネクタにおいて、搭載する光ファイバのコア先端部５１と光導波路のコアパターン３２との、図１、４のｘ方向の位置ずれを抑制され、コア先端部５１とコアパターン３２との位置合わせが容易となると共に、光ファイバコネクタの生産効率を向上させることができる。
また、本工程で使用するコア層形成用樹脂フィルムの厚さは、積層後の光信号伝達用コアパターンの厚さよりも厚い樹脂フィルムが好ましい。このような厚さの樹脂フィルムを用いることで、樹脂フィルムにかけるＺ方向への圧力を調節し、搭載する光ファイバ５０のコア部と光信号伝達用コアパターン３２とのＺ方向の位置合わせの調節を容易にすることができる。
〔工程３：上部クラッド層形成工程〕
工程３は、前記工程２で形成した光ファイバガイド用コアパターン及び光信号伝達用コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、少なくとも前記光ファイバ搭載溝部分及び光導波路が設置されていない基板上の部分に積層した該上部クラッド層形成用樹脂フィルムを除去し、少なくとも光信号伝達用コアパターン上に上部クラッド層を形成する工程である。
上部クラッド層形成フィルムの積層方法及びエッチング方法としては、下部クラッド層と同様の方法が挙げられる。また、エッチングの際にネガ型フォトマスクを使用する場合、用いるネガ型フォトマスクは、下部クラッド層を形成の際に用いたものと同じものを使用できる。
また、本工程では、上部クラッド層３３が、光導波路３０形成部分だけでなく、光ファイバガイド部２０の光ファイバガイド用コアパターン上に形成されてもよい。
工程３は、前記工程２で形成した光ファイバガイド用コアパターン及び光信号伝達用コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、少なくとも前記光ファイバ搭載溝部分及び光導波路が設置されていない基板上の部分に積層した該上部クラッド層形成用樹脂フィルムを除去し、少なくとも光信号伝達用コアパターン上に上部クラッド層を形成する工程である。
上部クラッド層形成フィルムの積層方法及びエッチング方法としては、下部クラッド層と同様の方法が挙げられる。また、エッチングの際にネガ型フォトマスクを使用する場合、用いるネガ型フォトマスクは、下部クラッド層を形成の際に用いたものと同じものを使用できる。
また、本工程では、上部クラッド層３３が、光導波路３０形成部分だけでなく、光ファイバガイド部２０の光ファイバガイド用コアパターン上に形成されてもよい。
〔工程４：スリット溝形成工程〕
工程４は、前記工程２又は３の後、光ファイバガイド部２０側の光導波路３０の端部において光導波路３０の上方（例えば、図６の場合は上部クラッド層３３側から）から下部クラッド層３１の底面以下までの深さで切削し、スリット溝３５を形成する工程である。
工程４により、光ファイバと接続する光導波路端面を切削し、光ファイバガイド部２０と光導波路３０との境界にスリット溝３５を形成することで、光導波路３０の端面を平滑化することができる。切削方法としては、特に限定するものではなく、例えば、ダイシングソーを用いてスリット溝３５を形成することができる。
工程４は、前記工程２又は３の後、光ファイバガイド部２０側の光導波路３０の端部において光導波路３０の上方（例えば、図６の場合は上部クラッド層３３側から）から下部クラッド層３１の底面以下までの深さで切削し、スリット溝３５を形成する工程である。
工程４により、光ファイバと接続する光導波路端面を切削し、光ファイバガイド部２０と光導波路３０との境界にスリット溝３５を形成することで、光導波路３０の端面を平滑化することができる。切削方法としては、特に限定するものではなく、例えば、ダイシングソーを用いてスリット溝３５を形成することができる。
〔工程５：光路変換ミラー形成工程〕
工程５は、前記工程２又は３で得られた光導波路に、光路変換ミラーを形成する工程である。光路変換ミラーの形成方法としては、公知の方法を適用することができる。例えば、
光導波路３０の上方側（図６でいうと上部クラッド層３３側）から、ダイシングソー等を用いて、光導波路３０を切削することにより形成することができる。形成する光路変換ミラー３４は、４５°の光路変換ミラーであることが好ましい。
また、ミラー形成部分に蒸着装置を用いて、金等の金属を蒸着し、光信号反射用金属層３４１を形成することが好ましい。
工程５は、前記工程２又は３で得られた光導波路に、光路変換ミラーを形成する工程である。光路変換ミラーの形成方法としては、公知の方法を適用することができる。例えば、
光導波路３０の上方側（図６でいうと上部クラッド層３３側）から、ダイシングソー等を用いて、光導波路３０を切削することにより形成することができる。形成する光路変換ミラー３４は、４５°の光路変換ミラーであることが好ましい。
また、ミラー形成部分に蒸着装置を用いて、金等の金属を蒸着し、光信号反射用金属層３４１を形成することが好ましい。
〔光ファイバ配線板の製造方法〕
上記のようにして製造された光ファイバコネクタ１の光ファイバ搭載溝２１に光ファイバ５０を搭載することで、光ファイバ配線板２を製造することができる。
なお、図２のように、光ファイバ５０を固定するために、基板１０上に、第２接着層４０２を積層し、その第２接着層の上に光ファイバを搭載することが好ましい。第２接着層４０２は、上述の第１接着層４０１と同じ材料及び方法により、形成することができる。
上記のようにして製造された光ファイバコネクタ１の光ファイバ搭載溝２１に光ファイバ５０を搭載することで、光ファイバ配線板２を製造することができる。
なお、図２のように、光ファイバ５０を固定するために、基板１０上に、第２接着層４０２を積層し、その第２接着層の上に光ファイバを搭載することが好ましい。第２接着層４０２は、上述の第１接着層４０１と同じ材料及び方法により、形成することができる。
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はその要旨を越えない限り、以下の実施例に限定されない。
なお、クラッド層形成用樹脂フィルムのベースポリマーである（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の重量平均分子量、及び酸価は、以下の方法により測定した。
（１）重量平均分子量
ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー（株）製、製品名「ＳＤ−８０２２」、「ＤＰ−８０２０」、及び「ＲＩ−８０２０」）を用いて測定した。なお、カラムは、日立化成工業（株）製、商品名「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ」及び「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１６０−Ｓ」を使用した。
（２）酸価
得られたポリマー溶液に０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液を滴下し、中和に要した水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。
なお、クラッド層形成用樹脂フィルムのベースポリマーである（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の重量平均分子量、及び酸価は、以下の方法により測定した。
（１）重量平均分子量
ゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）（東ソー（株）製、製品名「ＳＤ−８０２２」、「ＤＰ−８０２０」、及び「ＲＩ−８０２０」）を用いて測定した。なお、カラムは、日立化成工業（株）製、商品名「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ」及び「Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１６０−Ｓ」を使用した。
（２）酸価
得られたポリマー溶液に０．１ｍｏｌ／Ｌ水酸化カリウム水溶液を滴下し、中和に要した水酸化カリウム水溶液量から算出した。このとき、指示薬として添加したフェノールフタレインが無色からピンク色に変色した点を中和点とした。
製造例１
〔クラッド層形成用樹脂フィルムの作製〕
（１）ベースポリマー；（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の作製
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を６５℃に上昇させ、メチルメタクリレート４７質量部、ブチルアクリレート３３質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１６質量部、メタクリル酸１４質量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部の混合物を３時間かけて滴下後、６５℃で３時間撹拌し、さらに９５℃で１時間撹拌を続けて、（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）溶液（固形分４５質量％）を得た。
得られた（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）は３．９×１０4であり、酸価は７９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
〔クラッド層形成用樹脂フィルムの作製〕
（１）ベースポリマー；（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の作製
撹拌機、冷却管、ガス導入管、滴下ろうと、及び温度計を備えたフラスコに、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部を秤量し、窒素ガスを導入しながら撹拌を行った。液温を６５℃に上昇させ、メチルメタクリレート４７質量部、ブチルアクリレート３３質量部、２−ヒドロキシエチルメタクリレート１６質量部、メタクリル酸１４質量部、２，２’−アゾビス（２，４−ジメチルバレロニトリル）３質量部、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４６質量部、及び乳酸メチル２３質量部の混合物を３時間かけて滴下後、６５℃で３時間撹拌し、さらに９５℃で１時間撹拌を続けて、（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）溶液（固形分４５質量％）を得た。
得られた（メタ）アクリルポリマー（Ａ−１）の重量平均分子量（標準ポリスチレン換算）は３．９×１０4であり、酸価は７９ｍｇＫＯＨ／ｇであった。
（２）クラッド層形成用樹脂ワニスの調合
（Ａ）ベースポリマーとして、上記（Ａ−１）溶液（固形分４５質量％）８４質量部（固形分３８質量部）、（Ｂ）光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名「Ｕ−２００ＡＸ」）３３質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名「ＵＡ−４２００」）１５質量部、（Ｃ）熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液（固形分７５質量％）（住化バイエルウレタン（株）製、商品名「スミジュールＢＬ３１７５」）２０質量部（固形分１５質量部）、（Ｄ）光重合開始剤として、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（チバ・ジャパン（株）製、商品名「イルガキュア２９５９」）１質量部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（チバ・ジャパン（株）製、商品名「イルガキュア８１９」）１質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３質量部を撹拌しながら混合し混合物を得た。そして、その混合物を孔径２μｍのポリフロンフィルタ（アドバンテック東洋（株）製、商品名「ＰＦ０２０」）を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。
（Ａ）ベースポリマーとして、上記（Ａ−１）溶液（固形分４５質量％）８４質量部（固形分３８質量部）、（Ｂ）光硬化成分として、ポリエステル骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名「Ｕ−２００ＡＸ」）３３質量部、及びポリプロピレングリコール骨格を有するウレタン（メタ）アクリレート（新中村化学工業（株）製、商品名「ＵＡ−４２００」）１５質量部、（Ｃ）熱硬化成分として、ヘキサメチレンジイソシアネートのイソシアヌレート型三量体をメチルエチルケトンオキシムで保護した多官能ブロックイソシアネート溶液（固形分７５質量％）（住化バイエルウレタン（株）製、商品名「スミジュールＢＬ３１７５」）２０質量部（固形分１５質量部）、（Ｄ）光重合開始剤として、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（チバ・ジャパン（株）製、商品名「イルガキュア２９５９」）１質量部、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド（チバ・ジャパン（株）製、商品名「イルガキュア８１９」）１質量部、及び希釈用有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート２３質量部を撹拌しながら混合し混合物を得た。そして、その混合物を孔径２μｍのポリフロンフィルタ（アドバンテック東洋（株）製、商品名「ＰＦ０２０」）を用いて加圧濾過後、減圧脱泡し、クラッド層形成用樹脂ワニスを得た。
（３）クラッド層形成用樹脂フィルムの作製
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスを、ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製、商品名「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ）の非処理面上に、塗工機（株式会社ヒラノテクシード製、製品名「マルチコーターＴＭ−ＭＣ」）を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。
なお、クラッド層形成用樹脂フィルムから形成されるクラッド層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能である。また、ＰＥＴフィルムに塗工後のクラッド層の膜厚と、硬化後の膜厚とは同一であった。本実施例で用いた上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚についても実施例中に記載する。実施例中に記載する上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
上記で得られたクラッド層形成用樹脂ワニスを、ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製、商品名「コスモシャインＡ４１００」、厚み５０μｍ）の非処理面上に、塗工機（株式会社ヒラノテクシード製、製品名「マルチコーターＴＭ−ＭＣ」）を用いて塗布し、１００℃で２０分乾燥後、保護フィルムとして表面離型処理ＰＥＴフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製「ピューレックスＡ３１」、厚み２５μｍ）を貼付け、クラッド層形成用樹脂フィルムを得た。
なお、クラッド層形成用樹脂フィルムから形成されるクラッド層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能である。また、ＰＥＴフィルムに塗工後のクラッド層の膜厚と、硬化後の膜厚とは同一であった。本実施例で用いた上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚についても実施例中に記載する。実施例中に記載する上部クラッド層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
製造例２
〔コア層形成用樹脂フィルムの作製〕
（Ａ）ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成株式会社製）２６質量部、（Ｂ）光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（商品名：Ａ−ＢＰＥＦ、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、及びビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（商品名：ＥＡ−１０２０、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、（Ｃ）光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：イルガキュア８１９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名：イルガキュア２９５９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は上記製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスＢを調合した。その後、上記製造例と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスＢを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ１５１７、東洋紡績株式会社製、厚さ：１６μｍ）の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型ＰＥＴフィルム（商品名：ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用したコア層形成用樹脂フィルム厚みに付いては、実施例中に記載する。実施例中に記載するコア層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
〔コア層形成用樹脂フィルムの作製〕
（Ａ）ベースポリマーとして、フェノキシ樹脂（商品名：フェノトートＹＰ−７０、東都化成株式会社製）２６質量部、（Ｂ）光重合性化合物として、９，９−ビス［４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル］フルオレン（商品名：Ａ−ＢＰＥＦ、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、及びビスフェノールＡ型エポキシアクリレート（商品名：ＥＡ−１０２０、新中村化学工業株式会社製）３６質量部、（Ｃ）光重合開始剤として、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド（商品名：イルガキュア８１９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、及び１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン（商品名：イルガキュア２９５９、チバ・スペシャリティ・ケミカルズ社製）１質量部、有機溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート４０質量部を用いたこと以外は上記製造例と同様の方法及び条件でコア層形成用樹脂ワニスＢを調合した。その後、上記製造例と同様の方法及び条件で加圧濾過さらに減圧脱泡した。
上記で得られたコア層形成用樹脂ワニスＢを、ＰＥＴフィルム（商品名：コスモシャインＡ１５１７、東洋紡績株式会社製、厚さ：１６μｍ）の非処理面上に、上記製造例と同様な方法で塗布乾燥し、次いで保護フィルムとして離型ＰＥＴフィルム（商品名：ピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社、厚さ：２５μｍ）を離型面が樹脂側になるように貼り付け、コア層形成用樹脂フィルムを得た。このとき樹脂層の厚みは、塗工機のギャップを調節することで任意に調整可能であり、本実施例では使用したコア層形成用樹脂フィルム厚みに付いては、実施例中に記載する。実施例中に記載するコア層形成用樹脂フィルムの膜厚は塗工後の膜厚とする。
製造例３
〔基板の作製〕
（１）サブトラクティブ法による電気配線基板の作製
図７に示す手順に従って、電気配線基板を作製した。
基材１１としてポリイミドフィルム（宇部日東化成製、商品名「ユーピレックスＶＴ」、厚さ；２５μｍ、１００ｍｍ×１００ｍｍ）を用い、当該ポリイミドフィルムの表面に金属層１３１ａ、１３２ａとして銅箔（三井金属鉱業社製、商品名「ＮＡ−ＤＦＦ」、厚さ；９μｍ）がついた１００ｍｍ角の銅箔付き基板から電極配線板を作製した（図７の（ｃ−１））。
この銅箔付き基板に、直径０．１６ｍｍのスルーホール１５を形成した（図７の（ｃ−２））。そして、無電解銅めっきと電気銅めっきを用いて、めっき厚が合計６μｍとなるように、銅箔付き基板の両面及びスルーホール１５の側面部に層間接続用金属層（めっき金属）１４を形成した（図７の（ｃ−３））。
〔基板の作製〕
（１）サブトラクティブ法による電気配線基板の作製
図７に示す手順に従って、電気配線基板を作製した。
基材１１としてポリイミドフィルム（宇部日東化成製、商品名「ユーピレックスＶＴ」、厚さ；２５μｍ、１００ｍｍ×１００ｍｍ）を用い、当該ポリイミドフィルムの表面に金属層１３１ａ、１３２ａとして銅箔（三井金属鉱業社製、商品名「ＮＡ−ＤＦＦ」、厚さ；９μｍ）がついた１００ｍｍ角の銅箔付き基板から電極配線板を作製した（図７の（ｃ−１））。
この銅箔付き基板に、直径０．１６ｍｍのスルーホール１５を形成した（図７の（ｃ−２））。そして、無電解銅めっきと電気銅めっきを用いて、めっき厚が合計６μｍとなるように、銅箔付き基板の両面及びスルーホール１５の側面部に層間接続用金属層（めっき金属）１４を形成した（図７の（ｃ−３））。
次に、銅箔付き基板の両面に、感光性ドライフィルムレジスト（日立化成工業株式会製、商品名「フォテック」、厚さ：２５μｍ）をロールラミネータ（日立化成テクノプラント株式会社製、商品名「ＨＬＭ−１５００」）を用い圧力０．４ＭＰａ、温度１１０℃、ラミネート速度０．４ｍ／ｍｉｎの条件で貼った。次いで、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、製品名「ＥＸＭ−１１７２」）にて、感光性ドライフィルムレジスト側から幅５０μｍのネガ型フォトマスクを介し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を１２０ｍＪ／ｃｍ2照射し、未露光部分の感光性ドライフィルムレジストを３５℃の０．１〜５重量％炭酸ナトリウムの希薄溶液で除去した。
その後、塩化第二鉄溶液を用いて、感光性ドライフィルムレジストが除去されむき出しになった部分の銅箔をエッチングにより除去し、３５℃の１〜１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光部分の感光性ドライフィルムレジストを除去し、第１電気配線１３１と第２電気配線１３２とを形成しが、めっきされたスルーホール１５を介して、第１電気配線１３１と第２電気配線１３２とが電気的に接合されたフレキシブル電気配線基板を作製した（図７の（ｃ−４））。
その後、塩化第二鉄溶液を用いて、感光性ドライフィルムレジストが除去されむき出しになった部分の銅箔をエッチングにより除去し、３５℃の１〜１０重量％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、露光部分の感光性ドライフィルムレジストを除去し、第１電気配線１３１と第２電気配線１３２とを形成しが、めっきされたスルーホール１５を介して、第１電気配線１３１と第２電気配線１３２とが電気的に接合されたフレキシブル電気配線基板を作製した（図７の（ｃ−４））。
（２）Ｎｉ／Ａｕめっきの形成
その後、上記の電気配線基板を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄し、無電解Ｎｉめっき用増感剤（日立化成工業株式会社製、商品名「ＳＡ−１００」）に２５℃で５分間浸漬後水洗し、８３℃の無電解Ｎｉめっき液（奥野製薬社製、ＩＣＰニコロンＧＭ−ＳＤ溶液、ｐＨ４．６）に８分間浸漬して３μｍのＮｉ被膜を形成し、その後、純水にて洗浄した。
次に、置換金めっき液（１００ｍＬ；ＨＧＳ−５００及び１．５ｇ；シアン化金カリウム／Ｌで建浴）（商品名：ＨＧＳ−５００、日立化成工業株式会社製）に８５℃で８分間浸漬し、Ｎｉ被膜上に０．０６μｍの置換金被膜を形成した。これにより、第１電気配線１３１、第２電気配線１３２が、Ｎｉ及びＡｕのめっきに被覆されたフレキシブル電気配線基板を得た。
その後、上記の電気配線基板を、脱脂、ソフトエッチング、酸洗浄し、無電解Ｎｉめっき用増感剤（日立化成工業株式会社製、商品名「ＳＡ−１００」）に２５℃で５分間浸漬後水洗し、８３℃の無電解Ｎｉめっき液（奥野製薬社製、ＩＣＰニコロンＧＭ−ＳＤ溶液、ｐＨ４．６）に８分間浸漬して３μｍのＮｉ被膜を形成し、その後、純水にて洗浄した。
次に、置換金めっき液（１００ｍＬ；ＨＧＳ−５００及び１．５ｇ；シアン化金カリウム／Ｌで建浴）（商品名：ＨＧＳ−５００、日立化成工業株式会社製）に８５℃で８分間浸漬し、Ｎｉ被膜上に０．０６μｍの置換金被膜を形成した。これにより、第１電気配線１３１、第２電気配線１３２が、Ｎｉ及びＡｕのめっきに被覆されたフレキシブル電気配線基板を得た。
実施例１
図６に示す手順に従って、以下のとおり光ファイバコネクタを作製した。
〔第１接着層の形成〕
上記で得られた電気配線基板のポリイミド面が露出した表面上に、大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムである離型ＰＥＴフィルム（ピューレックスＡ３１）を剥離した、上記で得られた１０μｍ厚クラッド層形成用樹脂フィルムを、平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、製品名「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１００℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着した。
次いで、光導波路の形成部分及び光ファイバガイド部の形成部分（Ｘ方向；３３０μｍ×Ｙ方向；１．５ｍｍ）が開口したネガ型フォトマスクを介して、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、製品名「ＥＸＭ−１１７２」）にて、キャリアフィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２００ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。その後、１７０℃で１時間加熱処理することにより、パターン化した第１接着層４０１を形成した（図６の（ａ−０））。第１接着層４０１の仕上がり厚さ（ポリイミド面からの高さ）は１１μｍであった。
図６に示す手順に従って、以下のとおり光ファイバコネクタを作製した。
〔第１接着層の形成〕
上記で得られた電気配線基板のポリイミド面が露出した表面上に、大きさ１００×１００ｍｍに裁断し、保護フィルムである離型ＰＥＴフィルム（ピューレックスＡ３１）を剥離した、上記で得られた１０μｍ厚クラッド層形成用樹脂フィルムを、平板型ラミネータとして真空加圧式ラミネータ（株式会社名機製作所製、製品名「ＭＶＬＰ−５００」）を用いて、５００Ｐａ以下に真空引きした後、圧力０．４ＭＰａ、温度１００℃、加圧時間３０秒の条件にて加熱圧着した。
次いで、光導波路の形成部分及び光ファイバガイド部の形成部分（Ｘ方向；３３０μｍ×Ｙ方向；１．５ｍｍ）が開口したネガ型フォトマスクを介して、紫外線露光機（株式会社オーク製作所製、製品名「ＥＸＭ−１１７２」）にて、キャリアフィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２００ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。その後、１７０℃で１時間加熱処理することにより、パターン化した第１接着層４０１を形成した（図６の（ａ−０））。第１接着層４０１の仕上がり厚さ（ポリイミド面からの高さ）は１１μｍであった。
〔下部クラッド層の形成〕
上記で得られた２７μｍ厚の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを、大きさ１００×１００μｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、第１接着層４０１形成面側から、上記と同じ条件で、真空ラミネータによって、第１接着層４０１上に積層した。
次いで、下部クラッド層の形成部分（Ｘ方向；１５０μｍ×Ｙ方向；７００μｍ）が開口したネガ型フォトマスクを介し、開口部がパターン化された下部クラッド層３１上になるように位置合わせをし、上記紫外線露光機にて、キャリアフィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２５０ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、下部クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。その後、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥し、パターン化した下部クラッド層を形成した（図６の（ａ−１））。
上記で得られた２７μｍ厚の下部クラッド層形成用樹脂フィルムを、大きさ１００×１００μｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、第１接着層４０１形成面側から、上記と同じ条件で、真空ラミネータによって、第１接着層４０１上に積層した。
次いで、下部クラッド層の形成部分（Ｘ方向；１５０μｍ×Ｙ方向；７００μｍ）が開口したネガ型フォトマスクを介し、開口部がパターン化された下部クラッド層３１上になるように位置合わせをし、上記紫外線露光機にて、キャリアフィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２５０ｍＪ／ｃｍ2照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、下部クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。その後、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥し、パターン化した下部クラッド層を形成した（図６の（ａ−１））。
これにより、光導波路３０の形成部分には、パターン化された下部クラッド層３１が形成され、光ファイバガイド部２０の形成部分には、第１接着層４０１が形成されたままの状態となっている。下部クラッド層３１の仕上がり厚さ（第１接着層４０１表面からの高さ）は２０μｍであった。
〔コアパターンの形成〕
上記で得られた６９μｍ厚のコア層形成用樹脂フィルムを、大きさ１００×１００μｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、下部クラッド層３１形成面側から、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって、下部クラッド層３１上に積層した。
次いで、光信号伝達用コアパターンの形成部分（Ｘ方向；４０μｍ×Ｙ方向；４００μｍ）と光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンの形成部分（Ｘ方向；１００μｍ×Ｙ方向；７００μｍ、光ファイバ搭載溝幅８５μｍ）が開口したネガ型フォトマスクを介し、光信号伝達用コアパターンが下部クラッド層３１上に、光ファイバガイド用コアパターンが第１接着層４０１上に形成されるように位置合わせをし、上記紫外線露光機にて、紫外線（波長３６５ｎｍ）を７００ｍＪ／ｃｍ2照射し、８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いて、コア層形成用樹脂フィルムをエッチングした。そして、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥し、光信号伝達用コアパターン３２と側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンを形成した（図６の（ａ−２）、（ｂ−２））。
上記で得られた６９μｍ厚のコア層形成用樹脂フィルムを、大きさ１００×１００μｍに裁断し、保護フィルムを剥離して、下部クラッド層３１形成面側から、上記と同様の条件で、真空ラミネータによって、下部クラッド層３１上に積層した。
次いで、光信号伝達用コアパターンの形成部分（Ｘ方向；４０μｍ×Ｙ方向；４００μｍ）と光ファイバ搭載溝の側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンの形成部分（Ｘ方向；１００μｍ×Ｙ方向；７００μｍ、光ファイバ搭載溝幅８５μｍ）が開口したネガ型フォトマスクを介し、光信号伝達用コアパターンが下部クラッド層３１上に、光ファイバガイド用コアパターンが第１接着層４０１上に形成されるように位置合わせをし、上記紫外線露光機にて、紫外線（波長３６５ｎｍ）を７００ｍＪ／ｃｍ2照射し、８０℃で５分間露光後加熱を行った。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート／Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド＝８／２、質量比）を用いて、コア層形成用樹脂フィルムをエッチングした。そして、洗浄液（イソプロパノール）を用いて洗浄し、１００℃で１０分間加熱乾燥し、光信号伝達用コアパターン３２と側壁２２１、２２２となる光ファイバガイド用コアパターンを形成した（図６の（ａ−２）、（ｂ−２））。
これにより、光導波路３０の形成部分には、光信号伝達用コアパターン３２が、光ファイバガイド部２０の形成部分には、側壁となる光ファイバガイド用コアパターンと、光ファイバ搭載溝２１とが同時に形成された。
光信号伝達用コアパターン３２の仕上がり厚さ（下部クラッド層３１の表面からの高さ）は４０μｍであった。一方、光ファイバガイド用コアパターンの仕上がり厚さ（第１接着層４０１の表面からの高さ）は６０μｍであり、光ファイバ搭載溝２１のｘ方向の幅は８５μｍであった。
なお、光ファイバガイド用コアパターンと光信号伝達用コアパターンとの位置は、光ファイバを光ファイバ搭載溝２１に固定した際に、該光ファイバが、光信号伝達用コアパターン３２に光信号を伝達可能な位置に接合するように、設計されていた。
光信号伝達用コアパターン３２の仕上がり厚さ（下部クラッド層３１の表面からの高さ）は４０μｍであった。一方、光ファイバガイド用コアパターンの仕上がり厚さ（第１接着層４０１の表面からの高さ）は６０μｍであり、光ファイバ搭載溝２１のｘ方向の幅は８５μｍであった。
なお、光ファイバガイド用コアパターンと光信号伝達用コアパターンとの位置は、光ファイバを光ファイバ搭載溝２１に固定した際に、該光ファイバが、光信号伝達用コアパターン３２に光信号を伝達可能な位置に接合するように、設計されていた。
〔上部クラッド層の形成〕
上記で得られた８０μｍ厚の上部クラッド層樹脂フィルムを、保護フィルムを剥離して、コアパターン３２形成面側から、温度１１０℃とした以外は上記と同じ条件で、真空加圧式ラミネータによって、ラミネートした。
次いで、下部クラッド層３１形成の際に使用したネガ型フォトマスクを介し、上記紫外線露光機にて、キャリアフィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２５０Ｊ／ｃｍ2照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、光ファイバ搭載溝２１部分及び光導波路が設置されていない基板上の部分（第１接着層４０１が形成されていない部分）の上部クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。そして、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥し、上部クラッド層３３を形成し、ファイバ径８０μｍ用の光ファイバコネクタを作製した（図６の（ａ−３）、（ｂ−３））。
上部クラッド層３３の仕上がり厚さ（光信号伝達用コアパターン３２表面からの高さ）は１５μｍであった。
上記で得られた８０μｍ厚の上部クラッド層樹脂フィルムを、保護フィルムを剥離して、コアパターン３２形成面側から、温度１１０℃とした以外は上記と同じ条件で、真空加圧式ラミネータによって、ラミネートした。
次いで、下部クラッド層３１形成の際に使用したネガ型フォトマスクを介し、上記紫外線露光機にて、キャリアフィルム側から紫外線（波長３６５ｎｍ）を２５０Ｊ／ｃｍ2照射した。その後、キャリアフィルムを剥離し、現像液（１％炭酸カリウム水溶液）を用いて、光ファイバ搭載溝２１部分及び光導波路が設置されていない基板上の部分（第１接着層４０１が形成されていない部分）の上部クラッド層形成用樹脂フィルムをエッチングした。そして、水洗浄し、１７０℃で１時間加熱乾燥し、上部クラッド層３３を形成し、ファイバ径８０μｍ用の光ファイバコネクタを作製した（図６の（ａ−３）、（ｂ−３））。
上部クラッド層３３の仕上がり厚さ（光信号伝達用コアパターン３２表面からの高さ）は１５μｍであった。
〔スリット溝の形成〕
得られた光導波路３０について、光ファイバ接続する側の光導波路３０の端面を平滑化するために、ダイシングソー（株式会社ディスコ社製、製品名「ＤＡＣ５５２」）を用いて、深さ８０μｍ、幅４０μｍのスリット溝３５を形成した（図６の（ａ−４）、（ｂ−４）。
得られた光導波路３０について、光ファイバ接続する側の光導波路３０の端面を平滑化するために、ダイシングソー（株式会社ディスコ社製、製品名「ＤＡＣ５５２」）を用いて、深さ８０μｍ、幅４０μｍのスリット溝３５を形成した（図６の（ａ−４）、（ｂ−４）。
〔光路変換ミラーの形成〕
得られた光導波路３０の上部クラッド層３３側から、ダイシングソー（株式会社ディスコ社製、商品名「ＤＡＣ５５２」）を用いて、光導波路３０に、４５°の光路変換ミラー３４を形成した。
次いで、ミラー形成部分を開口させたメタルマスクを、該開口部に光路変換ミラー３４が位置するように光ファイバコネクタに設置し、蒸着装置（ファースト技研製、製品名「ＲＥ−００２５」）を用いて、光信号反射用金属層３４１として、Ａｕを０．５μｍ蒸着させ、光導波路に光路変換ミラーを形成した（図６の（ａ−５）、（ｂ−５））。
得られた光導波路３０の上部クラッド層３３側から、ダイシングソー（株式会社ディスコ社製、商品名「ＤＡＣ５５２」）を用いて、光導波路３０に、４５°の光路変換ミラー３４を形成した。
次いで、ミラー形成部分を開口させたメタルマスクを、該開口部に光路変換ミラー３４が位置するように光ファイバコネクタに設置し、蒸着装置（ファースト技研製、製品名「ＲＥ−００２５」）を用いて、光信号反射用金属層３４１として、Ａｕを０．５μｍ蒸着させ、光導波路に光路変換ミラーを形成した（図６の（ａ−５）、（ｂ−５））。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ搭載溝２１に、光ファイバ５０（コア径；５０μｍ、外径；８０μｍ）をガラスブロックで抑えて光ファイバ搭載溝２１に押し込んだところ、光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２の光伝達面に接合し、光ファイバ配線板を作製した。
得られた光ファイバ配線板は、搭載した光ファイバ５０のコア部と光信号伝達用コアパターン３２との間で光信号の送受伝達が可能であり、且つ、光ファイバ５０が位置ずれすることもなかった。
また、得られた光ファイバコネクタを定板に静置し、隙間ゲージで光ファイバコネクタの反りを測定したところ、反りの大きさは０．１μｍであった。
得られた光ファイバ配線板は、搭載した光ファイバ５０のコア部と光信号伝達用コアパターン３２との間で光信号の送受伝達が可能であり、且つ、光ファイバ５０が位置ずれすることもなかった。
また、得られた光ファイバコネクタを定板に静置し、隙間ゲージで光ファイバコネクタの反りを測定したところ、反りの大きさは０．１μｍであった。
実施例２
実施例１において、下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さを２２μｍ、コア層形成用樹脂フィルムの厚さを７４μｍとし、光信号伝達用コアパターンのコア幅を５０μｍにし、下部クラッド層及び上部クラッド層の形成時に用いたネガ型フォトマスクを、下部クラッド層の開口部を１４５μｍ×３．０ｍｍの非露光部を２５０μｍピッチで４箇所を有したネガ型フォトマスクとした以外は、実施例１と同様の方法で光ファイバコネクタを作製した。
得られた光ファイバコネクタについて、実施例１と同様に、各層の厚みを測定したところ、第１接着層の厚さは１１μｍ、下部クラッド層の厚さは１５μｍ、光信号伝達用コアパターンの厚さは５０μｍ、上部クラッド層の厚さは１０μｍであった。
実施例１において、下部クラッド層形成用樹脂フィルムの厚さを２２μｍ、コア層形成用樹脂フィルムの厚さを７４μｍとし、光信号伝達用コアパターンのコア幅を５０μｍにし、下部クラッド層及び上部クラッド層の形成時に用いたネガ型フォトマスクを、下部クラッド層の開口部を１４５μｍ×３．０ｍｍの非露光部を２５０μｍピッチで４箇所を有したネガ型フォトマスクとした以外は、実施例１と同様の方法で光ファイバコネクタを作製した。
得られた光ファイバコネクタについて、実施例１と同様に、各層の厚みを測定したところ、第１接着層の厚さは１１μｍ、下部クラッド層の厚さは１５μｍ、光信号伝達用コアパターンの厚さは５０μｍ、上部クラッド層の厚さは１０μｍであった。
以上のようにして得られた光ファイバコネクタの光ファイバ搭載溝２１に、光ファイバ５０（コア径；５０μｍ、外径；８０μｍ）をガラスブロックで抑えて光ファイバ搭載溝２１に押し込んだところ、光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２の光伝達面に接合し、光ファイバ配線板を作製した。
得られた光ファイバ配線板は、搭載した光ファイバ５０のコア部と光信号伝達用コアパターン３２との間で光信号の送受伝達が可能であり、且つ、光ファイバ５０が位置ずれすることもなかった。
また、得られた光ファイバコネクタを定板に静置し、隙間ゲージで光ファイバコネクタの反りを測定したところ、反りの大きさは０．１μｍであった。
得られた光ファイバ配線板は、搭載した光ファイバ５０のコア部と光信号伝達用コアパターン３２との間で光信号の送受伝達が可能であり、且つ、光ファイバ５０が位置ずれすることもなかった。
また、得られた光ファイバコネクタを定板に静置し、隙間ゲージで光ファイバコネクタの反りを測定したところ、反りの大きさは０．１μｍであった。
実施例３
実施例１に同様の方法により、基板上の２箇所に光導波路及び光ファイバガイド部を形成し、８０ｍｍの光ファイバを、上記で得られた１０μｍの下部クラッド層形成用樹脂フィルムを介して基板１０に接合させると共に、両方の光ファイバ搭載溝に固定した。その後１８０℃１ｈ加熱し、基板上に第２接着層４０２を形成し硬化した以外は、実施例１と同様の方法により、光ファイバコネクタを作製した。
そして、得られた光ファイバコネクタに対して、光ファイバ５０の両端を、それぞれ光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２の光伝達面に接合し、光ファイバ配線板を作製した。
得られた光ファイバ配線板は、搭載した光ファイバ５０のコア部と光信号伝達用コアパターン３２との間で光信号の送受伝達が可能であり、且つ、光ファイバ５０が位置ずれすることもなかった。
実施例１に同様の方法により、基板上の２箇所に光導波路及び光ファイバガイド部を形成し、８０ｍｍの光ファイバを、上記で得られた１０μｍの下部クラッド層形成用樹脂フィルムを介して基板１０に接合させると共に、両方の光ファイバ搭載溝に固定した。その後１８０℃１ｈ加熱し、基板上に第２接着層４０２を形成し硬化した以外は、実施例１と同様の方法により、光ファイバコネクタを作製した。
そして、得られた光ファイバコネクタに対して、光ファイバ５０の両端を、それぞれ光導波路３０の光信号伝達用コアパターン３２の光伝達面に接合し、光ファイバ配線板を作製した。
得られた光ファイバ配線板は、搭載した光ファイバ５０のコア部と光信号伝達用コアパターン３２との間で光信号の送受伝達が可能であり、且つ、光ファイバ５０が位置ずれすることもなかった。
比較例１
実施例１において、基板１０上に形成された下部クラッド層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムを除去せず、スペース部分１２を有しない基板１０とした以外は、実施例１と同様の方法により、光ファイバコネクタを作製した。
実施例１と同様の方法で、光ファイバコネクタの反りを測定したところ、反りの大きさは２．５ｍｍであった。比較例１の光ファイバコネクタは、実施例の光ファイバコネクタに比べて、反りが大きいものとなった。
実施例１において、基板１０上に形成された下部クラッド層形成用樹脂フィルム及び上部クラッド層形成用樹脂フィルムを除去せず、スペース部分１２を有しない基板１０とした以外は、実施例１と同様の方法により、光ファイバコネクタを作製した。
実施例１と同様の方法で、光ファイバコネクタの反りを測定したところ、反りの大きさは２．５ｍｍであった。比較例１の光ファイバコネクタは、実施例の光ファイバコネクタに比べて、反りが大きいものとなった。
本発明の光ファイバコネクタは、光ファイバと光導波路コアとの位置合わせが容易で、基板の反りが軽減されると共に、両面電極による電気配線の高密度化が図れ、光ファイバコネクタの小型化が可能となる。
このため、光ファイバ用の光電気変換基板や光電気変換コネクタ、光ファイバ電気配線複合基板等として有用である。
このため、光ファイバ用の光電気変換基板や光電気変換コネクタ、光ファイバ電気配線複合基板等として有用である。
１ 光ファイバコネクタ
２ 光ファイバ配線板
１０ 基板
１１ 基材
１２ スペース部
１３ 電気配線
１３１ 第１電気配線
１３２ 第２電気配線
１３１ａ、１３２ａ 金属層
１４ 層間接続用金属層（めっき金属）
１５ スルーホール
２０ 光ファイバガイド部
２１ 光ファイバ搭載溝
２２１、２２２ （光ファイバ搭載溝の）側壁
３０ 光導波路
３１ 下部クラッド層
３２ 光信号伝達用コアパターン
３３ 上部クラッド層
３３１ クラッド層
３４ 光路変換ミラー
３４１ 光信号反射用金属層
３５ スリット溝
４０１ 第１接着層
４０２ 第２接着層
５０ 光ファイバ
５１ （光ファイバの）コア先端部
２ 光ファイバ配線板
１０ 基板
１１ 基材
１２ スペース部
１３ 電気配線
１３１ 第１電気配線
１３２ 第２電気配線
１３１ａ、１３２ａ 金属層
１４ 層間接続用金属層（めっき金属）
１５ スルーホール
２０ 光ファイバガイド部
２１ 光ファイバ搭載溝
２２１、２２２ （光ファイバ搭載溝の）側壁
３０ 光導波路
３１ 下部クラッド層
３２ 光信号伝達用コアパターン
３３ 上部クラッド層
３３１ クラッド層
３４ 光路変換ミラー
３４１ 光信号反射用金属層
３５ スリット溝
４０１ 第１接着層
４０２ 第２接着層
５０ 光ファイバ
５１ （光ファイバの）コア先端部
Claims (24)
- 基板と、
光ファイバを固定するための光ファイバ搭載溝を有する光ファイバガイド部と、
クラッド層及び光信号伝達用コアパターンからなる光導波路とを有し、
搭載する光ファイバが前記光信号伝達用コアパターンに光信号を伝達可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部の下側の全面と前記光導波路の下側の全面とが前記基板の上面の並設部分上に直接形成し、また、前記光ファイバガイド部と前記光導波路とが前記並設部分に並設され、
前記基板上には、前記基板の表面のうち前記並設部分以外の表面が露出したスペース部分であって、前記光ファイバガイド部、前記クラッド層及び前記光信号伝達用コアパターンを前記基板上に形成する際に生じる前記基板の反りを軽減するスペース部分が形成されている、光ファイバコネクタ。 - 前記光ファイバガイド部の光ファイバ搭載溝の側壁が、少なくとも光信号伝達用コアパターン部材と一括形成された部材であって、光信号伝達用コアパターン部材と同じ部材からなる光ファイバガイド用コアパターンを含む、請求項１に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記光導波路が、パターン化された下部クラッド層、光信号伝達用コアパターン、及びパターン化された上部クラッド層が、この順で形成された光導波路である、請求項１又は２に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記光導波路の下部クラッド層と前記基板との間、及び前記光ファイバガイド部と前記基板との間に積層し、前記基板上の一部にパターン化された第１接着層を有する、請求項１から３のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記第１接着層が、前記光導波路の下部クラッド層と同じ部材である、請求項４に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板がフレキシブル基板である、請求項１から５のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記ファイバ搭載溝の底面から側壁の上面までの距離が、搭載する光ファイバの外径以下である、請求項１から６のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記ファイバ搭載溝の側壁にクラッド層が積層されており、
前記ファイバ搭載溝の底面から前記側壁に積層されたクラッド層の上面までの距離が、搭載する光ファイバの外径以下である、請求項１から６のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。 - 前記ファイバ搭載溝の底面から側壁の上面までの距離が、搭載する光ファイバの外径の半分以上である、請求項１から８のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記光導波路が、光路変換ミラーが形成された光導波路である、請求項１から９のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板上に、それぞれが前記光ファイバガイド部及び前記光ファイバガイド部と並設された光導波路を有する複数のユニットを備える、請求項１から１０のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板が電気配線板である、請求項１から１０のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板の前記光ファイバガイド部及び光導波路が並設された面と同じ側の基板表面上の前記スペース部分に形成された第１電気配線を有する、請求項１２に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記基板の前記光ファイバガイド部及び光導波路が並設された面と反対側の基板表面上に形成された第２電気配線を有する、請求項１２又は１３に記載の光ファイバコネクタ。
- 前記光導波路及び光ファイバガイド部が形成された面と同じ側の基板表面上の前記スペース部分に形成された第１電気配線と、前記光導波路及び光ファイバガイド部が形成された面と反対側の基板表面上に形成された第２電気配線とを有し、該第１電気配線と該第２電気配線とが、電気的に接合されてなる、請求項１２から１４のいずれかに記載の光ファイバコネクタ。
- 請求項１から１５のいずれかに記載の光ファイバコネクタと、前記光ファイバ搭載溝に搭載された光ファイバとを備え、該光ファイバの少なくとも一部が、前記基板に接合されてなる、光ファイバ配線板。
- 前記光ファイバが、第２接着層を介して前記基板と接合されてなる、請求項１６に記載の光ファイバ配線板。
- 請求項１から１５のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法であって、
下記工程１及び２を含み、
搭載する光ファイバが前記光信号伝達用コアパターンに光信号を伝達可能な位置に接合するように、前記光ファイバガイド部の下側の全面と前記光導波路の下側の全面とが前記基板の上面の並設部分上に直接形成し、また、前記光ファイバガイド部と前記光導波路とを前記並設部分に並設し、
前記基板上に、前記基板の表面のうち前記並設部分以外の表面が露出したスペース部分であって、前記光ファイバガイド部、前記クラッド層及び前記光信号伝達用コアパターンを前記基板上に形成する際に生じる前記基板の反りを軽減するスペース部分を形成する、光ファイバコネクタの製造方法。
工程１：前記基板上に下部クラッド層形成用フィルムを積層し、エッチングによって、前記光導波路の設置部分以外の前記基板上の積層した該下部クラッド層形成用フィルムを除去し、前記基板上の一部にパターン化した下部クラッド層を形成する工程
工程２：前記工程１で形成した下部クラッド層形成面側から、コア層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、前記下部クラッド上に光信号伝達用コアパターンを形成すると同時に、基板上の一部に光ファイバガイド用コアパターンを積層し光ファイバ搭載溝を一括形成する工程 - 更に、下記工程３を含む、請求項１８に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程３：前記工程２で形成した光ファイバガイド用コアパターン及び光信号伝達用コアパターン形成面側から、上部クラッド層形成用樹脂フィルムを積層し、エッチングによって、少なくとも前記光ファイバ搭載溝部分及び光導波路が設置されていない基板上の部分に積層した前記上部クラッド層形成用樹脂フィルムを除去し、少なくとも前記光信号伝達用コアパターン上に前記上部クラッド層を形成する工程 - 前記工程１の前工程として、前記基板上に接着層形成用樹脂フィルムを積層し、該接着層形成用樹脂フィルムをエッチングし、前記基板上の一部にパターン化された接着層を形成する工程を含む、請求項１８又は１９に記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 更に、下記工程４を含む、請求項１８〜２０のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程４：前記工程２又は３の後、前記光ファイバガイド部側の前記光導波路の端部において、該光導波路の上方から下部クラッド層の底面以下までの深さで切削し、スリット溝を形成する工程 - 前記工程２において、使用するコア層形成用樹脂フィルムの厚さが、積層後の光信号伝達用コアパターンの厚さよりも厚い、請求項１８〜２１のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
- 更に、下記工程５を含む、請求項１８〜２２のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法。
工程５：前記工程２又は３で得られた光導波路に、光路変換ミラーを形成する工程 - 請求項１８〜２３のいずれかに記載の光ファイバコネクタの製造方法により得られた光ファイバコネクタの前記光ファイバ搭載溝に光ファイバを搭載する工程を含む、光ファイバ配線板の製造方法。
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