JP5703841B2 - 反射型マスク - Google Patents
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Description
以下に、出願当初の特許請求の範囲の記載を付記する。
[C1] 基材と、前記基板の表面に形成されて極端紫外光を反射する高屈折層と低屈折層とからなる多層反射層と、前記多層反射層の上に形成されて極端紫外光を吸収する吸収層と、前記基板の下面に形成された導電膜と、前記導電膜の下面に均一に塗布される保護被膜とを備えたことを特徴とする反射型マスク。
[C2] 前記保護被膜は、構成元素としてケイ素、フッ素、金属元素を含まない有機高分子により構成されることを特徴とする[C1]に記載の反射型マスク。
[C3] 前記保護被膜は、物理的外力を加えない手段によって除去可能に構成したことを特徴とする[C1]又は[C2]に記載の反射型マスク。
[C4] 前記[C1]ないし[C3]の何れかに記載の反射型マスクをマスク保持部により保持し、該反射型マスクに形成されたパターンを感応基板上に露光転写する露光装置であって、
前記マスク保持部は、前記反射型マスクに保護皮膜を介して接触することを特徴とする露光装置。
[C5] [C4]に記載の露光装置であって、前記マスク保持部に保持された反射型マスクにエネルギー線を照射する手段を備えていることを特徴とする露光装置。
[C6] [C4]又は[C5]に記載の露光装置であって、前記マスク保持部近傍に酸素原子、水素原子のいずれか、もしくは両方から構成される物質を導入する機構を備えていることを特徴とする露光装置。
Claims (1)
- 基材と、前記基板の表面に形成されて極端紫外光を反射する高屈折層と低屈折層とからなる多層反射層と、前記多層反射層の上に形成されて極端紫外光を吸収する吸収層と、前記基板の下面に形成された導電膜とを備え、
前記導電膜の下面に均一に塗布され、構成元素としてケイ素、フッ素、金属元素を含まない有機高分子により構成される保護被膜を更に備え、
前記保護被膜は、薬液を用いたマスク洗浄工程において、物理的外力を加えない手段によって除去可能に構成したことを特徴とする反射型マスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011042984A JP5703841B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 反射型マスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011042984A JP5703841B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 反射型マスク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012182235A JP2012182235A (ja) | 2012-09-20 |
JP5703841B2 true JP5703841B2 (ja) | 2015-04-22 |
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ID=47013200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011042984A Expired - Fee Related JP5703841B2 (ja) | 2011-02-28 | 2011-02-28 | 反射型マスク |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5703841B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102998893B (zh) * | 2012-11-19 | 2014-06-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 使用反射式掩膜版的曝光装置及曝光方法 |
JP6303399B2 (ja) * | 2013-10-28 | 2018-04-04 | 凸版印刷株式会社 | Euv露光装置 |
KR102242562B1 (ko) * | 2014-09-04 | 2021-04-20 | 삼성전자주식회사 | 극자외선(euv) 마스크 보호장치 및 그 보호장치를 포함한 euv 노광 장치 |
DE102019100839A1 (de) * | 2019-01-14 | 2020-07-16 | Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg | Fotomaskenanordnung mit reflektierender fotomaske und verfahren zum herstellen einer reflektierenden fotomaske |
US11340524B2 (en) * | 2019-04-01 | 2022-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask |
WO2024085089A1 (ja) * | 2022-10-21 | 2024-04-25 | Agc株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク、反射型マスクの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6381354A (ja) * | 1986-09-26 | 1988-04-12 | Hitachi Ltd | ホトマスク |
JP4539335B2 (ja) * | 2005-01-12 | 2010-09-08 | 株式会社ニコン | 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び多層膜反射鏡におけるコンタミネーションの除去方法 |
JP2006319163A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Nikon Corp | Euv露光装置 |
JP2008251749A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Seiko Epson Corp | 基板の取り外し方法 |
US7894037B2 (en) * | 2007-07-30 | 2011-02-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2010286632A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Asahi Glass Co Ltd | フォトマスクブランクスの洗浄方法 |
JP5338556B2 (ja) * | 2009-08-17 | 2013-11-13 | 旭硝子株式会社 | フォトマスクブランクスの洗浄方法 |
JP5275275B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2013-08-28 | 株式会社東芝 | 基板処理方法、euvマスクの製造方法、euvマスクおよび半導体装置の製造方法 |
JP5743450B2 (ja) * | 2010-07-28 | 2015-07-01 | 株式会社東芝 | レチクルチャッククリーナー |
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2011
- 2011-02-28 JP JP2011042984A patent/JP5703841B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012182235A (ja) | 2012-09-20 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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