JP5697368B2 - 両面で半導体ウェハを化学的に研削する方法 - Google Patents
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Description
a)半導体材料の円柱状に削られたロッドを提供すること、
b)該ロッドから半導体ウェハをスライシングすること、
c)半導体ウェハのエッジを丸めること、
d)半導体ウェハの2つの表面を加工すること、
e)半導体ウェハを清浄化すること、
f)半導体ウェハの2つの面をポリシングすること
を含み、半導体ウェハを自由に移動可能に、回転装置により回転される複数のキャリヤの1つ中の切り抜き部に載置させることで、サイクロイド軌跡で移動させて、半導体ウェハの両面を化学的に研削する少なくとも1つの工程を実施し、その際、該半導体ウェハは、2つの回転するリング状の工作ディスクの間で材料除去的に加工され、各工作ディスクは、研磨材料を含む工作層を含み、かつ研磨材料を含まないアルカリ性媒体が、加工の間に工作ディスクと半導体ウェハとの間に供給される前記方法によって達成される。
a)従来の機械的な粗大除去法、すなわちDDG、PPG及びラッピングを置き換えること、又は
b)従来の機械的な微細除去工程、すなわち慣用の微細研削を置き換えること、又は
c)a)とb)の組み合わせ
のために与えられる。純粋な機械的材料除去は、もはや、前記のc)の場合に行われない。半導体ウェハの表面の加工方法の全ては、その際、化学的(清浄化、あるいはエッチング)及び化学機械的(ポリシング)な性質である(半導体ウェハのエッジの依然として必要となる機械的な加工、エッジ丸め以外)。
a)ワイヤソーイング − エッジ丸め − 化学的研削(粗大) − 清浄化 − エッジ丸め − レーザマーク − エッチング − 両面ポリシング(DSP) − エッジポリシング
b)ワイヤソーイング − 両面粗大研削(DDG) − エッジ丸め − レーザマーク − 化学的研削(微細) − 清浄化 − 両面ポリシング − エッジポリシング
c)ワイヤソーイング − エッジ丸め − 両面粗大研削(PPG) − 清浄化 − エッジ丸め − レーザマーク − 化学的研削(微細) − 清浄化 − 両面ポリシング − エッジポリシング
d)ワイヤソーイング − エッジ丸め − ラッピング − 清浄化 − エッジ丸め − レーザマーク − 化学的研削(微細) − エッチング − DSP − エッジポリシング
e)ワイヤソーイング − エッジ丸め − ラッピング − 清浄化 − エッジ丸め − レーザマーク − 微細研削 − 化学的研削(微細) − 清浄化 − DSP − エッジポリシング
f)ワイヤソーイング − エッジ丸め − 化学的研削(粗大) − 清浄化 − エッジ丸め − レーザマーク − 化学的研削(微細) − 清浄化 − DSP − エッジポリシング
が本発明の内容によれば特に好ましい;該シーケンス全体において、CZ(チョクラルスキー)もしくはFZ(フロートゾーン)により成長され、円柱状に削られたロッド型の結晶が出発物として存在する。
Claims (16)
- 半導体ウェハを両面同時に加工する方法であって、前記半導体ウェハは、自由に移動可能に、回転装置により回転される複数のキャリヤの1つにおける切り抜き部に載置されており、それによりサイクロイド軌跡で移動し、かつ前記半導体ウェハは、2つの回転するリング状の工作ディスクの間で材料除去的に加工される、半導体ウェハを両面同時に加工する方法において、各工作ディスクは、研磨材料を含む工作層を含み、研磨材料を含まないアルカリ性媒体が、加工の間に供給され、
アルカリ性媒体が、炭酸ナトリウム(Na2CO3)、炭酸カリウム(K2CO3)、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KOH)、水酸化アンモニウム(NH4O
H)、テトラアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の化合物又はこれらの任意の混合物を含み、
アルカリ性媒体のpH値が11.8〜12.5であり、かつ該アルカリ性媒体中の前記化合物の割合が、0.2〜10質量%である、方法。 - アルカリ性媒体中の前記化合物の割合が、4〜10質量%である、請求項1に記載の方法。
- 工作層が、アルミニウム、ジルコニウム、セリウム及びシリコンから成る群の1種以上の酸化物から選択される研磨材料を含有する、請求項1または2に記載の方法。
- 工作層が、炭化ケイ素、窒化ホウ素及びダイヤモンドからなる群から選択される1種以上の硬質材料の粒子を含有する、請求項1から3までのいずれか1項に記載の方法。
- 半導体ウェハが、300mm以上の直径を有する半導体ウェハである、請求項1から4までのいずれか1項に記載の方法。
- 半導体ウェハの製造方法であって、
a)半導体材料の円柱状に削られたロッドを提供する工程、
b)該ロッドから半導体ウェハをスライシングする工程、
c)半導体ウェハのエッジを丸める工程、
d)半導体ウェハの2つの表面を加工する工程、
e)半導体ウェハを清浄化する工程、
f)半導体ウェハの2つの面をポリシングする工程
を含み、工程d)では、半導体ウェハを自由に移動可能に、回転装置により回転される複数のキャリヤの1つ中の切り抜き部に載置させることで、サイクロイド軌跡で移動させて、半導体ウェハの両面を化学的に加工する少なくとも1つの工程を実施する、半導体ウェハの製造方法において、前記半導体ウェハは、2つの回転するリング状の工作ディスクの間で材料除去的に加工され、各工作ディスクは、研磨材料を含む工作層を含み、かつ研磨材料を含まないアルカリ性媒体が、加工の間に工作ディスクと半導体ウェハとの間に供給され、
該アルカリ性媒体は、炭酸ナトリウム(Na2CO3)、炭酸カリウム(K2CO3)、水酸化ナトリウム(NaOH)、水酸化カリウム(KOH)、水酸化アンモニウム(NH4
OH)、テトラアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の化合物又はこれらの混合物を含み、
アルカリ性媒体のpH値が、11.8〜12.5であり、かつアルカリ性媒体中の前記化合物の割合が0.2〜10質量%である、方法。 - アルカリ性媒体中の前記化合物の割合が、4〜10質量%である、請求項6に記載の方法。
- 工作層が、アルミニウム、ジルコニウム、セリウム及びシリコンからなる群の1種以上の酸化物から選択される研磨材料を含有する、請求項6または7に記載の方法。
- 工作層が、炭化ケイ素、窒化ホウ素及びダイヤモンドからなる群から選択される1種以上の硬質材料の粒子を含有する、請求項6または7に記載の方法。
- 半導体ウェハが、300mm以上の直径を有するシリコンウェハである、請求項6から9までのいずれか1項に記載の方法。
- 工程c)による半導体ウェハのエッジ丸めの工程後に、半導体ウェハの両面を化学的に加工し、その際、工作層が、#2000未満の粒子を有する、請求項6から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 工程c)によるエッジ丸めの工程を、工程d)の後に実施する、請求項6から10までのいずれか1項に記載の方法。
- 工程c)によるエッジ丸めを、工程d)の前と後の両方に実施する、請求項12に記載の方法。
- 同時の両面研削を、両面での半導体ウェハのラッピングによって置き換える、請求項12に記載の方法。
- 半導体ウェハの両面の化学的な加工の工程の前に、半導体ウェハの両面の研削の工程を、#2000〜8000の粒子を有する研削ディスクによって行い、その際、この研削工程の間にアルカリ性媒体を供給しない、請求項14に記載の方法。
- 工程d)において、半導体ウェハの両面を化学的に加工し、その際、工作層が#2000未満の粒子を有し、工程c)によるエッジ丸め工程を、工程d)の前と後の両方で行い、そして前記のように両面が研削され、エッジ丸めがなされた半導体ウェハを、両面で化学的に二回加工し、その際、工作層は、#2000〜#8000の粒子を有する、請求項6から10までのいずれか1項に記載の方法。
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