JP5691092B2 - 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 - Google Patents
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Description
(実施の形態1)
最初に本発明の実施の形態1の半導体装置の電気的特性検査装置の構成について説明する。なお、本実施の形態では、半導体装置の一例として縦型IGBTが適用されている。
再び図1を参照して、電気的特性検査装置10において、電極構造1の第1の電極部3および第2の電極部4に半導体装置11の一方表面11aが接するように半導体装置11が載置される。第1の電極部3は、半導体装置11のコレクタ電極(図示せず)と接触する。
本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、第2の電極部4は真空チャック用の通路6内に挿通され、支持部5に固定されているため、第2の電極部4は可動しない。第2の電極部4が可動しないため、第2の電極部4を固定する支持部5とその周囲の支持部5とに可動のための隙間が生じることはない。このため、この隙間に塗布するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることによって半導体装置11の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。
本発明の実施の形態2では、実施の形態1と比較して電極構造の構成が主に異なっている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
再び図5を参照して、半導体装置11が載置されていない状態では、第2の電極部4は、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aより突出するように配置されている。
本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、第2の電極部4は、通路6と離れた位置に配置され、半導体装置11の一方表面11aと接触させた状態で半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向に第1の電極部3に対して相対的に移動可能に構成されているため、第2の電極部4の移動によって通路6から真空リークが生じることはない。このため、真空リークを防止するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることによって半導体装置11の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。
Claims (5)
- 一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、前記一方表面と前記他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、
前記半導体装置の前記一方表面と接触させるための第1の電極部を備え、
前記第1の電極部の前記半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されており、さらに
前記半導体装置の前記一方表面と接触させることができるように前記通路内に挿通され、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置の前記一方表面と前記他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部と、
前記第1および第2の電極部のそれぞれの前記半導体装置の前記一方表面と接触する面の高さが互いに揃うように前記第1および第2の電極部のそれぞれを固定する支持部とを備えた、半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。 - 一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、前記一方表面と前記他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、
前記半導体装置の前記一方表面と接触させるための第1の電極部を備え、
前記第1の電極部の前記半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されており、さらに
前記半導体装置の前記一方表面と接触させることができるように前記通路と離れた位置に配置され、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置の前記一方表面と前記他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部と、
前記第1の電極部を固定し、前記第2の電極部を保持する支持部とを備え、
前記第2の電極部は、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向に前記第1の電極部に対して相対的に移動可能に構成されている、半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。 - 前記半導体装置を加熱するためのヒーター部をさらに備え、
前記通路は、前記第1の電極部の前記半導体装置の前記一方表面と接触する側の面に対して前記半導体装置と反対側に配置された通路部を含み、
前記ヒーター部は、前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向において、前記第1の電極部と前記通路部との間に配置されており、かつ前記支持部の内部に固定されている、請求項1または2に記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。 - 前記第2の電極部の前記半導体装置の前記一方表面と接触する面は、前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向から見て、矩形形状を有している、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造を備え、
前記半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造により前記半導体装置の電気的特性を検査可能な半導体装置の電気的特性検査装置。
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