JP2012141267A - 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 - Google Patents
半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012141267A JP2012141267A JP2011001137A JP2011001137A JP2012141267A JP 2012141267 A JP2012141267 A JP 2012141267A JP 2011001137 A JP2011001137 A JP 2011001137A JP 2011001137 A JP2011001137 A JP 2011001137A JP 2012141267 A JP2012141267 A JP 2012141267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- electrode
- electrode portion
- contact
- passage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 256
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims abstract description 63
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 39
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1は、第1の電極部3を備えている。第1の電極部3の半導体装置11と接触する側の面3aに開口するように真空チャック用の通路6が形成されている。電極構造1は、さらに半導体装置11の一方表面11aと接触させることができるように通路6内に挿通され、半導体装置11の一方表面11aと接触させた状態で半導体装置11の一方表面11aと他方表面11bとの間の電圧を検出するための第2の電極部4と、第1および第2の電極部3,4のそれぞれの半導体装置11の一方表面11aと接触する面3a,4aの高さが互いに揃うように第1および第2の電極部3,4のそれぞれを固定する支持部5とを備えている。
【選択図】図1
Description
(実施の形態1)
最初に本発明の実施の形態1の半導体装置の電気的特性検査装置の構成について説明する。なお、本実施の形態では、半導体装置の一例として縦型IGBTが適用されている。
再び図1を参照して、電気的特性検査装置10において、電極構造1の第1の電極部3および第2の電極部4に半導体装置11の一方表面11aが接するように半導体装置11が載置される。第1の電極部3は、半導体装置11のコレクタ電極(図示せず)と接触する。
本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、第2の電極部4は真空チャック用の通路6内に挿通され、支持部5に固定されているため、第2の電極部4は可動しない。第2の電極部4が可動しないため、第2の電極部4を固定する支持部5とその周囲の支持部5とに可動のための隙間が生じることはない。このため、この隙間に塗布するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることによって半導体装置11の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。
本発明の実施の形態2では、実施の形態1と比較して電極構造の構成が主に異なっている。なお、本実施の形態のこれ以外の構成は上述した実施の形態1と同様であるため、同一の要素については同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
再び図5を参照して、半導体装置11が載置されていない状態では、第2の電極部4は、第1の電極部3の半導体装置11の一方表面11aと接触する面3aより突出するように配置されている。
本実施の形態の半導体装置11の電気的特性検査装置10の電極構造1によれば、第2の電極部4は、通路6と離れた位置に配置され、半導体装置11の一方表面11aと接触させた状態で半導体装置11と第1の電極部3とが重なる方向に第1の電極部3に対して相対的に移動可能に構成されているため、第2の電極部4の移動によって通路6から真空リークが生じることはない。このため、真空リークを防止するためのグリースは必要ない。そのため、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることもない。したがって、半導体装置11の一方表面11aと第2の電極部4との間にグリースが挟まることによって半導体装置11の電気的特性の検査が不正確になることを防止できる。これにより、半導体装置11の電気的特性を正確に検査できる。
Claims (5)
- 一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、前記一方表面と前記他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、
前記半導体装置の前記一方表面と接触させるための第1の電極部を備え、
前記第1の電極部の前記半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されており、さらに
前記半導体装置の前記一方表面と接触させることができるように前記通路内に挿通され、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置の前記一方表面と前記他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部と、
前記第1および第2の電極部のそれぞれの前記半導体装置の前記一方表面と接触する面の高さが互いに揃うように前記第1および第2の電極部のそれぞれを固定する支持部とを備えた、半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。 - 一方表面と前記一方表面に対向する他方表面とを有し、前記一方表面と前記他方表面との間に電流を流すことができる半導体装置の電気的特性を検査するための電気的特性検査装置の電極構造であって、
前記半導体装置の前記一方表面と接触させるための第1の電極部を備え、
前記第1の電極部の前記半導体装置と接触する側の面に開口するように真空チャック用の通路が形成されており、さらに
前記半導体装置の前記一方表面と接触させることができるように前記通路と離れた位置に配置され、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置の前記一方表面と前記他方表面との間の電圧を検出するための第2の電極部を備え、
前記第2の電極部は、前記半導体装置の前記一方表面と接触させた状態で前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向に前記第1の電極部に対して相対的に移動可能に構成されている、半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。 - 前記半導体装置を加熱するためのヒーター部をさらに備え、
前記通路は、前記第1の電極部の前記半導体装置の前記一方表面と接触する側の面に対して前記半導体装置と反対側に配置された通路部を含み、
前記ヒーター部は、前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向において、前記第1の電極部と前記通路部との間に配置されている、請求項1または2に記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。 - 前記第2の電極部の前記半導体装置の前記一方表面と接触する面は、前記半導体装置と前記第1の電極部とが重なる方向から見て、矩形形状を有している、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造を備え、
前記半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造により前記半導体装置の電気的特性を検査可能な半導体装置の電気的特性検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011001137A JP5691092B2 (ja) | 2011-01-06 | 2011-01-06 | 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011001137A JP5691092B2 (ja) | 2011-01-06 | 2011-01-06 | 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012141267A true JP2012141267A (ja) | 2012-07-26 |
JP5691092B2 JP5691092B2 (ja) | 2015-04-01 |
Family
ID=46677688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011001137A Active JP5691092B2 (ja) | 2011-01-06 | 2011-01-06 | 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5691092B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012163515A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Toyota Motor Corp | 半導体検査装置 |
JP2014202659A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 富士電機株式会社 | 半導体測定装置及び半導体測定方法 |
JP2016003965A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 新日本無線株式会社 | 湿度センサ検査装置 |
WO2016063676A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の試験装置 |
WO2016117105A1 (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法 |
JP2016197088A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 株式会社村田製作所 | 電気抵抗測定プローブおよび電気抵抗測定システム |
JPWO2015155822A1 (ja) * | 2014-04-07 | 2017-04-13 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の光測定装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260445A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Corp | 加熱ステージ |
JP2004184249A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体測定装置 |
JP2006208208A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 検査治具 |
JP2008107117A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Oputo System:Kk | ケルビンテーブル |
-
2011
- 2011-01-06 JP JP2011001137A patent/JP5691092B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09260445A (ja) * | 1996-03-22 | 1997-10-03 | Nec Corp | 加熱ステージ |
JP2004184249A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体測定装置 |
JP2006208208A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | 検査治具 |
JP2008107117A (ja) * | 2006-10-23 | 2008-05-08 | Oputo System:Kk | ケルビンテーブル |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012163515A (ja) * | 2011-02-09 | 2012-08-30 | Toyota Motor Corp | 半導体検査装置 |
JP2014202659A (ja) * | 2013-04-08 | 2014-10-27 | 富士電機株式会社 | 半導体測定装置及び半導体測定方法 |
JPWO2015155822A1 (ja) * | 2014-04-07 | 2017-04-13 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の光測定装置 |
JP2016003965A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 新日本無線株式会社 | 湿度センサ検査装置 |
WO2016063676A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の試験装置 |
JPWO2016063676A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2017-07-13 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の試験装置 |
US10094871B2 (en) | 2014-10-23 | 2018-10-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic-component testing device |
WO2016117105A1 (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法 |
JPWO2016117105A1 (ja) * | 2015-01-23 | 2017-10-05 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法 |
US10168380B2 (en) | 2015-01-23 | 2019-01-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device evaluation jig, semiconductor device evaluation apparatus, and semiconductor device evaluation method |
JP2016197088A (ja) * | 2015-04-06 | 2016-11-24 | 株式会社村田製作所 | 電気抵抗測定プローブおよび電気抵抗測定システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5691092B2 (ja) | 2015-04-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5691092B2 (ja) | 半導体装置の電気的特性検査装置の電極構造およびそれを備えた半導体装置の電気的特性検査装置 | |
JP5737536B2 (ja) | プローバ | |
US9069008B2 (en) | Inspection apparatus for semiconductor devices and chuck stage for the inspection apparatus that is movable with respect to the front and back side electrodes | |
JP5432700B2 (ja) | 半導体デバイスの検査装置 | |
TWI436075B (zh) | Semiconductor measuring device | |
US9658285B2 (en) | Probe apparatus | |
JP2013096837A (ja) | 半導体テスト治具およびそれを用いた耐圧測定方法 | |
JP5067280B2 (ja) | 半導体ウエハ測定装置 | |
KR100810550B1 (ko) | 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 검사 방법 및 검사장치 | |
JP2008101944A (ja) | 検査用保持部材,検査装置及び検査方法 | |
JP2007040926A (ja) | プローバ | |
US20210255239A1 (en) | Semiconductor device test method | |
WO2016117105A1 (ja) | 半導体装置評価用治具、半導体装置評価装置および半導体装置評価方法 | |
JP2018037538A (ja) | プローバ | |
US8593167B2 (en) | Semiconductor device test method and apparatus, and semiconductor device | |
JP2016095272A (ja) | 半導体評価装置、半導体評価方法および試験治具 | |
US9140726B2 (en) | Support body for contact terminals and probe card | |
JP5836872B2 (ja) | 半導体装置の特性評価装置 | |
KR101248439B1 (ko) | 반도체 소자의 특성 측정방법 및 반도체장치의 제조방법 | |
JP6280495B2 (ja) | 試料固定装置 | |
JP2004063486A (ja) | プローバのチャック機構 | |
JP6731862B2 (ja) | 半導体装置の評価装置 | |
JP2004311799A (ja) | 半導体試験装置 | |
JP2018054401A (ja) | 評価装置、半導体装置の評価方法 | |
JP6583151B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140214 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140425 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141216 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150114 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150115 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20150114 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5691092 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |