JP5682521B2 - 周縁部塗布装置、周縁部塗布方法及び記憶媒体 - Google Patents
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Description
前記基板の表面の周縁部に塗布膜を形成するために塗布液を供給するノズルと、
前記塗布液の供給位置を基板の周縁部と基板の外側位置との間で移動させるために、前記ノズルを移動させる移動機構と、
前記回転保持部による基板の回転と、前記ノズルからの塗布液の吐出と、移動機構によるノズルの移動とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の回転及びノズルからの塗布液の供給を行いながら、塗布液の供給位置を基板の外側から基板の周縁部に向けて移動させ、当該基板を平面で見たときに楔型に塗布液を塗布し、
次いで、基板の回転及び塗布液の供給を続けたままノズルの移動を停止し、基板の周縁部に沿って帯状に塗布液を塗布し、この帯状に塗布された塗布液の端部が前記楔型に塗布された塗布液に接触して、基板の全周に亘って塗布液が塗布され、
基板の回転及びノズルからの塗布液の供給を行うときに、塗布液の吐出速度が、前記基板の周縁部の速度の−10%〜+10%の範囲内であるように制御信号を出力することを特徴とする。
(1)前記楔型の角度は10°以下である。
(2)塗布液の基板への供給が行われるときに基板の回転速度が100rpm以上である。
(3)前記基板の外側位置から基板の周縁部へ移動する塗布液の供給位置の移動速度は30mm/秒以下である
(4)前記ノズルの口径は0.6mm以下である。
(評価試験1)
上記の周縁部塗布装置1において、レジスト液の吐出を開始するタイミングについて検証するために試験を行った。評価試験1−1ではレジスト液31の吐出位置32を予めウエハWの周縁部に移動させた後、ウエハWを回転させながら当該周縁部にレジスト液31を吐出し、以降は上記の実施形態と同様にウエハWの周縁部全周にレジスト液31を塗布した。評価試験1−2では、上記の実施形態と同様にレジスト液31を吐出しながら吐出位置32をウエハWの外側から周縁部へ移動させて処理を行った。ただし、楔型領域41の角度θは10°より大きくなるようにレジスト液31塗布時のウエハWの回転速度及びノズル31の移動速度を制御した。評価試験1−1、1−2共に5枚のウエハWに同様の処理を行い、各ウエハWにおいて塗布開始位置33及びその付近のレジスト膜43の形状を観察した。また、各ウエハWにおいてレジスト膜43の幅の最大値と最小値との差を測定した。前記幅の差が小さいほど、幅の均一性が高いと言える。
上記の実施形態において、塗布開始時に楔型領域41を塗布するにあたり、有効な楔の角度θの範囲を求める試験を行った。複数枚のウエハWからなるグループ毎に角度θを変えて、上記の実施形態と同様にレジスト膜43を形成し、評価試験1と同様にレジスト膜43の幅の最大値と最小値との差を測定した。図21、22、23は各ウエハWに形成した楔型領域41の形状を示しており、各図の角度θは夫々30°、60°、10°である。
上記の実施形態において、ウエハW毎にレジスト液31塗布時の回転速度を変化させて処理を行い、楔型領域41の角度θ、図35に示したウエハWの中心側へ向かうレジスト液31の幅L1の大きさ及びレジスト膜43の幅の最大値と最小値との差を測定し、それによって前記回転速度とこれら角度θ、幅L1、膜の幅の差との関係を調べた。図25、26、27はこの評価試験3の結果を示すグラフであり、これら各グラフの横軸はウエハWの回転速度(rpm)を示している。図25、26、27の縦軸は夫々前記角度θ(°)、前記幅L1(mm)、前記膜の幅の差(mm)を示している。
ウエハWにレジスト液31の塗布を開始するにあたり、ノズル21の適切な移動速度を調べるための試験を行った。上記の実施形態においてノズル21の移動速度を10mm/秒、30mm/秒、50mm/秒に夫々設定して処理を行い、他の実施形態と同様にウエハWに形成されたレジスト膜の幅の最大値と最小値との差を測定した。図28はこの評価試験5の結果を示すグラフであり、グラフの横軸はノズル21の移動速度(mm/秒)、グラフの縦軸は前記膜の幅の差である。グラフに示されるようにノズル21の移動速度が大きいほど、膜の幅の差が大きくなることが示された。移動速度が大きいと前記θが大きくなるので、この結果から前記θを小さくすることが膜の幅の均一性を高めることに有効であることが分かる。また、膜の幅の差は0.65mm以下が許容範囲であり、ノズルの速度が50mm/秒であるときにはこの0.65mmに略等しくなってしまっていることから、ノズルの移動速度としては30mm/秒以下に設定することが好ましい。
単位時間あたりのレジスト液の吐出量をウエハWごとに変更して実施の形態と同様に処理を行い、他の実施形態と同様に膜の幅の差について測定した。この評価試験では処理条件を変えて処理を行った。具体的には2種類のレジスト液31を用いて処理を行った。図29はこの評価試験5の結果を示すグラフであり、グラフの横軸は単位時間あたりのレジスト液の吐出量(mL/秒)、グラフの縦軸は前記膜の幅の差である。グラフ中、第1のレジスト液を用いて行った結果を丸印でプロットし、第2のレジスト液を用いて行った結果を四角印でプロットしている。
上記の実施形態において、レジスト液31塗布時のウエハWの回転速度とレジスト液31の吐出量とを夫々変化させて各ウエハWに処理を行い、形成されたレジスト膜43の形状を観察した。吐出量は0.25mL/秒、0.33mL/秒、0.50mL/秒、0.63mL/秒に夫々設定し、回転速度は50rpm、100rpm、150rpm、200rpm、300rpmに夫々設定した。図30は各設定により形成された各レジスト膜43を模式的に示しており、図中下側がウエハWの中心部側である。
ノズル21の吐出口22の径L2が0.8mmである他は実施形態と同様の装置を用いてウエハWに実施形態と同様にレジスト膜43の形成を行い、レジスト膜43が正常に塗布できたか否かを調べた。ウエハWの回転速度(rpm)及びレジスト液31の吐出流量をウエハWごとに変更している。吐出量は0.25mL/秒、0.33mL/秒、0.50mL/秒に夫々設定し、回転速度は50rpm、100rpm、150rpm、200rpm、300rpmに夫々設定した。
ノズル21の吐出口22の径L2を0.3mmに設定し、評価試験7と同様の試験を行った。図32のグラフは、図31のグラフと同様にノズル31から吐出されるレジスト液の速度(mm/秒)と、ノズル31から吐出されるレジスト液の流量(mL/秒)との関係をプロットして示している。このグラフに示すように、この評価試験8で用いるノズル21の口径は、レジスト液31の吐出流量として設定した0.25〜0.50mL/秒の範囲において、各ウエハWの回転速度100rpm、200rpm、300rpmにレジスト液の速度を揃えることができるように設定されている。
11 スピンチャック
21 ノズル
3 制御部
31 レジスト液
32 吐出位置
33 塗布開始位置
41 楔型領域
42 帯状領域
43 レジスト膜
Claims (8)
- 円形の基板を水平に保持して回転させる回転保持部と、
前記基板の表面の周縁部に塗布膜を形成するために塗布液を供給するノズルと、
前記塗布液の供給位置を基板の周縁部と基板の外側位置との間で移動させるために、前記ノズルを移動させる移動機構と、
前記回転保持部による基板の回転と、前記ノズルからの塗布液の吐出と、移動機構によるノズルの移動とを制御するために制御信号を出力する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
基板の回転及びノズルからの塗布液の供給を行いながら、塗布液の供給位置を基板の外側から基板の周縁部に向けて移動させ、当該基板を平面で見たときに楔型に塗布液を塗布し、
次いで、基板の回転及び塗布液の供給を続けたままノズルの移動を停止し、基板の周縁部に沿って帯状に塗布液を塗布し、この帯状に塗布された塗布液の端部が前記楔型に塗布された塗布液に接触して、基板の全周に亘って塗布液が塗布され、
基板の回転及びノズルからの塗布液の供給を行うときに、塗布液の吐出速度が、前記基板の周縁部の速度の−10%〜+10%の範囲内であるように制御信号を出力することを特徴とする周縁部塗布装置。 - 前記楔型の角度は10°以下であることを特徴とする請求項1記載の周縁部塗布装置。
- 塗布液の基板への供給が行われるときに基板の回転速度が100rpm以上であることを特徴とする請求項1または2に記載の周縁部塗布装置。
- 前記基板の外側位置から基板の周縁部へ移動する塗布液の供給位置の移動速度は30mm/秒以下であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の周縁部塗布装置。
- 前記ノズルの口径は0.6mm以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の周縁部塗布装置。
- 円形の基板を回転保持部に水平に保持する工程と、
前記回転保持部により基板を回転させる工程と、
基板の回転と、ノズルから基板の周縁部に塗布膜を形成するための塗布液の供給とを行いながら、前記塗布液の供給位置を基板の外側から基板の周縁部に向けて移動させ、当該基板を平面で見たときに楔型に塗布液を塗布する工程と、
次いで、基板の回転及び塗布液の供給を続けたままノズルの移動を停止し、基板の周縁部に沿って帯状に塗布液を塗布し、帯状に塗布された塗布液の端部が前記楔型に塗布された塗布液に接触させて、基板の全周に亘って塗布液を塗布する工程と、
を含み、
基板に塗布液を塗布する各工程は、基板の回転及びノズルからの塗布液の供給を行うときに、塗布液の吐出速度が、前記基板の周縁部の速度の−10%〜+10%の範囲内であるように行われること特徴とする周縁部塗布方法。 - 前記楔型の角度は10°以下であることを特徴とする請求項6記載の周縁部塗布方法。
- 基板の周縁部に対する塗布処理を行う周縁部塗布装置に用いられるコンピュータプログラムが記憶された記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項6または7記載の周縁部塗布方法を実施するためのものであることを特徴とする記憶媒体。
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