JP5682466B2 - 電子装置、フラッシュメモリ交換管理システム、方法およびプログラム - Google Patents
電子装置、フラッシュメモリ交換管理システム、方法およびプログラム Download PDFInfo
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フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別手段と、
この交換時期判別手段で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段と、
この経過時間算出手段の算出した経過時間に応じて前記フラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定手段
とを具備することを特徴とする電子装置。
前記交換時期判別手段は、前記閾値を絶通常閾値よりも高くして前記フラッシュメモリを構成する複数のメモリセルからデータの読み出しを行ってそれぞれのメモリセルからデータが正しく読み出されたかを判別する照合手段と、この照合手段によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの割合を算出する割合算出手段とを備え、前記割合算出手段が予め定めた割合以上を算出したとき前記フラッシュメモリの交換時期が到来したことを判別することを特徴とする付記1記載の電子装置。
前記閾値低下設定手段は、前記通常閾値よりも数パーセントの範囲で低下させることを特徴とする付記1記載の電子装置。
前記閾値低下設定手段は、前記フラッシュメモリの該当するメモリセルに印加する電源電圧を低下させることで前記通常閾値よりも閾値を低下させることを特徴とする付記1記載の電子装置。
前記閾値低下設定手段は前記経過時間算出手段の算出した経過時間に応じて閾値を複数段階に分けて低下させることを特徴とする付記3記載の電子装置。
前記閾値低下設定手段は前記経過時間算出手段の算出した経過時間に応じてリニアに閾値を低下させることを特徴とする付記3記載の電子装置。
フラッシュメモリを構成するそれぞれのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも高くして前記フラッシュメモリを構成する全メモリセルからデータの読み出しを行ってそれぞれのメモリセルからデータが正しく読み出されたかを判別する照合手段と、
この照合手段によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの割合を算出する割合算出手段と、
前記照合手段によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの位置を記憶する記憶手段と、
前記割合算出手段が予め定めた割合以上を算出したとき前記フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別手段と、
この交換時期判別手段が交換時期を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段と、
この経過時間算出手段の算出した経過時間が予め定めた時間以上となったとき前記記憶手段に記憶されたメモリセルのうちデータの格納に使用しているものを前記記憶手段に記憶されていない未使用のメモリセルに置き換えるメモリセル置換手段
とを具備することを特徴とする電子装置。
フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別手段と、
この交換時期判別手段で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段と、
この経過時間算出手段の算出した経過時間が予め定めた時間になったとき、前記フラッシュメモリの交換が行われるまでの間、前記フラッシュメモリにおけるそのフローティングゲートに電子が格納されているメモリセルに対して定期的に電子を再格納する再チャージ手段
とを具備することを特徴とする電子装置。
所定のネットワークに接続され、フラッシュメモリを内蔵した任意数の電子装置と、
前記ネットワークに接続され、前記電子装置に内蔵された前記フラッシュメモリのそれぞれの交換時期を判別する交換時期判別手段と、この交換時期判別手段で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリそれぞれの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段とを備えた管理装置と、
この管理装置の前記経過時間算出手段の算出した前記フラッシュメモリそれぞれについての経過時間に応じてこれらフラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定手段を備えた電源制御装置
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理システム。
フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別ステップと、
この交換時期判別ステップで交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出ステップと、
この経過時間算出ステップで算出した経過時間に応じて前記フラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定ステップ
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理方法。
フラッシュメモリを構成するそれぞれのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも高くして前記フラッシュメモリを構成する全メモリセルからデータの読み出しを行ってそれぞれのメモリセルからデータが正しく読み出されたかを判別する照合ステップと、
この照合ステップによってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの割合を算出する割合算出ステップと、
前記照合ステップによってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの位置を記憶する記憶ステップと、
前記割合算出ステップが予め定めた割合以上を算出したとき前記フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別ステップと、
この交換時期判別ステップが交換時期を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出ステップと、
この経過時間算出ステップの算出した経過時間が予め定めた時間以上となったとき前記記憶ステップに記憶されたメモリセルのうちデータの格納に使用しているものを前記記憶ステップに記憶されていない未使用のメモリセルに置き換えるメモリセル置換ステップ
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理方法。
フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別ステップと、
この交換時期判別ステップで交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出ステップと、
この経過時間算出ステップの算出した経過時間が予め定めた時間になったとき、前記フラッシュメモリの交換が行われるまでの間、前記フラッシュメモリにおけるそのフローティングゲートに電子が格納されているメモリセルに対して定期的に電子を再格納する再チャージステップ
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理方法。
CPUに、
フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別処理と、
この交換時期判別処理で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出処理と、
この経過時間算出処理で算出した経過時間に応じて前記フラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定処理
とを実行させることを特徴とするフラッシュメモリ交換管理プログラム。
CPUに、
フラッシュメモリを構成するそれぞれのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも高くして前記フラッシュメモリを構成する全メモリセルからデータの読み出しを行ってそれぞれのメモリセルからデータが正しく読み出されたかを判別する照合処理と、
この照合処理によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの割合を算出する割合算出処理と、
前記照合処理によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの位置を記憶する記憶処理と、
前記割合算出処理が予め定めた割合以上を算出したとき前記フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別処理と、
この交換時期判別処理が交換時期を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出処理と、
この経過時間算出処理の算出した経過時間が予め定めた時間以上となったとき前記記憶処理に記憶されたメモリセルのうちデータの格納に使用しているものを前記記憶処理に記憶されていない未使用のメモリセルに置き換えるメモリセル置換処理
とを実行させることを特徴とするフラッシュメモリ交換管理プログラム。
CPUに、
フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別処理と、
この交換時期判別処理で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出処理と、
この経過時間算出処理の算出した経過時間が予め定めた時間になったとき、前記フラッシュメモリの交換が行われるまでの間、前記フラッシュメモリにおけるそのフローティングゲートに電子が格納されているメモリセルに対して定期的に電子を再格納する再チャージ処理
とを実行させることを特徴とするフラッシュメモリ交換管理プログラム。
101 CPU
102 プログラム格納部
103 制御部
105 第1のフラッシュメモリ
106 第2のフラッシュメモリ
108、413 データ正常性検知部
109、415 フラッシュメモリリードマージン変動部
111 第1の機能部
112 第2の機能部
114 電源電圧生成部
123 基板
124 トンネル酸化膜
125 フローティングゲート
126 酸化絶縁膜
127 コントロールゲート
421 第1の電子装置
422 第2の電子装置
423 X86系装置
424 電源電圧生成装置
425 電源制御装置
1001、1201、1302a 交換時期判別手段
1002、1202、1302b 経過時間算出手段
1003 閾値低下設定手段
1101 照合手段
1102 割合算出手段
1103 記憶手段
1104 交換時期判別手段
1105 経過時間算出手段
1106 メモリセル置換手段
1203 再チャージ手段
1300 フラッシュメモリ交換管理システム
1302 管理装置
1303 電源制御装置
1303a 閾値低下設定手段
1400、1500、1600 フラッシュメモリ交換管理方法
1401 交換時期判別ステップ
1402、1505、1602 経過時間算出ステップ
1403 閾値低下設定ステップ
1501 照合ステップ
1502 割合算出ステップ
1503 記憶ステップ
1504、1601 交換時期判別ステップ
1506 メモリセル置換ステップ
1603 再チャージステップ
1700、1800、1900 フラッシュメモリ交換管理プログラム
1701、1804、1901 交換時期判別処理
1702、1805、1902 経過時間算出処理
1703 閾値低下設定処理
1801 照合処理
1802 割合算出処理
1803 記憶処理
1806 メモリセル置換処理
1903 再チャージ処理
Claims (10)
- フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別手段と、
この交換時期判別手段で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段と、
この経過時間算出手段の算出した経過時間に応じて前記フラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定手段
とを具備することを特徴とする電子装置。 - フラッシュメモリを構成するそれぞれのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも高くして前記フラッシュメモリを構成する全メモリセルからデータの読み出しを行ってそれぞれのメモリセルからデータが正しく読み出されたかを判別する照合手段と、
この照合手段によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの割合を算出する割合算出手段と、
前記照合手段によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの位置を記憶する記憶手段と、
前記割合算出手段が予め定めた割合以上を算出したとき前記フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別手段と、
この交換時期判別手段が交換時期を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段と、
この経過時間算出手段の算出した経過時間が予め定めた時間以上となったとき前記記憶手段に記憶されたメモリセルのうちデータの格納に使用しているものを前記記憶手段に記憶されていない未使用のメモリセルに置き換えるメモリセル置換手段
とを具備することを特徴とする電子装置。 - フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別手段と、
この交換時期判別手段で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段と、
この経過時間算出手段の算出した経過時間が予め定めた時間になったとき、前記フラッシュメモリの交換が行われるまでの間、前記フラッシュメモリにおけるそのフローティングゲートに電子が格納されているメモリセルに対して定期的に電子を再格納する再チャージ手段
とを具備することを特徴とする電子装置。 - 所定のネットワークに接続され、フラッシュメモリを内蔵した任意数の電子装置と、
前記ネットワークに接続され、前記電子装置に内蔵された前記フラッシュメモリのそれぞれの交換時期を判別する交換時期判別手段と、この交換時期判別手段で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリそれぞれの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出手段とを備えた管理装置と、
この管理装置の前記経過時間算出手段の算出した前記フラッシュメモリそれぞれについての経過時間に応じてこれらフラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定手段を備えた電源制御装置
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理システム。 - フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別ステップと、
この交換時期判別ステップで交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出ステップと、
この経過時間算出ステップで算出した経過時間に応じて前記フラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定ステップ
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理方法。 - フラッシュメモリを構成するそれぞれのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも高くして前記フラッシュメモリを構成する全メモリセルからデータの読み出しを行ってそれぞれのメモリセルからデータが正しく読み出されたかを判別する照合ステップと、
この照合ステップによってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの割合を算出する割合算出ステップと、
前記照合ステップによってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの位置を記憶する記憶ステップと、
前記割合算出ステップが予め定めた割合以上を算出したとき前記フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別ステップと、
この交換時期判別ステップが交換時期を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出ステップと、
この経過時間算出ステップの算出した経過時間が予め定めた時間以上となったとき前記記憶ステップに記憶されたメモリセルのうちデータの格納に使用しているものを前記記憶ステップに記憶されていない未使用のメモリセルに置き換えるメモリセル置換ステップ
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理方法。 - フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別ステップと、
この交換時期判別ステップで交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出ステップと、
この経過時間算出ステップの算出した経過時間が予め定めた時間になったとき、前記フラッシュメモリの交換が行われるまでの間、前記フラッシュメモリにおけるそのフローティングゲートに電子が格納されているメモリセルに対して定期的に電子を再格納する再チャージステップ
とを具備することを特徴とするフラッシュメモリ交換管理方法。 - CPUに、
フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別処理と、
この交換時期判別処理で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出処理と、
この経過時間算出処理で算出した経過時間に応じて前記フラッシュメモリのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも2値化に障害が生じない範囲内で低下させる閾値低下設定処理
とを実行させることを特徴とするフラッシュメモリ交換管理プログラム。 - CPUに、
フラッシュメモリを構成するそれぞれのメモリセルから読み出すデータの2値化の基準となる閾値を通常の読取時に設定する通常閾値よりも高くして前記フラッシュメモリを構成する全メモリセルからデータの読み出しを行ってそれぞれのメモリセルからデータが正しく読み出されたかを判別する照合処理と、
この照合処理によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの割合を算出する割合算出処理と、
前記照合処理によってデータが正しく読み出せなかったメモリセルの位置を記憶する記憶処理と、
前記割合算出処理が予め定めた割合以上を算出したとき前記フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別処理と、
この交換時期判別処理が交換時期を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出処理と、
この経過時間算出処理の算出した経過時間が予め定めた時間以上となったとき前記記憶処理に記憶されたメモリセルのうちデータの格納に使用しているものを前記記憶処理に記憶されていない未使用のメモリセルに置き換えるメモリセル置換処理
とを実行させることを特徴とするフラッシュメモリ交換管理プログラム。 - CPUに、
フラッシュメモリの交換時期の到来を判別する交換時期判別処理と、
この交換時期判別処理で交換時期の到来を判別した時点からの前記フラッシュメモリの交換が行われない状態での経過時間を算出する経過時間算出処理と、
この経過時間算出処理の算出した経過時間が予め定めた時間になったとき、前記フラッシュメモリの交換が行われるまでの間、前記フラッシュメモリにおけるそのフローティングゲートに電子が格納されているメモリセルに対して定期的に電子を再格納する再チャージ処理
とを実行させることを特徴とするフラッシュメモリ交換管理プログラム。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011132454A JP5682466B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 電子装置、フラッシュメモリ交換管理システム、方法およびプログラム |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011132454A JP5682466B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 電子装置、フラッシュメモリ交換管理システム、方法およびプログラム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2013003723A JP2013003723A (ja) | 2013-01-07 |
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Family
ID=47672250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011132454A Active JP5682466B2 (ja) | 2011-06-14 | 2011-06-14 | 電子装置、フラッシュメモリ交換管理システム、方法およびプログラム |
Country Status (1)
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JP2010218637A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置およびその制御方法 |
US8254170B2 (en) * | 2009-08-25 | 2012-08-28 | Sandisk Il Ltd. | Preloading data into a flash storage device |
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