JP5672771B2 - 半導体光素子及びその製造方法 - Google Patents
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(100)面を主面とする半導体基板上で[011]方向成分以外の方向成分を含んで延設されたメサ状の積層構造体と、
前記積層構造体の両側の前記半導体基板上に配置される複数の突起と、
前記前記積層構造体の両側面及び前記複数の突起の間を埋め込む埋め込み層と、
を有し、前記埋め込み層は、前記積層構造体の両側面に位置する第1埋込部と、前記突起と突起の間を埋め込む第2埋込部とを含み、前記第1埋込層の断面積(又は堆積量)と、前記第2埋込部の断面積(又は堆積量)は等しい。
(A) (100)面を主面とする半導体基板上に、光素子を形成するための複数の層を成膜し、
(B) 前記複数の層が成膜された基板を加工して、[011]方向成分以外の方向成分を含むメサ状の積層構造体と、前記積層構造体の両側に位置し前記積層構造体と異なる高さを有する複数の突起を、同時に形成し、
(C) 前記積層構造体と前記複数の突起を、(100)面方向の成長速度よりも横方向の成長速度が速い成長モードで埋め込む
工程を含む。
h2×d≒(導波路メサ13の高さh1)×(メサ両側壁の平坦な埋込面15aの幅W=Wa+Wa)
となるように設定することで、導波路メサ13の両側の側面に位置する第1埋込部15の堆積量と、突起12間の第2埋込部16の堆積量がほぼ等しくなるため、突起12間に平坦な底面16aを得ることができる。
h2×d≒(導波路ストライプメサ70の高さh1)×(第1埋込部上面の平坦面75aの両側の幅W=Wa+Wa)
を満たす関係となる。これにより、導波路ストライプメサ70の側面に位置する第1埋込部75の堆積量と、突起72と突起72の間の第2埋込部76の堆積量とがほぼ等しくなるため、図14に示すような平坦面76aが得られる。
(付記1)
(100)面を主面とする半導体基板上で[011]方向成分以外の方向成分を含んで延設されたメサ状の積層構造体と、
前記積層構造体の両側の前記半導体基板上に配置され、前記積層構造体と異なる高さを有する複数の突起と、
前記前記積層構造体の両側面及び前記複数の突起と突起の間を埋める埋め込み層と、
を有し、前記埋め込み層は、前記積層構造体の両側面に位置する第1埋込部と、前記突起と突起の間を埋め込む第2埋込部とを含み、前記第1埋込層の断面積又は堆積量と、前記第2埋込部の断面積又は堆積量は等しいことを特徴とする半導体光素子。
(付記2)
前記複数の突起は、所定の間隔で前記積層構造体と平行に延設されていることを特徴とする付記1に記載の半導体光集積素子。
(付記3)
前記複数の突起は、前記積層構造体の両側で、所定の間隔のチェッカーボーパターンに配置されていることを特徴とする付記1に記載の半導体光素子。
(付記4)
前記第1埋込部は、前記積層構造体の上面にほぼ揃う平坦な埋め込み面と、前記積層構造体から離れるにつれて膜厚が減少する傾斜面とを有し、前記第2埋込部は、前記傾斜面から連続して前記突起と突起の間に広がる平坦面を有することを特徴とする付記2又は3に記載の半導体光素子。
(付記5)
前記突起は、前記突起の高さをh2、前記突起の間隔をd、前記積層構造体の高さをh1、前記第1埋込部の平坦な埋め込み面の両片側の和をWとしたときに、h2×dが、h1×Wとほぼ等しくなるように構成されることを特徴とする付記1〜4のいずれかに記載の半導体光素子。
(付記6)
前記積層構造体は、前記[011]方向成分の他に[0−11]又は[01−1]方向成分を含んで延設される導波路ストライプメサであることを特徴とする付記1〜5のいずれかに記載に半導体光素子。
(付記7)
(100)面を主面とする半導体基板上に光素子を形成するための複数の層を成膜し、
前記複数の層が成膜された基板を加工して、[011]方向成分以外の方向成分を含むメサ状の積層構造体と、前記積層構造体の両側に位置し前記積層構造体と異なる高さを有する複数の突起を、同時に形成し、
前記積層構造体と前記複数の突起を、(100)面方向の成長速度よりも横方向の成長速度が速い成長モードで埋め込む
工程を含むことを特徴とする半導体光素子の製造方法。
(付記8)
前記成膜された基板上に、第1の幅を有する帯状のマスクパターンと、前記帯状のマスクパターンの両側に配置され前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有する突起用マスクパターンとを形成する工程をさらに含むことを特徴とする付記7に記載の半導体光素子の製造方法。
(付記9)
前記突起用マスクパターンの第2の幅を、前記加工により帯状のマスクパターンの第1の幅が幅方向に減少する量よりも小さい値に設定し、
前記基板の一度の加工により、前記積層構造体と前記複数の突起を同時に形成することを特徴とする付記8に記載の半導体光素子の製造方法。
(付記10)
前記帯状のマスクパターン及び前記突起用マスクパターンを介して前記基板を加工して浅い段差を形成した後に、前記帯状のマスクパターンと前記突起用のマスクパターンを除去し、
前記帯状のマスクパターンを除去した領域に、前記積層構造体用のマスクパターンを形成する
工程をさらに含み、前記積層構造体用のマスクパターンを介して前記基板をさらに加工することによって、前記積層構造体と前記複数の突起を同時に形成することを特徴とする付記8に記載の半導体光素子の製造方法。
(付記11)
前記突起用マスクパターンは、前記帯状のマスクパターンの両側に所定の間隔で前記帯状マスクパターンと平行に延びるように形成されることを特徴とする付記8又は9に記載の半導体光素子の製造方法。
(付記12)
前記突起用マスクパターンは、前記帯状のマスクパターンの両側に所定の間隔でチェッカーボード状に形成されることを特徴とする付記8又は10に記載の半導体光素子の製造方法。
(付記13)
前記帯状のマスクパターン及び前記突起用マスクパターンは、シリコン酸化膜で形成されることを特徴とする付記8〜12のいずれかに記載の半導体光素子の製造方法。
11、21 半導体基板
12、52、72 突起
13 積層体構造
15、55、75 第1埋込部
15a、55a、75a 平坦な埋め込み面
15b、55b、75b 傾斜面
16、56、76 第2埋込部
16a、56a、76a 平坦面
20、60.80 埋め込み層
41、66 導波路ストライプマスクパターン
42 突起用マスクパターン
50、70 導波路ストライプメサ
61 帯状マスク
62 チェッカーボード状マスク
64 帯状の突起領域
65 転写用突起
Claims (6)
- (100)面を主面とする半導体基板上で[011]方向成分以外の方向成分を含んで延設されたメサ状の積層構造体と、
前記積層構造体の両側の前記半導体基板上に配置され、前記積層構造体よりも低い高さを有する複数の突起と、
前記積層構造体の両側面及び前記複数の突起と突起の間を埋める埋め込み層と、
を有し、
前記複数の突起は、所定の間隔で前記積層構造体と平行に配置され、
前記埋め込み層は、前記積層構造体の各片側の側面に位置する第1埋込部と、前記突起と突起の間を埋め込む第2埋込部とを含み、
前記第1埋込部は、前記積層構造体の上面にほぼ揃う平坦な埋め込み面と、前記積層構造体から離れるにつれて膜厚が減少する傾斜面とを有し、前記第2埋込部は、前記傾斜面から連続して前記突起と突起の間に位置し前記突起の高さに対応する膜厚を有する平坦面を有し、
前記第1埋込部の断面積又は堆積量と、前記第2埋込部の断面積又は堆積量は等しいことを特徴とする半導体光素子。 - 前記複数の突起は、前記積層構造体と平行に配置されるストライプまたはチェッカーボード状の突起であることを特徴とする請求項1に記載の半導体光素子。
- 前記突起は、前記突起の高さをh2、前記突起の間隔をd、前記積層構造体の高さをh1、前記第1埋込部の平坦な埋め込み面の両片側の幅の和をWとしたときに、h2×dが、h1×Wと等しくなるように構成されることを特徴とする請求項1に記載の半導体光素子。
- (100)面を主面とする半導体基板上に光素子を形成するための複数の層を成膜し、
前記複数の層が成膜された基板上に、第1の幅を有する帯状のマスクパターンと、前記帯状のマスクパターンの両側に配置され前記第1の幅よりも狭い第2の幅を有する突起用マスクパターンとを形成し、
前記帯状のマスクパターンと前記突起用マスクパターンを用いて前記複数の層が成膜された基板を加工して、[011]方向成分以外の方向成分を含むメサ状の積層構造体と、前記積層構造体の両側に位置し前記積層構造体よりも高さの低い複数の突起を、同時に形成し、
前記積層構造体と前記複数の突起を、(100)面に対して垂直な方向の成長速度よりも水平方向の成長速度が速い成長モードで埋め込んで、前記積層構造体の上面にほぼ揃う平坦な埋め込み面から膜厚が減少する傾斜面を有する第1埋込部と、前記傾斜面から連続して前記突起と突起の間に位置し前記突起の高さに対応する膜厚を有する第2埋込部とを形成する、
ことを特徴とする半導体光素子の製造方法。 - 前記突起用マスクパターンの第2の幅を、前記加工により前記帯状のマスクパターンの第1の幅が幅方向に減少する量よりも小さい値に設定し、
前記基板の一度の加工により、前記積層構造体と前記複数の突起を同時に形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体光素子の製造方法。 - 前記帯状のマスクパターン及び前記突起用マスクパターンを介して前記基板を加工して浅い段差を形成した後に、前記帯状のマスクパターンと前記突起用のマスクパターンを除去し、
前記帯状のマスクパターンを除去した領域に、前記積層構造体用のマスクパターンを形成する
工程をさらに含み、前記積層構造体用のマスクパターンを介して前記基板をさらに加工することによって、前記積層構造体と前記複数の突起を同時に形成することを特徴とする請求項4に記載の半導体光素子の製造方法。
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