JP5660804B2 - カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置 - Google Patents

カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5660804B2
JP5660804B2 JP2010105456A JP2010105456A JP5660804B2 JP 5660804 B2 JP5660804 B2 JP 5660804B2 JP 2010105456 A JP2010105456 A JP 2010105456A JP 2010105456 A JP2010105456 A JP 2010105456A JP 5660804 B2 JP5660804 B2 JP 5660804B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
carbon nanotube
plasma
processing container
electrode member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2010105456A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011230980A (ja
Inventor
貴士 松本
貴士 松本
杉浦　正仁
正仁 杉浦
建次郎 小泉
建次郎 小泉
勇作 柏木
勇作 柏木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2010105456A priority Critical patent/JP5660804B2/ja
Priority to KR1020127030322A priority patent/KR101436710B1/ko
Priority to CN201180005724XA priority patent/CN102712477A/zh
Priority to PCT/JP2011/060386 priority patent/WO2011136338A1/ja
Priority to TW100115005A priority patent/TW201202122A/zh
Publication of JP2011230980A publication Critical patent/JP2011230980A/ja
Priority to US13/665,724 priority patent/US9059178B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5660804B2 publication Critical patent/JP5660804B2/ja
Priority to US14/724,913 priority patent/US10041174B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/16—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
    • H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
    • H01L21/28512—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
    • H01L21/28556—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System by chemical means, e.g. CVD, LPCVD, PECVD, laser CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
    • H01L21/76879—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material by selective deposition of conductive material in the vias, e.g. selective C.V.D. on semiconductor material, plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/5226—Via connections in a multilevel interconnection structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/53204—Conductive materials
    • H01L23/53276—Conductive materials containing carbon, e.g. fullerenes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1068—Formation and after-treatment of conductors
    • H01L2221/1094—Conducting structures comprising nanotubes or nanowires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

本発明は、開口部を有する被処理体の該開口部内にカーボンナノチューブの埋め込みを行うカーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置に関する。
カーボンナノチューブは、優れた電気特性を有することから、半導体デバイスの配線等の用途への適用が検討されている。カーボンナノチューブ膜の成膜方法として、例えば特許文献１では、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ等の遷移金属の微粒子から構成された触媒層を基板上に形成し、その上に炭化水素ガスと水素ガスとを用いたプラズマＣＶＤによりカーボンナノチューブを成膜する方法が提案されている。この特許文献１には、触媒金属を微粒子化した場合に、微粒子表面が酸化して触媒活性が低下することを防止する目的で、触媒金属の表面にラジカルを作用させて活性化させることが記載されている。
特開２００７−２５２９７０号公報
カーボンナノチューブをビア配線として使うためには、カーボンナノチューブの欠陥を低減し、単位面積当たりの密度を高くする必要がある。開口部内に充填したカーボンナノチューブの密度が低い場合には、次のような問題が生じる。まず、開口部内に隙間が形成されてしまい、ビア配線の導電性が低下するという問題がある。また、カーボンナノチューブの埋め込みを行った後、例えばＣＭＰ（化学機械研磨）による平坦化を実施する際に、開口部内に充填されたカーボンナノチューブが脱落してしまうという問題もある。さらに、カーボンナノチューブを埋め込んだ後で開口部に隙間が存在する場合、例えば二酸化珪素膜などで隙間を埋め込む必要があるため、工程数が増加し、工業的規模での効率的なプロセスが実現できない。
上記特許文献１では、平らな表面上へのカーボンナノチューブの成膜しか考慮されておらず、単に触媒金属を活性化しただけでは、ビアホールなどの開口部内へ高密度にカーボンナノチューブを埋め込むことは困難である。
本発明の課題は、上記従来技術の問題点を解決することにあり、被処理体上のビアホールや配線用溝等の開口部に高密度にカーボンナノチューブを埋め込むことができるカーボンナノチューブの形成方法を提供することである。
本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部の底に触媒金属層が形成された被処理体を準備する工程と、
前記触媒金属層に酸素プラズマ処理を施す工程と、
前記酸素プラズマ処理を施した後の前記触媒金属層に水素プラズマ処理を施して、前記触媒金属層の表面を活性化する工程と、
成膜装置の処理容器内で、被処理体の上方に多数の貫通開口を有する電極部材を配置し、該電極部材に直流電圧を印加しながら、該電極部材の上方空間で生成させたプラズマ中の活性種を、前記貫通開口を通過させて下方の被処理体へ向けて拡散させ、前記活性化された触媒金属層の上にプラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させることにより被処理体の開口部内にカーボンナノチューブを埋め込む工程と、
を備えている。
本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、前記電極部材に−３００Ｖ以上０Ｖ以下の範囲内の直流電圧を印加してもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、前記電極部材の前記貫通開口の径が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲内であってもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、前記カーボンナノチューブの成長を行う際に、被処理体を３５０℃以上５３０℃以下に加熱してもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法において、前記成膜装置は、前記処理容器内にプラズマ生成ガスを導入する第１のガス導入部と、前記処理容器内に前記カーボンナノチューブの原料ガスを導入する第２のガス導入部とが別々に設けられ、前記プラズマ生成ガスにより生成したプラズマ中に、前記第２のガス導入部から導入される前記カーボンナノチューブの原料ガスが混合された後で、該プラズマ中の活性種が、前記電極部材の貫通開口を通過するように構成されていてもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法において、前記酸素プラズマ処理、前記水素プラズマ処理及び前記カーボンナノチューブを成長させる処理に利用するプラズマは、マイクロ波プラズマであってもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、前記マイクロ波プラズマが、多数のマイクロ波放射孔を有する平面アンテナにより前記処理容器内に導入されたマイクロ波により励起されるものであってもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、被処理体の開口部が、ビアホール又は配線用溝であってもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、前記開口部の幅が、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であってもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブの形成方法は、前記酸素プラズマ処理、前記水素プラズマ処理及び前記カーボンナノチューブの成長を行う処理を、同一処理容器内で連続して行うものであってもよい。
本発明のカーボンナノチューブ成膜装置は、被処理体に対してプラズマ処理を行う処理空間を形成する処理容器と、
前記処理容器内で被処理体を載置する載置台と、
前記処理容器内にプラズマ生成ガスを導入する第１のガス導入部と、
前記処理容器内に、カーボンナノチューブの原料ガスを導入する第２のガス導入部と、
前記処理容器内で、前記載置台の上方に配置された多数の貫通開口を有する電極部材と、
前記電極部材に直流電圧を印加する電源と、
前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、
を備え、
前記電極部材に直流電圧を印加しながら該電極部材よりも上方の空間で生成させたプラズマ中の活性種を、前記貫通開口を通過させて下方の被処理体へ向けて拡散させることにより、被処理体上にプラズマＣＶＤ法によってカーボンナノチューブを成長させるようにした。
本発明のカーボンナノチューブ成膜装置は、前記プラズマ生成ガスにより生成したプラズマ中に、前記カーボンナノチューブの原料ガスを混合するように、前記第１のガス導入部と前記第２のガス導入部が配置されており、
前記電極部材は、前記プラズマ中に前記カーボンナノチューブの原料ガスを混合する部位と、前記載置台との間に介在配置されていてもよい。
本発明のカーボンナノチューブ成膜装置は、前記処理容器の上部に配置されて前記処理空間を塞ぐ誘電体部材と、
前記誘電体部材の上方に設けられ、該誘電体部材を介して前記処理空間にマイクロ波を導入する平面アンテナと、
をさらに備えており、
前記第１のガス導入部は、前記誘電体部材の直下の空間にガスを導入するように配置されており、
前記第２のガス導入部は、前記第１のガス導入部より、前記載置台に近い位置で前記誘電体部材と前記載置台との間に介在して配置されており、
前記電極部材は、前記第２のガス導入部と前記載置台との間に介在して配置されていてもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブ成膜装置は、前記電極部材の前記貫通開口の径が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲内であってもよい。
また、本発明のカーボンナノチューブ成膜装置は、前記第１のガス導入部は、前記プラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブの成長を行う前の前処理として、被処理体に対して酸素プラズマ処理を行うための酸素含有ガス供給源に接続されており、
前記第２のガス導入部は、前記プラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブの成長を行う前の前処理として、被処理体に対して水素プラズマ処理を行うための水素含有ガス供給源に接続されていてもよい。
本発明のカーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置によれば、被処理体に形成された開口部内に高密度にカーボンナノチューブを充填することができる。
本発明の一実施の形態に係るカーボンナノチューブ成膜装置の構成例を模式的に示す断面図である。 図１の成膜装置の制御部の構成例を説明する図面である。 本発明の一実施の形態に係るカーボンナノチューブの形成方法を示すフローチャートである。 処理対象となる凹部の底に触媒金属層を有するウエハの構造を示す模式図である。 凹部にカーボンナノチューブを充填した状態を模式的に説明する図面である。 グリッド電極に電圧を印加しない場合の処理容器内の空間ポテンシャルを示す図である。 グリッド電極に電圧を印加した場合の処理容器内の空間ポテンシャルを示す図である。 図１の成膜装置の変形例を示す要部断面図である。 図１の成膜装置の他の変形例を示す図面である。 実施例で使用したウエハの構造を示す模式図である。 実施例１における４００℃でのカーボンナノチューブの形成実験の結果を示す基板断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 実施例１における４２０℃でのカーボンナノチューブの形成実験の結果を示す基板断面のＳＥＭ写真である。 実施例１における３８０℃でのカーボンナノチューブの形成実験の結果を示す基板断面のＳＥＭ写真である。 実施例１における４４０℃でのカーボンナノチューブの形成実験の結果を示す基板断面のＳＥＭ写真である。 実施例２におけるカーボンナノチューブの形成実験において、グリッド電極に−１００Ｖの電圧を印加したときの基板断面のＳＥＭ写真である。 実施例２におけるカーボンナノチューブの形成実験において、グリッド電極に−３００Ｖの電圧を印加したときの基板断面のＳＥＭ写真である。 実施例３におけるカーボンナノチューブの形成実験において、グリッド電極に−１００Ｖの電圧を印加したときの基板断面のＳＥＭ写真である。
以下、適宜図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係るカーボンナノチューブの形成方法に使用可能な成膜装置の一例を模式的に示す断面図である。図１に示す成膜装置１００は、マイクロ波を平面アンテナの多数のマイクロ波放射孔から放射させて処理容器内に均質なマイクロ波プラズマを形成できるＲＬＳＡ（Radial Line Slot Antenna）方式のマイクロ波プラズマ処理装置として構成されている。マイクロ波プラズマはラジカルを主体とする低電子温度プラズマであるため、カーボンナノチューブの形成処理及びその前処理としての酸素プラズマ処理、及び活性化処理に適している。
この成膜装置１００は、主要な構成として、略円筒状の処理容器１と、処理容器１内に設けられ、被処理体である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と記す）Ｗを載置する載置台３と、処理容器１内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入部５と、処理容器１内にガスを導くガス供給部７と、処理容器１内に形成されたプラズマ中の荷電粒子を制御する荷電粒子制御部９と、処理容器１内を排気する排気部１１と、成膜装置１００の各構成部を制御する制御部１３と、を有している。
処理容器１の底壁１ａの略中央部には円形の開口部１５が形成されており、底壁１ａにはこの開口部１５と連通し、下方に向けて突出する排気室１７が設けられている。また、処理容器１の側壁には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口１９と、この搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２１とが設けられている。
載置台３は、例えばＡｌＮ等のセラミックスから構成されている。載置台３は、排気室１７の底部中央から上方に延びる円筒状のセラミックス製の支持部材２３により支持されている。載置台３の外縁部にはウエハＷをガイドするためのガイドリング２５が設けられている。また、載置台３の内部には、ウエハＷを昇降するための昇降ピン（図示せず）が載置台３の上面に対して突没可能に設けられている。
また、載置台３の内部には抵抗加熱型のヒータ２７が埋め込まれている。このヒータ２７にヒータ電源２９から給電することにより載置台３を介してその上のウエハＷを加熱することができる。また、載置台３には、熱電対（図示せず）が挿入されており、ウエハＷの加熱温度を２００〜６５０℃の範囲で制御可能となっている。さらに、載置台３内のヒータ２７の上方には、ウエハＷと同程度の大きさの電極３１が埋設されている。この電極３１は接地されている。
マイクロ波導入部５は、処理容器１の上部に設けられ、多数のマイクロ波放射孔３３ａが形成された平面アンテナ３３と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生部３５と、誘電体からなる透過板３９と、処理容器１の上部に設けられた枠状部材４１と、マイクロ波の波長を調節する誘電体からなる遅波板４３と、平面アンテナ３３及び遅波板４３を覆うカバー部材４５と、を有している。また、マイクロ波導入部５は、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を平面アンテナ３３に導く導波管４７及び同軸導波管４９と、導波管４７と同軸導波管４９との間に設けられたモード変換器５１とを有している。
マイクロ波を透過させる透過板３９は、誘電体、例えば石英やＡ１２Ｏ３、ＡｌＮ等のセラミックス等の材質で構成されている。透過板３９は、枠状部材４１に支持されている。この透過板３９と枠状部材４１との間は、Ｏリング等のシール部材（図示せず）により気密にシールされている。したがって、処理容器１内は気密に保持される。
平面アンテナ３３は、例えば円板状をなしており、表面が金または銀メッキされた銅板、アルミニウム板、ニッケル板およびそれらの合金などの導電性部材で構成されている。平面アンテナ３３は、透過板３９の上方（処理容器１の外側）において、載置台３の上面（ウエハＷを載置する面）とほぼ平行に設けられている。平面アンテナ３３は、枠状部材４１の上端に係止されている。平面アンテナ３３は、マイクロ波を放射する多数の長方形状（スロット状）のマイクロ波放射孔３３ａを有している。マイクロ波放射孔３３ａは、所定のパターンで平面アンテナ３３を貫通して形成されている。典型的には隣接するマイクロ波放射孔３３ａが所定の形状（例えばＴ字状）に組み合わされて対をなし、さらにそれが全体として同心円状、螺旋状、放射状等に配置されている。マイクロ波放射孔３３ａの長さや配列間隔は、マイクロ波の波長（λｇ）に応じて決定される。
平面アンテナ３３の上面には、真空よりも大きい誘電率を有する遅波板４３が設けられている。この遅波板４３は、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短くしてプラズマを調整する機能を有している。遅波板４３の材質としては、例えば石英、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリイミド樹脂などを用いることができる。
これら平面アンテナ３３および遅波材４３を覆うように、カバー部材４５が設けられている。カバー部材４５は、例えばアルミニウムやステンレス鋼等の金属材料によって形成されている。カバー部材４５の上壁（天井部）の中央には、同軸導波管４９が接続されている。同軸導波管４９は、平面アンテナ３３の中心から上方に伸びる内導体４９ａとその周囲に設けられた外導体４９ｂとを有している。同軸導波管４９の他端側には、モード変換器５１が設けられ、このモード変換器５１は、導波管４７によりマイクロ波発生部３５に接続されている。導波管４７は、水平方向に延びる矩形導波管であり、モード変換器５１は、導波管４７内をＴＥモードで伝播するマイクロ波をＴＥＭモードに変換する機能を有している。
ガス供給部７は、処理容器１の内壁に沿ってリング状に設けられた第１のガス導入部としてのシャワーリング５７と、このシャワーリング５７の下方において、処理容器１内の空間を上下に仕切るように設けられた第２のガス導入部としてのシャワープレート５９と、を有している。
シャワーリング５７は、処理容器１内空間へガスを導入するガス放出孔５７ａと、このガス放出孔５７ａに連通するガス流路５７ｂとを有しており、該ガス流路５７ｂは、ガス供給配管７１を介して第１ガス供給部７Ａに接続されている。第１ガス供給部７Ａは、ガス供給配管７１から分岐した３本の分岐管７１ａ、７１ｂ、７１ｃを有している。分岐管７１ａは、プラズマ生成ガス（例えばＡｒガス）を供給するプラズマ生成ガス供給源７３に接続されている。分岐管７１ｂは酸素プラズマ処理に用いる酸素含有ガス（例えばＯ２ガス）を供給する酸素含有ガス供給源７５に接続されている。分岐管７１ｃは、不活性ガス（例えばＮ２ガス）を供給する不活性ガス供給源７７に接続されている。なお、分岐管７１ａ、７１ｂ、７１ｃには、図示しない流量制御装置やバルブが設けられている。プラズマ生成ガスとしては、例えば希ガスなどを用いることができる。希ガスとしては、例えばＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｈｅなどを用いることができる。これらの中でも、プラズマを安定に生成できるＡｒを用いることが特に好ましい。酸素含有ガスとしては、例えば、Ｏ２、Ｈ２Ｏ、Ｏ３、Ｎ２Ｏ等を用いることができる。不活性ガスとしては、例えば、Ｎ２などの不活性ガスを用いることができる。不活性ガス供給源７７からの不活性ガスは、例えば、パージガス、圧力調整用ガス等の用途で使用される。
シャワープレート５９は、例えばアルミニウム等の材質からなる平面視格子状に形成されたガス分配部材６１を有している。このガス分配部材６１は、その格子状の本体部分の内部に形成されたガス流路６３と、このガス流路６３から載置台３に対向するように開口する多数のガス放出孔６５とを有している。また、格子状のガス分配部材６１は、多数の貫通開口６７を有している。シャワープレート５９のガス流路６３には処理容器１の壁に達するガス供給路６９が接続されており、このガス供給路６９はガス供給配管７９を介して第２ガス供給部７Ｂに接続されている。第２ガス供給部７Ｂは、ガス供給配管７９から分岐した３本の分岐管７９ａ、７９ｂ、７９ｃを有している。分岐管７９ａは、水素プラズマ処理及びカーボンナノチューブの形成に用いる水素含有ガス（例えばＨ２ガス）を供給する水素含有ガス供給源８１に接続されている。分岐管７９ｂは、カーボンナノチューブの原料となる炭化水素ガス（例えばエチレンガス；Ｃ２Ｈ４）を供給する炭化水素ガス供給源８３に接続されている。分岐管７９ｃは、不活性ガス（例えばＮ２ガス）を供給する不活性ガス供給源８５に接続されている。なお、分岐管７９ａ、７９ｂ、７９ｃには、図示しない流量制御装置やバルブが設けられている。水素含有ガスとしては、例えばＨ２、ＮＨ３等を用いることができる。炭化水素ガスとしては、例えばエチレン（Ｃ２Ｈ４）、メタン（ＣＨ４）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、プロピレン（Ｃ ３ Ｈ ６ ）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）等を用いることができる。不活性ガスとしては、例えば、Ｎ２などの不活性ガスを用いることができる。不活性ガス供給源８５からの不活性ガスは、例えばパージガス、キャリアガス等の用途で使用される。
荷電粒子制御部９は、電極部材としてのグリッド電極８７と、グリッド電極８７を支持する支持部材８９と、支持部材８９を介してグリッド電極８７に直流電圧を印加する可変直流電源９１と、可変直流電源９１にパルス信号を与えるパルス発生器９３とを有している。グリッド電極８７は、例えばステンレス、チタン、モリブデン等の導電性の材質で構成されており、シャワープレート５９の下方において載置台３上のウエハＷを覆うように設けられている。グリッド電極８７は、開口率を高めるために、例えば円形の貫通開口８７ａを多数設け、各貫通開口８７ａの間に、さらに小さな貫通開口８７ａを設けている。なお、グリッド電極８７の貫通開口８７ａは、円形に限らず、格子状又は網目状に形成してもよい。グリッド電極８７の外周は処理容器１の内壁近傍まで達している。グリッド電極８７と処理容器１の内壁との間には、絶縁性を有する絶縁部材９５が設けられている。この絶縁部材９５は、グリッド電極８７と処理容器１の壁面との隙間からプラズマが漏れることを防止する作用を有している。ただし、プラズマの漏洩を防止できる場合には、グリッド電極８７と処理容器１の内壁との間に隙間があってもよいし、絶縁部材９５を設けなくてもよい。
グリッド電極８７は、ウエハＷ表面にダメージを与えるおそれのある電子やイオン等の荷電粒子の通過を妨げてラジカルを優勢的に通過させ、ウエハＷへの荷電粒子の到達を抑制する。このような観点から、グリッド電極８７は、例えばウエハＷの上方においてウエハＷから５０〜１１０ｍｍ程度離間させた位置に配置することが好ましい。また、グリッド電極８７に可変直流電源９１から直流電圧を印加することにより、グリッド電極８７の貫通開口８７ａを通過する電子やイオン等の荷電粒子を反発または吸引してこれらの直進を妨げ、ウエハＷへの荷電粒子の到達をより一層効果的に抑制することができる。例えば、グリッド電極８７に負の直流電圧を印加することにより、主に電子および負イオンを反発させてウエハＷへの電子の到達を抑制することができる。この場合に、パルス発生器９３から所定のパルスを与えることにより、グリッド電極８７への電圧印加をパルス状にすることができる。もちろん、パルスを発生させずに通常の直流電圧を印加するようにすることもできる。
パルス発生器９３は、グリッド電極８７に印加する電圧をパルス状にする目的で使用される。パルス状の電圧をグリッド電極８７に印加することにより、ウエハＷの表面を帯電させずに処理できる。また、グリッド電極８７に負の電圧を連続で印加し続けると、正イオンを加速させて成長しているカーボンナノチューブに損傷を与えるおそれがあるため、これを避ける目的でパルス発生器９３によりデューティー比を制御しながら電圧を印加することが好ましい。
排気部１１は、排気室１７と、この排気室１７の側面に設けられた排気管９７と、この排気管９７に接続された排気装置９９とを有している。排気装置９９は、図示は省略するが、例えば真空ポンプや圧力制御バルブ等を有している。
制御部１３は、成膜装置１００の各構成部を制御する。制御部１３は、典型的にはコンピュータであり、例えば図２に示したように、ＣＰＵを備えたコントローラ１０１と、このコントローラ１０１に接続されたユーザーインターフェース１０３および記憶部１０５を備えている。コントローラ１０１は、成膜装置１００において、例えば温度、圧力、ガス流量、マイクロ波出力、グリッド電極８７への印加電圧などのプロセス条件に関係する各構成部（例えば、ヒータ電源２９、第１ガス供給部７Ａ、第２ガス供給部７Ｂ、マイクロ波発生部３５、可変直流電源９１、パルス発生器９３、排気装置９９など）を統括して制御する制御手段である。
ユーザーインターフェース１０３は、工程管理者が成膜装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネル、成膜装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。また、記憶部１０５には、成膜装置１００で実行される各種処理をコントローラ１０１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や処理条件データ等が記録されたレシピなどが保存されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース１０３からの指示等にて任意のレシピを記憶部１０５から呼び出してコントローラ１０１に実行させることで、コントローラ１０１の制御により成膜装置１００の処理容器１内で所望の処理が行われる。また、前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体１０７に格納された状態のものを利用できる。そのような記録媒体１０７としては、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリなどを用いることができる。さらに、前記レシピを他の装置から例えば専用回線を介して伝送させて利用することも可能である。
成膜装置１００では、処理容器１内において、マイクロ波を導入する透過板３９と、シャワープレート５９との間の空間Ｓ１に、シャワーリング５７からプラズマ生成ガスを導入する構成となっている。従って、空間Ｓ１は主にプラズマ生成を行う主プラズマ生成空間である。
また、処理容器１内において、シャワープレート５９とグリッド電極８７との間の空間Ｓ２は、シャワープレート５９により導入される炭化水素ガスと、空間Ｓ１で生成したプラズマを混合する混合空間である。
また、処理容器１内において、グリッド電極８７と載置台３との間の空間Ｓ３は、グリッド電極８７の貫通開口８７ａを通過したプラズマ中の活性種を載置台３上のウエハＷへ向けて拡散させる拡散空間である。
次に、成膜装置１００において行われるカーボンナノチューブの形成方法について説明する。図３は、本発明の第１の実施形態に係るカーボンナノチューブの形成方法を説明するためのフローチャートである。ここでは、カーボンナノチューブの形成に必要な前処理としての酸素プラズマ処理及び水素プラズマ処理を含めている。また、プラズマ生成ガスとしてＡｒガス、酸素含有ガスとしてＯ２ガス、水素含有ガスとしてＨ２ガス、不活性ガス（パージガス）としてＮ２ガス、炭化水素ガスとしてＣ２Ｈ４ガスを用いる場合を例に挙げる。
まず、ＳＴＥＰ１では、開口部の底面に触媒金属層を有するウエハＷを準備し、ゲートバルブ２１を開放して、このウエハＷを処理容器１内に搬入する。この際のウエハＷとしては、表層付近に、例えば図４に示すように、絶縁層２０１と、絶縁層２０３が積層され、該絶縁層２０３に開口部としての凹部２０５が形成されたものを用いる。絶縁層２０１には、下層配線２０７が設けられ、凹部２０５の底壁をなしている。この凹部２０５の底の下層配線２０７には、下地層２０９及び触媒金属層２１１が積層されている。
凹部２０５としては、例えばビアホールや配線用溝などを含むがこれらに限定されない。凹部２０５の形成は、公知のフォトリソグラフィー技術とエッチングにより行うことができる。
下地層２０９は、触媒金属の凝集による粗大化を防止する膜として機能するものであり、例えばＡｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＴｉＣ、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ等を挙げることができる。この下地層２０９を形成する手法としては、例えば、スパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ（化学気相成長）、めっき等の公知の成膜技術を用いることができる。下地層２０９の厚さは、例えば、５〜１００ｎｍであることが好ましい。なお、凹部２０９内にバリアメタル層を設ける場合には、バリアメタル層を下地層２０９として利用することもできる。
触媒金属層２１１を構成する金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒｕ等の遷移金属、またはこれらの遷移金属を含む合金を挙げることができる。この触媒金属層２１１を形成する手法としては、例えば、スパッタリング、蒸着法、ＣＶＤ（化学気相成長）、めっき等の公知の成膜技術を用いることができる。触媒金属層２１１の厚さは、例えば０．１〜２．０ｎｍとすることが好ましい。
本実施形態において、カーボンナノチューブを埋め込む対象となる凹部２０５の深さ／幅の比（アスペクト比）は、特に限定されるものではないが、例えば１以上２０以下が好ましく、１以上１０以下がより好ましい。また、凹部２０５の幅は１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下、好ましくは２０以上３００ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。ここで、開口部としての凹部２０５の幅は、凹部２０５がビアホールなどの孔である場合には直径を意味し、凹部２０５が配線溝である場合はその横断幅を意味する。
次に、ＳＴＥＰ２では、図４のような構造を有するウエハＷを処理容器１内に搬入し、載置台３上に載置した後、触媒金属層２１１に対して酸素プラズマ処理を施す。この処理は、触媒金属層２１１の表面に付着している有機物などを除去して清浄な表面とする処理である。ＳＴＥＰ２では、シャワーリング５７から処理容器１内にＡｒガスおよびＯ２ガスを導入するとともに、マイクロ波発生部３５で発生したマイクロ波を、導波管４７及び同軸導波管４９を介して所定のモードで平面アンテナ３３に導き、平面アンテナ３３のマイクロ波放射孔３３ａ、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。このマイクロ波により、ＡｒガスおよびＯ２ガスをプラズマ化し、ウエハＷ表面の触媒金属層２１１の表面に酸素プラズマ処理を施す。金属表面に付着している有機物等の不純物を酸素プラズマにより除去することで、金属原子が動きやすくなり、触媒金属層２１１の表面に加熱によるマイグレーションが起こり、触媒金属層２１１を構成している金属に適度の凝集が生じて微粒子化を進行させやすくすることができる。すなわち、酸素プラズマ処理では、熱とプラズマにより、触媒金属層２１１において、金属表面の原子が動けるだけのエネルギーを与えることにより、金属原子がある程度寄り集まった島状に近い表面へと変化させる（これを「凝集」と呼ぶ）。この際に、最初の膜厚が薄いほど、形成される島の大きさが小さくなり、例えば膜厚１ｎｍでは直径１０ｎｍの微粒子が、膜厚２ｎｍでは直径２０ｎｍの微粒子が形成される。
酸素プラズマ処理の際の処理温度は、粒子の肥大化を防ぐ観点から、ウエハＷの温度として、例えば室温（約２０℃；以下同様である）〜５５０℃とすることが好ましく、室温〜３５０℃がより好ましい。
処理容器１内の圧力は、酸素プラズマ中のラジカルの生成を多くする観点から、例えば６６．７〜４００Ｐａ（０．５〜３Ｔｏｒｒ）とすることが好ましく、１３３Ｐａ〜２６６Ｐａがより好ましい。
Ｏ２ガス流量は、触媒金属層２１１の必要以上の酸化を抑制する観点から、例えば１００〜５００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とすることが好ましく、１００〜２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）がより好ましい。
また、Ａｒガス流量は、プラズマ中での活性種の生成効率を高める観点から、例えば０〜１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とすることが好ましく、０〜２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）がより好ましい。
マイクロ波パワーは、プラズマ中で活性種を効率よく生成させる観点から、例えば２５０Ｗ〜２０００Ｗとすることが好ましく、５００Ｗ〜１０００Ｗがより好ましい。
処理時間は、触媒金属層２１１の微粒子化と活性化を最適にする観点から、例えば１０秒〜２０分とすることが好ましく、５分〜１０分がより好ましい。
ＳＴＥＰ２の酸素プラズマ処理の際には、グリッド電極８７が荷電粒子の通過を抑制する荷電粒子通過抑制部材として機能する。すなわち、グリッド電極８７は、プラズマ中の電子やイオンがウエハＷの表面の触媒金属層２１１に到達することを抑制するように作用し、ラジカルを優勢的に到達させる。従って、触媒金属層２１１に電子やイオンによるダメージを与えることなく、触媒金属層２１１の金属を適度に凝集させることができる。また、グリッド電極８７に電圧を印加することにより、電子やイオン等の荷電粒子の直進を妨げて、ウエハＷへの荷電粒子の到達をさらに効果的に抑制できるため、触媒金属層２１１の金属を適度に凝集させる効果をさらに高めることができる。
ＳＴＥＰ２の酸素プラズマ処理を行う際のグリッド電極８７の貫通開口８７ａの径は、ウエハＷへの電子の到達を効果的に抑制する観点から、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内がより好ましい。また、その開口率は、プラズマからの活性種の到達を効果的にする観点から、例えば４０〜８５％が好ましい。また、グリッド電極８７に印加する電圧は、−３００〜３００Ｖの範囲内が好ましいが、ウエハＷへの電子の到達を効果的に抑制する観点からは負電圧がよく、−３００〜０Ｖの範囲内が好ましい。
なお、この酸素プラズマ処理を行う際のガスとしてはＯ２ガスの他、Ｈ２Ｏ、Ｏ３、Ｎ２Ｏ等を用いることができる。
次に、ＳＴＥＰ３では、水素プラズマ処理を行う。水素プラズマ処理は、ＳＴＥＰ２に引き続いて行う処理であり、ＳＴＥＰ２の酸素プラズマ処理により酸化した触媒金属層２１１の表面を水素プラズマにより還元して触媒金属の活性化を行うことを目的とする。ＳＴＥＰ３では、ＳＴＥＰ２の酸素プラズマ処理の終了後、マイクロ波を停止するとともにＯ２ガスを停止する。そして、Ａｒガスを流したまま、マイクロ波発生部３５から導波管４７及び同軸導波管４９を介してマイクロ波を平面アンテナ３３に導き、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。このマイクロ波により、Ａｒガスをプラズマ化し、プラズマが着火されたタイミングでシャワープレート５９を介してＨ２ガスを処理容器１内に導入し、ＡｒプラズマによりＨ２ガスをプラズマ化する。このように形成されたマイクロ波プラズマにより、触媒金属層２１１の表面に水素プラズマ処理を施す。このように水素プラズマ処理を行うことにより、触媒金属層２１１の表面を活性化させるとともに、触媒金属層２１１を構成する金属を微粒子化し、かつ高密度化することができる。
この水素プラズマ処理の処理温度は、粒子の肥大化を防ぐ観点から、ウエハＷの温度として、例えば室温〜５５０℃とすることが好ましく、室温〜３５０℃がより好ましい。この水素プラズマ処理の際の温度は、酸素プラズマ処理と異なっていてもよいが、同じ温度で行うほうがスループットを高めることができるので好ましい。
処理容器１内の圧力は、水素プラズマ中のラジカルの生成を多くする観点から、例えば６６．７〜４００Ｐａ（０．５〜３Ｔｏｒｒ）とすることが好ましく、６６．７Ｐａ〜１３３Ｐａがより好ましい。
Ｈ２ガス流量は、プラズマ中での活性種の効率的な生成の観点から、例えば１００〜２０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とすることが好ましく、３００〜１２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）がより好ましい。
また、Ａｒガス流量は、プラズマ中での活性種の生成効率を高める観点から、例えば０〜１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とすることが好ましく、０〜２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）がより好ましい。
マイクロ波パワーは、プラズマ中で活性種を効率よく生成する観点から、例えば２５０Ｗ〜２０００Ｗとすることが好ましく、５００Ｗ〜１０００Ｗがより好ましい。
処理時間は、触媒金属層２１１の微粒子化と活性化を最適にする観点から、例えば１０秒〜２０分とすることが好ましく、５分〜１０分がより好ましい。
ＳＴＥＰ３の水素プラズマ処理の際にも、グリッド電極８７が荷電粒子通過抑制部材として機能する。すなわち、グリッド電極８７は、プラズマ中の電子やイオンがウエハＷの表面の触媒金属層２１１に到達することを抑制するように作用し、ラジカルを優勢的に到達させる。従って、触媒金属層２１１に電子やイオンによるダメージを与えることなく、主にラジカルの作用によって触媒金属層２１１の表面を活性化させて触媒金属層２１１を構成する金属を微粒子化し、かつ高密度化することができる。また、グリッド電極８７に電圧を印加することにより、電子やイオン等の荷電粒子の直進を妨げて、ウエハＷへの荷電粒子の到達をさらに効果的に抑制することができ、触媒金属層２１１の表面を活性化させて触媒金属層２１１を構成する金属を微粒子化し、かつ高密度化する効果をさらに高めることができる。
ＳＴＥＰ３の水素プラズマ処理の際のグリッド電極８７の貫通開口８７ａの径は、ウエハＷへの電子の到達を効果的に抑制する観点から、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内がより好ましい。また、その開口率は、プラズマからの活性種の到達を効果的にする観点から、例えば４０〜８５％が好ましい。また、グリッド電極８７に印加する電圧は、−３００〜３００Ｖの範囲内が好ましいが、電子の到達を効果的に抑制する観点からは負電圧がよく、−３００〜０Ｖの範囲内が好ましい。
なお、この水素プラズマ処理を行う際のガスとしてはＨ２ガスの代わりに、ＮＨ３ガス等の水素含有ガスを用いることができる。
次に、ＳＴＥＰ４では、ＳＴＥＰ３の水素プラズマ処理の後、マイクロ波およびＨ２ガスを停止し、排気装置９９によって一旦処理容器１内を急速に排気した後、ＡｒガスおよびＮ２ガスを流し、処理容器１内をパージする。ＳＴＥＰ４のパージ処理は、例えば、処理容器内の圧力を６６．７〜４００Ｐａ（０．５〜３Ｔｏｒｒ）、Ｎ２ガス流量を５０〜３００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、Ａｒガス流量を３００〜６００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、温度を３００〜６００℃の条件に設定し、好ましくは１〜２分行う。パージ処理によって、処理容器１内の雰囲気（前処理での酸素、水素）を不活性ガスで置換するとともに、プロセス圧力への調圧時間を短縮することができる。なお、パージガスとしてのＮ２ガスは、不活性ガス供給源７７からシャワーリング５７を介して導入する。
次に、ＳＴＥＰ５では、ＳＴＥＰ４のパージを行った後、カーボンナノチューブの形成を行う。このカーボンナノチューブの形成においては、ＳＴＥＰ４のパージの後、Ｎ２ガスを停止し、Ａｒガスを所定流量で流したまま、マイクロ波発生部３５から導波管４７及び同軸導波管４９を介してマイクロ波を平面アンテナ３３に導き、透過板３９を介して処理容器１内に導入する。このマイクロ波により、Ａｒガスをプラズマ化し、プラズマが着火したタイミングでシャワープレート５９を介してＣ２Ｈ４ガスおよびＨ２ガスを処理容器１内に導入し、ＡｒプラズマによりＣ２Ｈ４ガスおよびＨ２ガスをプラズマ化する。そして、グリッド電極８７に所定の電圧を印加しつつ、マイクロ波プラズマにより、触媒金属層２１１の上にカーボナノチューブを形成する。これにより、図５に示すように、凹部２０５内にカーボンナノチューブ２１３を高密度に充填することができる。
ＳＴＥＰ５のカーボンナノチューブ２１３の形成においては、活性化された触媒金属層２１１の表面にカーボンナノチューブ２１３を成長させることができる。この場合に、カーボンナノチューブ２１３は、触媒金属層２１１の性状を保ったまま成長する。したがって、ＳＴＥＰ３の水素プラズマ処理により、凹部２０５内で活性化されて微粒子化および高密度化された触媒金属層２１１の上に、高密度のカーボンナノチューブ２１３を形成することができる。また、グリッド電極８７が荷電粒子通過抑制部材として機能し、プラズマ中の電子やイオンがウエハＷの表面の触媒金属層２１１に到達することが抑制され、ラジカルを優勢的に到達させることができる。従って、触媒金属層２１１に電子やイオンによるダメージを与えることがなく、結晶欠陥や不純物の導入を抑制し、不純物が少なく結晶性の良好なカーボンナノチューブ膜を形成することができる。また、グリッド電極８７に電圧を印加することにより、電子やイオン等の荷電粒子の直進を妨げて、ウエハＷへの荷電粒子の到達をさらに効果的に抑制することができ、さらに不純物が少なく結晶性の良好なカーボンナノチューブ膜を形成することができる。
このカーボンナノチューブ２１３の成長処理の際の処理温度は、低温プロセスを実現する観点から、ウエハＷの温度として、例えば３５０℃〜５５０℃とすることが好ましく、３５０℃〜４５０℃がより好ましい。なお、このカーボンナノチューブ２１３の成長処理の際の温度は、酸素プラズマ処理（ＳＴＥＰ２）及び水素プラズマ処理（ＳＴＥＰ３）と異なっていてもよいが、同じ温度で行うほうがスループットを高めることができるので好ましい。さらに好ましくは、カーボンナノチューブ２１３の成長処理の際の温度を４００℃〜４２０℃にすることによって開口部内に充填されるカーボンナノチューブ２１３の密度を高くすることができる。
処理容器１内の圧力は、プラズマ中のラジカルの生成を多くする観点から、例えば６６．７〜４００Ｐａ（０．５〜３Ｔｏｒｒ）とすることが好ましく、２６６Ｐａ〜４００Ｐａがより好ましい。
Ｃ２Ｈ４ガス流量は、プラズマ中で活性種を効率的に生成させる観点から、例えば、５〜２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とすることが好ましく、６〜３０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）がより好ましい。
Ｈ２ガス流量は、プラズマ中で活性種を効率的に生成させる観点から、例えば、１００〜２０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とすることが好ましく、３００〜１２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）がより好ましい。
また、Ａｒガス流量は、プラズマ中で活性種を効率的に生成させる観点から、例えば０〜１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）とすることが好ましく、０〜２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）がより好ましい。
マイクロ波パワーは、プラズマ中で活性種を効率的に生成させる観点から、例えば２５０Ｗ〜２０００Ｗとすることが好ましく、５００Ｗ〜１０００Ｗがより好ましい。
処理時間は、触媒活性が低下するのを防ぐ観点から、例えば１分〜６０分とすることが好ましく、１分〜３０分がより好ましい。
また、ＳＴＥＰ５のカーボンナノチューブ２１３の成長処理においても、グリッド電極８７の貫通開口８７ａの径は、ウエハＷへの電子の到達を効果的に抑制する観点から、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましく、０．５ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲内がより好ましい。また、その開口率は、プラズマからの活性種の到達を効果的にする観点から、例えば４０〜８５％が好ましい。また、グリッド電極８７に印加する電圧は、−３００Ｖ〜３００Ｖの範囲内が好ましいが、ウエハＷへの電子の到達を効果的に抑制する観点からは負電圧がよく、−３００Ｖ〜０Ｖの範囲内が好ましい。さらに、グリッド電極８７の負電圧を例えば−３００Ｖ〜−１００Ｖの範囲内とすることによって、凹部２０５内へのカーボンナノチューブ２１３の充填を促進することができる。
なお、カーボンナノチューブ２１３の成長処理においては、エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガスに限らず、メタン（ＣＨ４）ガス、エタン（Ｃ２Ｈ６）ガス、プロパン（Ｃ３Ｈ８）ガス、プロピレン（Ｃ ３ Ｈ６）ガス、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガス等、他の炭化水素ガスを用いることができる。また、還元ガスとしては、Ｈ２ガスに限らず、アンモニア（ＮＨ３）等、他のガスを用いることができる。さらに、Ｎ２ガス等の不活性ガスを、キャリアガスや調圧ガスとして用いることができる。
次に、ＳＴＥＰ６では、カーボンナノチューブ２１３の形成後、マイクロ波およびガスの供給を停止し、処理容器１内の圧力を調整した後に、ゲートバルブ２１を開放してウエハＷを搬出する。
ここで、グリッド電極８７に電圧を印加する場合の作用機構について、図６Ａ及び図６Ｂを参照して説明する。図６Ａは、グリッド電極８７に電圧を印加しない場合の処理容器１内の空間ポテンシャルを示している。図６Ｂは、グリッド電極８７に−１００Ｖの電圧を印加した場合の処理容器１内の空間ポテンシャルを示している。グリッド電極８７に電圧を印加しない場合には、シャワープレート５９からウエハＷまでの間に電位差はなく、電子やイオンのような荷電粒子には電気的作用は生じない。一方、グリッド電極８７に−１００Ｖを印加した場合には、グリッド電極８７は、接地されているシャワープレート５９およびウエハＷ（載置台３）に対して負のポテンシャルを有しているため、電子や負イオン等の負に帯電した荷電粒子がウエハＷに到達し難くなる。
なお、図１では、荷電粒子制御部９に１枚のグリッド電極８７を配備した状態を示しているが、複数のグリッド電極８７を配備することもできる。例えば、図７に示すように、２枚のグリッド電極８７Ａ，８７Ｂを上下に重ねて配備してもよい。グリッド電極８７Ａ，８７Ｂの構成は、図１の場合と同様である。また、図１と同様に、グリッド電極８７Ａ，８７Ｂと処理容器１の内壁との間には、それぞれ絶縁部材９５を設けることができるがこれらは必須ではない。このように、２枚以上のグリッド電極８７を用いることによって、電子、イオン等の荷電粒子を選択的に通過させる効果をより高くすることができる。
また、図７に示した構成例では、グリッド電極８７Ａ，８７Ｂには、それぞれ可変直流電源９１Ａ，９１Ｂと、パルス発生器９３Ａ，９３Ｂが接続されている。グリッド電極８７Ａ，８７Ｂの一方又は両方に電圧を印加して、電子、イオン等の荷電粒子がウエハＷに到達することをより効果的に防止することができる。カーボンナノチューブの形成において、１枚のグリッド電極８７を設ける場合よりも、２枚以上のグリッド電極８７を設けることによって、さらに不純物が少なく結晶性の良好なカーボンナノチューブを形成できる。また、酸素プラズマ処理および水素プラズマ処理においても、２枚以上のグリッド電極８７を設けることにより、触媒金属層２１１の金属を適度に凝集させる効果、および触媒金属層２１１の表面を活性化させて触媒金属層２１１を構成する金属を微粒子化し、かつ高密度化する効果をさらに高めることができる。
なお、電子、イオン等の荷電粒子がウエハＷ表面に到達することを抑制する荷電粒子制御部の別の構成例として、例えば図８に示すように載置台３に可変直流電源１０９およびパルス発生器１１１を接続するようにしてもよい。この場合、例えば載置台３に負の直流電圧を印加することにより、ウエハＷが負の電圧を持つようになり、電子および負イオンが反発してウエハＷの表面に到達し難く制御できる。
次に、実施例を挙げ、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらにより制約されるものではない。
実施例１：
図９に示すように、Ｓｉ基板３０１上に積層形成されたＳｉＯ２層３０３Ａ，３０３Ｂの上側のＳｉＯ２層３０３Ｂに、開口部として約２００ｎｍ径の凹部３０５を形成したウエハＷを使用した。ＳｉＯ２層３０３Ａ，３０３Ｂの間には、ＴｉＮからなる下地層３０７が７０ｎｍの厚さで形成してあり、凹部３０５の底面には、下地層３０７の上にＮｉ触媒層３０９が２ｎｍの厚さで形成してある。また、ＳｉＯ２層３０３Ｂの表面には、ＳｉＣＮ層３１１が形成されている。このウエハＷを図１の成膜装置１００と同様構成を有する成膜装置の処理容器内に搬入し、下記の条件で、酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理を順次行った後、処理容器内をパージし、その後、凹部３０５内にカーボンナノチューブを成長させた。なお、実験に使用したグリッド電極は、ステンレスの材質で、貫通開口の径が２ｍｍ、貫通開口の高さ（グリッド電極の厚み）が０．１ｍｍのものを使用した。
＜酸素プラズマ処理の条件＞
処理温度：４００℃
処理圧力：２６７Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）
処理ガス：
Ｏ２ガス １００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ａｒガス ４５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
マイクロ波パワー：１ｋＷ
グリッド電極への印加電圧：０Ｖ
処理時間：１０分間
＜水素プラズマ処理の条件＞
処理温度：４００℃
処理圧力：６６．７Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）
処理ガス：
Ｈ２ガス ４６２ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ａｒガス ４５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
マイクロ波パワー：１ｋＷ
グリッド電極への印加電圧：０Ｖ
処理時間：３０秒間
＜パージ処理の条件＞
処理温度：４００℃
処理圧力：４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
処理ガス：
Ｎ２ガス ２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ａｒガス ４５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
グリッド電極への印加電圧：０Ｖ
処理時間：２分間
＜カーボンナノチューブ成長処理の条件＞
処理温度：３８０℃、４００℃、４２０℃、４４０℃
処理圧力：４００Ｐａ（３Ｔｏｒｒ）
処理ガス：
Ｃ２Ｈ４ガス ６．３ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ｈ２ガス ３７０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
Ａｒガス ４５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）
マイクロ波パワー：０．５ｋＷ
グリッド電極への印加電圧：−１００Ｖ
処理時間：３０分間
このようにして成長させたカーボンナノチューブの断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した結果を図１０Ａ〜図１０Ｄに示す。図１０Ａ及び図１０Ｂは、処理温度がそれぞれ４００℃及び４２０℃の場合である。これらの図に示すように、４００〜４２０℃の条件下においては開口部（凹部）内にカーボンナノチューブが高密度で充填されていることが分かる。一方、図１０Ｃ及び図１０Ｄは処理温度がそれぞれ３８０℃及び４４０℃の場合である。これらの条件下では、図１０Ａ及び図１０Ｂの場合と比較してカーボンナノチューブの成長速度が遅いことが分かった。
実施例２：
次に、グリッド電極に印加する電圧の影響について検討した。実施例１と同様の装置及び方法を用い、グリッド電極に印加する電圧を変化させてカーボンナノチューブを成長させた。本実施例では処理温度を４７０℃とし、グリッド電極に−１００Ｖ又は−３００Ｖの電圧を印加した。その他の条件は実施例１に示した条件と同じである。図１１Ａはグリッド電極に印加した電圧が−１００Ｖのとき、図１１Ｂは−３００Ｖのときのカーボンナノチューブの断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影した写真である。これらの結果より、グリッド電極の負電圧を高くすることでカーボンナノチューブの充填密度を高められることが分かる。
実施例３：
続いて、実施例１と同様の装置及び方法を用い、被処理体の開口部がストレートライン（横長の溝）を形成している場合について検討した。本実施例では、開口部の幅が１００ｎｍの溝を形成している基板を用いて、処理温度を４２０℃としたこと以外は実施例１に示した条件と同一の条件で、グリッド電極に印加する電圧を−１００Ｖとしてカーボンナノチューブを成長させた。その結果、図１２に示したように、高い充填率で溝内にカーボンナノチューブを埋め込むことができた。このように、ビアホール用の開口部だけではなく、トレンチ溝用の開口部にもカーボンナノチューブを充填させることが可能である。
以上の実験結果から、マイクロ波プラズマ成膜装置１００を用いて、触媒金属層を形成したウエハの開口部に、酸素プラズマ処理及び水素プラズマ処理（活性化処理）を行った後、さらに処理温度、グリッド電極８７への印加電圧等の条件を調整してプラズマＣＶＤを行うことにより、開口部内に高密度にカーボンナノチューブを形成できることが確認された。
以上のように、開口部の底に触媒金属層を有するウエハＷに対し、酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理（活性化処理）を行った後に、プラズマＣＶＤを行うことにより開口部内に、高密度のカーボンナノチューブを成長させることができる。すなわち、酸素プラズマ処理では、開口部の底に形成された触媒金属層の表面を清浄化して加熱によるマイグレーションが起こりやすくしておく。次に、水素プラズマ処理（活性化処理）により、触媒金属層の表面を活性化させて触媒金属層を構成する金属を微粒子化し、かつ高密度化しておく。このように微粒子化および高密度化した触媒金属層の上に、カーボンナノチューブを成長させることにより、開口部内に高密度にカーボンナノチューブを充填することができる。
また、図１の成膜装置では、シャワープレート５９とウエハＷとの間にグリッド電極８７を設けているので、触媒金属層に主にラジカルを作用させて、電子やイオン等による結晶の欠陥や不純物の導入を抑制することができる。従って、不純物が少なく結晶性の良好なカーボンナノチューブを形成することができる。また、グリッド電極８７に電圧を印加することにより、その効果を一層高めることができる。
さらに、本実施形態ではマイクロ波プラズマにより処理を行うため、本質的に高密度で低電子温度のラジカルを主体としたプラズマ処理を行うことができ、上記特長を効果的に引き出すことができる。特に、マイクロ波プラズマの中でも高密度で、かつ低電子温度プラズマを生成することが可能なＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式の成膜装置１００を用いることにより、カーボンナノチューブの成長を低ダメージで行うことが可能である。
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはない。当業者は本発明の思想及び範囲を逸脱することなく多くの改変を成し得、それらも本発明の範囲内に含まれる。例えば、上記実施形態においては、酸素プラズマ処理、活性化処理、カーボンナノチューブの形成処理をＲＬＳＡマイクロ波プラズマ方式のプラズマ処理装置で行った例を示したが、他のマイクロ波プラズマ方式を用いてもよいし、マイクロ波プラズマに限らず、例えば、誘導結合プラズマ、容量結合プラズマ等の他の方式のプラズマを用いてもよい。
また、上記実施の形態では、１つの処理容器内で酸素プラズマ処理、水素プラズマ処理（活性化処理）、カーボンナノチューブの形成処理を連続して効率的に行うことのできる成膜装置１００を用いたが、酸素プラズマ処理と、水素プラズマ処理と、カーボンナノチューブの形成とを、別々の処理容器内で行うこともできる。この場合、１枚のウエハＷを、各工程で用いる処理容器内に真空条件下で順次搬入・搬出して連続処理できるマルチチャンバタイプの成膜装置（クラスタ装置）を用いることができる。
また、ウエハＷの構造も、開口部や配線の形状は図４のものに限るものではなく、被処理体も半導体ウエハに限るものではない。
１…処理容器、３…載置台、５…マイクロ波導入部、７…ガス供給部、９…荷電粒子制御部、１１…排気部、１３…制御部、８７，８７Ａ，８７Ｂ…グリッド電極、９１，９１Ａ，９１Ｂ…可変直流電源、９３Ａ，９３Ｂ…パルス発生器、１００…成膜装置、Ｗ…半導体ウエハ

Claims (14)

  1. 表面に１又は複数の開口部を有し、当該開口部の底に触媒金属層が形成された被処理体を準備する工程と、
    前記触媒金属層に酸素プラズマ処理を施す工程と、
    前記酸素プラズマ処理を施した後の前記触媒金属層に水素プラズマ処理を施して、前記触媒金属層の表面を活性化する工程と、
    成膜装置の処理容器内で、被処理体の上方に多数の貫通開口を有する電極部材を配置し、該電極部材に直流電圧を印加しながら、該電極部材の上方空間で生成させたプラズマ中の活性種を、前記貫通開口を通過させて下方の被処理体へ向けて拡散させ、前記活性化された触媒金属層の上にプラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させることにより被処理体の開口部内にカーボンナノチューブを埋め込む工程と、
    を備えているカーボンナノチューブの形成方法。
  2. 前記電極部材に−３００Ｖ以上０Ｖ以下の範囲内の直流電圧を印加する請求項１に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  3. 前記電極部材の前記貫通開口の径が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲内である請求項１又は２に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  4. 前記カーボンナノチューブの成長を行う際に、被処理体を３５０℃以上５３０℃以下に加熱する請求項１から３のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  5. 前記成膜装置は、前記処理容器内にプラズマ生成ガスを導入する第１のガス導入部と、前記処理容器内に前記カーボンナノチューブの原料ガスを導入する第２のガス導入部とが別々に設けられ、前記プラズマ生成ガスにより生成したプラズマ中に、前記第２のガス導入部から導入される前記カーボンナノチューブの原料ガスが混合された後で、該プラズマ中の活性種が、前記電極部材の貫通開口を通過するように構成されている請求項１から４のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  6. 前記酸素プラズマ処理、前記水素プラズマ処理及び前記カーボンナノチューブを成長させる処理に利用するプラズマは、マイクロ波プラズマである請求項１から５のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  7. 前記マイクロ波プラズマが、多数のマイクロ波放射孔を有する平面アンテナにより前記処理容器内に導入されたマイクロ波により励起されるものである請求項６に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  8. 被処理体の開口部が、ビアホール又は配線用溝である請求項１から７のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  9. 前記開口部の幅が、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項１から８のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  10. 前記酸素プラズマ処理、前記水素プラズマ処理及び前記カーボンナノチューブの成長を行う処理を、同一処理容器内で連続して行う請求項１から９のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブの形成方法。
  11. 被処理体に対してプラズマ処理を行う処理空間を形成する処理容器と、
    前記処理容器内で被処理体を載置する載置台と、
    前記処理容器内にプラズマ生成ガスを導入する第１のガス導入部と、
    前記処理容器内に、カーボンナノチューブの原料ガスを導入する第２のガス導入部と、
    前記処理容器内で、前記載置台の上方に配置された多数の貫通開口を有する電極部材と、
    前記電極部材に直流電圧を印加する電源と、
    前記処理容器内を減圧排気する排気装置と、
    を備え、
    前記電極部材に直流電圧を印加しながら該電極部材よりも上方の空間で生成させたプラズマ中の活性種を、前記貫通開口を通過させて下方の被処理体へ向けて拡散させることにより、被処理体上にプラズマＣＶＤ法によってカーボンナノチューブを成長させるとともに、
    前記第１のガス導入部は、前記プラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブの成長を行う前の前処理として、被処理体に対して酸素プラズマ処理を行うための酸素含有ガス供給源に接続されており、
    前記第２のガス導入部は、前記プラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブの成長を行う前の前処理として、被処理体に対して水素プラズマ処理を行うための水素含有ガス供給源に接続されているカーボンナノチューブ成膜装置。
  12. 前記プラズマ生成ガスにより生成したプラズマ中に、前記カーボンナノチューブの原料ガスを混合するように、前記第１のガス導入部と前記第２のガス導入部が配置されており、
    前記電極部材は、前記プラズマ中に前記カーボンナノチューブの原料ガスを混合する部位と、前記載置台との間に介在配置されている請求項１１に記載のカーボンナノチューブ成膜装置。
  13. 前記処理容器の上部に配置されて前記処理空間を塞ぐ誘電体部材と、
    前記誘電体部材の上方に設けられ、該誘電体部材を介して前記処理空間にマイクロ波を導入する平面アンテナと、
    をさらに備えており、
    前記第１のガス導入部は、前記誘電体部材の直下の空間にガスを導入するように配置されており、
    前記第２のガス導入部は、前記第１のガス導入部より、前記載置台に近い位置で前記誘電体部材と前記載置台との間に介在して配置されており、
    前記電極部材は、前記第２のガス導入部と前記載置台との間に介在して配置されている請求項１１又は１２に記載のカーボンナノチューブ成膜装置。
  14. 前記電極部材の前記貫通開口の径が０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下の範囲内である請求項１１から１３のいずれか１項に記載のカーボンナノチューブ成膜装置。
JP2010105456A 2010-04-30 2010-04-30 カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置 Expired - Fee Related JP5660804B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010105456A JP5660804B2 (ja) 2010-04-30 2010-04-30 カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置
CN201180005724XA CN102712477A (zh) 2010-04-30 2011-04-28 碳纳米管的形成方法和碳纳米管成膜装置
PCT/JP2011/060386 WO2011136338A1 (ja) 2010-04-30 2011-04-28 カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置
KR1020127030322A KR101436710B1 (ko) 2010-04-30 2011-04-28 카본 나노튜브의 형성 방법 및 카본 나노튜브 성막 장치
TW100115005A TW201202122A (en) 2010-04-30 2011-04-29 Method for forming carbon nanotubes, and carbon nanotube film-forming apparatus
US13/665,724 US9059178B2 (en) 2010-04-30 2012-10-31 Method for forming carbon nanotubes and carbon nanotube film forming apparatus
US14/724,913 US10041174B2 (en) 2010-04-30 2015-05-29 Method for forming carbon nanotubes and carbon nanotube film forming apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010105456A JP5660804B2 (ja) 2010-04-30 2010-04-30 カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011230980A JP2011230980A (ja) 2011-11-17
JP5660804B2 true JP5660804B2 (ja) 2015-01-28

Family

ID=44861632

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010105456A Expired - Fee Related JP5660804B2 (ja) 2010-04-30 2010-04-30 カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US9059178B2 (ja)
JP (1) JP5660804B2 (ja)
KR (1) KR101436710B1 (ja)
CN (1) CN102712477A (ja)
TW (1) TW201202122A (ja)
WO (1) WO2011136338A1 (ja)

Families Citing this family (239)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5851804B2 (ja) * 2011-11-09 2016-02-03 東京エレクトロン株式会社 前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置
US9240552B2 (en) * 2011-12-27 2016-01-19 Intel Corporation Carbon nanotube semiconductor devices and deterministic nanofabrication methods
KR102107382B1 (ko) * 2012-02-24 2020-05-07 캘리포니아 인스티튜트 오브 테크놀로지 그래핀 형성 방법 및 시스템
JP6037281B2 (ja) * 2012-03-29 2016-12-07 本田技研工業株式会社 カーボンナノチューブ合成装置
US9048190B2 (en) * 2012-10-09 2015-06-02 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing substrates using an ion shield
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20140165911A1 (en) * 2012-12-14 2014-06-19 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing plasma to a process chamber
JP5624600B2 (ja) * 2012-12-27 2014-11-12 株式会社東芝 配線及び半導体装置の製造方法
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
JP6039534B2 (ja) 2013-11-13 2016-12-07 東京エレクトロン株式会社 カーボンナノチューブの生成方法及び配線形成方法
JP6157385B2 (ja) * 2014-03-11 2017-07-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6632426B2 (ja) 2016-02-29 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプリコート処理方法
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US20190051495A1 (en) * 2017-08-10 2019-02-14 Qiwei Liang Microwave Reactor For Deposition or Treatment of Carbon Compounds
KR20200044071A (ko) 2017-08-22 2020-04-28 테르마 코퍼레이션 탄소 나노튜브의 합성을 위한 방법 및 장치
CA3073661A1 (en) 2017-08-22 2019-02-28 Ntherma Corporation Graphene nanoribbons, graphene nanoplatelets and mixtures thereof and methods of synthesis
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
JP6960813B2 (ja) 2017-09-20 2021-11-05 東京エレクトロン株式会社 グラフェン構造体の形成方法および形成装置
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US10555412B2 (en) 2018-05-10 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Method of controlling ion energy distribution using a pulse generator with a current-return output stage
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11476145B2 (en) 2018-11-20 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Automatic ESC bias compensation when using pulsed DC bias
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP7451540B2 (ja) 2019-01-22 2024-03-18 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド パルス状電圧波形を制御するためのフィードバックループ
US11508554B2 (en) 2019-01-24 2022-11-22 Applied Materials, Inc. High voltage filter assembly
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11462389B2 (en) 2020-07-31 2022-10-04 Applied Materials, Inc. Pulsed-voltage hardware assembly for use in a plasma processing system
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
JP2020197544A (ja) * 2020-09-17 2020-12-10 国立大学法人鳥取大学 吸着装置及び分析装置
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
US11798790B2 (en) 2020-11-16 2023-10-24 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
US11901157B2 (en) 2020-11-16 2024-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for controlling ion energy distribution
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US11495470B1 (en) 2021-04-16 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Method of enhancing etching selectivity using a pulsed plasma
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
US11791138B2 (en) 2021-05-12 2023-10-17 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11948780B2 (en) 2021-05-12 2024-04-02 Applied Materials, Inc. Automatic electrostatic chuck bias compensation during plasma processing
US11967483B2 (en) 2021-06-02 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Plasma excitation with ion energy control
US11810760B2 (en) 2021-06-16 2023-11-07 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of ion current compensation
US11569066B2 (en) 2021-06-23 2023-01-31 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage source for plasma processing applications
US11776788B2 (en) 2021-06-28 2023-10-03 Applied Materials, Inc. Pulsed voltage boost for substrate processing
US11476090B1 (en) 2021-08-24 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Voltage pulse time-domain multiplexing
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN114078685A (zh) * 2021-11-17 2022-02-22 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体工艺设备
US11694876B2 (en) 2021-12-08 2023-07-04 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for delivering a plurality of waveform signals during plasma processing

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3317209B2 (ja) * 1997-08-12 2002-08-26 東京エレクトロンエイ・ティー株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US6221154B1 (en) * 1999-02-18 2001-04-24 City University Of Hong Kong Method for growing beta-silicon carbide nanorods, and preparation of patterned field-emitters by chemical vapor depositon (CVD)
EP1129990A1 (en) * 2000-02-25 2001-09-05 Lucent Technologies Inc. Process for controlled growth of carbon nanotubes
US7115184B2 (en) * 2001-03-28 2006-10-03 Tadahiro Ohmi Plasma processing device
JP3713561B2 (ja) * 2001-06-26 2005-11-09 独立行政法人科学技術振興機構 有機液体による高配向整列カーボンナノチューブの合成方法及びその合成装置
EP1414744A1 (en) 2001-07-27 2004-05-06 University Of Surrey Production of carbon nanotubes
KR20030028296A (ko) * 2001-09-28 2003-04-08 학교법인 한양학원 플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브제조방법
US20030129305A1 (en) * 2002-01-08 2003-07-10 Yihong Wu Two-dimensional nano-sized structures and apparatus and methods for their preparation
US6998103B1 (en) * 2002-11-15 2006-02-14 The Regents Of The University Of California Method for producing carbon nanotubes
US7560136B2 (en) * 2003-01-13 2009-07-14 Nantero, Inc. Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
WO2005021430A1 (ja) * 2003-08-27 2005-03-10 Nu Eco Engineering Co., Ltd. カーボンナノウォールの製造方法、カーボンナノウォールおよび製造装置
JP2005089823A (ja) * 2003-09-17 2005-04-07 Seiji Sagawa 成膜装置および成膜方法
JP2005263564A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Toyota Central Res & Dev Lab Inc カーボンナノチューブの製造方法
KR101190136B1 (ko) * 2004-05-10 2012-10-12 가부시키가이샤 알박 카본 나노 튜브의 제작 방법 및 그 방법을 실시하는플라즈마 화학기상증착 장치
US20060204426A1 (en) * 2004-11-17 2006-09-14 Research Foundation Of The City University Of New York Methods and devices for making carbon nanotubes and compositions thereof
US20060162661A1 (en) * 2005-01-22 2006-07-27 Applied Materials, Inc. Mixing energized and non-energized gases for silicon nitride deposition
JP5089898B2 (ja) * 2006-03-20 2012-12-05 株式会社アルバック カーボンナノチューブの成長方法
CN100484869C (zh) * 2006-08-11 2009-05-06 中国科学院等离子体物理研究所 利用大功率等离子体发生器制备碳纳米管的方法
US8753602B2 (en) * 2006-10-19 2014-06-17 University Of Cincinnati Composite catalyst and method for manufacturing carbon nanostructured materials
EP1946833A1 (en) * 2006-12-21 2008-07-23 Interuniversitair Microelektronica Centrum Catalyst nanoparticles for obtaining carbon nanotubes
JP5222040B2 (ja) * 2008-06-25 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP4825846B2 (ja) * 2008-06-30 2011-11-30 株式会社東芝 カーボンナノチューブ作製装置
JP4799623B2 (ja) * 2009-01-19 2011-10-26 株式会社東芝 カーボンナノチューブ成長方法
TWI383055B (zh) * 2009-02-17 2013-01-21 Univ Nat Chunghsing The Method of Making Metal Material Pattern

Also Published As

Publication number Publication date
TW201202122A (en) 2012-01-16
US9059178B2 (en) 2015-06-16
US10041174B2 (en) 2018-08-07
JP2011230980A (ja) 2011-11-17
CN102712477A (zh) 2012-10-03
KR101436710B1 (ko) 2014-09-01
KR20130007658A (ko) 2013-01-18
US20150259801A1 (en) 2015-09-17
WO2011136338A1 (ja) 2011-11-03
US20130059091A1 (en) 2013-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5660804B2 (ja) カーボンナノチューブの形成方法及びカーボンナノチューブ成膜装置
JP5851804B2 (ja) 前処理方法、グラフェンの形成方法及びグラフェン製造装置
JP5775705B2 (ja) カーボンナノチューブの形成方法及び前処理方法
KR102220272B1 (ko) 그래핀의 생성 방법
WO2011036973A1 (ja) カーボンナノチューブ膜の成膜方法
KR101960120B1 (ko) 전처리 방법 및 카본 나노튜브의 형성 방법
JP5788627B2 (ja) カーボンナノチューブ成長方法
JP2014237557A (ja) カーボンナノチューブ成長方法
KR20160083872A (ko) 카본 나노 튜브의 생성 방법 및 배선 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140610

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140804

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140916

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141007

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141118

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5660804

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees