JP5659507B2 - パターン描画装置の状態監視方法および状態監視装置 - Google Patents
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Description
なお、周期性パターンとは、一定の間隔を有するパターンの集合体を称し、たとえば、パターンが所定のピッチで配列したストライプ状の周期性パターン、あるいは、開口部のパターンが所定の周期で2次元的に配列したマトリクス状のパターン等が該当する。周期性パターンを有する基板としては、特に半導体装置、撮像デバイスおよび表示デバイス等を製造する際にフォトリソグラフィ処理の露光工程で用いられるフォトマスクが挙げられる。
図1は、本発明の実施の形態に係るパターン描画装置の状態監視装置の要部を概略的に示すものである。図1では、透過回折光を得るための装置構成例を示している。なお、本状態監視装置は、外乱光や迷光を極力低減させた暗環境かつ基板への異物付着を防止するクリーン環境で稼動されることが望ましい。
r=h×di ……(1)
ただし、基板60では、ステップS1にて設定したθに応じて光の照射方向に対応した見かけ上のピッチの値が変化するため、各θ軸における見かけ上のピッチdi値を算出する必要がある。
C=|ΣI―Σ0| ……(6)
なお、本実施の形態において複数枚のパネルについて処理を行う場合には、そのうち最も評価値Cが大きくなるものを代表値として取り扱う。
以上、ステップC1〜C3を、むら評価値Cの算出方法に関する説明とする。
以下、ステップS11における2次元フーリエ変換によるむら欠陥周期算出方法について、ステップF1〜F3の順に簡単に説明する。
以上、ステップF1〜F3を、2次元フーリエ変換によるむら欠陥発生周期算出方法に関する説明とする。
C>C_Th
かつ、
F=F_Litho
という条件を満たした場合、状態監視対象となるパターン描画装置起因のむら欠陥が発生していると判定する。
全ての実施例において使用したパターン描画装置は同一であり、描画走査周期の値は420μmである。また、むら評価値Cに対する判定用閾値C_Th=100とし、F_Lithoの値には、420μm、840μmをステップS1にて入力する。なお、パターン描画装置における描画走査方向は全て図4におけるX方向であり、本実施例では基板60への相対投光方向θ=0°とした場合の結果を示す。
第1の実施例に係る取得画像を図9(a)に示し、パワースペクトル像を図9(b)に示す。
第2の実施例に係る取得画像を図11(a)に示し、パワースペクトル像を図11(b)に示す。
Claims (13)
- パターン描画装置によって周期性パターンが形成された基板を状態監視対象とし、前記基板に対し照明光を斜め方向から照射することで、前記周期性パターンにより生じる回折光を用いて画像取得を行い、処理判定を行うパターン描画装置の状態監視方法であって、
前記周期性パターンのピッチ、サイズ等の製品情報、および前記基板上へのパターン描画条件、前記パターン描画装置の種類等の描画情報を入力するパターン情報入力工程と、
前記基板の被撮像面内方向における位置決めを行う位置決め工程と、
前記パターン情報入力工程において入力された前記周期性パターンに関する情報を基に、パターンピッチと撮像分解能との関係から撮像倍率を決定するための撮像倍率設定工程と、
前記基板の周期性パターンが形成された面を被撮像面とし、合焦点位置を被撮像面に対して鉛直方法に所定量ずらすデフォーカス工程と、
前記合焦点位置から所定量デフォーカスさせた位置において、前記基板の周期性パターンを撮像し被処理画像を取得する撮像工程と、
前記被処理画像に対し、前記周期性パターンの正常部と変動部との間で生じた輝度コントラストを数値化したむら評価値を算出するむら評価値算出工程と、
前記被処理画像上で確認される前記基板上で発生しているむら欠陥の発生周期を求めるむら欠陥周期算出工程と、
前記むら評価値算出工程において求めたむら評価値と設定された判定用閾値との大小、及び前記むら欠陥周期算出工程において求めたむら周期と前記パターン情報入力工程において入力されたパターン描画条件との類似性を比較し、前記むら評価値が前記判定用閾値よりも大きくかつ前記むら周期が前記パターン描画条件と類似している場合には、前記基板上で発生しているむら欠陥がパターン描画装置起因のものであると判定し、前記むら周期が前記パターン描画条件と類似していても前記むら評価値が前記判定用閾値よりも小さい場合には前記むら欠陥がパターン描画装置起因のものでないと判定する判定工程と、
を具備したことを特徴とするパターン描画装置の状態監視方法。 - 前記パターン情報入力工程は、前記基板の周期性パターンに対して、任意の水平方向角度での照明について撮像条件の設定ができるように、照明と前記基板との水平角度方向に関する条件入力が可能であることを特徴とする請求項1記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記基板の周期性パターンのパターンピッチは20μm〜400μmであることを特徴とする請求項1または2記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記照明光は、中心波長が540nmの緑色光であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記撮像工程は、前記基板の周期性パターンからの回折光を、光電変換素子を利用した撮像手段によって実施するものであり、かつ、前記撮像手段は、前記基板の周期性パターンにより生じる回折光のうち、前記基板の被撮像面に対して垂直な回折光のみを抽出する光学系を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記撮像倍率設定工程は、撮像倍率の設定を行うのに電動式ズームレンズを利用することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記デフォーカス工程は、前記合焦点位置からのデフォーカス量が光学系の焦点深度よりも大きいことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記デフォーカス工程は、前記合焦点位置を被撮像面に対して鉛直に遠ざける方向にずらすことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記むら欠陥周期算出工程は、前記撮像工程により取得された被処理画像に対して2次元フーリエ変換を利用することで周期を算出することを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記パターン描画装置は、波長が413nmのクリプトンイオンレーザを基板上で走査させることによりパターンを描画するラスタ式パターン描画装置であることを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記基板は、波長が365nm〜436nmの範囲内における所定の波長域の光を露光するためのフォトマスクであることを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- 前記基板は、液晶表示装置用部材製造用フォトマスクであることを特徴とする請求項1〜11のいずれかに記載のパターン描画装置の状態監視方法。
- パターン描画装置によって周期性パターンが形成された基板を状態監視対象とし、前記基板に対し照明光を斜め方向から照射することで、前記周期性パターンにより生じる回折光を用いて画像取得を行い、処理判定を行うパターン描画装置の状態監視装置であって、
前記基板を載置し、X軸、Y軸方向に駆動する機構を具備する搬送手段と、
前記基板の所定領域に光を照射してその所定領域を撮像して得られた画像に所定の画像処理を行って、前記基板の被撮像面内方向における位置決めを行う位置決め手段と、
照明光として可視光を発生可能な光源を具備する照明ヘッドと、
この照明ヘッドを支持し、かつ、前記搬送手段に載置された前記基板上の一定領域に略平行な照明光を照射しつつ前記基板の被撮像面に垂直な方向に対する照明光照射角度φを制御可能であり、さらに、前記照明ヘッドを前記基板の被検査面に対して水平な角度θ方向に駆動することが可能な照明ヘッド駆動手段と、
前記照明ヘッドによって照明光が前記基板の周期性パターンに照射されることにより生じる回折光を撮像する撮像手段と、
この撮像手段を前記基板の被検査面に対して鉛直方向(Z軸方向)に駆動させることが可能な撮像部駆動手段と、
前記位置決め手段からの映像出力および前記撮像手段からの映像出力を画像情報とする画像入力手段と、
前記周期性パターンのピッチ、サイズ等の製品情報、および前記基板上へのパターン描画条件、前記パターン描画装置の種類等の描画情報の入力やその他操作を行うための対人操作手段と、
この対人操作手段により入力された前記周期性パターンに関する情報を基に、パターンピッチと撮像分解能との関係から撮像倍率を決定するための撮像倍率決定手段と、
前記基板の周期性パターンが形成された面を被撮像面とし、合焦点位置を被撮像面に対して鉛直方法に所定量ずらすデフォーカス手段と、
前記撮像手段により取得された被処理画像に対し、前記周期性パターンの正常部と変動部との間で生じた輝度コントラストを数値化したむら評価値を算出するむら評価値算出手段と、
前記撮像手段により取得された被処理画像上で確認される前記基板上で発生しているむら欠陥の発生周期を求めるむら欠陥周期算出手段と、
前記むら評価値算出手段において求めたむら評価値と設定された判定用閾値との大小、及び前記むら欠陥周期算出手段において求めたむら周期と前記対人操作手段において入力されたパターン描画条件との類似性を比較し、前記むら評価値が前記判定用閾値よりも大きくかつ前記むら周期が前記パターン描画条件と類似している場合には、前記基板上で発生しているむら欠陥がパターン描画装置起因のものであると判定し、前記むら周期が前記パターン描画条件と類似していても前記むら評価値が前記判定用閾値よりも小さい場合には前記むら欠陥がパターン描画装置起因のものでないと判定する判定手段と、
前記搬送手段、前記位置決め手段、前記照明ヘッド、前記照明ヘッド駆動手段、前記撮像手段、および、前記撮像部駆動手段の動作制御を行う制御手段と、
前記位置決め手段および前記撮像手段にて撮像した画像および前記制御手段による処理結果を表示する表示手段と、
を具備したことを特徴とするパターン描画装置の状態監視装置。
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