JP5659033B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- ダイシング溝により個片化された複数のチップ領域を有し、素子形成面である第1の面に貼付された表面保護フィルムでウエハ形状が維持された半導体ウエハを用意する工程と、
液状接着剤を、前記ダイシング溝の少なくとも一部に充填しつつ、前記半導体ウエハの前記第1の面とは反対側の第2の面に塗布して接着剤層を形成する工程と、
粘着力を低下させることが可能な粘着層を有する支持シートを、前記半導体ウエハの前記第2の面に前記接着剤層を介して貼付する工程と、
前記半導体ウエハから前記表面保護フィルムを剥離した後、前記支持シートを引き伸ばして前記ダイシング溝内に充填された接着剤を含めて前記接着剤層を割断する工程と、
前記支持シートを引き伸ばした状態を維持しつつ、前記半導体ウエハの第1の面と前記ダイシング溝内を洗浄する工程とを具備し、
前記洗浄工程の前に、前記粘着層の前記ダイシング溝に対応する部分の粘着力を選択的に低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記粘着層は紫外線硬化型樹脂からなり、
前記粘着層の前記ダイシング溝内に存在する部分に紫外線を選択的に照射し、前記粘着層の粘着力を選択的に低下させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1または請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記接着剤層の形成工程は、前記ダイシング溝内に前記液状接着剤を充填する第1の工程と、前記半導体ウエハの前記第2の面に前記液状接着剤を塗布する第2の工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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