JP5655704B2 - 高周波電力増幅器 - Google Patents

高周波電力増幅器 Download PDF

Info

Publication number
JP5655704B2
JP5655704B2 JP2011112224A JP2011112224A JP5655704B2 JP 5655704 B2 JP5655704 B2 JP 5655704B2 JP 2011112224 A JP2011112224 A JP 2011112224A JP 2011112224 A JP2011112224 A JP 2011112224A JP 5655704 B2 JP5655704 B2 JP 5655704B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
switching element
transistor
output
capacitor
frequency power
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2011112224A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012244384A (ja
Inventor
晋太郎 渡辺
晋太郎 渡辺
和宏 弥政
和宏 弥政
宏昭 前原
宏昭 前原
純 高相
純 高相
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP2011112224A priority Critical patent/JP5655704B2/ja
Priority to TW101110022A priority patent/TWI474613B/zh
Priority to US13/428,580 priority patent/US8519795B2/en
Priority to KR1020120049017A priority patent/KR101347223B1/ko
Priority to CN201210155265.XA priority patent/CN102790591B/zh
Publication of JP2012244384A publication Critical patent/JP2012244384A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5655704B2 publication Critical patent/JP5655704B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/56Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/02Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation
    • H03F1/0205Modifications of amplifiers to raise the efficiency, e.g. gliding Class A stages, use of an auxiliary oscillation in transistor amplifiers
    • H03F1/0277Selecting one or more amplifiers from a plurality of amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • H03G3/3042Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers in modulators, frequency-changers, transmitters or power amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/222A circuit being added at the input of an amplifier to adapt the input impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/318A matching circuit being used as coupling element between two amplifying stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/387A circuit being added at the output of an amplifier to adapt the output impedance of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/411Indexing scheme relating to amplifiers the output amplifying stage of an amplifier comprising two power stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7215Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch at the input of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7221Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch at the output of the amplifier
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7236Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers by (a ) switch(es)
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7239Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by putting into parallel or not, by choosing between amplifiers and shunting lines by one or more switch(es)

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Description

本発明は、出力電力に応じて増幅器内の経路を切り替える高周波電力増幅器に関する。
携帯電話や携帯端末において、数十MHz以上の高周波帯で動作する高周波電力増幅器が用いられている。この高周波電力増幅器では、28.25dBmの大電力出力を得る場合、17dBmの中電力出力を得る場合、7dBmの小電力出力を得る場合において、それぞれ増幅器内の経路を切り替える。これにより、それぞれの出力電力での動作効率を向上させることができる(例えば、非特許文献1参照)。
従来の高周波電力増幅器では、小・中電力出力を得る場に共通の経路において、並列に接続された切り替え素子とキャパシタによりインピーダンス整合を行っている。
Proceedings of the 36th European Microwave Conference, P348-P351
しかし、切り替え素子とキャパシタが並列に接続されているため、インピーダンス整合の切り替えしか行えず、経路の切り替えを同時に行うことはできなかった。このため、回路の自由度が低いという問題があった。
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的はインピーダンス整合の切り替えと経路の切り替えを同時に行うことができ、回路設計の自由度を向上させることができる高周波電力増幅器を得るものである。
本発明に係る高周波電力増幅器は、外部から入力された高周波信号を増幅する第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの出力信号を増幅する第2のトランジスタと、前記第1のトランジスタと並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する第3のトランジスタと、前記第1のトランジスタの出力と前記第2のトランジスタの入力との間に接続された第1の切り替え素子と、前記第3のトランジスタの出力と前記第1の切り替え素子との間に接続された第2の切り替え素子と、前記第1のトランジスタの出力及び前記第2の切り替え素子と前記第2のトランジスタの出力との間に直列に接続された第3及び第4の切り替え素子と、前記第3の切り替え素子と前記第4の切り替え素子との間に接続された第1のキャパシタとを備えることを特徴とする。
本発明により、インピーダンス整合の切り替えと経路の切り替えを同時に行うことができ、回路設計の自由度を向上させることができる。
本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器を示す図である。 本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅器を示す図である。 本発明の実施の形態3に係る高周波電力増幅器を示す図である。 本発明の実施の形態4に係る高周波電力増幅器を示す図である。 本発明の実施の形態5に係る高周波電力増幅器を示す図である。
本発明の実施の形態に係る高周波電力増幅器について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器を示す図である。トランジスタTr1は、外部から入力された高周波信号を増幅する。トランジスタTr2は、トランジスタTr1の出力信号を増幅する。トランジスタTr3は、トランジスタTr1と並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する。
入力整合回路M1は、トランジスタTr1,Tr3のそれぞれの入力インピーダンスを特性インピーダンスに整合させる。段間整合回路M2は、トランジスタTr1の出力インピーダンスとトランジスタTr2の入力インピーダンスを整合させる。プリマッチ回路M3は、トランジスタTr3の出力インピーダンスを特性インピーダンスに整合させる。出力整合回路M4は、トランジスタTr1,Tr2,Tr3の出力インピーダンスを特性インピーダンスに整合させる。
トランジスタTr1の出力とトランジスタTr2の入力との間に切り替え素子SW1が接続されている。トランジスタTr3の出力と切り替え素子SW1との間に切り替え素子SW2が接続されている。トランジスタTr1の出力及び切り替え素子SW2とトランジスタTr2の出力との間に切り替え素子SW3,SW4が直列に接続されている。
切り替え素子SW3と切り替え素子SW4との間にキャパシタC1が接続されている。キャパシタC1の一端は、切り替え素子SW3と切り替え素子SW4の接続点に接続されている。キャパシタC1の他端は接地されている。このキャパシタC1は、トランジスタTr1,Tr2の出力インピーダンスを特性インピーダンスに整合させるプリマッチ回路である。
続いて、本実施の形態に係る高周波電力増幅器の動作を説明する。17dBm以上の大電力出力を得る場合は、切り替え素子SW1はオン、切り替え素子SW2,SW3,SW4はオフし、経路1が有効になる。トランジスタTr3はオフされる。入力端子INに入力された信号をトランジスタTr1が増幅し、トランジスタTr1の出力信号をトランジスタTr2が増幅して、出力端子OUTから出力させる。
7〜17dBmの中電力出力を得る場合は、切り替え素子SW1,SW2はオフ、切り替え素子SW3,SW4はオンし、経路2が有効になる。トランジスタTr2,Tr3はオフされる。入力端子INに入力された信号をトランジスタTr1が増幅して、出力端子OUTから出力させる。
7dBm以下の小電力出力を得る場合は、切り替え素子SW1はオフ、切り替え素子SW2,SW3,SW4はオンし、経路3が有効になる。トランジスタTr1,Tr2はオフされる。入力端子INに入力された信号をトランジスタTr3が増幅して、出力端子OUTから出力させる。
以上説明したように、本実施の形態では、キャパシタC1を用いたプリマッチ回路が、切り替え素子SW3に直列に接続されている。これにより、経路2及び経路3が有効になるような経路切り替えと同時に、キャパシタC1を用いたインピーダンス整合の切り替えも行うことができる。この結果、回路設計の自由度を向上させることができる。
実施の形態2.
図2は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅器を示す図である。キャパシタC1の一端は切り替え素子SW3に接続され、キャパシタC1の他端は切り替え素子SW4に接続されている。即ち、プリマッチ回路において、キャパシタC1が直列に接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。
従来は切り替え素子とキャパシタが並列に接続されていたため、直列成分の素子は用いることができなかった。これに対して、本実施の形態では、プリマッチ回路が切り替え素子SW3に直列に接続されているため、直列に接続されたキャパシタC1を用いることができる。この場合でも実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
実施の形態3.
図3は、本発明の実施の形態3に係る高周波電力増幅器を示す図である。切り替え素子SW3と切り替え素子SW4との間において、キャパシタC1に直列にインダクタL1が接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。これにより、経路2及び経路3のインピーダンス整合の自由度が増し、トランジスタTr1,Tr3の動作効率を向上させることができる。
実施の形態4.
図4は、本発明の実施の形態4に係る高周波電力増幅器を示す図である。トランジスタTr2の出力とキャパシタC1との間において切り替え素子SW4に並列にキャパシタC2が接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。このキャパシタC2は大電力出力動作時においてのみ作用するプリマッチ回路となるため、トランジスタTr2の飽和出力電力を向上させることができる。
実施の形態5.
図5は、本発明の実施の形態5に係る高周波電力増幅器を示す図である。トランジスタTr2の出力と接地点との間に切り替え素子SW5及びキャパシタC3が直列に接続されている。トランジスタTr2と第4の切り替え素子との間にインダクタL2が接続されている。その他の構成は実施の形態2と同様である。これにより、経路2及び経路3のインピーダンス整合を2段階に切り替えることができるため、トランジスタTr1の動作効率を向上させることができる。
表1は、17dBmの中出力電力時において、従来の高周波電力増幅器の動作効率と実施の形態5に係る高周波電力増幅器の動作効率を示す比較表である。表1から分かるように、実施の形態5では従来技術に比べて動作効率が3%向上する。
Figure 0005655704
C1 キャパシタ(第1のキャパシタ)
C2 キャパシタ(第2のキャパシタ)
C3 キャパシタ(第3のキャパシタ)
L1 インダクタ
SW1 切り替え素子(第1の切り替え素子)
SW2 切り替え素子(第2の切り替え素子)
SW3 切り替え素子(第3の切り替え素子)
SW4 切り替え素子(第4の切り替え素子)
SW5 切り替え素子(第5の切り替え素子)
Tr1 トランジスタ(第1のトランジスタ)
Tr2 トランジスタ(第2のトランジスタ)
Tr3 トランジスタ(第3のトランジスタ)

Claims (6)

  1. 外部から入力された高周波信号を増幅する第1のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタの出力信号を増幅する第2のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタと並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する第3のトランジスタと、
    前記第1のトランジスタの出力と前記第2のトランジスタの入力との間に接続された第1の切り替え素子と、
    前記第3のトランジスタの出力と前記第1の切り替え素子との間に接続された第2の切り替え素子と、
    前記第1のトランジスタの出力及び前記第2の切り替え素子と前記第2のトランジスタの出力との間に直列に接続された第3及び第4の切り替え素子と、
    前記第3の切り替え素子と前記第4の切り替え素子との間に接続された第1のキャパシタとを備えることを特徴とする高周波電力増幅器。
  2. 前記第1のキャパシタの一端は、前記第3の切り替え素子と前記第4の切り替え素子の接続点に接続され、
    前記第1のキャパシタの他端は接地されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。
  3. 前記第1のキャパシタの一端は前記第3の切り替え素子に接続され、
    前記第1のキャパシタの他端は前記第4の切り替え素子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。
  4. 前記第3の切り替え素子と前記第4の切り替え素子との間において前記第1のキャパシタに直列に接続されたインダクタを更に備えることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の高周波電力増幅器。
  5. 前記第2のトランジスタの出力と前記第1のキャパシタとの間において前記第4の切り替え素子に並列に接続された第2のキャパシタを更に備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の高周波電力増幅器。
  6. 前記第2のトランジスタの出力と接地点との間に直列に接続された第5の切り替え素子及び第3のキャパシタを更に備えることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の高周波電力増幅器。
JP2011112224A 2011-05-19 2011-05-19 高周波電力増幅器 Active JP5655704B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011112224A JP5655704B2 (ja) 2011-05-19 2011-05-19 高周波電力増幅器
TW101110022A TWI474613B (zh) 2011-05-19 2012-03-23 高頻功率放大器
US13/428,580 US8519795B2 (en) 2011-05-19 2012-03-23 High frequency power amplifier
KR1020120049017A KR101347223B1 (ko) 2011-05-19 2012-05-09 고주파 전력 증폭기
CN201210155265.XA CN102790591B (zh) 2011-05-19 2012-05-18 高频功率放大器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011112224A JP5655704B2 (ja) 2011-05-19 2011-05-19 高周波電力増幅器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012244384A JP2012244384A (ja) 2012-12-10
JP5655704B2 true JP5655704B2 (ja) 2015-01-21

Family

ID=47155905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011112224A Active JP5655704B2 (ja) 2011-05-19 2011-05-19 高周波電力増幅器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8519795B2 (ja)
JP (1) JP5655704B2 (ja)
KR (1) KR101347223B1 (ja)
CN (1) CN102790591B (ja)
TW (1) TWI474613B (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8369805B2 (en) * 2010-06-07 2013-02-05 Skyworks Solutions, Inc. High linearity CMOS RF switch passing large signal and quiescent power amplifier current
JP2013197599A (ja) * 2012-03-15 2013-09-30 Mitsubishi Electric Corp 電力増幅器
JP6206698B2 (ja) * 2012-12-19 2017-10-04 株式会社村田製作所 電力増幅器
WO2014170955A1 (ja) * 2013-04-16 2014-10-23 三菱電機株式会社 高効率電力増幅器
JP5900756B2 (ja) * 2014-02-28 2016-04-06 株式会社村田製作所 電力増幅モジュール

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10032A (en) * 1853-09-20 Improvement in seed-planters
US6026A (en) * 1849-01-09 Cast-iron car-wheel
JP3444653B2 (ja) 1994-06-09 2003-09-08 三菱電機株式会社 電力増幅器
US5661434A (en) 1995-05-12 1997-08-26 Fujitsu Compound Semiconductor, Inc. High efficiency multiple power level amplifier circuit
JPH118560A (ja) * 1997-04-25 1999-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信出力制御回路及び送信出力制御方法
US6865399B2 (en) * 2000-10-26 2005-03-08 Renesas Technology Corp. Mobile telephone apparatus
JP2002271152A (ja) * 2001-03-08 2002-09-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅器及びこの電力増幅器を搭載した携帯電話機
JP3877558B2 (ja) * 2001-09-11 2007-02-07 株式会社ルネサステクノロジ 高周波電力増幅器、高周波電力増幅器モジュール及び携帯電話機
JP2003347942A (ja) 2002-05-28 2003-12-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信電力制御装置及び送信電力制御方法
KR100651159B1 (ko) * 2002-06-01 2006-11-29 김송강 고효율 전력 증폭기
JP2006270923A (ja) * 2005-02-25 2006-10-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電力増幅器およびポーラー変調システム
WO2007125895A1 (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Nec Corporation 増幅回路
CN101162928A (zh) 2006-10-13 2008-04-16 松下电器产业株式会社 高频功率放大器
JP2008118624A (ja) 2006-10-13 2008-05-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高周波電力増幅装置
TWI346449B (en) * 2007-08-16 2011-08-01 Ind Tech Res Inst Power amplifier circuit for multi-frequencies and multi-modes and method for operating the same
CN101478291A (zh) * 2008-10-24 2009-07-08 锐迪科微电子(上海)有限公司 射频功率放大器电路和射频功率放大方法
US8102205B2 (en) 2009-08-04 2012-01-24 Qualcomm, Incorporated Amplifier module with multiple operating modes
JP5397307B2 (ja) * 2010-04-26 2014-01-22 三菱電機株式会社 高周波電力増幅器
US8269561B1 (en) * 2011-05-10 2012-09-18 Samsung Electro-Mechanics Systems and methods for CMOS power amplifiers with power mode control

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120129767A (ko) 2012-11-28
JP2012244384A (ja) 2012-12-10
US20120293257A1 (en) 2012-11-22
KR101347223B1 (ko) 2014-01-03
US8519795B2 (en) 2013-08-27
TWI474613B (zh) 2015-02-21
CN102790591A (zh) 2012-11-21
CN102790591B (zh) 2016-03-30
TW201251310A (en) 2012-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5397307B2 (ja) 高周波電力増幅器
JP3423706B2 (ja) 多段増幅器
JP5655704B2 (ja) 高周波電力増幅器
US10483928B2 (en) Power amplification module
JP5812449B2 (ja) 電力増幅器およびその動作方法
WO2014087479A1 (ja) 高周波電力増幅器
JP5799767B2 (ja) 電力増幅器
JP2008118624A (ja) 高周波電力増幅装置
US8378744B2 (en) Multi-mode power amplifier
TWI710211B (zh) 功率放大模組
JP2007329669A (ja) 電力増幅装置
JP2013009249A (ja) 電力増幅器
US8860506B2 (en) Amplifying apparatus
TW201630332A (zh) 低雜訊放大器
JP2000183664A (ja) 高周波用電力増幅器
KR20160069376A (ko) 저잡음 증폭기 및 신호 분배기
Chang et al. 60 GHz CMOS power amplifier with Psat of 11.4 dBm and PAE of 15.8%
TWI542141B (zh) RF power amplifier
JP5578053B2 (ja) 電力増幅器
JP4421959B2 (ja) 高周波増幅回路
WO2014076797A1 (ja) 可変出力増幅器
JP2015115860A (ja) 高周波電力増幅装置及び無線通信装置
JP2012253675A (ja) 可変出力増幅器
JP2009010875A (ja) 差動増幅回路
JP2009272879A (ja) 増幅回路

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140312

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141021

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20141028

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20141110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5655704

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350