JP2012244384A - 高周波電力増幅器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】トランジスタTr1は、外部から入力された高周波信号を増幅する。トランジスタTr2は、トランジスタTr1の出力信号を増幅する。トランジスタTr3は、トランジスタTr1と並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する。トランジスタTr1の出力とトランジスタTr2の入力との間に切り替え素子SW1が接続されている。トランジスタTr3の出力と切り替え素子SW1との間に切り替え素子SW2が接続されている。トランジスタTr1の出力及び切り替え素子SW2とトランジスタTr2の出力との間に切り替え素子SW3,SW4が直列に接続されている。切り替え素子SW3と切り替え素子SW4との間にキャパシタC1が接続されている。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る高周波電力増幅器を示す図である。トランジスタTr1は、外部から入力された高周波信号を増幅する。トランジスタTr2は、トランジスタTr1の出力信号を増幅する。トランジスタTr3は、トランジスタTr1と並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する。
図2は、本発明の実施の形態2に係る高周波電力増幅器を示す図である。キャパシタC1の一端は切り替え素子SW3に接続され、キャパシタC1の他端は切り替え素子SW4に接続されている。即ち、プリマッチ回路において、キャパシタC1が直列に接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。
図3は、本発明の実施の形態3に係る高周波電力増幅器を示す図である。切り替え素子SW3と切り替え素子SW4との間において、キャパシタC1に直列にインダクタL1が接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。これにより、経路2及び経路3のインピーダンス整合の自由度が増し、トランジスタTr1,Tr3の動作効率を向上させることができる。
図4は、本発明の実施の形態4に係る高周波電力増幅器を示す図である。トランジスタTr2の出力とキャパシタC1との間において切り替え素子SW4に並列にキャパシタC2が接続されている。その他の構成は実施の形態1と同様である。このキャパシタC2は大電力出力動作時においてのみ作用するプリマッチ回路となるため、トランジスタTr2の飽和出力電力を向上させることができる。
図5は、本発明の実施の形態5に係る高周波電力増幅器を示す図である。トランジスタTr2の出力と接地点との間に切り替え素子SW5及びキャパシタC3が直列に接続されている。トランジスタTr2と第4の切り替え素子との間にインダクタL2が接続されている。その他の構成は実施の形態2と同様である。これにより、経路2及び経路3のインピーダンス整合を2段階に切り替えることができるため、トランジスタTr1の動作効率を向上させることができる。
C2 キャパシタ(第2のキャパシタ)
C3 キャパシタ(第3のキャパシタ)
L1 インダクタ
SW1 切り替え素子(第1の切り替え素子)
SW2 切り替え素子(第2の切り替え素子)
SW3 切り替え素子(第3の切り替え素子)
SW4 切り替え素子(第4の切り替え素子)
SW5 切り替え素子(第5の切り替え素子)
Tr1 トランジスタ(第1のトランジスタ)
Tr2 トランジスタ(第2のトランジスタ)
Tr3 トランジスタ(第3のトランジスタ)
Claims (6)
- 外部から入力された高周波信号を増幅する第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの出力信号を増幅する第2のトランジスタと、
前記第1のトランジスタと並列に接続され、外部から入力された高周波信号を増幅する第3のトランジスタと、
前記第1のトランジスタの出力と前記第2のトランジスタの入力との間に接続された第1の切り替え素子と、
前記第3のトランジスタの出力と前記第1の切り替え素子との間に接続された第2の切り替え素子と、
前記第1のトランジスタの出力及び前記第2の切り替え素子と前記第2のトランジスタの出力との間に直列に接続された第3及び第4の切り替え素子と、
前記第3の切り替え素子と前記第4の切り替え素子との間に接続された第1のキャパシタとを備えることを特徴とする高周波電力増幅器。 - 前記第1のキャパシタの一端は、前記第3の切り替え素子と前記第4の切り替え素子の接続点に接続され、
前記第1のキャパシタの他端は接地されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記第1のキャパシタの一端は前記第3の切り替え素子に接続され、
前記第1のキャパシタの他端は前記第4の切り替え素子に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の高周波電力増幅器。 - 前記第3の切り替え素子と前記第4の切り替え素子との間において前記第1のキャパシタに直列に接続されたインダクタを更に備えることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の高周波電力増幅器。
- 前記第2のトランジスタの出力と前記第1のキャパシタとの間において前記第4の切り替え素子に並列に接続された第2のキャパシタを更に備えることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の高周波電力増幅器。
- 前記第2のトランジスタの出力と接地点との間に直列に接続された第5の切り替え素子及び第3のキャパシタを更に備えることを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の高周波電力増幅器。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011112224A JP5655704B2 (ja) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | 高周波電力増幅器 |
TW101110022A TWI474613B (zh) | 2011-05-19 | 2012-03-23 | 高頻功率放大器 |
US13/428,580 US8519795B2 (en) | 2011-05-19 | 2012-03-23 | High frequency power amplifier |
KR1020120049017A KR101347223B1 (ko) | 2011-05-19 | 2012-05-09 | 고주파 전력 증폭기 |
CN201210155265.XA CN102790591B (zh) | 2011-05-19 | 2012-05-18 | 高频功率放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011112224A JP5655704B2 (ja) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | 高周波電力増幅器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012244384A true JP2012244384A (ja) | 2012-12-10 |
JP5655704B2 JP5655704B2 (ja) | 2015-01-21 |
Family
ID=47155905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011112224A Active JP5655704B2 (ja) | 2011-05-19 | 2011-05-19 | 高周波電力増幅器 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8519795B2 (ja) |
JP (1) | JP5655704B2 (ja) |
KR (1) | KR101347223B1 (ja) |
CN (1) | CN102790591B (ja) |
TW (1) | TWI474613B (ja) |
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- 2011-05-19 JP JP2011112224A patent/JP5655704B2/ja active Active
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2012
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- 2012-05-09 KR KR1020120049017A patent/KR101347223B1/ko active IP Right Grant
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US20120293257A1 (en) | 2012-11-22 |
CN102790591A (zh) | 2012-11-21 |
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CN102790591B (zh) | 2016-03-30 |
TWI474613B (zh) | 2015-02-21 |
KR20120129767A (ko) | 2012-11-28 |
JP5655704B2 (ja) | 2015-01-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140312 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141021 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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