JP5652504B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
前記発光素子は有機EL発光素子である。
前記同じ導体層は、Al配線層である。
前記異なる層は、Mo配線層である。
前記第1の配線は、各画素に対して映像信号を供給する配線を含み、
前記第2の配線は、各画素に対して制御信号を供給する配線と各画素に電源電圧を供給する配線とを含むことができる。
前記別の配線は、前記第2の配線に含まれる、前記各画素に対して制御信号を供給する配線と、前記各画素に電源電圧を供給する配線との両方を横切ることができる。
本開示の一側面の表示装置の製造方法は、少なくともサンプリングトランジスタと、ドライブトランジスタと、保持容量と、発光素子と含む画素を複数備え、前記各画素内には、第1の方向に延在する第1の配線と、第2の方向に延在する第2の配線とが同じ導体層で形成され、前記第1の配線は、第1配線部と第2配線部とに間隔を空けて分割されるように形成され、前記第1配線部と前記第2配線部とは、前記導体層と異なる層に設けられた別の配線を介して相互に接続されており、前記第2の配線は、前記間隔を通って、前記第1の配線を横切るように形成されており、前記別の配線は、前記第2の配線を横切り、かつ前記間隔を避けるように配され、前記第1の配線および前記第2の配線の一方は、各画素に対して電源電圧を供給する配線を含み、前記第1の配線および前記第2の配線の他方は、各画素に対して映像信号を供給する配線を含む画素アレイ部を製造するアレイ部製造工程と、前記各画素内のいずれかの画素の前記間隔において、前記第1の配線と前記第2の配線との間に短絡部が生じている場合に、前記短絡部を切断する修復工程とを含む。
前記修復工程においては、前記短絡部にレーザを照射することで前記短絡部を切断することができる。
前記修復工程においては、前記別の配線を切断しないように前記短絡部を切断することができる。
前記修復工程においては、前記別の配線を切断しないように前記別の配線を避けて前記レーザを照射することができる。
Ids=kμ(Vgs−Vth)2=kμ(Vsig−ΔV)2
上記式において、k=(1/2)(W/L)Coxである。ここでWはドライブトランジスタのチャネル幅、Lは同じくチャネル長、Coxは同じく単位面積あたりのゲート容量を表している。この特性式からVthの項がキャンセルされており、発光素子ELに供給される出力電流IdsはドライブトランジスタTrdの閾電圧Vthに依存しない事が分かる。基本的にドレイン電流Idsは映像信号の信号電圧Vsigによって決まる。換言すると、発光素子ELは映像信号Vsigに応じた輝度で発光する事になる。その際Vsigは帰還量ΔVで補正されている。この補正量ΔVは丁度特性式5の係数部に位置する移動度μの効果を打ち消すように働く。したがって、ドレイン電流Idsは実質的に映像信号Vsigのみに依存する事になる。
Claims (13)
- 少なくともサンプリングトランジスタと、ドライブトランジスタと、保持容量と、発光素子と含む画素を複数備え、
前記サンプリングトランジスタは、そのゲート電極に供給される制御信号に応じてオンし、映像信号をサンプリングして前記保持容量に書き込み、
前記ドライブトランジスタは、前記保持容量に書き込まれた映像信号に応じた駆動電流を前記発光素子に供給する表示装置であって、
前記各画素内には、第1の方向に延在する第1の配線と、第2の方向に延在する第2の配線とが同じ導体層で形成され、
前記第1の配線は、第1配線部と第2配線部とに間隔を空けて分割されてなり、前記第1配線部と前記第2配線部とは、前記導体層と異なる層に設けられた別の配線を介して相互に接続されており、
前記第2の配線は、前記間隔を通って、前記第1の配線を横切るように形成されており、
前記別の配線は、前記第2の配線を横切り、かつ前記間隔を避けるように配され、
前記第1の配線および前記第2の配線の一方は、各画素に対して電源電圧を供給する配線を含み、
前記第1の配線および前記第2の配線の他方は、各画素に対して映像信号を供給する配線を含む
表示装置。 - 前記第1の配線および前記第2の配線の一方は、各画素に対して制御信号を供給する配線と各画素に電源電圧を供給する配線を含み、
少なくとも、電源電圧を供給する配線と映像信号を供給する配線が同じ導体層で形成されている
請求項1に記載の表示装置。 - 各画素は、前記ドライブトランジスタの閾電圧の影響をキャンセルする閾電圧補正機能を有する
請求項1に記載の表示装置。 - 各画素は、前記ドライブトランジスタの移動度の影響をキャンセルする移動度補正機能を有する
請求項1に記載の表示装置。 - 前記発光素子は有機EL発光素子である
請求項1乃至4のいずれかに記載の表示装置。 - 前記同じ導体層は、Al配線層である
請求項1乃至5のいずれかに記載の表示装置。 - 前記異なる層は、Mo配線層である
請求項1乃至6のいずれかに記載の表示装置。 - 前記第1の配線は、各画素に対して映像信号を供給する配線を含み、
前記第2の配線は、各画素に対して制御信号を供給する配線と各画素に電源電圧を供給する配線とを含む
請求項1に記載の表示装置。 - 前記別の配線は、前記第2の配線に含まれる、前記各画素に対して制御信号を供給する配線と、前記各画素に電源電圧を供給する配線との両方を横切る
請求項8に記載の表示装置。 - 少なくともサンプリングトランジスタと、ドライブトランジスタと、保持容量と、発光素子と含む画素を複数備え、
前記各画素内には、第1の方向に延在する第1の配線と、第2の方向に延在する第2の配線とが同じ導体層で形成され、
前記第1の配線は、第1配線部と第2配線部とに間隔を空けて分割されるように形成され、
前記第1配線部と前記第2配線部とは、前記導体層と異なる層に設けられた別の配線を介して相互に接続されており、
前記第2の配線は、前記間隔を通って、前記第1の配線を横切るように形成されており、
前記別の配線は、前記第2の配線を横切り、かつ前記間隔を避けるように配され、
前記第1の配線および前記第2の配線の一方は、各画素に対して電源電圧を供給する配線を含み、
前記第1の配線および前記第2の配線の他方は、各画素に対して映像信号を供給する配線を含む画素アレイ部を製造するアレイ部製造工程と、
前記各画素内のいずれかの画素の前記間隔において、前記第1の配線と前記第2の配線との間に短絡部が生じている場合に、前記短絡部を切断する修復工程と
を含む表示装置の製造方法。 - 前記修復工程においては、前記短絡部にレーザを照射することで前記短絡部を切断する
請求項10に記載の表示装置の製造方法。 - 前記修復工程においては、前記別の配線を切断しないように前記短絡部を切断する
請求項10または11に記載の表示装置の製造方法。 - 前記修復工程においては、前記別の配線を切断しないように前記別の配線を避けて前記レーザを照射する
請求項11に記載の表示装置の製造方法。
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