JP4274151B2 - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents
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Description
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記基板と前記第1電極との間に配置された保持容量をさらに有し、前記保持容量は、第1容量電極と、第1絶縁膜と、第2容量電極と、がこの順に前記基板側から配置されてなり、前記第1容量電極、前記第1絶縁膜及び前記第2容量電極は、平面視において前記第1画素表示部の全面積を覆っており、前記反射部は前記第2容量電極を兼ねていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、バンクによって区画され、前記第1画素表示部と隣り合う第2画素表示部と、前記第1電極に供給される電流のオン・オフを制御する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極に電気的に接続された第2トランジスタと、をさらに有し、前記第1及び第2トランジスタは前記第1画素表示部と前記第2画素表示部との間に、平面視において前記第1画素表示部及び前記第2画素表示部と重ならないように配置されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記保持容量は、前記第1容量電極と前記基板との間に、前記第1容量電極側から第2絶縁膜と、第3容量電極と、をさらに有し、前記第2絶縁膜及び前記第3容量電極は、平面視において前記第1画素表示部の全面積を覆う幅を有し、前記第1画素表示部は、前記第3容量電極及び前記第2絶縁膜と平面視において重なる領域内に配置されていることを特徴とする。
また、本発明の参考例に係る電気光学装置は、前記金属部は前記第1電極と接していることを特徴とする。
また、本発明の参考例に係る電気光学装置は、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、をさらに有し、前記走査線は第1金属層によって形成されており、前記金属部及び前記信号線は第2金属層によって形成されていることを特徴とする。
また、本発明の参考例に係る電気光学装置は、前記第2容量電極は前記第1金属層によって形成されていることを特徴とする。
また、本発明の参考例に係る電気光学装置は、走査線と、前記走査線と交差する信号線と、をさらに有し、前記走査線は前記第1金属層で形成された第1部分と、前記第2金属層で形成された第2部分とを備え、前記信号線及び前記金属部は第2金属層により形成されており、前記第1部分は前記信号線と前記走査線とが平面視において交差する位置に配置されていることを特徴とする。
また、本発明の参考例に係る電気光学装置は、前記第2容量電極は前記第1金属層によって形成されていることを特徴とする。
また、本発明の参考例に係る電気光学装置は、前記第1トランジスタの前記ゲート電極及び前記第1容量電極は第1金属層によって形成されていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
本発明の参考例に係る電気光学装置は、第1電極と、第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、前記第1電極に電源を供給する電源線と、前記電源線と前記第1電極との間の電流を制御するスイッチング素子とを有する電気光学装置であって、前記第1電極の少なくとも一部と前記電源線とが重なっていることを特徴とする。
〔第1の実施形態〕
本発明の電気光学装置の第1の実施形態として、電気光学物質の一例である電界発光型物質、中でも有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を用いたEL表示装置について説明する。図1は本実施形態に係るEL表示装置の等価回路および配線構造を示す模式図である。
〔第2の実施形態〕
次に本発明の電気光学装置の第2の実施形態としてのEL表示装置1について説明する。本実施形態は、第1の実施形態と同様に第2金属層で反射面を設けるが、電源線103を第1金属層で構成する点が異なっている。そしてその他は同一の構成を備えるものである。そこで、以下では共通部分の説明は同一の符号を付して省略する。
〔第3の実施形態〕
以下、第1または第2の実施形態のEL表示装置を備えた電子機器の具体例について図14に基づき説明する。
R、G、B 表示領域
1 EL表示装置(電気光学装置)
11 回路部(回路層)
20 基板
23 陽極(第1電極)
26 画素表示部
50 陰極(第2電極)
60 有機EL層(発光層)
101 走査線
102 信号線
103 電源線
110 機能層(発光層)
112 スイッチング用TFT(スイッチング素子)
113 保持容量(静電容量)
123 駆動用TFT(スイッチング素子)
150 コンデンサ電極
151 反射部
Claims (5)
- 光透過性を有する第1電極と、
光透過性を有する第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられた発光層と、
前記第1電極の前記発光層とは反対側に配置された基板と、
前記基板と前記第1電極との間に配置され、前記発光層から放射される光を反射する反射部と、
前記第1電極と電気的に接続された電源線と、
前記発光層から放射される前記光が取り出される第1画素表示部と、
を備え、
前記電源線は平面視において前記第1画素表示部の全面積を覆っており、
前記反射部は前記電源線の一部であることを特徴とする電気光学装置。 - 前記基板と前記第1電極との間に配置された保持容量をさらに有し、
前記保持容量は、第1容量電極と、第1絶縁膜と、第2容量電極と、がこの順に前記基板側から配置されてなり、
前記第1容量電極、前記第1絶縁膜及び前記第2容量電極は、平面視において前記第1画素表示部の全面積を覆っており、
前記反射部は前記第2容量電極を兼ねていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。 - バンクによって区画され、前記第1画素表示部と隣り合う第2画素表示部と、
前記第1電極に供給される電流のオン・オフを制御する第1トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極に電気的に接続された第2トランジスタと、
をさらに有し、
前記第1及び第2トランジスタは前記第1画素表示部と前記第2画素表示部との間に、平面視において前記第1画素表示部及び前記第2画素表示部と重ならないように配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記保持容量は、前記第1容量電極と前記基板との間に、前記第1容量電極側から第2絶縁膜と、第3容量電極と、をさらに有し、
前記第2絶縁膜及び前記第3容量電極は、平面視において前記第1画素表示部の全面積を覆う幅を有し、
前記第1画素表示部は、前記第3容量電極及び前記第2絶縁膜と平面視において重なる領域内に配置されていることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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