JP5647945B2 - Insulating resin composition for circuit board, insulating sheet for circuit board, laminated board for circuit board, and metal base circuit board - Google Patents

Description

本発明は、回路基板用絶縁樹脂組成物、該組成物を用いて形成された回路基板用絶縁シート、並びに、該絶縁シートを具備する回路基板用積層板及び金属ベース回路基板に関する。   The present invention relates to an insulating resin composition for a circuit board, an insulating sheet for a circuit board formed using the composition, a laminated board for a circuit board and a metal base circuit board provided with the insulating sheet.

近年のエレクトロニクス技術の発達は目覚ましく、電気電子機器の高性能化及び小型化は急速に進行している。これに伴い、電気素子及び/又は電子素子を実装した部品の発熱量は益々大きくなっている。このような背景のもと、典型的にはＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）及びＩＧＢＴ（insulated-gate bipolar transistor）などの所謂パワーデバイスを搭載する金属ベース回路基板には、十分な耐熱性に加え、優れた放熱性が求められている。   In recent years, the development of electronics technology has been remarkable, and the performance and miniaturization of electrical and electronic equipment are rapidly progressing. Along with this, the amount of heat generated by components mounted with electrical elements and / or electronic elements is increasing. Under such circumstances, a metal base circuit board on which so-called power devices such as a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) and an IGBT (insulated-gate bipolar transistor) are typically mounted is sufficient. In addition to heat resistance, excellent heat dissipation is required.

金属ベース回路基板は、金属基板上に絶縁層と回路パターンとがこの順に積層された構造を有している。金属ベース回路基板の放熱性を高めるために、この絶縁層の母材となる樹脂にアルミナ粉末、マグネシア粉末、窒化硼素粉末などの高熱伝導率で電気絶縁性の無機粉末を含有させて放熱性を高めるための種々の試みがなされている。例えば、無溶剤系の絶縁樹脂組成物からなる絶縁層については、例えば、特許文献１が挙げられる。   The metal base circuit board has a structure in which an insulating layer and a circuit pattern are laminated in this order on a metal board. In order to enhance the heat dissipation of the metal base circuit board, the resin used as the base material of this insulating layer is made to contain heat-insulating inorganic powder with high thermal conductivity such as alumina powder, magnesia powder, boron nitride powder, etc. Various attempts have been made to increase it. For example, for an insulating layer made of a solventless insulating resin composition, for example, Patent Document 1 can be cited.

しかしながら、無機粉末を例えば５０体積％以上の割合で高充填させると気泡を巻き込みやすくなる。特に溶剤を用いて樹脂へ無機充填材を高充填してなる絶縁樹脂組成物においては、溶液粘度が高くなり気泡を巻き込みやすく、巻き込んだ気泡が抜けにくい状態にあるため、高密度の塗膜が得られないという問題がある。更に、窒化硼素の２次凝集粒子のように粒子自体が気孔を有する無機充填材を用いる場合にはその問題が顕著となり、そのような絶縁樹脂組成物を用いて絶縁層を形成しても金属ベース回路基板の絶縁層として十分な絶縁性は得られない。   However, when the inorganic powder is highly filled at a ratio of, for example, 50% by volume or more, bubbles are easily involved. In particular, in an insulating resin composition obtained by highly filling a resin with an inorganic filler using a solvent, the solution viscosity becomes high and air bubbles are easily involved. There is a problem that it cannot be obtained. Furthermore, when an inorganic filler having pores such as secondary agglomerated particles of boron nitride is used, the problem becomes significant. Even if an insulating layer is formed using such an insulating resin composition, the metal is Insulation sufficient for the insulating layer of the base circuit board cannot be obtained.

特許第２５２０９８８号公報Japanese Patent No. 2520988

本発明の目的は、溶剤を用いて樹脂に無機充填材を高充填してなる絶縁樹脂組成物であって、高密度な塗膜を形成することができ、放熱性及び絶縁性に優れた絶縁シートを形成することが可能な回路基板用絶縁樹脂組成物を提供することにある。   An object of the present invention is an insulating resin composition obtained by highly filling a resin with an inorganic filler using a solvent, which can form a high-density coating film and has excellent heat dissipation and insulating properties. An object of the present invention is to provide an insulating resin composition for a circuit board capable of forming a sheet.

また、本発明の目的は、該絶縁樹脂組成物を用いて形成された絶縁シートを具備する絶縁性及び放熱性に優れた回路基板用積層板、及びこの回路基板用積層板から製造される金属ベース回路基板を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a laminated board for a circuit board having an insulating sheet formed by using the insulating resin composition and having excellent insulation and heat dissipation, and a metal produced from the laminated board for a circuit board. It is to provide a base circuit board.

本発明の第１側面によると、樹脂と該樹脂に対し５０体積％以上の無機充填材と溶剤を含有してなり、前記無機充填材として、六方晶系窒化硼素の一次粒子が凝集した二次凝集粒子を含む第一の無機粉末と、平均粒子径が２μｍ以下の微粒子からなる第二の無機粉末を含有する回路基板用絶縁樹脂組成物が提供される。   According to the first aspect of the present invention, a secondary material in which primary particles of hexagonal boron nitride are aggregated as the inorganic filler, comprising a resin, 50% by volume or more of an inorganic filler and a solvent with respect to the resin. There is provided an insulating resin composition for a circuit board containing a first inorganic powder containing aggregated particles and a second inorganic powder comprising fine particles having an average particle diameter of 2 μm or less.

本発明において、第一の無機粉末の平均粒子径は、例えば、５〜１００μｍの範囲である。
また、本発明において、第二の無機粉末の含有率は、第一の無機粉末を基準として、例えば５質量％以上である。
また、本発明において、第二の無機粉末は、例えば、六方晶窒化硼素の一次粒子である。
また、本発明において、第一の無機粉末として、例えば、窒化硼素の二次凝集粒子と共に、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及び酸化ケイ素から選択される少なくとも１種を含有する。 In the present invention, the average particle diameter of the first inorganic powder is, for example, in the range of 5 to 100 μm.
In the present invention, the content of the second inorganic powder is, for example, 5% by mass or more based on the first inorganic powder.
In the present invention, the second inorganic powder is, for example, primary particles of hexagonal boron nitride.
In the present invention, the first inorganic powder contains, for example, at least one selected from aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, and silicon oxide together with secondary agglomerated particles of boron nitride.

本発明の第２側面によると、第１側面に係る回路基板用絶縁樹脂組成物を用いて形成された絶縁シートが提供される。   According to the 2nd side surface of this invention, the insulating sheet formed using the insulating resin composition for circuit boards which concerns on a 1st side surface is provided.

本発明の第３側面によると、金属基板と、該基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた金属箔とを具備し、前記絶縁層が第１側面に係る組成物を用いて形成された回路基板用積層板が提供される。   According to a third aspect of the present invention, the composition comprises a metal substrate, an insulating layer provided on the substrate, and a metal foil provided on the insulating layer, the insulating layer according to the first aspect. A laminated board for a circuit board formed using the above is provided.

本発明の第４側面によると、第３側面に係る回路基板用積層板の金属箔をパターニングすることによって得られる金属ベース回路基板が提供される。   According to the 4th side surface of this invention, the metal base circuit board obtained by patterning the metal foil of the laminated board for circuit boards which concerns on a 3rd side surface is provided.

本発明によると、放熱性及び絶縁性に優れた金属ベース回路基板の実現に有利な技術が提供される。   According to the present invention, a technique advantageous for realizing a metal base circuit board excellent in heat dissipation and insulation is provided.

本発明の一態様に係る回路基板用積層板を概略的に示す斜視図。The perspective view which shows schematically the laminated board for circuit boards which concerns on 1 aspect of this invention. 図１に示す回路基板用積層板のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図。Sectional drawing along the II-II line of the laminated board for circuit boards shown in FIG. 図１及び図２に示す回路基板用積層板から得られる金属ベース回路基板の一例を概略的に示す断面図。Sectional drawing which shows roughly an example of the metal base circuit board obtained from the laminated board for circuit boards shown in FIG.1 and FIG.2. 凝集ＢＮに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の密度に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for the aggregation BN has on the density of an insulating layer according to the average particle diameter of the fine powder BN. 凝集ＢＮに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の気孔率に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for the aggregation BN has on the porosity of an insulating layer according to the average particle diameter of the fine powder BN. 凝集ＢＮに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の耐電圧に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for the aggregation BN has on the withstand voltage of an insulating layer according to the average particle diameter of the fine powder BN. 凝集ＢＮ及び酸化アルミナに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の熱抵抗に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for the aggregation BN and the alumina oxide has on the thermal resistance of an insulating layer according to the average particle diameter of the fine powder BN. 凝集ＢＮ及び酸化アルミナに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の密度に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for aggregation BN and an alumina oxide has on the density of an insulating layer according to the average particle diameter of the fine powder BN. 凝集ＢＮ及び酸化アルミナに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の気孔率に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for aggregation BN and an alumina oxide has on the porosity of an insulating layer according to the average particle diameter of fine powder BN. 凝集ＢＮ及び酸化アルミナに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の耐電圧に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for the aggregation BN and the alumina oxide has on the withstand voltage of an insulating layer according to the average particle diameter of the fine powder BN. 凝集ＢＮ及び酸化アルミナに占める微粉ＢＮの割合が絶縁層の熱抵抗に及ぼす影響の例を微粉ＢＮの平均粒子径に応じて示すグラフ。The graph which shows the example of the influence which the ratio of the fine powder BN which occupies for the aggregation BN and the alumina oxide has on the thermal resistance of an insulating layer according to the average particle diameter of the fine powder BN. 本発明の一形態に係る組成物を用いて形成された絶縁シートの断面を示す、図面に代わるＳＥＭ写真。The SEM photograph which replaces drawing which shows the cross section of the insulating sheet formed using the composition which concerns on one form of this invention.

以下、本発明の態様について図面を参照しながら詳細に説明する。
上記の通り、金属ベース回路基板の放熱性を高めるために、絶縁層を形成する絶縁樹脂組成物において、母材となる樹脂に高熱伝導率で電気絶縁性の無機粉末を含有させる技術が周知であるが、特に溶剤を用いて樹脂へ無機粉末を高充填してなる組成物から得られる塗膜は気泡が残存して高密度化が困難であり、金属ベース回路基板用絶縁層として十分な絶縁性と放熱性を得ることが困難であった。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
As described above, in order to improve the heat dissipation of the metal base circuit board, in the insulating resin composition for forming the insulating layer, a technique for containing an electrically insulating inorganic powder with high thermal conductivity in the resin as a base material is well known. However, a coating film obtained from a composition obtained by highly filling a resin with an inorganic powder using a solvent is particularly difficult to increase in density due to bubbles remaining, and is sufficient as an insulating layer for a metal base circuit board. It was difficult to obtain the heat and heat dissipation.

本発明に係る回路基板用絶縁樹脂組成物は、溶剤を用いて樹脂に無機粉末を５０体積％以上の割合で高充填してなる溶剤系液状組成物であるが、以下に詳述するように、無機充填材として、窒化硼素の二次凝集粒子を含む特定の平均粒子径を有する第一の無機粉末と、特定の平均粒子径を有する第二の無機粉末を第一の無機粉末に対し特定割合で含有することを特徴とするものである。   The insulating resin composition for a circuit board according to the present invention is a solvent-based liquid composition obtained by highly filling a resin with an inorganic powder at a ratio of 50% by volume or more using a solvent, as described in detail below. As the inorganic filler, a first inorganic powder having a specific average particle size including secondary aggregated particles of boron nitride and a second inorganic powder having a specific average particle size are specified with respect to the first inorganic powder. It contains by the ratio.

図１及び図２に示す回路基板用積層板１は、金属基板２と、絶縁層３と、金属箔４とを含んでいる。なお、図１及び図２において、Ｘ及びＹ方向は金属基板２の主面に平行であり且つ互いに直交する方向であり、Ｚ方向はＸ及びＹ方向に対して垂直な厚さ方向である。図１には、一例として矩形上の回路基板用積層板１を用いているが、回路基板用積層板１は他の形状を有していてもよい。   A circuit board laminate 1 shown in FIGS. 1 and 2 includes a metal substrate 2, an insulating layer 3, and a metal foil 4. 1 and 2, the X and Y directions are parallel to the main surface of the metal substrate 2 and perpendicular to each other, and the Z direction is a thickness direction perpendicular to the X and Y directions. In FIG. 1, a rectangular circuit board laminate 1 is used as an example, but the circuit board laminate 1 may have other shapes.

金属基板２は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属基板２の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、アルミニウム合金、又はステンレスを使用することができる。金属基板２は、炭素などの非金属を更に含んでいてもよい。例えば、金属基板２は、炭素と複合化したアルミニウムを含んでいてもよい。また、金属基板２は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。   The metal substrate 2 is made of, for example, a single metal or an alloy. As a material of the metal substrate 2, for example, aluminum, iron, copper, an aluminum alloy, or stainless steel can be used. The metal substrate 2 may further contain a nonmetal such as carbon. For example, the metal substrate 2 may contain aluminum combined with carbon. Moreover, the metal substrate 2 may have a single layer structure or a multilayer structure.

金属基板２は、高い熱伝導率を有している。典型的には、金属基板２は、６０Ｗ・ｍ^−１・Ｋ^−１以上の熱伝導率を有している。
金属基板２は、可撓性を有していてもよく、可撓性を有していなくてもよい。金属基板２の厚さは、例えば、０．２−５ｍｍの範囲内にある。 The metal substrate 2 has a high thermal conductivity. Typically, the metal substrate 2 has a thermal conductivity of 60 W · m ⁻¹ · K ⁻¹ or more.
The metal substrate 2 may have flexibility or may not have flexibility. The thickness of the metal substrate 2 is in the range of 0.2-5 mm, for example.

絶縁層３は、金属基板２上に設けられ、本発明に係る絶縁樹脂組成物（以下、「本発明の組成物」などともいう。）を用いて形成される。   The insulating layer 3 is provided on the metal substrate 2 and is formed using the insulating resin composition according to the present invention (hereinafter also referred to as “the composition of the present invention”).

本発明の組成物に含有される無機充填材の割合は、樹脂を基準として５０体積％以上である。その上限値は特に限定されるものではないが、組成物の粘性が上昇すると製造工程上、無機充填材の分散工程で気泡を巻き込み易く、その後の脱泡工程で抜けにくい状態となるため、無機充填材の割合は、例えば５０〜８５体積％の範囲内とする。   The ratio of the inorganic filler contained in the composition of the present invention is 50% by volume or more based on the resin. The upper limit is not particularly limited, but when the viscosity of the composition is increased, it is easy to entrain air bubbles in the dispersion process of the inorganic filler in the manufacturing process, and it is difficult to escape in the subsequent defoaming process. The ratio of the filler is, for example, in the range of 50 to 85% by volume.

本発明の組成物は、無機充填材として、平均粒子径の異なる第一の無機粉末と第二の無機粉末とを含有する。すなわち、平均粒子径が２μｍ以下の微粒子からなる第二の無機粉末と、第二の無機粒子よりも平均粒子径が大きい第二の無機粉末であって、少なくとも六方晶系窒化硼素（「ｈＢＮ」）の一次粒子が凝集した二次凝集粒子（「凝集ＢＮ」）を含む第一の無機粉末とを含有する。このように平均粒子径の異なる２種の無機粉末を併用することにより、平均粒子径の大きい第一の無機粉末の間を平均粒子径が２μｍ以下の微粒子からなる第二の無機粒子が分散することにより、樹脂と溶媒のみでは埋めきれない第一の無機粉末により形成される気孔率を減少させることが可能となる。   The composition of this invention contains the 1st inorganic powder and 2nd inorganic powder from which average particle diameter differs as an inorganic filler. That is, a second inorganic powder composed of fine particles having an average particle diameter of 2 μm or less, and a second inorganic powder having an average particle diameter larger than that of the second inorganic particle, and at least hexagonal boron nitride (“hBN”) ) Primary inorganic powder containing secondary aggregated particles (“aggregated BN”) in which primary particles are aggregated. Thus, by using together two kinds of inorganic powders having different average particle diameters, the second inorganic particles composed of fine particles having an average particle diameter of 2 μm or less are dispersed between the first inorganic powders having a large average particle diameter. Thus, the porosity formed by the first inorganic powder that cannot be filled with only the resin and the solvent can be reduced.

ここで、平均粒子径とは、体積基準で粒度分布を求め、全体積を１００％とした累積カーブにおいて、その累積カーブが５０％となる点の粒径である、体積基準累積５０％径（Ｄ５０）を意味する。粒径の測定は、平均粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以下の場合は光透過式遠心沈降法により測定され、１μｍを超える場合はレーザー回折・散乱法により測定される。   Here, the average particle diameter is a particle diameter at a point at which the cumulative curve is 50% in a cumulative curve obtained by obtaining a particle size distribution on a volume basis and setting the total volume to 100%. D50). The particle size is measured by the light transmission centrifugal sedimentation method when the average particle size (D50) is 1 μm or less, and is measured by the laser diffraction / scattering method when it exceeds 1 μm.

第二の無機粉末は、先に述べた通り、平均粒子径が２μｍ以下の微粒子からなる。この平均粒子径が２μｍよりも大きいとサイズ的に凝集体の内部に入り込めず充填できなくなるため気孔が少ない絶縁層を得ることが難しく、高密度であり且つ優れた放熱性と絶縁性を達成することは困難である。好ましくは、第二の無機粉末の平均粒子径は０．０１〜２μｍであり、より好ましくは０．１〜１μｍである。   As described above, the second inorganic powder is composed of fine particles having an average particle diameter of 2 μm or less. If this average particle diameter is larger than 2 μm, it is difficult to obtain an insulating layer with few pores because it cannot enter the inside of the aggregate due to its size, and it is difficult to obtain an insulating layer with low porosity, achieving high heat dissipation and insulating properties. It is difficult to do. Preferably, the average particle diameter of the second inorganic powder is 0.01 to 2 μm, more preferably 0.1 to 1 μm.

第二の無機粉末の好ましい含有率は、第一の無機粉末の平均粒子径や含有率等により変動するものであり一義的に決定できるものではないが、典型的には、第一の無機粉末を基準として５質量％以上であることが好ましく、より好ましくは５〜７５質量％である。第二の無機粉末の含有率が過剰に低いと平均粒子径の異なる第一と第二の無機粉末を併用することによる効果が十分得られない。一方、第二の無機粉末の含有率が過剰に高いと放熱性が悪くなる場合がある。   The preferred content of the second inorganic powder varies depending on the average particle size, content, etc. of the first inorganic powder and cannot be determined uniquely, but typically the first inorganic powder Is preferably 5% by mass or more, more preferably 5 to 75% by mass. If the content of the second inorganic powder is excessively low, the effect of using the first and second inorganic powders having different average particle diameters in combination cannot be obtained sufficiently. On the other hand, if the content of the second inorganic powder is excessively high, the heat dissipation may be deteriorated.

第二の無機粉末としては、高熱伝導率で電気絶縁性の無機微粒子を使用することができ、例えば、六方晶系窒化硼素、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、窒化ケイ素等が挙げられる。
本発明において用い得る六方晶系窒化硼素は、常法により得られる粒子形状が概して鱗片状の六方晶系窒化硼素（以下、「一次粒子」という。）である。 As the second inorganic powder, inorganic particles having high thermal conductivity and electrical insulation can be used. For example, hexagonal boron nitride, aluminum oxide, silicon oxide, magnesium oxide, zinc oxide, aluminum nitride, silicon nitride Etc.
The hexagonal boron nitride that can be used in the present invention is hexagonal boron nitride (hereinafter referred to as “primary particles”) having a generally scaly particle shape obtained by a conventional method.

第一の無機粉末は、先に述べた通り、少なくとも六方晶系窒化硼素の一次粒子が凝集した二次凝集粒子を含む。二次凝集粒子の凝集形態は、特に限定されるものではなく、例えば、ファンデルワールス力、静電気力、吸着水分等に起因して凝集したものであってもよく、あるいは、凝集剤を用いて凝集したものや、混合造粒、押出造粒、噴霧乾燥などにより凝集されたものであってもよく、さらには、製造工程において生ずるＢ₂Ｏ₃等の不純物が粒界に固着して凝集した形態であってもよい。 As described above, the first inorganic powder includes secondary aggregated particles in which primary particles of at least hexagonal boron nitride are aggregated. The agglomeration form of the secondary agglomerated particles is not particularly limited, and may be agglomerated due to van der Waals force, electrostatic force, adsorbed moisture, etc. It may be agglomerated or agglomerated by mixed granulation, extrusion granulation, spray drying, etc. Furthermore, impurities such as B ₂ O ₃ generated in the production process adhere to the grain boundaries and agglomerate. Form may be sufficient.

第一の無機粉末は、上記ｈＢＮが凝集した二次凝集粒子（凝集ＢＮ）の１種からなってもよいし、凝集ＢＮと他の無機粉末との混合物であってもよい。他の無機粉末としては、例えば酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及び酸化ケイ素から選択される少なくとも１種との混合物であってもよい。混合物である場合、凝集ＢＮの配合率は、特に限定されるものではないが、例えば、第一の無機粉末を基準として１０〜９０体積％の範囲である。   The first inorganic powder may be composed of one kind of secondary aggregated particles (aggregated BN) in which hBN is aggregated, or may be a mixture of aggregated BN and other inorganic powders. Other inorganic powders may be, for example, a mixture with at least one selected from aluminum oxide, aluminum nitride, silicon nitride, and silicon oxide. In the case of a mixture, the blending ratio of aggregated BN is not particularly limited, but is, for example, in the range of 10 to 90% by volume based on the first inorganic powder.

第一の無機粉末の平均粒子径は、第二の無機粉末の粒径や凝集度などに依存するものであり、特に限定されるものではないが、少なくとも第一の無機粉末の粒子径は成形する絶縁シート（絶縁層）の厚さ未満であることが要求される。第一の無機粉末の粒径が成形する絶縁シート（絶縁層）の厚さ以上であると、シート表面に凹凸が生じてシート表面が平滑に仕上がらず、金属箔４又は金属基板２との密着性が悪化するため適さない。第一の無機粉末の平均粒子径は、上記の通り限定されるものではないが、例えば、５〜１００μｍの範囲であることが好ましく、１０〜８０μｍの範囲であることがより好ましい。   The average particle size of the first inorganic powder depends on the particle size and the degree of aggregation of the second inorganic powder, and is not particularly limited, but at least the particle size of the first inorganic powder is molded. It is required to be less than the thickness of the insulating sheet (insulating layer). When the particle diameter of the first inorganic powder is equal to or greater than the thickness of the insulating sheet (insulating layer) to be molded, the sheet surface is uneven, and the sheet surface is not finished smoothly, and is in close contact with the metal foil 4 or the metal substrate 2. Not suitable because of worsening of sex. The average particle diameter of the first inorganic powder is not limited as described above, but is preferably in the range of 5 to 100 μm, and more preferably in the range of 10 to 80 μm.

樹脂としては、溶媒に可溶な樹脂で、且つ、溶媒キャスト法による製膜が可能な樹脂であれば特に限定されるものではない。例えば、ポリアミドイミド、液晶ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンスルフィド、エポキシ樹脂、イミド樹脂などが挙げられる。   The resin is not particularly limited as long as it is a resin soluble in a solvent and can be formed by a solvent casting method. Examples thereof include polyamide imide, liquid crystal polyester, polyether ether ketone, polysulfone, polyphenyl sulfone, polyether sulfone, polyphenylene sulfide, epoxy resin, and imide resin.

溶剤としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、テトラフルオロイソプロパノール、メチルエチルケトン、エチレンジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。   Examples of the solvent include N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, tetrafluoroisopropanol, methyl ethyl ketone, ethylene diglycol acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and methyl isobutyl ketone.

本発明の組成物において、溶剤は、樹脂１００質量部に対して、例えば１０〜９９００質量部、より好ましくは１００〜１９００質量部含有させる。溶剤の量が過度に多い場合、塗膜から大量の溶剤を除去しなければならず、塗膜の外観不良を生じやすい。また、多くの乾燥時間を要するため生産性が低下する。一方、溶剤の量が過度に少ない場合、組成物が高粘度化する傾向があり、その取扱い性等が低下する。   In the composition of the present invention, the solvent is, for example, 10 to 9900 parts by mass, and more preferably 100 to 1900 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin. When the amount of the solvent is excessively large, a large amount of the solvent must be removed from the coating film, which tends to cause a poor appearance of the coating film. In addition, productivity is reduced because a lot of drying time is required. On the other hand, when the amount of the solvent is excessively small, the composition tends to increase in viscosity, and the handleability and the like deteriorate.

本発明の組成物は、上述した樹脂及び無機充填材以外に種々の添加剤を含有していてもよく、例えば、シランカップリング剤及びチタンカップリング剤などのカップリング剤、イオン吸着剤などが挙げられる。   The composition of the present invention may contain various additives in addition to the above-described resins and inorganic fillers. For example, coupling agents such as silane coupling agents and titanium coupling agents, ion adsorbents, and the like. Can be mentioned.

金属箔４は、絶縁層３上に設けられている。金属箔４は、絶縁層３を間に挟んで金属基板２と向き合っている。
金属箔４は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属箔４の材料としては、例えば、銅又はアルミニウムを使用することができる。金属箔４の厚さは、例えば、１０−５０μｍの範囲である。 The metal foil 4 is provided on the insulating layer 3. The metal foil 4 faces the metal substrate 2 with the insulating layer 3 interposed therebetween.
The metal foil 4 is made of, for example, a single metal or an alloy. As a material of the metal foil 4, for example, copper or aluminum can be used. The thickness of the metal foil 4 is, for example, in the range of 10-50 μm.

この回路基板用積層板１は、例えば、以下の方法により製造する。
まず、上述した樹脂を溶剤に溶解させて、光学的に等方性の溶液を得る。次に、上述した無機充填材を溶液中に分散させて分散液を得る。無機充填材は、例えば、ボールミル、三本ロール、遠心撹拌機又はビーズミルを用いて、粉砕しつつ上記溶液中に分散させてもよい。また、上記溶液に無機充填材を加えるのに先立って、この溶液にシランカップリング剤、イオン吸着剤などの添加剤を加えてもよい。 The circuit board laminate 1 is manufactured, for example, by the following method.
First, the above-described resin is dissolved in a solvent to obtain an optically isotropic solution. Next, the inorganic filler described above is dispersed in the solution to obtain a dispersion. The inorganic filler may be dispersed in the solution while being pulverized using, for example, a ball mill, a three roll, a centrifugal stirrer or a bead mill. Prior to adding the inorganic filler to the solution, an additive such as a silane coupling agent or an ion adsorbent may be added to the solution.

次に、この分散液を、金属基板２及び金属箔４の少なくとも一方に塗布する。分散液の塗布には、例えば、ロールコート法、バーコート法又はスクリーン印刷法を利用することができる。連続式で行ってもよく、単板式で行ってもよい。   Next, this dispersion is applied to at least one of the metal substrate 2 and the metal foil 4. For the application of the dispersion, for example, a roll coating method, a bar coating method, or a screen printing method can be used. You may carry out by a continuous type and may carry out by a single plate type.

必要に応じて塗膜を乾燥させた後、金属基板２と金属箔４とが塗膜を挟んで向き合うように重ね合わせる。さらに、それらを熱プレスする。以上のようにして、回路基板用積層板１を得る。   After drying a coating film as needed, it overlap | superposes so that the metal substrate 2 and metal foil 4 may face each other on both sides of a coating film. Furthermore, they are hot pressed. As described above, the circuit board laminate 1 is obtained.

この方法では、本発明の組成物である分散液を金属板２及び金属箔４の少なくとも一方に塗布することにより塗膜を形成するが、他の態様において、分散液をＰＥＴフィルム等の基材に塗布し乾燥することにより予め塗膜を形成し、これを金属基板２及び金属箔４の一方に熱転写してもよい。本発明の組成物を用いて形成される塗膜は加熱プロセスでの発泡が抑えられるため、上述した高密度化並びに放熱性及び絶縁性の向上に効果があることに加え、絶縁シートを別の基材へ熱転写で移すことが可能になる。   In this method, the dispersion liquid which is the composition of the present invention is applied to at least one of the metal plate 2 and the metal foil 4 to form a coating film. In another embodiment, the dispersion liquid is a substrate such as a PET film. A coating film may be formed in advance by coating and drying, and this may be thermally transferred to one of the metal substrate 2 and the metal foil 4. Since the coating film formed using the composition of the present invention is suppressed from foaming in the heating process, in addition to the above-described high density and the effect of improving heat dissipation and insulation, an insulating sheet is used as a separate material. It becomes possible to transfer to a substrate by thermal transfer.

次に、上述した回路基板用積層板１から得られる金属ベース回路基板１´について説明する。
図３に示す金属ベース回路基板１´は、図１及び図２に示す回路基板用積層板から得られるものであり、金属基板２と、絶縁層３と、回路パターン４´とを含んでいる。回路パターン４´は、図１及び図２を参照しながら説明した回路基板用積層板の金属箔４をパターニングすることにより得られる。このパターニングは、例えば、金属箔４の上にマスクパターンを形成し、金属箔４の露出部をエッチングによって除去することにより得られる。金属ベース回路基板１´は、例えば、先の回路基板用積層板１の金属箔４に対して上記のパターニングを行い、必要に応じて、切断及び穴あけ加工などの加工を行うことにより得ることができる。 Next, a metal base circuit board 1 ′ obtained from the above-described circuit board laminate 1 will be described.
The metal base circuit board 1 ′ shown in FIG. 3 is obtained from the circuit board laminate shown in FIGS. 1 and 2, and includes the metal board 2, the insulating layer 3, and the circuit pattern 4 ′. . The circuit pattern 4 ′ is obtained by patterning the metal foil 4 of the circuit board laminate described with reference to FIGS. 1 and 2. This patterning can be obtained, for example, by forming a mask pattern on the metal foil 4 and removing the exposed portion of the metal foil 4 by etching. The metal base circuit board 1 ′ can be obtained, for example, by performing the above-described patterning on the metal foil 4 of the circuit board laminate 1 and performing processing such as cutting and drilling as necessary. it can.

この金属ベース回路基板１´は、上述した回路基板用積層板１から得られるので、放熱性及び絶縁性に優れている。   Since this metal base circuit board 1 ′ is obtained from the circuit board laminate 1 described above, it is excellent in heat dissipation and insulation.

以下に、本発明の例を記載する。本発明はこれらに限定されるものでない。
なお、平均粒子径（Ｄ５０）はレーザー回折・散乱法にて測定し、平均粒子径１μｍ以下のものは光透過式遠心沈降法にて測定した。 Examples of the present invention will be described below. The present invention is not limited to these.
The average particle diameter (D50) was measured by a laser diffraction / scattering method, and the average particle diameter of 1 μm or less was measured by a light transmission centrifugal sedimentation method.

＜組成物の調製＞
（組成物１）
固形分３０質量％のポリアミドイミド樹脂溶液（日立化成製、「ＨＰＣ９０００」）に対して、凝集窒化硼素（水島合金鉄株式会社製、「ＨＰ−４０」、平均粒径（Ｄ５０）２０μｍ）を、樹脂固形分を基準として６５体積％配合し絶縁材溶液を作製した。 <Preparation of composition>
(Composition 1)
Aggregated boron nitride (manufactured by Mizushima Alloy Iron Co., Ltd., “HP-40”, average particle diameter (D50) 20 μm) with respect to a polyamideimide resin solution having a solid content of 30% by mass (manufactured by Hitachi Chemical, “HPC9000”), An insulating material solution was prepared by blending 65% by volume based on the resin solid content.

（組成物２）
固形分３０質量％のポリアミドイミド樹脂溶液（日立化成製、「ＨＰＣ９０００」）に対して、微粉窒化硼素（三井化学社製、「ＭＢＮ０１０Ｔ」、平均粒径０．９μｍ）と凝集窒化硼素（水島合金鉄株式会社製、「ＨＰ−４０」、平均粒径２０μｍ）を、合計で、樹脂固形分を基準として６５体積％となるよう配合し絶縁材溶液を作製した。ここで、微粉窒化硼素の凝集窒化硼素に対する配合率は５質量％である。 (Composition 2)
Fine powdered boron nitride (Mitsui Chemicals, “MBN010T”, average particle size 0.9 μm) and agglomerated boron nitride (Mizushima alloy) against a polyamideimide resin solution (Hitachi Chemical, “HPC9000”) with a solid content of 30% by mass “HP-40” (average particle size: 20 μm) manufactured by Iron Co., Ltd. was blended so that the total amount was 65% by volume based on the resin solid content to prepare an insulating material solution. Here, the blending ratio of the finely divided boron nitride to the aggregated boron nitride is 5% by mass.

（組成物３〜７）
凝集窒化硼素に対する微粉窒化硼素（平均粒径０．９μｍ）の配合率を、５質量％から１５質量％、２０質量％、２５質量％、５０質量％、７５質量％に変更した以外は組成物２の調製と同様にして各々組成物３〜７を作製した。 (Compositions 3-7)
Composition except that the mixing ratio of finely divided boron nitride (average particle size: 0.9 μm) to aggregated boron nitride was changed from 5% by mass to 15% by mass, 20% by mass, 25% by mass, 50% by mass, and 75% by mass In the same manner as in preparation of 2, compositions 3 to 7 were prepared.

（組成物８）
微粉窒化硼素（三井化学社製、「ＭＢＮ０１０Ｔ」、平均粒径０．９μｍ）を、微粉窒化硼素（電気化学工業株式会社製、「ＳＰ３−７」、平均粒径２．０μｍ）に変更した以外は組成物２と同様にして組成物９を作製した。 (Composition 8)
Except for changing finely divided boron nitride (Mitsui Chemicals, “MBN010T”, average particle size 0.9 μm) to finely divided boron nitride (made by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., “SP3-7”, average particle size 2.0 μm) A composition 9 was prepared in the same manner as the composition 2.

（組成物９〜１３）
無機充填材中の微粉窒化硼素（平均粒径２．０μｍ）の添加率を、５質量％から１５質量％、２０質量％、２５質量％、５０質量％、７５質量％に変更した以外は組成物８の調製と同様にして各々組成物９〜１３を作製した。 (Compositions 9-13)
Composition except that the addition rate of fine boron nitride (average particle size 2.0 μm) in the inorganic filler was changed from 5 mass% to 15 mass%, 20 mass%, 25 mass%, 50 mass%, and 75 mass% Compositions 9 to 13 were prepared in the same manner as Preparation 8 respectively.

（組成物１４）
微粉窒化硼素（三井化学社製、「ＭＢＮ０１０Ｔ」、平均粒径０．９μｍ）を、微粉窒化硼素（電気化学工業株式会社製、「ＳＰ３」、平均粒径３．０μｍ）に変更した以外は組成物２と同様にして組成物１４を作製した。 (Composition 14)
Except for changing fine powder boron nitride (Mitsui Chemicals, "MBN010T", average particle size 0.9 µm) to fine powder boron nitride (Electrochemical Co., Ltd., "SP3", average particle size 3.0 µm) Composition 14 was produced in the same manner as Product 2.

（組成物１５〜１９）
無機充填材中の微粉窒化硼素（平均粒径３．０μｍ）の添加率を、５質量％から１５質量％、２０質量％、２５質量％、５０質量％、７５質量％に変更した以外は組成物１４の調製と同様にして各々組成物１５〜１９を作製した。 (Compositions 15-19)
Composition except that the addition rate of fine boron nitride (average particle size: 3.0 μm) in the inorganic filler was changed from 5% by mass to 15% by mass, 20% by mass, 25% by mass, 50% by mass, and 75% by mass. Compositions 15 to 19 were prepared in the same manner as the preparation of the product 14.

（組成物２０）
固形分３０質量％のポリアミドイミド樹脂溶液（日立化成製、「ＨＰＣ９０００」）に対して、酸化アルミニウム（昭和電工株式会社製「ＡＳ４０」、平均粒径１５μｍ）と、凝集窒化硼素（水島合金鉄株式会社製、「ＨＰ−４０」、平均粒径２０μｍ）を、合計で、樹脂固形分を基準として６５体積％となるよう配合し絶縁材溶液を作製した。ここで、酸化アルミニウムと凝集窒化硼素のブレンド率は５０質量％：５０質量％である。 (Composition 20)
Aluminum oxide (“AS40”, Showa Denko Co., Ltd. “AS40”, average particle size 15 μm) and aggregated boron nitride (Mizushima alloy iron stock) against a polyamideimide resin solution (Hitachi Chemical Co., Ltd., “HPC9000”) with a solid content of 30% by mass “HP-40” (average particle size 20 μm) manufactured by company was blended to a total volume of 65% by volume based on the resin solid content to prepare an insulating material solution. Here, the blend ratio of aluminum oxide and aggregated boron nitride is 50% by mass: 50% by mass.

（組成物２１）
固形分３０質量％のポリアミドイミド樹脂溶液（日立化成製、「ＨＰＣ９０００」）に対して、酸化アルミニウム（昭和電工株式会社製「ＡＳ４０」、平均粒径１５μｍ）と、凝集窒化硼素（水島合金鉄株式会社製、「ＨＰ−４０」、平均粒径２０μｍ）と、微粉窒化硼素（三井化学社製、「ＭＢＮ０１０Ｔ」、平均粒径０．９μｍ）を、合計で、樹脂固形分を基準として６５体積％となるよう配合し絶縁材溶液を作製した。ここで、酸化アルミニウムと凝集窒化硼素のブレンド率は５０質量％：５０質量％であり、微粉窒化硼素を、酸化アルミニウムと凝集窒化硼素の合計に対し、５質量％の割合で配合した。 (Composition 21)
Aluminum oxide (“AS40”, Showa Denko Co., Ltd. “AS40”, average particle size 15 μm) and aggregated boron nitride (Mizushima alloy iron stock) against a polyamideimide resin solution (Hitachi Chemical Co., Ltd., “HPC9000”) with a solid content of 30% by mass 65% by volume of “HP-40” manufactured by company, average particle size of 20 μm) and fine boron nitride (manufactured by Mitsui Chemicals, “MBN010T”, average particle size of 0.9 μm) based on resin solid content Insulating material solution was prepared by blending. Here, the blend ratio of aluminum oxide and aggregated boron nitride was 50% by mass: 50% by mass, and finely divided boron nitride was blended at a ratio of 5% by mass with respect to the total of aluminum oxide and aggregated boron nitride.

（組成物２２〜２６）
無機充填材中の微粉窒化硼素（平均粒径０．９μｍ）の添加率を、５質量％から１５質量％、２０質量％、２５質量％、５０質量％、７５質量％に変更した以外は組成物２１の調製と同様にして各々組成物２２〜２６を作製した。 (Compositions 22-26)
Composition except that the addition rate of finely divided boron nitride (average particle size 0.9 μm) in the inorganic filler was changed from 5 mass% to 15 mass%, 20 mass%, 25 mass%, 50 mass%, and 75 mass%. Compositions 22 to 26 were produced in the same manner as the preparation of the product 21.

（組成物２７）
微粉窒化硼素（三井化学社製、「ＭＢＮ０１０Ｔ」、平均粒径０．９μｍ）を、微粉窒化硼素（電気化学工業株式会社製、「ＳＰ３−７」、平均粒径２．０μｍ）に変更した以外は組成物２１と同様にして組成物２７を作製した。 (Composition 27)
Except for changing finely divided boron nitride (Mitsui Chemicals, “MBN010T”, average particle size 0.9 μm) to finely divided boron nitride (made by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., “SP3-7”, average particle size 2.0 μm) A composition 27 was prepared in the same manner as the composition 21.

（組成物２８〜３２）
無機充填材中の微粉窒化硼素（平均粒径２．０μｍ）の添加率を、５質量％から１５質量％、２０質量％、２５質量％、５０質量％、７５質量％に変更した以外は組成物２７の調製と同様にして各々組成物２８〜３２を作製した。 (Compositions 28-32)
Composition except that the addition rate of fine boron nitride (average particle size 2.0 μm) in the inorganic filler was changed from 5 mass% to 15 mass%, 20 mass%, 25 mass%, 50 mass%, and 75 mass% Compositions 28 to 32 were prepared in the same manner as Preparation 27.

（組成物３３）
微粉窒化硼素（三井化学社製、「ＭＢＮ０１０Ｔ」、平均粒径０．９μｍ）を、微粉窒化硼素（電気化学工業株式会社製、「ＳＰ３」、平均粒径３．０μｍ）に変更した以外は組成物２１と同様にして組成物３３を作製した。 (Composition 33)
Except for changing fine powder boron nitride (Mitsui Chemicals, "MBN010T", average particle size 0.9 µm) to fine powder boron nitride (Electrochemical Co., Ltd., "SP3", average particle size 3.0 µm) The composition 33 was produced in the same manner as the product 21.

（組成物３４〜３８）
無機充填材中の微粉窒化硼素（平均粒径３．０μｍ）の添加率を、５質量％から１５質量％、２０質量％、２５質量％、５０質量％、７５質量％に変更した以外は組成物３３の調製と同様にして各々組成物３４〜３８を作製した。 (Compositions 34-38)
Composition except that the addition rate of fine boron nitride (average particle size: 3.0 μm) in the inorganic filler was changed from 5% by mass to 15% by mass, 20% by mass, 25% by mass, 50% by mass, and 75% by mass. Compositions 34 to 38 were prepared in the same manner as the preparation of the product 33, respectively.

＜評価＞
〔サンプルの作製〕
・塗膜密度及び気孔率
上述した方法により得られた各絶縁材溶液を、遊星式攪拌脱泡機で５分攪拌した後、厚み７０μｍの銅箔上に乾燥後の厚みが約１２０μｍになるように塗布し、２２０℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。得られた塗膜をサンプルとして、塗膜密度、気孔率の各性能を以下の方法により評価した。 <Evaluation>
[Preparation of sample]
・ Coating film density and porosity Each of the insulating material solutions obtained by the above-described method was stirred for 5 minutes with a planetary stirring and defoaming machine, and then dried on a 70 μm thick copper foil so that the thickness after drying was about 120 μm. And dried at 220 ° C. until the solvent disappeared. Using the obtained coating film as a sample, each performance of coating film density and porosity was evaluated by the following methods.

・耐電圧及び熱抵抗
上述した方法により得られた各絶縁材溶液を、遊星式攪拌脱泡機で５分攪拌した後、厚み７０μｍの銅箔上に熱接着後の厚みが約１００μｍになるように塗布し、２２０℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、金属板として熱伝導率１４０Ｗ/ｍｋ、厚み２．０ｍｍのアルミニウム合金板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力２０ＭＰａ、温度２７０℃で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、耐電圧、熱抵抗の各性能を以下の方法により評価した。 -Withstand voltage and thermal resistance After each insulating material solution obtained by the above-described method is stirred for 5 minutes with a planetary stirring and defoaming machine, the thickness after thermal bonding on a copper foil having a thickness of 70 μm is about 100 μm. And dried at 220 ° C. until the solvent disappeared. The copper foil on which this coating film was formed was laminated as a metal plate on an aluminum alloy plate having a thermal conductivity of 140 W / mk and a thickness of 2.0 mm so that the coating film would be an intermediate layer, at a pressure of 20 MPa and a temperature of 270 ° C. Thermally bonded. Using the obtained laminate for circuit board as a sample, each performance of withstand voltage and thermal resistance was evaluated by the following methods.

〔塗膜密度（ｇ／ｃｍ^３）〕
上記のようにして得られた塗膜からシートサイズ５０×５０ｍｍの基板を切り出し、アルキメデス法により乾燥塗膜の密度を測定した。その値を塗膜密度（ｇ／ｃｍ^３）とした。 [Coating density (g / cm ³ )]
A substrate having a sheet size of 50 × 50 mm was cut out from the coating film obtained as described above, and the density of the dried coating film was measured by Archimedes method. The value was made into the coating-film density (g / cm < ³ >).

〔気孔率（％）〕
上記評価方法により得られた塗膜密度を用いて式（1）より気孔率（％）を求めた。
気孔率（％）＝（理論密度−塗膜密度）／理論密度×１００ （１）
〔耐電圧（ｋＶ）〕
上記のようにして得られた積層体からシートサイズ５０×５０ｍｍの基板を切り出し、基板中央にランドサイズφ２０ｍｍを配置した。絶縁油中にこの基板を浸漬し、室温で交流電圧を銅箔に印加し絶縁破壊する電圧（ｋＶ）を測定した。 [Porosity (%)]
Using the coating film density obtained by the above evaluation method, the porosity (%) was obtained from the formula (1).
Porosity (%) = (Theoretical density−Coating film density) / Theoretical density × 100 (1)
[Withstand voltage (kV)]
A substrate having a sheet size of 50 × 50 mm was cut out from the laminate obtained as described above, and a land size φ20 mm was arranged in the center of the substrate. This substrate was immersed in insulating oil, and an AC voltage was applied to the copper foil at room temperature to measure the voltage (kV) at which dielectric breakdown occurred.

〔熱抵抗（℃／Ｗ）〕
上記のようにして得られた積層体からシートサイズ３０×４０ｍｍの基板を切り出し、基板中央にランドサイズ１４×１０ｍｍを配置した。この基板にはんだでトランジスタＣ２２３３（東芝製）を取り付け、基板裏面に熱伝導性のシリコーングリースを使い水冷却装置にセットして３０Ｗの電力を供給したときに発熱するトランジスタ表面と冷却装置表面の温度を測定した。そして式（２）より熱抵抗（℃／Ｗ）を求めた。
熱抵抗（℃／Ｗ）＝｛（トランジスタ表面温度）-（冷却装置表面温度）｝／印加電力 （２）
評価結果を、表１〜６、及び、図４〜１１に示す。ここで、図４〜７は、表１〜３に示される実施例１〜１２及び比較例１〜７の各性能評価結果に関するグラフであり、図８〜１１は、表４〜６に示される実施例１３〜２４及び比較例８〜１４の各性能評価結果に関するグラフである。

[Thermal resistance (℃ / W)]
A substrate having a sheet size of 30 × 40 mm was cut out from the laminate obtained as described above, and a land size of 14 × 10 mm was arranged in the center of the substrate. Transistor C2233 (made by Toshiba) is attached to this board with solder, and the temperature of the surface of the transistor and the surface of the cooling device that generate heat when supplying 30 W of power using a thermally conductive silicone grease on the back side of the substrate and setting it in a water cooling device. Was measured. And thermal resistance (degreeC / W) was calculated | required from Formula (2).
Thermal resistance (° C / W) = {(transistor surface temperature)-(cooling device surface temperature)} / applied power (2)
The evaluation results are shown in Tables 1 to 6 and FIGS. Here, FIGS. 4-7 is a graph regarding each performance evaluation result of Examples 1-12 shown in Tables 1-3 and Comparative Examples 1-7, and FIGS. 8-11 are shown by Tables 4-6. It is a graph regarding each performance evaluation result of Examples 13-24 and Comparative Examples 8-14.

表１〜６及び図４〜１１より、本発明の組成物を用いて形成された絶縁シートは、高密度であり、放熱性及び絶縁性に優れることがわかった。   From Tables 1-6 and FIGS. 4-11, it turned out that the insulating sheet formed using the composition of this invention is high density, and is excellent in heat dissipation and insulation.

また、図１２は、実施例４の組成物５（微粉ＢＮ（Ｄ５０：０．９μｍ、凝集ＢＮに対する微粉ＢＮの比率：２５質量％）を用いて形成された塗膜の断面写真であり、これより、凝集窒化硼素の粒子間に微粉窒化硼素が均一に分散していることが確認された。   FIG. 12 is a cross-sectional photograph of a coating film formed using the composition 5 of Example 4 (fine powder BN (D50: 0.9 μm, ratio of fine powder BN to aggregated BN: 25 mass%). From the results, it was confirmed that finely divided boron nitride was uniformly dispersed between the aggregated boron nitride particles.

１・・・回路基板用積層板、１’・・・金属ベース回路基板、２・・・金属基板、３・・・絶縁層、４・・・金属箔、４’・・・回路パターン   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Laminated board for circuit boards, 1 '... Metal base circuit board, 2 ... Metal substrate, 3 ... Insulating layer, 4 ... Metal foil, 4' ... Circuit pattern

Claims (8)

樹脂と該樹脂に対し５０体積％以上の無機充填材と溶剤を含有してなり、前記無機充填材として、六方晶系窒化硼素の一次粒子が凝集した二次凝集粒子を含む第一の無機粉末と、六方晶系窒化硼素の一次粒子であって、平均粒子径が２μｍ以下の微粒子からなる第二の無機粉末を含有する回路基板用絶縁樹脂組成物。 A first inorganic powder comprising a resin, 50% by volume or more of an inorganic filler and a solvent with respect to the resin, and secondary aggregated particles in which primary particles of hexagonal boron nitride are aggregated as the inorganic filler And an insulating resin composition for circuit boards, comprising a second inorganic powder comprising primary particles of hexagonal boron nitride and having an average particle diameter of 2 μm or less. 第一の無機粉末の平均粒子径が５〜１００μｍの範囲内である請求項１に記載の回路基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for circuit boards according to claim 1, wherein the average particle diameter of the first inorganic powder is in the range of 5 to 100 μm. 第二の無機粉末の含有率が、第一の無機粉末を基準として５質量％以上である請求項１又は２に記載の回路基板用絶縁樹脂組成物。   The insulating resin composition for a circuit board according to claim 1 or 2, wherein the content of the second inorganic powder is 5% by mass or more based on the first inorganic powder. 第一の無機粉末として、六方晶系窒化硼素の二次凝集粒子と共に、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素及び酸化ケイ素から選択される少なくとも１種を含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板用絶縁樹脂組成物。 As a first inorganic powder, with secondary agglomerated particles of hexagonal boron nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, any one of claims 1 to 3 containing at least one selected from silicon nitride and silicon oxide 2. Insulating resin composition for circuit board. 第一の無機粉末として、六方晶系窒化硼素の二次凝集粒子と共に、酸化アルミニウムを含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路基板用絶縁樹脂組成物。 The insulating resin composition for circuit boards according to any one of claims 1 to 3 , wherein the first inorganic powder contains aluminum oxide together with secondary agglomerated particles of hexagonal boron nitride. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板用絶縁樹脂組成物を用いて形成された回路基板用絶縁シート。 The insulating sheet for circuit boards formed using the insulating resin composition for circuit boards of any one of Claims 1-5 . 金属基板と、該基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた金属箔とを具備し、前記絶縁層が請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物を用いて形成された回路基板用積層板。 A metal substrate, an insulating layer provided on the substrate, and a metal foil provided on the insulating layer, wherein the insulating layer comprises the composition according to any one of claims 1 to 5. A laminated board for a circuit board formed by using. 請求項７に記載の回路基板用積層板の前記金属箔をパターニングすることによって得られる金属ベース回路基板。 The metal base circuit board obtained by patterning the said metal foil of the laminated board for circuit boards of Claim 7 .

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