JP5645178B2 - 高密度ワイドリボンイオンビーム生成のための小型プラズマソース - Google Patents
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Description
Claims (20)
- リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマ(ICP)ソースであって、
チャンバを備え、
前記チャンバは、
上面、下面及び側面を有し、長さ、奥行き及び高さを有し、前記高さは前記上面および前記下面の間の距離として規定され、前記長さは前記側面間の距離として規定され、前記高さは前記長さよりも小さいチャンバ本体と、
誘電体窓と、
前記誘電体窓に対向して設けられ、前記上面及び前記下面から対称的に間隔を空けて設けられ、かつ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも1つの細長い引き出しスリットを有する端部とを有し、
前記細長い引き出しスリットは、リボンイオンビームを引き出すべく、前記側面間を延在しており、
前記奥行きは、前記誘電体窓と前記誘電体窓に対向する前記端部との間の距離として規定され、
前記誘導結合プラズマソースは更に、
前記チャンバにガスを流入させるのを可能とするべく前記チャンバ本体における前記上面および前記下面の少なくとも一つに配置された少なくとも1つのガス供給口と、
前記誘電体窓に平行に近接して設けられ、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長い平面スパイラル形状のアンテナと、
前記細長い引き出しスリットに近接して位置し、前記細長い引き出しスリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。 - 前記上面、前記下面及び前記側面に近接して設けられる磁気閉じ込め構造を更に備える請求項1に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記磁気閉じ込め構造は、
磁性体を含むヨークと、
複数のマグネットと、
前記複数のマグネットの各々の間に位置する1以上の非磁性スペーサとを有する請求項2に記載の誘導結合プラズマソース。 - 前記複数のマグネットは、一のマグネットのN極が前記チャンバに面し、前記一のマグネットに隣接するマグネットのS極が前記チャンバに面するように配置されている請求項3に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記複数のマグネットの長手方向が、前記チャンバ本体の縁部方向に沿うように向けられている請求項3または4に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記複数のマグネットの長手方向が、前記チャンバ本体の前記奥行き方向に沿うように向けられている請求項3または4に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記磁気閉じ込め構造は、前記チャンバ内の磁場を形成し、
前記高さは、前記細長い引き出しスリットの所望の数及び磁場の貫通深さに応じて決定される請求項2から6のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。 - 前記磁気閉じ込め構造は、前記チャンバ内に磁場を形成し、
前記高さの最小値は、前記チャンバの鉛直方向中央線に対応する部分に磁場が存在しないように決定される請求項2から7のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。 - 前記奥行きは、前記アンテナによって前記プラズマが最適に生成されるように決定される請求項1から8のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記長さは、前記リボンイオンビームの所望の幅に基づいて決定される請求項1から9のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記ガス供給口は、水平方向の中央線に沿って位置する請求項1から10のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記アンテナは、13.56MHzで電力を得る請求項1から11のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記アンテナは、0.46MHz、2.0MHz、27MHz又は60MHzで電力を得る請求項1から11のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記チャンバ本体は、八角形の形状を有し、
前記上面及び前記下面が、テーパ状の面によって、前記側面にそれぞれ接続されている請求項1から13のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。 - 前記チャンバ本体の前記側面は、前記上面及び前記下面に接続される半筒形状を有する請求項1から14のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記細長い平面スパイラル形状のアンテナは、複数の真っすぐな部分と複数の巻き部とを有し、前記複数の真っすぐな部分は前記細長い引き出しスリットに対して平行である、請求項1から15のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマソース。
- 前記複数の真っすぐな部分は、前記細長い引き出しスリットの最長寸法よりも長い、請求項16に記載の誘導結合プラズマソース。
- リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマ(ICP)ソースであって、
チャンバを備え、
前記チャンバは、
上面、下面及び2つの側面を有し、長さ、奥行き及び高さを有し、前記高さは前記上面および前記下面の間の距離として規定され、前記長さは前記2つの側面間の距離として規定され、前記高さは前記長さよりも小さく、テーパ状の一つの面によって前記上面が前記2つの側面にそれぞれ接続され、テーパ状の別の一つの面によって前記下面が前記2つの側面にそれぞれ接続される八角形の断面形状を有するチャンバ本体と、
誘電体窓と、
前記誘電体窓に対向して設けられ、前記上面及び前記下面から対称的に間隔を空けて設けられ、かつ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも1つの細長い引き出しスリットを有する端部とを有し、
前記細長い引き出しスリットは、リボンイオンビームを引き出すべく、前記側面間を延在しており、
前記奥行きは、前記誘電体窓と前記誘電体窓に対向する前記端部との間の距離として規定され、
前記誘導結合プラズマソースは更に、
前記チャンバにガスを流入させるのを可能とするべく前記チャンバ本体における前記上面および前記下面の少なくとも一つに配置された少なくとも1つのガス供給口と、
前記誘電体窓に平行に近接して設けられ、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長い平面スパイラル形状のアンテナと、
前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記2つの側面に近接し、前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記2つの側面に沿って設けられる磁気閉じ込め構造と、
前記細長い引き出しスリットに近接して位置し、前記細長い引き出しスリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。 - 前記細長い平面スパイラル形状のアンテナは、複数の真っすぐな部分と複数の巻き部とを有し、前記複数の真っすぐな部分は前記細長い引き出しスリットに対して平行であり、前記複数の真っすぐな部分は、前記細長い引き出しスリットの最長寸法よりも長い、請求項18に記載の誘導結合プラズマソース。
- リボンイオンビームを引き出す誘導結合プラズマソース(ICP)であって、
チャンバを備え、
前記チャンバは、
上面、下面及び2つの側面を有し、150mm〜250mmの間の高さ及び600mm〜700mmの間の長さを有し、テーパ状の一つの面によって前記上面が前記2つの側面にそれぞれ接続され、テーパ状の別の一つの面によって前記下面が前記2つの側面にそれぞれ接続される八角形の断面形状を有するチャンバ本体と、
誘電体窓と、
前記誘電体窓に対向して、前記誘電体窓から100mm〜200mm離れて設けられた端部であって、前記上面及び前記下面から対称的に間隔を空けて設けられ、かつ、前記上面及び前記下面に平行な少なくとも1つの細長い引き出しスリットを有する端部とを有し、
前記細長い引き出しスリットは、リボンイオンビームを引き出すべく、前記側面間を延在しており、
前記誘導結合プラズマソースは更に、
前記チャンバにガスを流入させるのを可能とするべく前記チャンバ本体における前記上面および前記下面の少なくとも一つに配置された少なくとも1つのガス供給口と、
前記誘電体窓に平行に近接して設けられ、13.56MHzで電力を得て、プラズマを形成するべく前記チャンバ内の前記ガスを励起させる細長い平面スパイラル形状のアンテナと、
前記上面、前記下面、前記テーパ状の面及び前記2つの側面に近接して設けられる磁気閉じ込め構造と、
前記細長い引き出しスリットに近接して位置し、前記細長い引き出しスリットを介して前記プラズマからイオンを引き出す引き出し光学系とを備える誘導結合プラズマソース。
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CN108271309B (zh) * | 2016-12-30 | 2020-05-01 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种电感耦合等离子处理装置 |
US10468226B1 (en) * | 2018-09-21 | 2019-11-05 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Extraction apparatus and system for high throughput ion beam processing |
CN110039383A (zh) * | 2019-05-17 | 2019-07-23 | 苏州至臻精密光学有限公司 | 一种射频离子源 |
US11525312B2 (en) * | 2020-04-06 | 2022-12-13 | John Barry Desormeaux, SR. | Oilfield casing centralization tool |
CN113314430B (zh) * | 2021-01-05 | 2024-04-16 | 长江存储科技有限责任公司 | Cmp工艺中的监测方法以及监测*** |
CN113278930B (zh) * | 2021-04-25 | 2023-04-18 | 北京航空航天大学合肥创新研究院(北京航空航天大学合肥研究生院) | 一种纳米团簇的束流密度控制装置及其使用方法 |
WO2023178004A1 (en) * | 2022-03-14 | 2023-09-21 | The Trustees Of Princeton University | Planar coil stellarator |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6443960A (en) | 1987-08-08 | 1989-02-16 | Sumitomo Heavy Industries | Ion generating device |
US4990229A (en) | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US5122251A (en) | 1989-06-13 | 1992-06-16 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
US5767628A (en) * | 1995-12-20 | 1998-06-16 | International Business Machines Corporation | Helicon plasma processing tool utilizing a ferromagnetic induction coil with an internal cooling channel |
US7118996B1 (en) | 1996-05-15 | 2006-10-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Apparatus and method for doping |
US5759280A (en) * | 1996-06-10 | 1998-06-02 | Lam Research Corporation | Inductively coupled source for deriving substantially uniform plasma flux |
US6271529B1 (en) * | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
US6203657B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-03-20 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma downstream strip module |
US6504159B1 (en) * | 1999-09-14 | 2003-01-07 | International Business Machines Corporation | SOI plasma source ion implantation |
WO2002021585A1 (fr) * | 2000-09-01 | 2002-03-14 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Generateur de champ magnetique pour plasma de magnetron, appareil de gravure au plasma et procede utilisant ledit generateur de champ magnetique |
GB0131097D0 (en) * | 2001-12-31 | 2002-02-13 | Applied Materials Inc | Ion sources |
US6759807B2 (en) | 2002-04-04 | 2004-07-06 | Veeco Instruments, Inc. | Multi-grid ion beam source for generating a highly collimated ion beam |
US6664548B2 (en) * | 2002-05-01 | 2003-12-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Ion source and coaxial inductive coupler for ion implantation system |
US7176469B2 (en) | 2002-05-22 | 2007-02-13 | The Regents Of The University Of California | Negative ion source with external RF antenna |
JP2004158272A (ja) | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Shimadzu Corp | 高周波誘導結合プラズマ源および高周波誘導結合プラズマ装置 |
US20070137576A1 (en) * | 2005-12-19 | 2007-06-21 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Technique for providing an inductively coupled radio frequency plasma flood gun |
JP4841983B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2011-12-21 | 株式会社Sen | イオン源装置におけるプラズマ均一化方法及びイオン源装置 |
JP2008305666A (ja) * | 2007-06-07 | 2008-12-18 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン注入装置 |
KR20100006009A (ko) * | 2008-07-08 | 2010-01-18 | 주성엔지니어링(주) | 반도체 제조 장치 |
US8142607B2 (en) | 2008-08-28 | 2012-03-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High density helicon plasma source for wide ribbon ion beam generation |
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