JP5644753B2 - Iii族窒化物半導体発光素子 - Google Patents
Iii族窒化物半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5644753B2 JP5644753B2 JP2011282736A JP2011282736A JP5644753B2 JP 5644753 B2 JP5644753 B2 JP 5644753B2 JP 2011282736 A JP2011282736 A JP 2011282736A JP 2011282736 A JP2011282736 A JP 2011282736A JP 5644753 B2 JP5644753 B2 JP 5644753B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- transparent film
- light
- group iii
- nitride semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 53
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 Si 3 N 4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 17
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 17
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 2
- CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 6-[(5S)-5-[[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]methyl]-2-oxo-1,3-oxazolidin-3-yl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical class C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)N1CCN(CC1)C[C@H]1CN(C(O1)=O)C1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1 CONKBQPVFMXDOV-QHCPKHFHSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N C1(C=CC=C1)[Mg] Chemical compound C1(C=CC=C1)[Mg] MHYQBXJRURFKIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010027339 Menstruation irregular Diseases 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical group 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/40—Materials therefor
- H01L33/42—Transparent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
0.28 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.42
もしくは
0.63 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.77
n: 透明膜の屈折率
d: 透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚
λ: 発光層の発する光の波長
のいずれかを満たすものである。
0.28 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.42
もしくは
0.63 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.77
n: 透明膜の屈折率
d: 透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚
λ: 発光層の発する光の波長
のいずれかを満たすものである。これらの材質の導電性透明膜を用いることにより、光取り出し効率をほとんど低下させることなく、発光層の面方向に電流を拡散させることができる。
本実施形態に係るIII 族窒化物半導体発光素子について説明する。図1は、本実施形態に係る発光素子100の積層構造を示す概略構成図である。発光素子100は、III 族窒化物半導体から成る半導体素子である。また、発光素子100は、成長基板をレーザーにより除去するレーザーリフトオフ法により形成されたものである。そのため、サファイア基板等の成長基板は、発光素子100には残っていない。そして、光取り出し面Zは、n層側にある。
2−1.透明膜の形状
透明膜N10は、前述したように、粗面化されたn−GaN層70の上に形成されている。そして、n−GaN層70の上面を、nパッド電極N20の箇所を除いてすべて覆っている。ただし、n−GaN層70における粗面化された凹凸面Xの少なくとも一部を覆うようにしてもよい。
図3は、図1の透明膜N10周辺を拡大した拡大図である。そして、図3には、透明膜N10の膜厚d1が示されている。ここで、膜厚d1とは、透明膜N10における、n−GaN層70の凹凸面Xの傾斜面に垂直な方向の厚みである。
0.28 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.42 ………(1)
もしくは
0.63 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.77 ………(2)
を満たす範囲内のものを選ぶ。なお、
n: 透明膜の屈折率
d: 透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚
λ: 発光層の発光する光の波長
である。ここで、透明膜N10の膜厚とは、c軸方向の厚みではなく、図3に示すように、n−GaN層70の凹凸面Xからみた厚みである。すなわち、透明膜における、凹凸面X(傾斜面)に垂直な方向の膜厚である。そして、膜厚dは、凹凸面Xから光取り出し面Zまでの光路が最小となる角度で入射した場合の光路と同じである。
本形態における半導体素子の製造方法では、有機金属気相成長法(MOCVD法)により、上記の各層の結晶をエピタキシャル成長させた。以下、各工程を説明する。
本形態では、c面サファイア基板S1を用いた。そして、そのサファイア基板S1をMOCVD炉に入れた。次に、水素ガス中でサファイア基板S1のクリーニングを行い、サファイア基板S1の表面に付着している付着物を除去した。そして、サファイア基板S1の上に、低温バッファ層B1を形成した。
次に、導電性反射膜30の上に第2の導電性金属層21と、低融点金属層26を形成した。これにより、図4に示した積層構造が得られた。一方、支持基板10にも、図5に示すような第1の導電性金属層11と、低融点金属層25を形成した。そして、図5に示すように支持基板10に形成された低融点金属層25と、サファイア基板S1側の導電性反射膜30に形成された低融点金属層26とを、向かい合わせにした。そして、低融点金属層25と、低融点金属層26とを、接合した。そして、低融点金属層25、26は、一体の導電性接合層20となった。これにより、図6に示すような積層構造が得られた。
続いて、図6に示した積層構造のサファイア基板S1の接合面にレーザーを照射する。ここで照射するレーザーは、波長が248nmのKrF高出力パルスレーザーであった。また、YAGレーザー(355nm、266nm)、XeClレーザー(308nm)、ArFレーザー(155nm)、などのいずれを用いてもよい。365nmよりも波長の短いレーザーであれば、その他のレーザーを用いてもよい。
次に、低温バッファ層B1を除去するとともに、n−GaN層70の表面を粗面化した。n−GaN層70の表面は−c面、すなわち、窒素面である。エッチングにより、n−GaN層70に凹凸面Xを形成した。具体的には、n−GaN層70の表面をTMAH溶液に浸漬した。このTMAH溶液の温度を60℃とした。TMAH溶液で−c面のエッチングは可能である。ここで、−c面をエッチングするため、凹凸面Xは六角錐形状となる。そして、凹凸面Xは、TMAH溶液の浸漬の具合やその他の要因によるため、その六角錐形状は、やや不規則である。TMAH溶液の代わりに、水酸化カリウム水溶液(KOHaq)を用いてもよい。なお、図8では、粗面化後の積層体が模式的に描かれている。このように粗面化された凹凸面Xは、成長基板であるサファイア基板S1上にエピタキシャル成長させた後、サファイア基板S1を除去することにより露出された面である。
次に、粗面化されたn−GaN層70の上に、透明膜N10を形成した。そのためにスパッタ装置を用いて、n−GaN層70の凹凸面Xの全面にSiO2 の膜を形成した。
続いて、支持基板10における導電性接合層20の反対側の面に、p電極P1を形成した。p電極P1として、Pt層、Ti層、Pt層、Ti層、Au層を支持基板10の側からこの順番で形成した。また、n−GaN層70の上に、nパッド電極N20を形成した。nパッド電極N20として、W層、Ti層、Au層をn−GaN層70の側からこの順番で形成した。そのnパッド電極N20の形状は、図2に示したとおりである。以上の工程を経ることにより、図1に示した発光素子100を製造した。
ここで、本実施の形態で行った実験結果について説明する。この実験では、透明膜N10として、SiO2 を用いた場合に、SiO2 の膜厚を変えて光の出力Ivを測定した。
n2 = n1×n2
のときに光取り出し効率が最も高い。ここで、nは1.45であり、n1は2.6であり、n2は1である。n2 は、およそ2.1であり、光取り出し効率は、よい。
5−1.透明膜
本形態では、透明膜N10として、SiO2 を用いた。SiO2 は誘電体である。また、透明膜N10として、Si3 N4 や、その他にSiO2XN4Y(X+3Y=1)であってもよい。
さらに、透明膜N10を導電性の材質で形成するとよい。電流を半導体層の面方向(図1では横方向)に拡散して、発光層の発光領域にわたって効率よく電流を流すためである。この場合には、透明膜N10は導電性であるため、透明膜N10の上にnパッド電極N20を形成するとよい。n−GaN層70の凹凸面Xの可能な限り大部分を覆うことにより、MQW層60に面方向に電流が拡散するからである。
以上、詳細に説明したように、本実施形態に係る発光素子100は、レーザーリフトオフ法により成長基板を除去されたものである。そして、成長基板を除去されたn層側の半導体層が粗面化されている。そのため、半導体層からの光取り出し効率は高い。その粗面化された半導体層の上に、透明膜N10が形成されている。
11…第1の導電性金属層
20…導電性接合層
21…第2の導電性金属層
30…導電性反射膜
40…p−GaN層
50…GaN層
60…MQW層
70…n−GaN層
80…発光層
100…発光素子
P1…p電極
N10…透明膜
N20…nパッド電極
N21、N22、N23、N24、N25、N26…フレーム部
N27、N28…パッド部
S1…サファイア基板
B1…低温バッファ層
25、26…低融点金属層
X1、Y1、Z1…凸部
X2、Y2、Z2…凹部
X…凹凸面
Y…面
Z…光取り出し面
Claims (4)
- p電極と、
導電性支持基板と、
反射膜と、
p層と、
III 族窒化物半導体からなる発光層と、
粗面化されたn層と、
n電極とを有するIII 族窒化物半導体発光素子であって、
前記n層の粗面化された面は、
六角錐形状の凹形状を有する凹凸面であり、
前記凹凸面は、凸部と凹部とを有しており、
前記凸部と前記凹部との間の距離は、1500nm以上2500nm以下の範囲内であり、
前記n層の粗面化された面の少なくとも一部を覆う透明膜を有し、
前記透明膜は、
SiO 2 、Si 3 N 4 、SiO 2X N 4Y (X+3Y=1)のうちのいずれかの誘電体であり、
前記透明膜の膜厚は、
前記凹凸面から光取り出し面までの光路が最小となる角度で入射した場合の光路であり、
前記透明膜の膜厚は、
次に示す式
0.28 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.42
もしくは
0.63 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.77
n: 透明膜の屈折率
d: 透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚
λ: 発光層の発する光の波長
のいずれかを満たすものであること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - p電極と、
導電性支持基板と、
反射膜と、
p層と、
III 族窒化物半導体からなる発光層と、
粗面化されたn層と、
n電極とを有するIII 族窒化物半導体発光素子であって、
前記n層の粗面化された面は、
六角錐形状の凹形状を有する凹凸面であり、
前記凹凸面は、凸部と凹部とを有しており、
前記凸部と前記凹部との間の距離は、1500nm以上2500nm以下の範囲内であり、
前記n層の粗面化された面の少なくとも一部を覆う透明膜を有し、
前記透明膜は、
ITO、ICO、IZO、ZnO、TiO2 、NbTiO2 、TaTiO2 のうちのいずれかの導電性透明膜であり、
前記透明膜の膜厚は、
前記凹凸面から光取り出し面までの光路が最小となる角度で入射した場合の光路であり、
前記透明膜の膜厚は、
次に示す式
0.28 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.42
もしくは
0.63 ≦ n×d×2/λ ≦ 0.77
n: 透明膜の屈折率
d: 透明膜における傾斜面に垂直な方向の膜厚
λ: 発光層の発する光の波長
のいずれかを満たすものであること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1または請求項2に記載のIII 族窒化物半導体発光素子であって、
前記n電極は、
複数のフレーム部と、パッド部と、を有しており、
前記パッド部は、前記複数のフレーム部がなす角部に設けられていること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。 - 請求項1から請求項3までのいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体発光素子であって、
前記n層の粗面化された面は、
レーザーリフトオフ法により成長基板が除去されて露出されたn−GaNの窒素面であること
を特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011282736A JP5644753B2 (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
US13/725,677 US8735927B2 (en) | 2011-12-26 | 2012-12-21 | Group III nitride semiconductor light-emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011282736A JP5644753B2 (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013135017A JP2013135017A (ja) | 2013-07-08 |
JP5644753B2 true JP5644753B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=48653663
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011282736A Active JP5644753B2 (ja) | 2011-12-26 | 2011-12-26 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8735927B2 (ja) |
JP (1) | JP5644753B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102132651B1 (ko) | 2013-12-03 | 2020-07-10 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
US10863200B2 (en) | 2014-07-25 | 2020-12-08 | Intel Corporation | Techniques for performing a forward transformation by a video encoder using a forward transform matrix |
JP2017054901A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光装置とその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10206603A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルム及びその製造方法 |
JP2002148615A (ja) * | 2000-11-08 | 2002-05-22 | Nitto Denko Corp | 光学フィルム及び反射型液晶表示装置 |
JP2006093602A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
JP2007150259A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-06-14 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
KR100816841B1 (ko) | 2006-08-14 | 2008-03-26 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
JP2009200178A (ja) * | 2008-02-20 | 2009-09-03 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子 |
JP2011082233A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Hitachi Cable Ltd | 発光素子 |
KR100986560B1 (ko) * | 2010-02-11 | 2010-10-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 그 제조방법 |
TW201208143A (en) * | 2010-08-06 | 2012-02-16 | Semileds Optoelectronics Co | White LED device and manufacturing method thereof |
-
2011
- 2011-12-26 JP JP2011282736A patent/JP5644753B2/ja active Active
-
2012
- 2012-12-21 US US13/725,677 patent/US8735927B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013135017A (ja) | 2013-07-08 |
US8735927B2 (en) | 2014-05-27 |
US20130161676A1 (en) | 2013-06-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4637781B2 (ja) | GaN系半導体発光素子の製造方法 | |
JP4130163B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US20110244610A1 (en) | Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device | |
JP2004281863A (ja) | 窒化物半導体素子及びその製造方法 | |
US20150034900A1 (en) | Light-emitting diode and method of manufacturing the same | |
JP2012004501A (ja) | 紫外半導体発光素子 | |
JP2010219502A (ja) | 発光素子 | |
KR20080087135A (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 | |
KR20090015514A (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP2011211074A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP2005116794A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2011061036A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2009054693A (ja) | 発光ダイオードの製造方法 | |
TW201448265A (zh) | 半導體發光元件及其製造方法 | |
JP2015061010A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子とその製造方法と実装体の製造方法 | |
JP5644753B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP2006332365A (ja) | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子およびそれを用いた発光装置 | |
US8309381B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor | |
JP4824129B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2009277898A (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP2006287212A (ja) | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2009135192A (ja) | 発光素子 | |
JP6812790B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
JP5557648B2 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
JP5379703B2 (ja) | 紫外半導体発光素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131220 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140425 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140513 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141020 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5644753 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |