JP5641162B2 - Anti-reflective article, image display device, mold for manufacturing anti-reflective article - Google Patents

Description

本発明は、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下の間隔で多数の微小突起を密接配置して反射防止を図る反射防止物品に関するものである。   The present invention relates to an antireflection article for preventing reflection by closely arranging a large number of minute protrusions at intervals equal to or shorter than the shortest wavelength of an electromagnetic wave wavelength band for preventing reflection.

近年、フィルム形状の反射防止物品である反射防止フィルムに関して、透明基材（透明フィルム）の表面に多数の微小突起を密接して配置することにより、反射防止を図る方法が提案されている（特許文献１〜３参照）。この方法は、いわゆるモスアイ（ｍｏｔｈ ｅｙｅ（蛾の目））構造の原理を利用したものであり、入射光に対する屈折率を基板の厚み方向に連続的に変化させ、これにより屈折率の不連続界面を消失させて反射防止を図るものである。   In recent years, regarding an antireflection film, which is a film-shaped antireflection article, there has been proposed a method for preventing reflection by arranging a large number of microprotrusions closely on the surface of a transparent substrate (transparent film) (patent) References 1-3). This method utilizes the principle of a so-called moth-eye structure, and the refractive index for incident light is continuously changed in the thickness direction of the substrate, whereby a discontinuous interface of refractive index is obtained. Is eliminated to prevent reflection.

このモスアイ構造に係る反射防止物品では、隣接する微小突起の間隔ｄが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）となるよう、微小突起が密接して配置される。また各微小突起は、透明基材に植立するように、さらに透明基材より先端側に向かうに従って徐々に断面積が小さくなるように（先細りとなるように）作製される。   In the antireflection article according to this moth-eye structure, the microprojections are closely arranged so that the interval d between adjacent microprojections is equal to or less than the shortest wavelength Λmin (d ≦ Λmin) of the wavelength band of the electromagnetic wave to prevent reflection. . Moreover, each microprotrusion is produced so that a cross-sectional area may become small gradually toward the front end side from a transparent base material so that it may be planted on a transparent base material.

かかる反射防止物品には各種用途が提案されている。例えば、各種画像表示裝置の出光面上に配置して画面における日光等の外光反射を低減して画像視認性を向上させたり、シート又は板状の透明基材上に該微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜を形成した電極を用いてタッチパネルを構成することにより、該タッチパネル電極とこれと隣接する各種部材との間の光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させること等が提案されている。   Various uses have been proposed for such antireflection articles. For example, it can be placed on the light exit surface of various image display devices to reduce external light reflection such as sunlight on the screen to improve image visibility, or to form the microprojections on a sheet or plate-like transparent substrate Furthermore, by constructing a touch panel using an electrode in which a transparent conductive film such as ITO (indium tin oxide) is formed on the microprojection group, light reflection between the touch panel electrode and various adjacent members is performed. It has been proposed to reduce the occurrence of interference fringes, ghost images, and the like.

また、特許文献４には、この種の反射防止物品に関して、賦型処理時の樹脂の充填不良により微小突起の頂部に複数の頂点が作成される場合であっても、十分に反射防止機能を確保できることが記載されている。   Further, Patent Document 4 discloses a sufficient antireflection function for this type of antireflection article, even when a plurality of vertices are created at the tops of the microprojections due to poor filling of the resin during the molding process. It is described that it can be secured.

ところでこの種のモスアイ構造に係る反射防止物品では、耐擦傷性に実用上未だ不十分な問題がある。すなわち反射防止物品は、例えば他の物体が接触等した場合に、反射防止機能が局所的に劣化し、また接触個所に白濁、傷等が発生して外観不良が発生する。
また、このような反射防止物品には、更なる反射防止機能の向上が求められている。 By the way, the antireflection article according to this kind of moth-eye structure has a problem that the scratch resistance is still insufficient in practice. That is, for example, when an anti-reflective article comes into contact with another object, the anti-reflective function is locally deteriorated, and white turbidity, scratches, etc. occur at the contact location, resulting in poor appearance.
Further, such an antireflection article is required to further improve the antireflection function.

特開昭５０−７００４０号公報Japanese Patent Laid-Open No. 50-70040 特表２００３−５３１９６２号公報Special Table 2003-531962 特許第４６３２５８９号公報Japanese Patent No. 4632589 特開２０１２−０３７６７０号公報JP 2012-037670 A

本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、モスアイ構造に係る反射防止物品に関して、従来に比して耐擦傷性を向上するとともに、反射防止機能を向上させることを目的とする。   The present invention has been made in view of such a situation, and an object of the present invention is to improve the anti-reflection function and the anti-reflection function of the anti-reflection article according to the moth-eye structure as compared with the conventional art.

本発明者は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ね、頂点を複数有する微小突起（多峰性の微小突起と呼ぶ）の各頂点の間隔を所定の範囲内とする、との着想に至り、本発明を完成するに至った。なお以下において、多峰性の微小突起との対比により、頂点が１つのみの微小突起を単峰性の微小突起と呼ぶ。また以下において、単に微小突起と呼称する場合は単峰性微小突起及び多峰性微小突起の両方を包含するものとする。また多峰性の微小突起、単峰性の微小突起に係る各頂点を形成する各凸部を、適宜、峰と呼ぶ。   The present inventor has intensively studied to solve the above problems, and has an idea that the interval between each vertex of a microprotrusion having a plurality of vertices (referred to as multi-modal microprotrusions) is within a predetermined range. As a result, the present invention has been completed. In the following, a microprojection having only one apex is referred to as a single-peak microprojection in comparison with a multimodal microprojection. Further, in the following, when simply referred to as a microprojection, both a single-peak microprojection and a multimodal microprojection are included. Moreover, each convex part which forms each vertex which concerns on a multimodal microprotrusion and a monomodal microprotrusion is called a peak suitably.

具体的には、本発明では、以下のようなものを提供する     Specifically, the present invention provides the following.

（１） 微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、前記微小突起は、頂点が複数の多峰性微小突起と、頂点が一つの単峰性微小突起とから構成され、前記多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの度数分布における平均値Ｐが３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍであり、標準偏差σが５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍであることを特徴とする反射防止物品である。   (1) In an antireflection article in which microprotrusions are closely arranged and the interval between adjacent microprotrusions is equal to or shorter than the shortest wavelength of the wavelength band of electromagnetic waves for antireflection, The average value P in the frequency distribution of the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprojections is 30 nm ≦ P ≦ 40 nm. And the standard deviation σ is 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm.

（１）によれば、反射防止物品は、多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの平均値Ｐと標準偏差σとを所定の範囲内に形成することができるので、良好な反射防止機能を確保することができる。また、この反射防止物品は、単峰性微小突起に比して機械的強度が優れた微小突起が設けられることにより、衝撃力が加わった場合、単峰性微小突起のみの場合に比して、突起が損傷しないようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができ、これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。
このような形状による多峰性微小突起形状は、賦型処理後の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起とは異なり、対応する形状を備えている賦型処理用の金型により作製されることにより、設計通りの高さの分布を設定して均一かつ高い量産性を確保することができる。またさらに、充填不良による場合に比して突起間の間隔を広く設定することにより、十分に耐擦傷性を向上することができ、さらには光学特性を向上することができる。 According to (1), since the antireflection article can form the average value P and the standard deviation σ of the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprotrusions within a predetermined range, A good antireflection function can be ensured. In addition, this anti-reflective article is provided with a microprojection having excellent mechanical strength compared to a single-peak microprojection, so that when an impact force is applied, compared to the case of only a single-peak microprojection. The protrusions can be prevented from being damaged, thereby reducing the local deterioration of the antireflection function and further reducing the appearance defects. Further, even if the microprojection is damaged, the area of the damaged portion can be reduced, and this can also reduce the local deterioration of the antireflection function and further reduce the appearance defect.
Unlike the multimodal microprotrusions caused by poor filling of the resin after the molding process, the multimodal microprotrusions having such a shape are produced by a mold for molding process having a corresponding shape. Thus, the height distribution as designed can be set to ensure uniform and high mass productivity. Furthermore, by setting the distance between the protrusions wider than in the case of defective filling, the scratch resistance can be sufficiently improved, and further the optical characteristics can be improved.

（２） Ｐ−σ≦Ｄ≦Ｐ＋σにおける前記線分の数Ｎｍと、前記度数分布全体における前記線分の総数Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）が、以下の関係、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ≦０．９５を満たすことを特徴とする（１）の反射防止物品である。   (2) The ratio (Nm / Nt) between the number Nm of the line segments in P−σ ≦ D ≦ P + σ and the total number Nt of the line segments in the entire frequency distribution is expressed by the following relationship: 0.55 ≦ Nm / The antireflection article according to (1), wherein Nt ≦ 0.95 is satisfied.

（２）によれば、多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分のＰ−σ≦Ｄ≦Ｐ＋σにおける数Ｎｍと、度数分布全体における総数Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）が、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ≦０．９５を満たすので、反射防止機能及び耐擦傷性の向上をより具体的に実現することができる。   According to (2), the ratio (Nm / Nt) between the number Nm in P-σ ≦ D ≦ P + σ and the total number Nt in the entire frequency distribution is 0. Since 55 ≦ Nm / Nt ≦ 0.95 is satisfied, the antireflection function and the scratch resistance can be improved more specifically.

（３） Ｐ−２σ≦Ｄ≦Ｐ＋２σにおける前記線分の数Ｎｍと、前記度数分布全体における前記線分の総数Ｎｔとの割合（Ｎｍ／Ｎｔ）が、以下の関係、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ≦１．００を満たすことを特徴とする（１）又は（２）の反射防止物品及びである。   (3) The ratio (Nm / Nt) between the number Nm of the line segments in P-2σ ≦ D ≦ P + 2σ and the total number Nt of the line segments in the entire frequency distribution is expressed by the following relationship: 0.80 ≦ Nm / The antireflection article and (1) or (2), wherein Nt ≦ 1.00 is satisfied.

（３）によれば、多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分のＰ−２σ≦Ｄ≦Ｐ＋２σにおける数Ｎｍと、度数分布全体における総数Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）が、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ≦１．００を満たすので、反射防止機能及び耐擦傷性の向上をより具体的に実現することができる。   According to (3), the ratio (Nm / Nt) of the number Nm in the line segment P-2σ ≦ D ≦ P + 2σ connecting the vertices of the multimodal microprojections to the total number Nt in the entire frequency distribution is 0. Since 80 ≦ Nm / Nt ≦ 1.00 is satisfied, the antireflection function and the scratch resistance can be improved more specifically.

（４） 画像表示装置において、画像表示パネルの出光面上に（１）から（３）までのいずれかの反射防止物品を配置する。   (4) In the image display device, any one of the antireflection articles (1) to (3) is disposed on the light exit surface of the image display panel.

（４）によれば、耐擦傷性及び反射防止機能を向上した反射防止物品による画像表示装置を提供することができる。   According to (4), it is possible to provide an image display device using an antireflection article having improved scratch resistance and antireflection function.

（５） 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、前記反射防止物品は、微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、前記微小突起は、頂点が複数の多峰性微小突起と、頂点が一つの単峰性微小突起とから構成され、前記多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの度数分布における平均値Ｐが３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍであり、標準偏差σが５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍであり、前記反射防止物品の製造用金型は、前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製されていることを特徴とする反射防止物品の製造用金型である。   (5) A mold for manufacturing an antireflective article for use in manufacturing an antireflective article, wherein the antireflective article has minute protrusions arranged in close contact with each other, and an interval between adjacent minute protrusions prevents reflection. Less than the shortest wavelength of the wavelength band of electromagnetic waves, the microprotrusions are composed of a plurality of multimodal microprotrusions and a single unimodal microprotrusion at the apex, and each apex of the multimodal microprotrusions The average value P in the frequency distribution of the length D of the line segment connecting the lines is 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, the standard deviation σ is 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm, and the mold for manufacturing the antireflection article includes the microprojections Is a mold for manufacturing an antireflective article, characterized in that fine holes corresponding to the above are made closely.

（５）によれば、該金型で製造された反射防止物品は、多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの平均値Ｐと標準偏差σとを所定の範囲内に形成することができるので、良好な反射防止機能を確保することができる。また、この反射防止物品は、単峰性微小突起に比して機械的強度が優れた微小突起が設けられることにより、衝撃力が加わった場合、単峰性微小突起のみの場合に比して、突起が損傷しないようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができ、これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。
このような形状による多峰性微小突起形状は、賦型処理後の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起とは異なり、対応する形状を備えている賦型処理用の金型により作製されることにより、設計通りの高さの分布を設定して均一かつ高い量産性を確保することができる。またさらに、充填不良による場合に比して突起間の間隔を広く設定することにより、十分に耐擦傷性を向上することができ、さらには光学特性を向上することができる。 According to (5), the antireflection article manufactured with the mold has an average value P and a standard deviation σ of the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprotrusions within a predetermined range. Since it can be formed, a good antireflection function can be secured. In addition, this anti-reflective article is provided with a microprojection having excellent mechanical strength compared to a single-peak microprojection, so that when an impact force is applied, compared to the case of only a single-peak microprojection. The protrusions can be prevented from being damaged, thereby reducing the local deterioration of the antireflection function and further reducing the appearance defects. Further, even if the microprojection is damaged, the area of the damaged portion can be reduced, and this can also reduce the local deterioration of the antireflection function and further reduce the appearance defect.
Unlike the multimodal microprotrusions caused by poor filling of the resin after the molding process, the multimodal microprotrusions having such a shape are produced by a mold for molding process having a corresponding shape. Thus, the height distribution as designed can be set to ensure uniform and high mass productivity. Furthermore, by setting the distance between the protrusions wider than in the case of defective filling, the scratch resistance can be sufficiently improved, and further the optical characteristics can be improved.

モスアイ構造に係る反射防止物品に関して、従来に比して耐擦傷性を向上するとともに、反射防止機能を向上させることができる。   With respect to the antireflection article according to the moth-eye structure, it is possible to improve the scratch resistance and improve the antireflection function as compared with the conventional art.

本発明の第１実施形態に係る反射防止物品を示す概念斜視図である。1 is a conceptual perspective view showing an antireflection article according to a first embodiment of the present invention. 隣接突起の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of an adjacent protrusion. 極大点の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the maximum point. ドロネー図を示す図である。It is a figure which shows a Delaunay figure. 隣接突起間距離の計測の説明に供する度数分布図である。It is a frequency distribution figure with which it uses for description of the measurement of the distance between adjacent protrusions. 微小高さの説明に供する度数分布図である。It is a frequency distribution figure with which it uses for description of minute height. 図１の反射防止物品の製造工程を示す図である。It is a figure which shows the manufacturing process of the antireflection article | item of FIG. 図１の反射防止物品に係るロール版を示す図である。It is a figure which shows the roll plate which concerns on the reflection preventing article of FIG. 図８のロール版の作製工程を示す図である。It is a figure which shows the preparation process of the roll plate of FIG. 賦型用金型の製造工程における陽極酸化工程とエッチング工程とにより作製される微細穴を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the fine hole produced by the anodic oxidation process and etching process in the manufacturing process of the shaping die. 微小突起の高さ分布の制御に係る深さの異なる微細穴が形成される過程の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of the process in which the micro hole from which the depth which concerns on control of the height distribution of a microprotrusion differs is formed. 実施例１の反射防止物品の微小突起の高さＨの度数分布を示す図である。It is a figure which shows the frequency distribution of the height H of the microprotrusion of the antireflection article of Example 1. 実施例２の反射防止物品の微小突起の高さＨの度数分布を示す図である。It is a figure which shows frequency distribution of the height H of the microprotrusion of the antireflection article of Example 2. 微小突起の説明に供する図である。It is a figure where it uses for description of a microprotrusion. 多峰性の微小突起の写真である。It is a photograph of multimodal microprojections. 本発明に係る微小突起の形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of the microprotrusion which concerns on this invention. 図１６の平面図、正面図、側面図である。FIG. 17 is a plan view, a front view, and a side view of FIG. 16. 図１６とは異なる本発明に係る微小突起の形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of the microprotrusion based on this invention different from FIG. 図１８の平面図、正面図、側面図である。FIG. 19 is a plan view, a front view, and a side view of FIG. 18. 図１６及び図１８とは異なる本発明に係る微小突起の形状を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the shape of the microprotrusion based on this invention different from FIG.16 and FIG.18. 図２０の平面図、正面図、側面図である。It is the top view of FIG. 20, a front view, and a side view. 微小突起の谷底の包絡面が凹凸面（うねり）を呈する形態を示す概念断面図である。It is a conceptual sectional view showing the form in which the envelope surface of the valley bottom of the microprojection exhibits an uneven surface (waviness).

〔第１実施形態〕
図１は、本発明の第１実施形態に係る反射防止物品を示す図（概念斜視図）である。この反射防止物品１は、全体形状がフィルム形状により形成された反射防止フィルムである。この実施形態に係る画像表示装置では、この反射防止物品１が画像表示パネルの表側面に貼り付けられて保持され、この反射防止物品１により日光、電燈光等の外来光の画面における反射を低減して視認性を向上する。なお反射防止物品は、その形状を平坦なフィルム形状とする場合に限らず、平坦なシート形状、平板形状（相対的に厚みの薄い順に、フィルム、シート、板と呼称する）とすることもでき、また平坦な形状に代えて、湾曲形状、立体形状を呈したフィルム形状、シート形状、板形状とすることもでき、さらには各種レンズ、各種プリズム等の立体形状のものを用途に応じて適宜採用することができる。 [First Embodiment]
FIG. 1 is a diagram (conceptual perspective view) showing an antireflection article according to a first embodiment of the present invention. This antireflection article 1 is an antireflection film whose overall shape is formed by a film shape. In the image display apparatus according to this embodiment, the antireflection article 1 is held by being attached to the front side surface of the image display panel, and the reflection of external light such as sunlight and electric light on the screen is reduced by the antireflection article 1. And improve visibility. The antireflection article is not limited to a flat film shape, but may be a flat sheet shape or a flat plate shape (referred to as a film, a sheet, or a plate in order of relatively small thickness). In addition, instead of a flat shape, a curved shape, a three-dimensional film shape, a sheet shape, or a plate shape can be used, and various lenses, prisms, and other three-dimensional shapes are appropriately used depending on the application. Can be adopted.

ここで反射防止物品１は、透明フィルムの形状（形態）の基材２の表面に多数の微小突起５、５Ａ、５Ｂを密接配置して作製される。尚、密接配置された複数の微小突起を総称して微小突起群とも呼称する。ここで基材２は、例えばＴＡＣ（Triacetylcellulose）、等のセルロース(纖維素)系樹脂、ＰＭＭＡ(ポリメチルメタクリレート)等のアクリル系樹脂、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）等のポリエステル系樹脂、ＰＰ（ポリプロピレン）等のポリオレフィン系樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）等のビニル系樹脂、ＰＣ（Polycarbonate）等の各種透明樹脂フィルムを適用することができる。なお上述したように反射防止物品の形状はフィルム形状に限らず、種々の形状を採用可能である。基材２は、このような反射防止物品の形状に応じて、これらの材料の他に、例えばソーダ硝子、カリ硝子、鉛ガラス等の硝子、ＰＬＺＴ等のセラミックス、石英、螢石等の各種透明無機材料等を適用することができる。   Here, the antireflection article 1 is produced by closely arranging a large number of minute protrusions 5, 5 </ b> A, 5 </ b> B on the surface of the base material 2 in the shape (form) of a transparent film. A plurality of closely arranged microprotrusions is collectively referred to as a microprotrusion group. Here, the base material 2 is, for example, a cellulose resin such as TAC (Triacetylcellulose), an acrylic resin such as PMMA (polymethyl methacrylate), a polyester resin such as PET (Polyethylene terephthalate), or PP (polypropylene). Polyolefin resins such as PVC, vinyl resins such as PVC (polyvinyl chloride), and various transparent resin films such as PC (polycarbonate) can be applied. As described above, the shape of the antireflection article is not limited to the film shape, and various shapes can be employed. Depending on the shape of such an antireflection article, the base material 2 is made of various transparent materials such as soda glass, potassium glass, lead glass, ceramics such as PLZT, quartz, meteorite, etc. An inorganic material or the like can be applied.

反射防止物品１は、基材２上に、微小突起群からなる微細な凹凸形状の受容層となる未硬化状態の樹脂層（以下、適宜、受容層と呼ぶ）４を形成し、該受容層４を賦型処理して硬化せしめ、これにより基材２の表面に微小突起が密接して配置される。この実施形態では、この受容層４に、賦型処理に供する賦型用樹脂の１つであるアクリレート系紫外線硬化性樹脂が適用され、基材２上に紫外線硬化性樹脂層４が形成される。反射防止物品１は、この微小突起による凹凸形状により厚み方向に徐々に屈折率が変化するように作製され、モスアイ構造の原理により広い波長範囲で入射光の反射を低減する。   The anti-reflective article 1 forms an uncured resin layer 4 (hereinafter referred to as a receiving layer as appropriate) 4 which forms a fine uneven receiving layer composed of a group of minute protrusions on a base material 2. 4 is subjected to a molding treatment and hardened, whereby the fine protrusions are placed in close contact with the surface of the substrate 2. In this embodiment, an acrylate-based ultraviolet curable resin, which is one of the molding resins used for the molding process, is applied to the receiving layer 4 to form the ultraviolet curable resin layer 4 on the substrate 2. . The antireflection article 1 is manufactured so that the refractive index gradually changes in the thickness direction due to the uneven shape by the microprotrusions, and reduces the reflection of incident light in a wide wavelength range by the principle of the moth-eye structure.

なおこれにより反射防止物品１に作製される微小突起は、隣接する微小突起の間隔ｄが、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎ以下（ｄ≦Λｍｉｎ）となるよう密接して配置される。この実施形態では、画像表示パネルに配置して視認性を向上させることを主目的とするため、この最短波長は、個人差、視聴条件を加味した可視光領域の最短波長（３８０ｎｍ）に設定され、間隔ｄは、ばらつきを考慮して１００〜３００ｎｍとされる。またこの間隔ｄに係る隣接する微小突起は、いわゆる隣り合う微小突起であり、基材２側の付け根部分である微小突起の裾の部分が接している突起である。反射防止物品１では微小突起が密接して配置されることにより、微小突起間の谷の部位を順次辿るようにして線分を作成すると、平面視において各微小突起を囲む多角形状領域を多数連結してなる網目状の模様が作製されることになる。間隔ｄに係る隣接する微小突起は、この網目状の模様を構成する一部の線分を共有する突起である。なお「隣り合う」或いは「隣接」の、より正確な定義は以下に基づく。   In this way, the microprotrusions produced in the antireflection article 1 are closely arranged so that the distance d between adjacent microprotrusions is equal to or less than the shortest wavelength Λmin (d ≦ Λmin) of the wavelength band of the electromagnetic wave to prevent reflection. The In this embodiment, since the main purpose is to improve visibility by arranging the image display panel, the shortest wavelength is set to the shortest wavelength (380 nm) in the visible light region in consideration of individual differences and viewing conditions. The distance d is set to 100 to 300 nm in consideration of variation. The adjacent minute protrusions related to the distance d are so-called adjacent minute protrusions, which are in contact with the hem portions of the minute protrusions, which are the base portions on the base 2 side. In the anti-reflective article 1, the minute projections are closely arranged so that when a line segment is created so as to sequentially follow the valleys between the minute projections, a large number of polygonal regions surrounding each minute projection are connected in plan view. Thus, a mesh-like pattern is produced. The adjacent minute protrusions related to the distance d are protrusions that share a part of the line segments constituting the mesh pattern. The more accurate definition of “adjacent” or “adjacent” is based on the following.

なお微小突起に関しては、より詳細には以下のように定義される。モスアイ構造による反射防止では、透明基材表面とこれに隣接する媒質との界面における有効屈折率を、厚み方向に連続的に変化させて反射防止を図るものであることから、微小突起に関しては一定の条件を満足することが必要である。この条件のうちの１つである突起の間隔に関して、例えば特開昭５０−７００４０号公報、特許第４６３２５８９号公報等に開示のように、微小突起が一定周期で規則正しく配置されている場合、隣接する微小突起の間隔ｄは、突起配列の周期Ｐ（ｄ＝Ｐ）となる。これにより可視光線帯域の最長波長をλｍａｘ、最短波長をλｍｉｎとした場合に、最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最小限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘであるため、Ｐ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるため、Ｐ≦λｍｉｎとなる。   The minute protrusions are defined in more detail as follows. In the antireflection by the moth-eye structure, the effective refractive index at the interface between the transparent substrate surface and the adjacent medium is continuously changed in the thickness direction to prevent reflection. It is necessary to satisfy the following conditions. With respect to the protrusion interval, which is one of these conditions, when the minute protrusions are regularly arranged at a constant period as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 50-70040 and Japanese Patent No. 4632589, the adjacent spaces are adjacent to each other. The interval d between the minute projections to be performed is the projection arrangement period P (d = P). Thus, when the longest wavelength in the visible light band is λmax and the shortest wavelength is λmin, the minimum necessary condition that can exhibit the antireflection effect at the longest wavelength in the visible light band is Λmin = λmax. P ≦ λmax, and the necessary and sufficient condition that can exhibit the antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is Λmin = λmin, and therefore P ≦ λmin.

なお波長λｍａｘ、λｍｉｎは、観察条件、光の強度（輝度）、個人差等にも依存して多少幅を持ち得るが、標準的には、λｍａｘ＝７８０ｎｍ及びλｍｉｎ＝３８０ｎｍとされる。これらにより可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄ≦３００ｎｍであり、より好ましい条件は、ｄ≦２００ｎｍとなる。なお反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、周期ｄの下限値は、通常、ｄ≧５０ｎｍ、好ましくは、ｄ≧１００ｎｍとされる。これに対して突起の高さＨは、十分な反射防止効果を発現させる観点より、Ｈ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。   The wavelengths λmax and λmin may have some width depending on observation conditions, light intensity (luminance), individual differences, and the like, but are typically λmax = 780 nm and λmin = 380 nm. A preferable condition that can more reliably exhibit an antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is d ≦ 300 nm, and a more preferable condition is d ≦ 200 nm. Note that the lower limit value of the period d is usually d ≧ 50 nm, preferably d ≧ 100 nm, for reasons such as the expression of the antireflection effect and the securing of the isotropic (low angle dependency) of the reflectance. On the other hand, the height H of the protrusion is set to H ≧ 0.2 × λmax = 156 nm (assuming λmax = 780 nm) from the viewpoint of exhibiting a sufficient antireflection effect.

しかしながらこの実施形態のように、微小突起が不規則に配置されている場合には、隣接する微小突起間の間隔ｄはばらつきを有することになる。より具体的には、図２に示すように、基材の表面又は裏面の法線方向から見て平面視した場合に、微小突起が一定周期で規則正しく配列されていない場合、突起の繰り返し周期Ｐによっては隣接突起間の間隔ｄは規定し得ず、また隣接突起の概念すら疑念が生じることになる。そこでこのような場合、以下のように算定される。   However, when the minute protrusions are irregularly arranged as in this embodiment, the distance d between the adjacent minute protrusions varies. More specifically, as shown in FIG. 2, when viewed from the normal direction of the front or back surface of the substrate, when the microprojections are not regularly arranged at a constant period, the repetition period P of the protrusions In some cases, the distance d between adjacent protrusions cannot be defined, and even the concept of adjacent protrusions is suspicious. Therefore, in such a case, it is calculated as follows.

（１）すなわち先ず、原子間力顕微鏡（Atomic Force Microscope（以下、AFMと呼ぶ））又は走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope（以下、SEMと呼ぶ））を用いて突起の面内配列（突起配列の平面視形状）を検出する。なお図２は、実際に原子間力顕微鏡により求められた拡大写真である。ＡＦＭのデータには微小突起群の高さの面内分布データを付随するため、この写真は輝度により高さの面内分布を示す写真であると言える。尚、図２から図６の図（写真及び度数分布グラフ）は本発明の微小突起群とは異なる形態の微小突起群に対して計測及び算出されたものではあるが、ここでは、微小突起の突起間距離及び高さを算出する原理及び手法を説明する為に援用するものである。本発明の微小突起群については、図７、及び図１５から図２１を参照して後述する。   (1) That is, first, an in-plane arrangement (projection arrangement) of projections using an atomic force microscope (hereinafter referred to as AFM) or a scanning electron microscope (hereinafter referred to as SEM). ) Is detected. FIG. 2 is an enlarged photograph actually obtained by an atomic force microscope. Since the AFM data is accompanied by the in-plane distribution data of the height of the microprojections, this photo can be said to be a photo showing the in-plane distribution of height by luminance. 2 to 6 (photographs and frequency distribution graphs) are measured and calculated for a microprojection group having a form different from that of the microprojection group of the present invention. This is used to explain the principle and method for calculating the distance and height between protrusions. The microprojection group of the present invention will be described later with reference to FIGS. 7 and 15 to 21.

（２）続いてこの求められた面内配列から各突起の高さの極大点（以下、単に極大点と呼ぶ）を検出する。極大点とは、高さが、其の近傍周辺の何れの点と比べても大（極大値）となる点を意味する。なお極大点を求める方法としては、平面視形状と対応する断面形状の拡大写真とを逐次対比して極大点を求める方法、平面視拡大写真の画像処理によって極大点を求める方法等、種々の手法を適用することができる。図３は、図２に示した拡大写真に係る画像データの処理による極大点の検出結果を示す図であり、この図において黒点により示す個所がそれぞれ各突起の極大点である。なおこの処理では４．５×４．５画素のガウシアン特性によるローパスフィルタにより事前に画像データを処理し、これによりノイズによる極大点の誤検出を防止した。また８画素×８画素による最大値検出用のフィルタを順次スキャンすることにより１ｎｍ（＝１画素）単位で極大点を求めた。   (2) Subsequently, the maximum point of the height of each protrusion (hereinafter simply referred to as the maximum point) is detected from the obtained in-plane arrangement. The maximum point means a point where the height is larger (maximum value) than any point around the vicinity. There are various methods for obtaining the maximum point, such as a method of sequentially comparing the planar view shape and the enlarged photograph of the corresponding cross-sectional shape to obtain the maximum point, and a method of obtaining the maximum point by image processing of the plan view enlarged photo. Can be applied. FIG. 3 is a diagram showing the detection result of the maximum point by the processing of the image data relating to the enlarged photograph shown in FIG. 2, and the portions indicated by black dots in this figure are the maximum points of the respective protrusions. In this process, image data is processed in advance by a low-pass filter having a Gaussian characteristic of 4.5 × 4.5 pixels, thereby preventing erroneous detection of the maximum point due to noise. Further, a maximum point was obtained in units of 1 nm (= 1 pixel) by sequentially scanning a filter for detecting a maximum value of 8 pixels × 8 pixels.

（３）次に検出した極大点を母点とするドロネー図（Ｄｅｌａｕｎａｒｙ Ｄｉａｇｒａｍ）を作成する。ここでドロネー図とは、各極大点を母点としてボロノイ分割を行った場合に、ボロノイ領域が隣接する母点同士を隣接母点と定義し、各隣接母点同士を線分で結んで得られる３角形の集合体からなる網状図形である。各３角形は、ドロネー３角形と呼ばれ、各３角形の辺（隣接母点同士を結ぶ線分）は、ドロネー線と呼ばれる。図４は、図３から求められるドロネー図（白色の線分により表される図である）を図３による原画像と重ね合わせた図である。ドロネー図は、ボロノイ図（Ｖｏｒｏｎｏｉ ｄｉａｇｒａｍ）と双対の関係に有る。またボロノイ分割とは、各隣接母点間を結ぶ線分（ドロネー線）の垂直２等分線同士によって画成される閉多角形の集合体からなる網状図形で平面を分割することを言う。ボロノイ分割により得られる網状図形がボロノイ図であり、各閉領域がボロノイ領域である。   (3) Next, a Delaunay diagram with the detected maximum point as a generating point is created. Here, Delaunay diagram is obtained by dividing the Voronoi region adjacent to the Voronoi region when the Voronoi division is performed with each local maximum as the generating point, and connecting the adjacent generating points with line segments. This is a net-like figure made up of triangular aggregates. Each triangle is called a Delaunay triangle, and a side of each triangle (a line segment connecting adjacent generating points) is called a Delaunay line. FIG. 4 is a diagram in which the Delaunay diagram (represented by white line segments) obtained from FIG. 3 is superimposed on the original image of FIG. The Delaunay diagram has a dual relationship with the Voronoi diagram. Voronoi division means that a plane is divided by a net-like figure made up of a closed polygon aggregate defined by perpendicular bisectors of line segments (Droney lines) connecting between adjacent generating points. A network figure obtained by Voronoi division is a Voronoi diagram, and each closed region is a Voronoi region.

（４）次に、各ドロネー線の線分長の度数分布、すなわち隣接する極大点間の距離（以下、隣接突起間距離と呼ぶ）の度数分布を求める。図５は、図４のドロネー図から作成した度数分布のヒストグラムである。なお図２、図１４に示すように、突起の頂部に溝状等の凹部が存在したり、あるいは頂部が複数の峰に***している場合は、求めた度数分布から、このような突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に***している微細構造に起因するデータを除去し、突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を作成する。   (4) Next, the frequency distribution of the line segment length of each Delaunay line, that is, the frequency distribution of the distance between adjacent maximum points (hereinafter referred to as the distance between adjacent protrusions) is obtained. FIG. 5 is a histogram of the frequency distribution created from the Delaunay diagram of FIG. As shown in FIG. 2 and FIG. 14, when a groove-like recess is present at the top of the protrusion, or when the top is split into a plurality of peaks, from the obtained frequency distribution, A frequency distribution is created by removing data resulting from a fine structure having a concave portion at the top and a fine structure in which the top is split into a plurality of peaks, and selecting only the data of the projection body itself.

具体的には、突起の頂部に凹部が存在する微細構造、頂部が複数の峰に***している多峰性の微小突起に係る微細構造においては、このような微細構造を備えていない単峰性の微小突起の場合の数値範囲から、隣接極大点間距離が明らかに大きく異なることになる。これによりこの特徴を利用して対応するデータを除去することにより突起本体自体のデータのみを選別して度数分布を検出する。より具体的には、例えば図２に示すような微小突起（群）の平面視の拡大写真から、５〜２０個程度の互いに隣接する単峰性微小突起を選んで、その隣接極大点間距離の値を標本抽出し、この標本抽出して求められる数値範囲から明らかに小さい方向に外れる値を統計的な処理で求め（例えば、標本抽出して求められる隣接極大点間距離平均値に隣接極大点間距離の標準偏差を１〜３倍等したものを差し引いた値以下のデータを求め）、その求めた値を除外して度数分布を検出する。図５の例では、隣接極大点間距離が５６ｎｍ以下のデータ（矢印Ａにより示す左端の小山）を除外する。なお図５は、このような除外する処理を行う前の度数分布を示すものである。因みに上述の極大点検用のフィルタの設定により、このような除外する処理を実行してもよい。   Specifically, in a fine structure in which a concave portion exists at the top of the protrusion, or a fine structure related to a multi-modal micro protrusion in which the top is divided into a plurality of peaks, a single peak that does not have such a fine structure. The distance between adjacent local maximum points is clearly different from the numerical value range in the case of a sexual microprojection. Thus, by removing the corresponding data using this feature, only the data of the projection body itself is selected and the frequency distribution is detected. More specifically, for example, about 5 to 20 adjacent single-peaked microprojections are selected from an enlarged photograph of a microprojection (group) in plan view as shown in FIG. 2, and the distance between the adjacent maximum points. The value of the sample is sampled, and a value deviating in a small direction from the numerical range obtained by sampling is obtained by statistical processing (for example, the adjacent maximum to the average distance between adjacent maximum points obtained by sampling) The data below the value obtained by subtracting 1 to 3 times the standard deviation of the distance between points is obtained), and the frequency distribution is detected by excluding the obtained value. In the example of FIG. 5, data having a distance between adjacent maximal points of 56 nm or less (the leftmost small mountain indicated by the arrow A) is excluded. FIG. 5 shows a frequency distribution before performing such exclusion processing. Incidentally, such exclusion processing may be executed by setting the above-described maximum inspection filter.

（５）このようにして求めた隣接突起間距離ｄの度数分布から平均値ｄ_ＡＶＧ及び標準偏差σを求める。ここでこのようにして得られる度数分布を正規分布とみなして平均値ｄ_ＡＶＧ及び標準偏差σを求めると、図５の例では、平均値ｄ_ＡＶＧ＝１５８ｎｍ、標準偏差σ＝３８ｎｍとなった。これにより隣接突起間距離ｄの最大値を、ｄｍａｘ＝ｄ_ＡＶＧ＋２σとし、この例ではｄｍａｘ＝２３４ｎｍとなる。 (5) The average value d _AVG and the standard deviation σ are obtained from the frequency distribution of the distance d between adjacent protrusions thus obtained. Here, when the frequency distribution obtained in this way is regarded as a normal distribution and the average value d _AVG and the standard deviation σ are obtained, the average value d _AVG = 158 nm and the standard deviation σ = 38 nm are obtained in the example of FIG. As a result, the maximum value of the distance d between adjacent protrusions is set to dmax = d _AVG + 2σ, and in this example, dmax = 234 nm.

なお同様の手法を適用して突起の高さを定義する。この場合、上述の（２）により求められる極大点から、特定の基準位置からの各極大点位置の相対的な高さの差を取得してヒストグラム化する。図６は、このようにして求められる突起付け根位置を基準（高さ０）とした突起高さＨの度数分布のヒストグラムを示す図である。このヒストグラムによる度数分布から突起高さの平均値Ｈ_ＡＶＧ、標準偏差σを求める。ここでこの図６の例では、平均値Ｈ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍ、標準偏差σ＝３０ｎｍである。これによりこの例では、突起の高さは、平均値Ｈ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍとなる。なお図６に示す突起高さＨのヒストグラムにおいて、多峰性の微小突起の場合は、頂点を複数有していることにより、１つの突起に対してこれら複数のデータが混在することになる。そこでこの場合は麓部が同一の微小突起に属するそれぞれ複数の頂点の中から高さの最も高い頂点を、当該微小突起の突起高さとして採用して度数分布を求める。 The same method is applied to define the height of the protrusion. In this case, a relative height difference of each local maximum point position from a specific reference position is acquired from the local maximum point obtained by the above (2), and is histogrammed. FIG. 6 is a diagram showing a histogram of the frequency distribution of the protrusion height H with the protrusion root position obtained in this way as a reference (height 0). The average value _HAVG of the protrusion height and the standard deviation σ are obtained from the frequency distribution based on the histogram. Here in the example of FIG. 6, the mean value _H AVG = 178 nm, the standard deviation sigma = 30 nm. Thus in this example, the height of the projections is an average value _H AVG = 178 nm. In the histogram of the projection height H shown in FIG. 6, in the case of a multi-peak microprojection, the plurality of data are mixed for one projection because it has a plurality of vertices. Therefore, in this case, the frequency distribution is obtained by adopting the vertex having the highest height from among the plurality of vertices belonging to the same microprotrusion as the protuberance.

なお上述した突起の高さを測る際の基準位置は、隣接する微小突起の間の谷底（高さの極小点）を高さ０の基準とする。但し、係る谷底の高さ自体が場所によって異なる場合（例えば、図２２について後述するように、谷底の高さが微小突起の隣接突起間距離に比べて大きな周期でウネリを有する場合等）は、（１）先ず、基材２の表面又は裏面から測った各谷底の高さの平均値を、該平均値が收束するに足る面積の中で算出する。（２）次いで、該平均値の高さを持ち、基材２の表面又は裏面と平行な面を基準面として考える。（３）その後、該基準面を改めて高さ０として、該基準面からの各微小突起の高さを算出する。   In addition, the reference position when measuring the height of the protrusion described above is based on the valley bottom (minimum point of height) between the adjacent minute protrusions as a reference of height 0. However, when the height of the valley bottom itself varies depending on the location (for example, as described later with reference to FIG. 22, the height of the valley bottom has undulation with a period larger than the distance between adjacent projections of the microprojections). (1) First, the average value of the height of each valley bottom measured from the front surface or the back surface of the base material 2 is calculated within an area sufficient for the average value to converge. (2) Next, a surface having the height of the average value and parallel to the front surface or the back surface of the substrate 2 is considered as a reference surface. (3) Then, the height of each microprotrusion from the reference surface is calculated by setting the reference surface to a height of 0 again.

突起が不規則に配置されている場合には、このようにして求められる隣接突起間距離の最大値ｄｍａｘ＝ｄ_ＡＶＧ＋２σ、突起の高さの平均値Ｈ_ＡＶＧが、規則正しく配置されている場合の上述の条件を満足することが必要であることが判った。具体的には、反射防止効果を発現する微小突起間距離の条件は、ｄｍａｘ≦Λｍｉｎとなる。最低限、可視光線帯域の最長波長において反射防止効果を奏し得る必要最短限の条件は、Λｍｉｎ＝λｍａｘであるため、ｄｍａｘ≦λｍａｘとなり、可視光線帯域の全波長に対して反射防止効果を奏し得る必要十分の条件は、Λｍｉｎ＝λｍｉｎであるため、ｄｍａｘ≦λｍｉｎとなる。そして、可視光線帯域の全波長に対する反射防止効果をより確実に奏し得る好ましい条件は、ｄｍａｘ≦３００ｎｍであり、更に好ましい条件は、ｄｍａｘ≦２００ｎｍである。また反射防止効果の発現及び反射率の等方性（低角度依存性）の確保等の理由から、通常、ｄｍａｘ≧５０ｎｍであり、好ましくは、ｄｍａｘ≧１００ｎｍとされる。また突起高さについては、十分な反射防止効果を発現する為には、Ｈ_ＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍ（λｍａｘ＝７８０ｎｍとして）とされる。しかしながら実用上十分な程度に反射防止機能を確保する観点からは、平均突起間距離ｄａｖｅを、ｄａｖｅ≦λｍｉｎとしても良い。 If the protrusions are irregularly arranged, when this way the maximum value of the adjacent protrusions distance obtained by dmax = d AVG ₊ 2σ, average H _AVG height of projections are arranged regularly It has been found necessary to satisfy the above conditions. Specifically, the condition of the distance between the microprotrusions that exhibits the antireflection effect is dmax ≦ Λmin. The minimum necessary condition that can exhibit the antireflection effect at the longest wavelength in the visible light band is Λmin = λmax, and therefore dmax ≦ λmax, and the antireflection effect can be achieved for all wavelengths in the visible light band. The necessary and sufficient condition is Λmin = λmin, and therefore dmax ≦ λmin. A preferable condition that can more reliably exhibit the antireflection effect for all wavelengths in the visible light band is dmax ≦ 300 nm, and a more preferable condition is dmax ≦ 200 nm. Also, dmax ≧ 50 nm is usually satisfied and dmax ≧ 100 nm is preferable because of the antireflection effect and ensuring the isotropic (low angle dependency) of the reflectance. The height of the protrusion is set to _HAVG ≧ 0.2 × λmax = 156 nm (assuming λmax = 780 nm) in order to exhibit a sufficient antireflection effect. However, from the viewpoint of ensuring the antireflection function to a practically sufficient level, the average inter-protrusion distance dave may be set so that dave ≦ λmin.

因みに、図２〜図６の例により説明するとｄｍａｘ＝２３４ｎｍ≦λｍａｘ＝７８０ｎｍとなり、ｄｍａｘ≦λｍａｘの条件を満足して十分に反射防止効果を奏し得ることが判る。また可視光線帯域の最短波長λｍｉｎが３８０ｎｍであることから、可視光線の全波長帯域において反射防止効果を発現する十分条件ｄｍａｘ≦λｍｉｎも満たすことが判る。また平均突起高さＨ_ＡＶＧ＝１７８ｎｍであることにより、平均突起高さＨ_ＡＶＧ≧０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍとなり（可視光波長帯域の最長波長λｍax＝７８０ｎｍとして）、十分な反射防止効果を実現するための突起の高さに関する条件も満足していることが判る。またｄａｖｅ≦ｄｍａｘであることから、ｄａｖｅ≦λｍｉｎの条件も満足していることが判る。なお標準偏差σ＝３０ｎｍであることから、Ｈ_ＡＶＧ−σ＝１４８ｎｍ＜０．２×λｍａｘ＝１５６ｎｍとの関係式が成立することから、統計学上、全突起の５０％以上、８４％以下が、突起の高さに係る条件（１７８ｎｍ以上）の条件を満足していることが判る。なおＡＦＭ及びＳＥＭによる観察結果、並びに微小突起の高さ分布の解析結果から、多峰性の微小突起は相対的に高さの低い微小突起よりも高さの高い微小突起でより多く生じる傾向にあることが判明した。 2 to 6, dmax = 234 nm ≦ λmax = 780 nm, and it can be seen that the antireflection effect can be sufficiently achieved by satisfying the condition of dmax ≦ λmax. In addition, since the shortest wavelength λmin in the visible light band is 380 nm, it can be seen that the sufficient condition dmax ≦ λmin for exhibiting the antireflection effect in all visible light wavelength bands is also satisfied. When the average protrusion the height _H AVG = 178 nm Also, the average projection height _{H AVG} ≧ 0.2 × λmax = _156nm becomes (as the longest wavelength .lambda.max = 780 nm in the visible light wavelength band), realizing a sufficient antireflection effect It can be seen that the conditions regarding the height of the protrusions to satisfy are also satisfied. Since dave ≦ dmax, it can be seen that the condition of dave ≦ λmin is also satisfied. Note since the standard deviation sigma = 30 _nm, since the relationship between the _{H AVG -σ = 148nm <0.2 ×} λmax = 156nm is satisfied, statistically, more than 50% of the total protrusions, 84% or less It can be seen that the condition of the height of the protrusion (178 nm or more) is satisfied. From the observation results by AFM and SEM, and the analysis result of the height distribution of the microprojections, the multi-peak microprojections tend to occur more frequently with the microprojections with a higher height than the microprojections with a relatively low height. It turned out to be.

この実施形態のように、単峰性の微小突起と多峰性の微小突起とを混在させる場合には、アスペクト比の異なる単峰性の微小突起を混在させた場合と同様に、広い波長帯域で低い反射率を確保することができる。なおアスペクト比とは、微小突起の高さＨを谷底における径Ｗ（幅又は太さと言う事もできる）で除した比、Ｈ／Ｗとして定義される。ここで、谷底における径とは、微小突起の谷底近傍の形状が円柱であれば、該円柱の（底面の）直径と一致する。微小突起の谷底近傍形状が円柱では無く、谷底を連ねた仮想的平面と微小突起とが交叉して得られる底面の径の大きさが面内方向によって異なる場合は、その最大値を該微小突起の径とする。例えば、微小突起の底面形状が楕円の場合は、径はその長径となる。又、微小突起の底面形状が多角形の場合は、径はその最大の対角線長となる。又、谷底部（高さの極小点からなる領域）の幅が径に比べて小さく２割以下の場合には、各微小突起のアスペクト比Ｈ／Ｗの平均値（Ｈ／Ｗ）ａｖｅは、設計上は実質、Ｈａｖｅ／ｄａｖｅと見做すことができる。   As in this embodiment, when monomodal microprojections and multimodal microprojections are mixed, a wide wavelength band is obtained, as is the case with monomodal microprojections having different aspect ratios. A low reflectance can be secured. The aspect ratio is defined as H / W, which is a ratio obtained by dividing the height H of the minute protrusions by the diameter W (also referred to as width or thickness) at the bottom of the valley. Here, the diameter at the bottom of the valley coincides with the diameter (at the bottom) of the column if the shape of the microprotrusion near the bottom of the valley is a column. If the shape of the vicinity of the valley bottom of the microprojection is not a cylinder and the diameter of the bottom surface obtained by crossing the virtual plane connecting the valley bottom and the microprojection differs depending on the in-plane direction, the maximum value is set to the microprojection. Of the diameter. For example, when the bottom shape of the microprojection is an ellipse, the diameter is the major axis. In addition, when the bottom surface shape of the minute protrusion is a polygon, the diameter is the maximum diagonal length. In addition, when the width of the bottom of the valley (region consisting of the minimum point of the height) is smaller than the diameter and 20% or less, the average value (H / W) ave of the aspect ratio H / W of each microprotrusion is In terms of design, it can be substantially regarded as Have / dave.

すなわち、陽極酸化処理により微細穴を作製する場合、特開２００３−４３２０３号公報等で既に知られている様に、隣接微細穴間距離（一定値で分布の無い場合はピッチに相当）と微細穴の深さとは比例する関係になる。これにより陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより賦型用金型を作製し、この賦型用金型を使用した賦型処理によりこの種の反射防止物品を作製する場合、作製される単峰性の微小突起は、付け根部分の幅と高さとの比であるアスペクト比がほぼ一定に保持される。   That is, when a fine hole is produced by anodizing treatment, as already known in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-43203, etc., the distance between adjacent fine holes (corresponding to a pitch when there is no distribution with a constant value) and fine It is proportional to the depth of the hole. Thus, when a mold for molding is produced by repeating anodization treatment and etching treatment, and this type of antireflection article is produced by molding process using this mold for molding, a single peak produced The aspect ratio, which is the ratio between the width and height of the base portion, is kept substantially constant in the sexual microprojections.

反射防止物品の反射防止機能は、微小突起の間隔だけでなく、アスペクト比にも依存し、アスペクト比が一定である場合、例えば可視光域では十分に小さな反射率を確保できる場合でも、紫外線域では可視光域に比して反射率が増大して反射防止機能が不足する。なお隣接突起間距離を一段と小さくして紫外線域で十分な反射防止機能を確保できるように設定すると、今度は、赤外線域で反射防止機能が低下することになる。   The anti-reflective function of the anti-reflective article depends not only on the interval between the microprojections but also on the aspect ratio, and when the aspect ratio is constant, for example, even when a sufficiently low reflectance can be secured in the visible light range, However, the reflectance increases as compared with the visible light region, and the antireflection function is insufficient. If the distance between adjacent protrusions is further reduced so that a sufficient antireflection function can be secured in the ultraviolet region, the antireflection function will be lowered in the infrared region.

しかしながら多峰性の微小突起を含む微小突起群では、同一微小突起の頂部近傍に存在する峰間距離が隣接突起間距離（通常１００〜２００ｎｍ程度）よりも小さい（通常１０〜５０ｎｍ程度）。かかる峰間距離の寄与によって、同一隣接突起間距離の単峰性微小突起のみからなる微小突起群に比べて、実効的な隣接突起間間隔を低下させた反射防止機能を確保することができ、これにより多峰性微小突起と単峰性微小突起との混在により広い波長帯域で低い反射率を確保することができる。なお可視光域を中心にした広い波長帯域で十分に小さな反射率を確保する場合、可視光域に係る波長４８０〜６６０ｎｍ帯域の光に対する反射防止性能に寄与する隣接突起間間隔、すなわち、ｄ≦４００ｎｍ、好ましくはｄ≦３００ｎｍとなる微小突起において、多峰性の微小突起と単峰性の微小突起とを混在させることが望ましい。   However, in a microprojection group including multimodal microprotrusions, the distance between ridges existing near the top of the same microprotrusion is smaller than the distance between adjacent protrusions (usually about 100 to 200 nm) (usually about 10 to 50 nm). Due to the contribution of the distance between the peaks, it is possible to ensure an antireflection function that reduces the effective spacing between adjacent projections compared to a group of minute projections consisting only of single-peaked microprojections having the same distance between adjacent projections. Thereby, a low reflectance can be ensured in a wide wavelength band by mixing the multimodal microprojections and the monomodal microprojections. When a sufficiently small reflectance is secured in a wide wavelength band centered on the visible light region, the spacing between adjacent protrusions that contributes to the antireflection performance for light in the wavelength range of 480 to 660 nm in the visible light region, that is, d ≦ It is desirable to mix multimodal microprojections and monomodal microprojections in microprojections with 400 nm, preferably d ≦ 300 nm.

ここで、反射防止物品上に形成される多峰性の微小突起は、良好な反射防止機能と、外力に対する耐擦傷性を確保するために、以下の条件を満たすようにして形成される必要がある。
多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの度数分布における平均値をＰとし、標準偏差をσとした場合に、以下の（ａ）の関係を満たす必要がある。
（ａ） ３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍ、 ５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍ
また、Ｐ−σ≦Ｄ≦Ｐ＋σにおける前記線分の数Ｎｍと、度数分布全体における前記線分の総数Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）が、以下の（ｂ）の関係を満たすことで、より具体的に反射防止機能を向上させることができる。
（ｂ） ０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ≦０．９５
更に、Ｐ−２σ≦Ｄ≦Ｐ＋２σにおける前記線分の数Ｎｍと、前記度数分布全体における前記線分の総数Ｎｔとの割合（Ｎｍ／Ｎｔ）が、以下の（ｃ）の関係を満たすことが望ましい。
（ｃ） ０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ≦１．００ Here, in order to ensure a good antireflection function and scratch resistance against external force, the multimodal microprojections formed on the antireflection article need to be formed so as to satisfy the following conditions. is there.
When the average value in the frequency distribution of the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprotrusions is P and the standard deviation is σ, the following relationship (a) needs to be satisfied.
(A) 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm
Further, the ratio (Nm / Nt) between the number Nm of the line segments in P−σ ≦ D ≦ P + σ and the total number Nt of the line segments in the entire frequency distribution satisfies the following relationship (b): More specifically, the antireflection function can be improved.
(B) 0.55 ≦ Nm / Nt ≦ 0.95
Furthermore, the ratio (Nm / Nt) between the number Nm of the line segments in P-2σ ≦ D ≦ P + 2σ and the total number Nt of the line segments in the entire frequency distribution satisfies the following relationship (c). desirable.
(C) 0.80 ≦ Nm / Nt ≦ 1.00

図７は、この反射防止物品１の製造工程を示す図である。この製造工程１０は、樹脂供給工程において、ダイ１２により帯状フィルム形態の基材２に微小突起形状の受容層を構成する未硬化で液状の紫外線硬化性樹脂を塗布する。なお紫外線硬化性樹脂の塗布については、ダイ１２による場合に限らず、各種の手法を適用することができる。続いてこの製造工程１０は、押圧ローラ１４により、反射防止物品の賦型用金型であるロール版１３の周側面に基材２を加圧押圧し、これにより基材２に未硬化状態で液状のアクリレート系紫外線硬化性樹脂を密着させると共に、ロール版１３の周側面に作製された微細な凹凸形状の凹部に紫外線硬化性樹脂を充分に充填する。この製造工程は、この状態で、紫外線の照射により紫外線硬化性樹脂を硬化させ、これにより基材２の表面に微小突起群を作製する。この製造工程は、続いて剥離ローラ１５を介してロール版１３から、硬化した紫外線硬化性樹脂と一体に基材２を剥離する。製造工程１０は、必要に応じてこの基材２に粘着層等を作製した後、所望の大きさに切断して反射防止物品１を作製する。これにより反射防止物品１は、ロール材による長尺の基材２に、賦型用金型であるロール版１３の周側面に作製された微細形状を順次賦型して、効率良く大量生産される。   FIG. 7 is a diagram illustrating a manufacturing process of the antireflection article 1. In the manufacturing process 10, in the resin supply process, an uncured and liquid ultraviolet curable resin that forms a microprojection-shaped receiving layer is applied to the base material 2 in the form of a belt-shaped film by the die 12. In addition, about application | coating of an ultraviolet curable resin, not only the case by the die | dye 12 but various methods are applicable. Subsequently, in this manufacturing process 10, the substrate 2 is pressed and pressed onto the peripheral side surface of the roll plate 13 which is a mold for shaping the antireflection article by the pressing roller 14, and thereby the substrate 2 is uncured. The liquid acrylate-based ultraviolet curable resin is brought into close contact, and the fine concavo-convex recesses formed on the peripheral side surface of the roll plate 13 are sufficiently filled with the ultraviolet curable resin. In this state, in this manufacturing process, the ultraviolet curable resin is cured by irradiation with ultraviolet rays, and thereby a microprojection group is produced on the surface of the substrate 2. In this manufacturing process, the substrate 2 is peeled off from the roll plate 13 through the peeling roller 15 together with the cured ultraviolet curable resin. In the production process 10, an anti-reflection article 1 is produced by producing an adhesive layer or the like on the substrate 2 as necessary, and then cutting it into a desired size. Accordingly, the antireflection article 1 is mass-produced efficiently by sequentially molding the fine shape produced on the peripheral side surface of the roll plate 13 which is a mold for molding on the long base material 2 made of a roll material. The

図８は、ロール版１３の構成を示す斜視図である。ロール版１３は、円筒形状の金属材料である母材の周側面に、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにより、微細な凹凸形状が作製され、この微細な凹凸形状が上述したように基材２に賦型される。このため母材は、少なくとも周側面に純度の高いアルミニウム層が設けられた円柱形状又は円筒形状の部材が適用される。より具体的に、この実施形態では、母材に中空のステンレスパイプが適用され、直接に又は各種の中間層を介して、純度の高いアルミニウム層が設けられる。なおステンレスパイプに代えて、銅やアルミニウム等のパイプ材等を適用してもよい。ロール版１３は、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより、母材の周側面に微細穴が密に作製され、この微細穴を掘り進めると共に、開口部に近付くに従ってより大きな径となるようにこの微細穴の穴径を徐々に拡大して凹凸形状が作製される。これによりロール版１３は、深さ方向に徐々に穴径が小さくなる微細穴が密に作製され、反射防止物品１には、この微細穴に対応して、頂部に近付くに従って徐々に径が小さくなる多数の微小突起からなる微小突起群により微細な凹凸形状が作製される。その際に、アルミニウム層の純度(不純物量)や浴濃度、結晶粒径、陽極酸化処理及び／又はエッチング処理等の諸条件を適宜調整することによって、本発明特有の微小突起形状とする。   FIG. 8 is a perspective view showing the configuration of the roll plate 13. The roll plate 13 has a fine concavo-convex shape formed on the peripheral side surface of the base material, which is a cylindrical metal material, by repeating anodizing treatment and etching treatment, and the fine concavo-convex shape is formed on the substrate 2 as described above. It is shaped. For this reason, a columnar or cylindrical member in which a high-purity aluminum layer is provided at least on the peripheral side surface is used as the base material. More specifically, in this embodiment, a hollow stainless steel pipe is applied to the base material, and a high-purity aluminum layer is provided directly or via various intermediate layers. In addition, it may replace with a stainless steel pipe and may apply pipe materials, such as copper and aluminum. In the roll plate 13, fine holes are densely formed on the peripheral side surface of the base material by repeating the anodizing treatment and the etching treatment, and the fine holes are dug, and the diameter of the roll plate 13 increases as it approaches the opening. The concavo-convex shape is produced by gradually increasing the diameter of the fine holes. As a result, the roll plate 13 is closely formed with fine holes whose diameter gradually decreases in the depth direction, and the diameter of the antireflection article 1 gradually decreases as it approaches the top corresponding to the fine holes. A fine concavo-convex shape is produced by a microprojection group consisting of a large number of microprojections. At that time, by appropriately adjusting various conditions such as the purity (impurity amount), bath concentration, crystal grain size, anodizing treatment and / or etching treatment of the aluminum layer, the shape of the fine protrusion unique to the present invention is obtained.

〔陽極酸化処理、エッチング処理〕
図９は、ロール版１３の製造工程を示す図である。この製造工程は、電解溶出作用と、砥粒による擦過作用の複合による電解複合研磨法によって母材の周側面を超鏡面化する（電解研磨）。続いてこの工程は、アルミニウム層作成工程において、母材の周側面にアルミニウムをスパッタリングし、純度の高いアルミニウム層を作製する。続いてこの工程は、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮ、エッチング工程Ｅ１、…、ＥＮを交互に繰り返して母材を処理し、ロール版１３を作製する。 [Anodic oxidation treatment, etching treatment]
FIG. 9 is a diagram illustrating a manufacturing process of the roll plate 13. In this manufacturing process, the peripheral side surface of the base material is made into a super mirror surface by an electrolytic composite polishing method that combines electrolytic elution action and abrasion action by abrasive grains (electrolytic polishing). Subsequently, in this step, in the aluminum layer creation step, aluminum is sputtered on the peripheral side surface of the base material to produce a high purity aluminum layer. Subsequently, in this process, the base material is processed by alternately repeating the anodic oxidation processes A1,..., AN, and the etching processes E1,.

この製造工程において、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮでは、陽極酸化法により母材の周側面に微細な穴を作製し、さらにこの作製した微細な穴を掘り進める。ここで陽極酸化工程では、例えば負極に炭素棒、ステンレス板材等を使用する場合のように、アルミニウムの陽極酸化に適用される各種の手法を広く適用することができる。また溶解液についても、中性、酸性の各種溶解液を使用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ（蓚）酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。この製造工程Ａ１、…、ＡＮは、液温、印加する電圧、陽極酸化に供する時間等の管理により、微細な穴をそれぞれ目的とする深さ及び微小突起形状に対応する形状に作製する。   In this manufacturing process, in the anodic oxidation steps A1,..., AN, a fine hole is produced on the peripheral side surface of the base material by an anodic oxidation method, and the produced fine hole is further dug. Here, in the anodic oxidation step, various methods applied to the anodic oxidation of aluminum can be widely applied, for example, when a carbon rod, a stainless steel plate, or the like is used for the negative electrode. Further, as the solution, various neutral and acidic solutions can be used, and more specifically, for example, sulfuric acid aqueous solution, oxalic acid aqueous solution, phosphoric acid aqueous solution and the like can be used. In the manufacturing steps A1,..., AN, the fine holes are formed in shapes corresponding to the target depth and the shape of the fine protrusions, respectively, by managing the liquid temperature, the applied voltage, the time for anodization, and the like.

続くエッチング工程Ｅ１、…、ＥＮは、金型をエッチング液に浸漬し、陽極酸化工程Ａ１、…、ＡＮにより作製、掘り進めた微細な穴の穴径をエッチングにより拡大し、深さ方向に向かって滑らか、かつ徐々に穴径が小さくなるように、これら微細な穴を整形する。なおエッチング液については、この種の処理に適用される各種エッチング液を広く適用することができ、より具体的には、例えば硫酸水溶液、シュウ酸水溶液、リン酸水溶液等を使用することができる。なお陽極酸化処理に用いる溶解液と同じ液を、電圧印加無しで用いることにより、溶解液をエッチング液としても兼用してもよい。これらによりこの製造工程では、陽極酸化処理とエッチング処理とを交互にそれぞれ複数回実行することにより、賦型に供する微細穴を母材の周側面に作製する。   In the subsequent etching process E1,..., EN, the mold is immersed in an etching solution, the hole diameter of the fine hole produced and dug in the anodizing process A1,. These fine holes are shaped so that the hole diameter becomes smaller and smoother. As the etching solution, various etching solutions that are applied to this type of treatment can be widely applied. More specifically, for example, a sulfuric acid aqueous solution, an oxalic acid aqueous solution, a phosphoric acid aqueous solution, or the like can be used. Note that the same solution as the solution used for the anodic oxidation treatment may be used without applying a voltage so that the solution can be used also as an etching solution. As a result, in this manufacturing process, the anodizing process and the etching process are alternately performed a plurality of times, so that fine holes for forming are formed on the peripheral side surface of the base material.

〔微小突起を形成する微細穴の形成過程〕
次に、多峰性の微小突起を形成し、また、微小突起の高さの分布が制御された微細な穴が形成される方法について説明する。上述したように、賦型用金型（ロール版）に形成される微細穴は、陽極酸化処理及びエッチング処理の交互の繰り返しによって形成されるが、この繰り返しの陽極酸化処理における印加電圧を可変することによって、微細穴の深さ（微小突起の高さ分布）を制御することができる。ここで、陽極酸化処理における印加電圧と、形成される微細穴の間隔（ピッチ）とは、比例する関係にあるため、陽極酸化処理、エッチング処理の繰り返しにおいて、陽極酸化処理の印加電圧を可変すれば、深さ方向に掘り進める時間が相違する微細穴を混在させてその比率を制御することができる。 [Formation process of minute holes to form minute protrusions]
Next, a method for forming multi-peaked microprojections and forming fine holes in which the height distribution of the microprojections is controlled will be described. As described above, the fine hole formed in the shaping mold (roll plate) is formed by alternately repeating the anodizing treatment and the etching treatment, and the applied voltage in the repeated anodizing treatment is varied. Thus, the depth of the fine holes (the height distribution of the fine protrusions) can be controlled. Here, since the applied voltage in the anodizing process and the interval (pitch) between the fine holes to be formed are in a proportional relationship, the applied voltage of the anodizing process can be varied in the repetition of the anodizing process and the etching process. For example, it is possible to mix fine holes having different times for digging in the depth direction and control the ratio.

また、このように陽極酸化処理における印加電圧を可変する場合にあっては、太さ（径）の太い微細穴の底面に、複数の微細穴を作成して多峰性の微小突起に係る微細穴とすることができる。この太さの太い微細穴の高さの制御等により、多峰性の微小突起についても、高さ分布を制御することができる。   In addition, in the case where the applied voltage in the anodic oxidation process is varied in this way, a plurality of fine holes are created on the bottom surface of the fine hole having a large thickness (diameter) so that the fineness related to the multi-peak microprotrusions is obtained. It can be a hole. By controlling the height of the fine hole having a large thickness, the height distribution can be controlled even for the multi-peaked microprojections.

図１０は、このような多峰性微小突起に係る微細穴の説明に供する模式図であり、賦型用金型の製造工程における陽極酸化工程とエッチング工程とにより作製される微細穴を示す図である。
上述したように、陽極酸化処理における印加電圧と、微細穴のピッチとの関係は比例関係であるが、実際上、処理に供するアルミニウムの粒界等により微細穴のピッチにはばらつきが生じる。しかし、図１０においては、このばらつきが存在しないものとして、微細穴が規則正しい配列により作製されるものとして説明する。なお、図１０（ａ）〜図１０（ｅ）において、左側の図は、ロール版１３の表面の拡大図を示し、右側の図は、左側の図におけるａ−ａ断面図を示す。 FIG. 10 is a schematic diagram for explaining the microholes related to such multimodal microprotrusions, and shows the microholes produced by the anodizing step and the etching step in the molding die manufacturing process. It is.
As described above, the relationship between the applied voltage in the anodic oxidation process and the pitch of the fine holes is proportional, but in practice, the pitch of the fine holes varies depending on the grain boundaries of the aluminum used for the treatment. However, in FIG. 10, the description will be made assuming that the fine holes are formed in a regular arrangement, assuming that this variation does not exist. In FIGS. 10A to 10E, the left diagram shows an enlarged view of the surface of the roll plate 13, and the right diagram shows an aa cross-sectional view in the left diagram.

（第１の工程）
図１０（ａ）に示すように、まず、賦型用金型の表面のアルミニウム層に、電圧Ｖ１を印加して陽極酸化工程Ａ１を実行した後に、エッチング工程Ｅ１を実行し、微細穴ｆ１を形成する。ここで、陽極酸化工程Ａ１は、アルミニウムのフラット面に後続する陽極酸化処理のきっかけを作製するものである。なお、この場合、エッチング工程を適宜省略してもよい。 (First step)
As shown in FIG. 10 (a), first, the voltage V1 is applied to the aluminum layer on the surface of the shaping mold to execute the anodizing step A1, and then the etching step E1 is executed to form the fine hole f1. Form. Here, the anodic oxidation step A1 is to create a trigger for the anodic oxidation treatment that follows the flat surface of aluminum. In this case, the etching process may be omitted as appropriate.

（第２の工程）
次に、電圧Ｖ１よりも高い電圧Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１）を印加して陽極酸化工程Ａ２を実行した後に、エッチング工程Ｅ２を実行する。これにより、陽極酸化工程Ａ２では、図１０（ｂ）に示すように、先の陽極酸化工程Ａ１により形成された微細穴ｆ１のうち、陽極酸化工程Ａ２に対応する間隔の微細穴ｆ１を更に掘り下げる。
本実施形態では、陽極酸化工程Ａ２によって、先の陽極酸化工程Ａ１で形成された微細穴ｆ１を二つ置きに掘り進める処理が行われる。従って、賦型用金型の表面には、二つ置きに広くかつ深く掘り下げられた微細穴ｆ２が形成され、ロール版１３の表面には、微細穴ｆ１と微細穴ｆ２とが混在する状態となる。 (Second step)
Next, after applying the voltage V2 (V2> V1) higher than the voltage V1 to execute the anodic oxidation step A2, the etching step E2 is executed. As a result, in the anodizing step A2, as shown in FIG. 10B, among the fine holes f1 formed in the previous anodizing step A1, the fine holes f1 having an interval corresponding to the anodizing step A2 are further dug down. .
In the present embodiment, a process of digging every two fine holes f1 formed in the previous anodizing process A1 is performed by the anodizing process A2. Therefore, the surface of the shaping mold is formed with fine holes f2 that are dug wide and deep every other two, and the surface of the roll plate 13 has a mixture of the fine holes f1 and f2. Become.

（第３の工程）
続いて、電圧Ｖ２よりも高い電圧Ｖ３（Ｖ３＞Ｖ２）を印加して陽極酸化工程Ａ３を実行した後に、エッチング工程Ｅ３を実行する。この工程では、ピッチの異なる微細穴を作製する。具体的には、印加する電圧を、電圧Ｖ２から電圧Ｖ３へ徐々に上昇させ、この印加電圧の上昇を離散的（段階的）に実行すると、微小突起の高さ分布（微細穴の深さ分布）を離散的に作製することができ、この印加電圧の上昇を連続的に実行すると、微小突起の高さ分布を正規分布に設定することができる。そのため、本実施形態では、陽極酸化工程Ａ３における印加電圧の印加時間、エッチング工程の処理時間を上述の第１の工程、第２の工程よりも長く設定することにより、図１０（ｃ）に示すように、最初の陽極酸化工程Ａ１において形成された微細穴ｆ１が二つ、一つに纏まるように広くかつ深く掘り進められ、また、その一つに纏められた微細穴ｆ３の底面が略平坦に形成される（平坦微細穴形成工程）。ここで、略平坦とは、微細穴の底面が平坦な状態だけでなく、その底面が大きい曲率半径で湾曲している状態をも含む状態をいう。 (Third step)
Subsequently, after applying the voltage V3 (V3> V2) higher than the voltage V2 to execute the anodic oxidation step A3, the etching step E3 is executed. In this step, fine holes with different pitches are produced. Specifically, when the voltage to be applied is gradually increased from the voltage V2 to the voltage V3, and the increase in the applied voltage is executed discretely (stepwise), the height distribution of the fine protrusions (depth distribution of the fine holes) ) Can be produced discretely, and when the applied voltage is continuously increased, the height distribution of the microprotrusions can be set to a normal distribution. Therefore, in the present embodiment, the application time of the applied voltage in the anodizing step A3 and the processing time of the etching step are set longer than those in the first step and the second step, as shown in FIG. As described above, two fine holes f1 formed in the first anodic oxidation step A1 are dug wide and deep so as to be combined into one, and the bottom surface of the fine hole f3 integrated into one is substantially flat. (Flat fine hole forming step). Here, “substantially flat” means not only a state where the bottom surface of the fine hole is flat but also a state where the bottom surface is curved with a large curvature radius.

（第４の工程）
続いて、電圧Ｖ３よりも高い電圧Ｖ４（Ｖ４＞Ｖ３）を印加して陽極酸化工程Ａ４を実行した後に、エッチング工程Ｅ４を実行する。この工程では、目的とする突起間間隔によるピッチにより微細穴を作成する。この陽極酸化工程Ａ４においても、印加電圧は、電圧Ｖ３から電圧Ｖ４へ徐々に上昇させる。これにより、上記第３の工程により掘り進められた微細穴ｆ３の一部が更に掘り進められ、その結果、図１０（ｄ）に示すように、微細穴ｆ４となり、この微細穴ｆ４が高さの高い単峰性の微小突起を形成する。 (Fourth process)
Subsequently, after applying the voltage V4 (V4> V3) higher than the voltage V3 to execute the anodic oxidation step A4, the etching step E4 is executed. In this step, fine holes are created with a pitch based on the desired interprotrusion spacing. Also in this anodizing step A4, the applied voltage is gradually increased from the voltage V3 to the voltage V4. As a result, a part of the fine hole f3 dug by the third step is further dug, and as a result, as shown in FIG. 10 (d), the fine hole f4 is formed, and the fine hole f4 has a height. High unimodal microprotrusions are formed.

（第５の工程）
続いて、印加電圧を上記第１の工程における電圧Ｖ１に変更して陽極酸化工程Ａ５を実行した後に、エッチング工程Ｅ５を実行する。この工程では、陽極酸化工程Ａ３において形成された微細穴ｆ３であって、第４の工程の陽極酸化工程Ａ４の影響を受けていない微細穴の底面に、図１０（ｅ）に示すように、微細穴を複数個形成し、多峰性の微小突起に対応する微細穴ｆ５を形成する（多峰突起用微細穴形成工程）。ここで、印加する電圧Ｖ１の大きさを調整することによって、微細穴ｆ５の底面に形成される微細穴の数を増減したり、微細穴の間隔を調整したりすることができる。 (Fifth step)
Subsequently, after changing the applied voltage to the voltage V1 in the first step and performing the anodic oxidation step A5, the etching step E5 is performed. In this step, as shown in FIG. 10 (e), on the bottom surface of the fine hole f3 formed in the anodization step A3 and not affected by the anodization step A4 of the fourth step, A plurality of fine holes are formed to form a fine hole f5 corresponding to a multi-peak microprojection (micro-hole projection micro-hole forming step). Here, by adjusting the magnitude of the voltage V1 to be applied, the number of fine holes formed in the bottom surface of the fine hole f5 can be increased or decreased, and the interval between the fine holes can be adjusted.

以上より、賦型用金型の表面には、高さの異なる微小突起を形成する微細穴ｆ１、ｆ２、ｆ４や、多峰性の微小突起を形成する微細穴ｆ５が形成される。
ここで、この一連の工程では、第１の工程及び第２の工程により作製された深さの異なる微細穴ｆ１、ｆ２を、第３の工程で掘り進めて底面の略平坦な微細穴ｆ３を作製し、第４の工程において、この微細穴ｆ３を掘り進めて単峰性の微小突起に係る微細穴ｆ４を作製し、また、第５の工程において、この微細穴ｆ３の底面を加工して多峰性の微小突起に係る微細穴ｆ５を作製している。ここで、第１の工程から第４の工程に係る陽極酸化工程の印加時間、処理時間、エッチング工程の処理時間等を制御して、各工程で作製される微細穴の深さを制御することにより、微小突起の高さの分布や、多峰性の微小突起の高さの分布を制御することができる。なお、上述の第１の工程〜第５の工程は、必要に応じて省略したり、繰り返したり、工程を一体化したりすることができる。 As described above, the fine holes f1, f2, and f4 for forming the minute protrusions having different heights and the minute holes f5 for forming the multimodal minute protrusions are formed on the surface of the shaping mold.
Here, in this series of steps, the fine holes f1 and f2 having different depths produced in the first step and the second step are dug in the third step to form a substantially flat fine hole f3 on the bottom surface. In the fourth step, the minute hole f3 is dug to produce the minute hole f4 related to the single-peaked minute protrusion. In the fifth step, the bottom surface of the minute hole f3 is processed. A fine hole f5 related to a multi-peak microprojection is produced. Here, by controlling the application time, the processing time, the processing time of the etching process, etc. of the anodizing process according to the first to fourth processes, the depth of the fine hole produced in each process is controlled. Thus, it is possible to control the height distribution of the microprojections and the height distribution of the multimodal microprojections. In addition, the above-mentioned 1st process-5th process can be abbreviate | omitted as needed, can be repeated, or a process can be integrated.

図１１は、図１０との対比により微小突起の高さ分布の制御に係る深さの異なる微細穴が形成される過程の説明に供する図である。   FIG. 11 is a diagram for explaining a process of forming micro holes having different depths related to the control of the height distribution of the microprojections in comparison with FIG. 10.

（第１の工程）
ここで図１１（ａ）に示すように、第１の工程において、先ず、賦型用金型の表面のアルミニウム層に、電圧Ｖ１を印加して陽極酸化工程Ａ１を実行した後に、エッチング工程Ｅ１を実行し、微細な穴ｆ１を形成する。ここで、陽極酸化工程Ａ１は、アルミニウムのフラット面に後続する陽極酸化処理のきっかけを作製するものである。なお、この場合、エッチング工程を適宜省略してもよい。 (First step)
Here, as shown in FIG. 11A, in the first step, first, the voltage V1 is applied to the aluminum layer on the surface of the molding die to execute the anodic oxidation step A1, and then the etching step E1. To form a fine hole f1. Here, the anodic oxidation step A1 is to create a trigger for the anodic oxidation treatment that follows the flat surface of aluminum. In this case, the etching process may be omitted as appropriate.

（第２の工程）
次に、電圧Ｖ１よりも高い電圧Ｖ２（Ｖ２＞Ｖ１）を印加して陽極酸化工程Ａ２を実行した後に、エッチング工程Ｅ２を実行する。これにより、陽極酸化工程Ａ２では、図１１（ｂ）に示すように、先の陽極酸化工程Ａ１により形成された微細な穴ｆ１のうち、陽極酸化工程Ａ２に対応する間隔の微細な穴ｆ１を更に掘り下げる。 (Second step)
Next, after applying the voltage V2 (V2> V1) higher than the voltage V1 to execute the anodic oxidation step A2, the etching step E2 is executed. As a result, in the anodizing step A2, as shown in FIG. 11B, among the fine holes f1 formed in the previous anodizing step A1, fine holes f1 having a distance corresponding to the anodizing step A2 are formed. Dig further.

ここで印加電圧Ｖ２をＶ２＝２×Ｖ１に設定すると、陽極酸化工程Ａ２によって、先の陽極酸化工程Ａ１で形成された微細な穴ｆ１を一つ置きに掘り進める処理が行われる。従って、賦型用金型の表面には、一つ置きに広くかつ深く掘り下げられた微細な穴ｆ２が形成され、成形型の表面には、微細な穴ｆ１と微細な穴２とが混在する状態となる。   Here, when the applied voltage V2 is set to V2 = 2 × V1, a process of digging every other minute hole f1 formed in the previous anodizing process A1 is performed by the anodizing process A2. Accordingly, every other wide and deeply drilled fine hole f2 is formed on the surface of the molding die, and the minute hole f1 and the minute hole 2 are mixed on the surface of the mold. It becomes a state.

（第３の工程）
続いて、電圧Ｖ１と電圧Ｖ２の間の電圧Ｖ３（Ｖ２＞Ｖ３＞Ｖ１）を印加して陽極酸化工程Ａ３を実行した後に、エッチング工程Ｅ３を実行する。この工程では、ピッチの異なる微細な穴を作製する。具体的には、印加する電圧を、電圧Ｖ３として、縦横に面内に配列した微細な穴ｆ２の間に存在する図示の如くの特定の微細な穴ｆ１を一つ置きに広く且つ深く掘り下げる。ここで印加電圧Ｖ３をＶ３＝（Ｖ１）^１／２に設定すると、陽極酸化工程Ａ３における印加電圧の印加時間、エッチング工程の処理時間を上述の第１の工程よりも長く設定することにより、図１１（ｃ）に示すように、最初の陽極酸化工程Ａ１において形成された微細な穴ｆ１のうち、４個の微細な穴ｆ２で囲まれる最小の四角形の中心に位置する微細な穴ｆ１が選択的に深く掘り下げられる。且つ同時に、第２の陽極酸化工程Ａ２形成された微細な穴ｆ２のうちで図１１（ｃ）で図示される位置関係に有る一部のものが更に掘り下げられ、微細な穴ｆ３となる。 (Third step)
Subsequently, after applying the voltage V3 (V2>V3> V1) between the voltage V1 and the voltage V2 to execute the anodic oxidation step A3, the etching step E3 is executed. In this step, fine holes with different pitches are produced. Specifically, the voltage to be applied is set to the voltage V3, and every other specific minute hole f1 as illustrated between the minute holes f2 arranged in the plane vertically and horizontally is dug wide and deep. Here, when the applied voltage V3 is set to V3 = (V1) ^1/2 , the application time of the applied voltage in the anodizing step A3 and the processing time of the etching step are set longer than those in the first step described above. As shown in FIG. 11 (c), among the fine holes f1 formed in the first anodic oxidation step A1, the fine hole f1 located at the center of the smallest square surrounded by the four fine holes f2 is selected. Deeply digging deeply. At the same time, among the fine holes f2 formed in the second anodic oxidation step A2, a part of the fine holes f2 having the positional relationship shown in FIG. 11C is further dug down to become fine holes f3.

その結果、図１１（ｃ）に示すように、微細な穴ｆ１（これが最も高さの低い微小突起に対応する穴となる）の周囲をｆ１よりも深い微細な穴ｆ２及びｆ３（それぞれ中程度及び高程度の高さの微小突起に対応する穴となる）によって周囲を包囲された穴群が面内に配列した表面構造を有する成形型が得られる。   As a result, as shown in FIG. 11C, fine holes f2 and f3 (medium respectively) deeper than f1 around the fine hole f1 (this is a hole corresponding to the fine protrusion having the lowest height). And a mold having a surface structure in which a group of holes surrounded by a small projection having a high height is arranged in a plane.

このように複数回の陽極酸化処理における印加電圧の切り替えにより掘り進める微細穴が異なることにより、微細穴の深さを大きく異ならせることができ、これにより意図する分布により微小突起の高さを制御することができる。   In this way, the depth of the micro holes can be greatly varied by changing the micro holes to be drilled by switching the applied voltage in multiple times of anodizing treatment, thereby controlling the height of the micro protrusions by the intended distribution can do.

次に、上述の方法により作製された賦型用金型によって製造された反射防止物品の実施例について説明する。   Next, an example of the antireflection article manufactured by the shaping mold manufactured by the above-described method will be described.

〔実施例１〕
図１２は、実施例１の反射防止物品の多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤ（多峰性の微小突起の頂点間距離）の度数分布を示す図である。
実施例１の反射防止物品を製造する賦型用金型は、上述の第２工程、第３工程、第４工程で陽極酸化処理の印加電圧を連続的に変化させたものであり、また第５工程では、第４工程の印加電圧から電圧を低下させたものである。 [Example 1]
FIG. 12 is a diagram showing a frequency distribution of a length D (distance between vertices of multi-modal microprotrusions) connecting line vertices of the multi-modal microprotrusions of the antireflection article of Example 1.
The shaping mold for producing the antireflection article of Example 1 is obtained by continuously changing the applied voltage of the anodizing treatment in the second step, the third step, and the fourth step. In the fifth step, the voltage is reduced from the applied voltage in the fourth step.

より具体的に、図１６の例は、陽極酸化工程とエッチング工程とを５回繰り返した場合であり、第１回目の陽極酸化工程の印加電圧をＶ１（１５Ｖ〜３５Ｖの範囲の一定電圧である）とした場合に、第２回目、第３回目、第４回目、第５回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ２Ｖ１、３．５Ｖ１、５Ｖ１、Ｖ１とした例である。なお陽極酸化処理は、濃度０．０２Ｍのシュウ酸水溶液を使用して１００秒実施した。エッチング工程は、濃度０．０２Ｍのシュウ酸水溶液を使用して４５秒間エッチング処理した後、濃度１．０Ｍのリン酸水溶液を使用して１１０秒間エッチング処理した。   More specifically, the example of FIG. 16 is a case where the anodizing step and the etching step are repeated five times, and the applied voltage of the first anodizing step is V1 (a constant voltage in the range of 15V to 35V). ), The applied voltages in the second, third, fourth, and fifth anodic oxidation steps are 2V1, 3.5V1, 5V1, and V1, respectively. The anodizing treatment was performed for 100 seconds using an oxalic acid aqueous solution having a concentration of 0.02M. In the etching step, an etching process was performed for 45 seconds using an aqueous oxalic acid solution having a concentration of 0.02M, and then an etching process was performed for 110 seconds using an aqueous solution of phosphoric acid having a concentration of 1.0M.

上述の方法により製造された実施例１の反射防止物品は、図１２に示すような度数分布で表され、多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤ（多峰性の微小突起の頂点間距離）の平均値がＰ＝３２．５ｎｍとなり、その標準偏差がσ＝１０．６ｎｍとなる。従って、上述の（ａ）の関係、すなわち、３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍと、５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍとを満足する。
また、図１２に示す度数分布において、Ｐ−σ＝２１．９ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋σ＝４３．１ｎｍにおける多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが２９本であり、この度数分布全体における多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の総数Ｎｔが３７本であるので、両者の比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．７８となり、上述の（ｂ）の関係、すなわち、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．７８≦０．９５を満足する。
更に、Ｐ−２σ＝１１．３ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋２σ＝５３．７ｎｍにおける多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが３６本であるので、Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．９７となり、上述の（ｃ）の関係、すなわち、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．９７≦１．００も満足する。 The antireflection article of Example 1 manufactured by the above-described method is represented by a frequency distribution as shown in FIG. 12, and the length D (multimodality) of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprotrusions. The average value of the distances between the apexes of the microprotrusions is P = 32.5 nm, and the standard deviation is σ = 10.6 nm. Therefore, the relationship (a) described above, that is, 30 nm ≦ P ≦ 40 nm and 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm are satisfied.
In the frequency distribution shown in FIG. 12, the number Nm of line segments connecting the vertices of the multi-peaked microprojections at P−σ = 21.9 nm ≦ D ≦ P + σ = 43.1 nm is 29. Since the total number Nt of line segments connecting the vertices of the multimodal microprotrusions in the entire distribution is 37, the ratio (Nm / Nt) of both is 0.78, and the relationship of (b) above, ie, 0.55 ≦ Nm / Nt = 0.78 ≦ 0.95 is satisfied.
Furthermore, since the number Nm of line segments connecting the vertices of the multimodal microprotrusions at P-2σ = 11.3 nm ≦ D ≦ P + 2σ = 53.7 nm is 36, the ratio to Nt (Nm / Nt) Is 0.97, which satisfies the above-described relationship (c), that is, 0.80 ≦ Nm / Nt = 0.97 ≦ 1.00.

また、頂点が２つの多峰性（２峰）の微小突起と、頂点が３つの多峰性（３峰）の微小突起とに分けて、上記と同様の評価を行う。   Further, the evaluation is performed in the same manner as described above by dividing into multi-protrusions (two peaks) having two peaks and multi-protrusions having three peaks (three peaks).

（２峰の微小突起）
実施例１の反射防止物品は、２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの平均値がＰ＝３３．４ｎｍであり、その標準偏差がσ＝１０．７ｎｍである。従って、上述の（ａ）の関係、すなわち、３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍ、５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍを満足する。
ここで、Ｐ−σ＝２２．８ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋σ＝４４．１ｎｍにおける２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが１７本であり、この度数分布全体における２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の総数Ｎｔが２５本であるので、両者の比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．６８となり、上述の（ｂ）の関係、すなわち、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．６８≦０．９５を満足する。
また、Ｐ−２σ＝１２．１ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋２σ＝５４．８ｎｍにおける２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが２４本であるので、Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．９６となり、上述の（ｃ）の関係、すなわち、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．９６≦１．００も満足する。 (Two peaks of microprotrusions)
In the antireflection article of Example 1, the average value of the length D of the line segment connecting the vertices of the two peaks is P = 33.4 nm, and the standard deviation thereof is σ = 10.7 nm. Therefore, the relationship (a) described above, that is, 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm is satisfied.
Here, the number Nm of line segments connecting the vertices of the two peak microprojections at P−σ = 22.8 nm ≦ D ≦ P + σ = 44.1 nm is 17, and the two peak microprojections in the entire frequency distribution Since the total number Nt of line segments connecting the vertices is 25, the ratio (Nm / Nt) of both is 0.68, and the relationship of (b) above, that is, 0.55 ≦ Nm / Nt = 0. .68 ≦ 0.95 is satisfied.
In addition, since the number Nm of line segments connecting the vertices of two microprotrusions at P−2σ = 12.1 nm ≦ D ≦ P + 2σ = 54.8 nm is 24, the ratio (Nm / Nt) to Nt is 0.96, which satisfies the above-described relationship (c), that is, 0.80 ≦ Nm / Nt = 0.96 ≦ 1.00.

（３峰の微小突起）
実施例１の反射防止物品は、３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの平均値がＰ＝３０．７ｎｍであり、その標準偏差がσ＝１０．５ｎｍである。従って、上述の（ａ）の関係、すなわち、３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍ、５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍを満足する。
ここで、Ｐ−σ＝２０．２ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋σ＝４１．２ｎｍにおける３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが７本であり、この度数分布全体における３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の総数Ｎｔが１２本であるので、両者の比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．５８となり、上述の（ｂ）の関係、すなわち、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．５８≦０．９５を満足する。
また、Ｐ−２σ＝９．７ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋２σ＝５１．７ｎｍにおける３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが１２本であるので、Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は１．００となり、上述の（ｃ）の関係、すなわち、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ＝１．００≦１．００も満足する。 (Three peaks of microprotrusions)
In the antireflection article of Example 1, the average value of the length D of the line segment connecting the vertices of the three peaks is P = 30.7 nm, and the standard deviation is σ = 10.5 nm. Therefore, the relationship (a) described above, that is, 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm is satisfied.
Here, the number Nm of line segments connecting the vertices of the three peak microprojections at P−σ = 20.2 nm ≦ D ≦ P + σ = 41.2 nm is 7, and the three peak microprojections in the entire frequency distribution Since the total number Nt of line segments connecting the vertices is 12, the ratio (Nm / Nt) of both is 0.58, and the relationship of (b) above, that is, 0.55 ≦ Nm / Nt = 0. .58 ≦ 0.95 is satisfied.
Further, since the number Nm of line segments connecting the vertices of the three peak microprotrusions at P-2σ = 9.7 nm ≦ D ≦ P + 2σ = 51.7 nm is 12, the ratio (Nm / Nt) to Nt is 1.00, which satisfies the above-described relationship (c), that is, 0.80 ≦ Nm / Nt = 1.00 ≦ 1.00.

〔実施例２〕
図１３は、実施例２の反射防止物品の多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤ（多峰性の微小突起の頂点間距離）の度数分布を示す図である。
実施例２の反射防止物品を製造する賦型用金型は、徐々に印加電圧を可変して陽極酸化処理を実行し、第４工程では、図１２の例による最高電圧に比して一段とより高い電圧により陽極酸化処理を実行ものである。 [Example 2]
FIG. 13 is a diagram showing a frequency distribution of a length D (distance between vertices of multimodal microprojections) connecting line vertices of multimodal microprojections of the antireflection article of Example 2.
The shaping mold for producing the antireflection article of Example 2 performs the anodic oxidation process by gradually changing the applied voltage, and in the fourth step, compared with the maximum voltage according to the example of FIG. The anodizing treatment is performed with a high voltage.

より具体的に図１７の例は、図１６の例と同一の繰り返し回数、水溶液及び処理時間により陽極酸化工程、エッチング工程を実行した。この図１７の例では、第１回目の陽極酸化工程の印加電圧をＶ１（１５Ｖ〜３５Ｖの範囲の一定電圧である）とした場合に、第２回目、第３回目、第４回目、第５回目の陽極酸化工程の印加電圧をそれぞれ２．５Ｖ１、４Ｖ１、６Ｖ１、Ｖ１^１／２〜Ｖ１とした例である。２回目から４回目の陽極酸化工程では、２回目の陽極酸化処理の開始電圧及び４回目の陽極酸化処理の終了電圧がそれぞれ２．５Ｖ１及び６Ｖ１となるように設定して、徐々に印加電圧を増大させた。 More specifically, in the example of FIG. 17, the anodizing process and the etching process were executed with the same number of repetitions, aqueous solution, and processing time as in the example of FIG. 16. In the example of FIG. 17, when the applied voltage in the first anodic oxidation step is V1 (a constant voltage in the range of 15V to 35V), the second, third, fourth, In this example, the applied voltage in the second anodic oxidation step is set to 2.5 V1, 4 V1, 6 V1, and V1 ^{1/2 to} V1, respectively. In the second to fourth anodic oxidation steps, the start voltage of the second anodic oxidation treatment and the end voltage of the fourth anodic oxidation treatment are set to 2.5 V1 and 6 V1, respectively, and the applied voltage is gradually increased. Increased.

上述の方法により製造された実施例２の反射防止物品は、図１３に示すような度数分布で表され、多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤ（多峰性の微小突起の頂点間距離）の平均値がＰ＝３６．３ｎｍであり、その標準偏差がσ＝１０．９ｎｍである。従って、上述の（ａ）の関係、すなわち、３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍ、５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍを満足する。
また、図１３に示す度数分布において、Ｐ−σ＝２５．４ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋σ＝４７．２ｎｍにおける多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが１９本であり、この度数分布全体における多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の総数Ｎｔが３２本であるので、両者の比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．５９となり、上述の（ｂ）の関係、すなわち、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．５９≦０．９５を満足する。
また、Ｐ−２σ＝１４．５ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋２σ＝５８．１ｎｍにおける多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが２９本であるので、Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．９１となり、上述の（ｃ）の関係、すなわち、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．９１≦１．００も満足する。 The antireflective article of Example 2 manufactured by the above-described method is represented by a frequency distribution as shown in FIG. 13, and the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprotrusions (multimodal The average value of the distances between the apexes of the microprotrusions is P = 36.3 nm, and the standard deviation is σ = 10.9 nm. Therefore, the relationship (a) described above, that is, 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm is satisfied.
In the frequency distribution shown in FIG. 13, the number Nm of line segments connecting the vertices of the multimodal microprotrusions at P−σ = 25.4 nm ≦ D ≦ P + σ = 47.2 nm is 19, and this frequency Since the total number Nt of line segments connecting the vertices of the multimodal microprotrusions in the entire distribution is 32, the ratio (Nm / Nt) of both is 0.59, that is, the relationship of (b) above, that is, 0.55 ≦ Nm / Nt = 0.59 ≦ 0.95 is satisfied.
Further, since the number Nm of line segments connecting the vertices of the multimodal microprotrusions at P-2σ = 14.5 nm ≦ D ≦ P + 2σ = 58.1 nm is 29, the ratio to Nt (Nm / Nt) Is 0.91, which satisfies the above-described relationship (c), that is, 0.80 ≦ Nm / Nt = 0.91 ≦ 1.00.

また、頂点が２つの多峰性（２峰）の微小突起と、頂点が３つの多峰性（３峰）の微小突起とに分けて、上記と同様の評価を行う。なお、実施例２の反射防止物品には、４峰の微小突起も含まれているが、標本数が少ないので、本評価の対象外とする。   Further, the evaluation is performed in the same manner as described above by dividing into multi-protrusions (two peaks) having two peaks and multi-protrusions having three peaks (three peaks). In addition, although the antireflection article of Example 2 includes 4 peaks of microprotrusions, the number of samples is small, so it is excluded from this evaluation.

（２峰の微小突起）
実施例２の反射防止物品は、２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの平均値がＰ＝３３．１ｎｍであり、その標準偏差がσ＝１３．５ｎｍである。従って、上述の（ａ）の関係、すなわち、３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍ、５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍを満足する。
ここで、Ｐ−σ＝１９．７ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋σ＝４６．６ｎｍにおける２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが１３本であり、この度数分布全体における２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の総数Ｎｔが２１本であるので、両者の比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．６２となり、上述の（ｂ）の関係、すなわち、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．６２≦０．９５を満足する。
また同様に、Ｐ−２σ＝６．２ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋２σ＝６０．１ｎｍにおける２峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが２１本であるので、Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は１．００となり、上述の（ｃ）の関係、すなわち、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ＝１．００≦１．００も満足する。 (Two peaks of microprotrusions)
In the antireflection article of Example 2, the average value of the length D of the line segment connecting the vertices of the two peaks is P = 33.1 nm, and the standard deviation thereof is σ = 13.5 nm. Therefore, the relationship (a) described above, that is, 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm is satisfied.
Here, the number Nm of line segments connecting the vertices of the two peak microprojections at P-σ = 19.7 nm ≦ D ≦ P + σ = 46.6 nm is 13, and the two peak microprojections in the entire frequency distribution Since the total number Nt of line segments connecting the respective vertices is 21, the ratio (Nm / Nt) of both is 0.62, and the relationship of (b) above, that is, 0.55 ≦ Nm / Nt = 0. .62 ≦ 0.95 is satisfied.
Similarly, since the number Nm of line segments connecting the vertices of the two microprotrusions at P−2σ = 6.2 nm ≦ D ≦ P + 2σ = 60.1 nm is 21, the ratio to Nt (Nm / Nt ) Is 1.00, which satisfies the above-described relationship (c), that is, 0.80 ≦ Nm / Nt = 1.00 ≦ 1.00.

（３峰の微小突起）
実施例２の反射防止物品は、３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの平均値がＰ＝４４．４ｎｍであり、その標準偏差がσ＝１２．３ｎｍである。従って、上述の（ａ）の関係、すなわち、３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍ、５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍを満足する。
ここで、Ｐ−σ＝３２．２ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋σ＝５６．７ｎｍにおける３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが８本であり、この度数分布全体における３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の総数Ｎｔが９本であるので、両者の比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は０．８９となり、上述の（ｂ）の関係、すなわち、０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ＝０．８９≦０．９５を満足する。
また、Ｐ−２σ＝１９．９ｎｍ≦Ｄ≦Ｐ＋２σ＝６９．０ｎｍにおける３峰の微小突起の各頂点を結ぶ線分の数Ｎｍが９本であるので、Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）は１．００となり、上述の（ｃ）の関係、すなわち、０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ＝１．００≦１．００も満足する。 (Three peaks of microprotrusions)
In the antireflection article of Example 2, the average value of the length D of the line segments connecting the vertices of the three peaks is P = 44.4 nm, and the standard deviation is σ = 12.3 nm. Therefore, the relationship (a) described above, that is, 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm is satisfied.
Here, the number Nm of line segments connecting the vertices of the three peak microprojections at P−σ = 32.2 nm ≦ D ≦ P + σ = 56.7 nm is eight, and the three peak microprojections in the entire frequency distribution Since the total number Nt of line segments connecting the respective vertices is 9, the ratio (Nm / Nt) of both is 0.89, and the relationship of (b) above, that is, 0.55 ≦ Nm / Nt = 0. .89 ≦ 0.95 is satisfied.
Further, since the number Nm of line segments connecting the vertices of the three peak microprotrusions at P-2σ = 19.9 nm ≦ D ≦ P + 2σ = 69.0 nm is 9, the ratio (Nm / Nt) to Nt is 1.00, which satisfies the above-described relationship (c), that is, 0.80 ≦ Nm / Nt = 1.00 ≦ 1.00.

以上より、各実施例の反射防止物品は、多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの度数分布における平均値Ｐが３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍの範囲内であり、標準偏差σが５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍの範囲内であるので、良好な反射防止機能を確保することができる。また、上記平均値Ｐ及び標準偏差σが上述の範囲内で形成されることによって、多峰性の微小突起の強度を向上させることができ、反射防止物品の耐擦傷性を向上させることができる。
また、多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分のＰ−σ≦Ｄ≦Ｐ＋σにおける数Ｎｍと、度数分布全体における総数Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）が、上述の（ｂ）の関係（０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ≦０．９５）を満たし、また、２峰の微小突起、３峰の微小突起の個別評価においても同様に（ｂ）の関係を満たすので、上記効果をより具体的に実現することができる。
更に、多峰性の微小突起の各頂点を結ぶ線分のＰ−２σ≦Ｄ≦Ｐ＋２σにおける数Ｎｍと、度数分布全体における総数Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）が、上述の（ｃ）の関係（０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ≦１．００）を満たし、また、２峰の微小突起、３峰の微小突起の個別評価においても同様に（ｃ）の関係を満たすので、上記効果をより具体的に実現することができる。 As described above, in the antireflection article of each example, the average value P in the frequency distribution of the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprojections is in the range of 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, and the standard deviation Since σ is in the range of 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm, a good antireflection function can be ensured. Further, by forming the average value P and the standard deviation σ within the above-described range, the strength of the multimodal microprotrusions can be improved, and the scratch resistance of the antireflection article can be improved. .
Further, the ratio (Nm / Nt) of the number Nm in the line segment P−σ ≦ D ≦ P + σ connecting the vertices of the multimodal microprotrusions to the total number Nt in the entire frequency distribution is as described in (b) above. The relationship (0.55 ≦ Nm / Nt ≦ 0.95) is satisfied, and the relationship (b) is also satisfied in the individual evaluation of two-peak microprojections and three-peak microprojections. It can be realized specifically.
Further, the ratio (Nm / Nt) of the number Nm in the line segment P-2σ ≦ D ≦ P + 2σ connecting the vertices of the multimodal microprotrusions to the total number Nt in the entire frequency distribution is as described in (c) above. The relationship (0.80 ≦ Nm / Nt ≦ 1.00) is satisfied, and the relationship (c) is also satisfied in the individual evaluation of two-peak microprojections and three-peak microprojections. It can be realized specifically.

なお、これら多峰性の微小突起の特徴は、賦型用金型の対応する形状を備えた微細穴により作製される多峰性の微小突起の固有の特徴であり、特開２０１２−０３７６７０号公報に開示の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起によっては得ることができない特徴である。すなわち樹脂の充填不良による多峰性の微小突起は、本来、単峰性の微小突起として作製される微細穴に十分に樹脂が充填されないことにより作製されるものであるので、頂点間の間隔が極めて微小であり、これにより耐擦傷性を十分に向上することが困難であり、また上述したような光学特性の向上も困難である。   Note that the characteristics of these multimodal microprotrusions are unique characteristics of the multimodal microprotrusions produced by the microholes having the corresponding shapes of the shaping mold, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-037670. This is a feature that cannot be obtained by the multi-modal microprotrusions caused by the resin filling failure disclosed in the publication. That is, the multi-peak microprotrusions due to poor filling of the resin are produced by not sufficiently filling the fine holes that are originally produced as single-peak microprotrusions, so that there is a gap between the vertices. Therefore, it is difficult to sufficiently improve the scratch resistance, and it is also difficult to improve the optical characteristics as described above.

また、充填不良による多峰性の微小突起にあっては、再現性が乏しく、これにより均一な製品を量産できない欠点もあり、これに対して、この実施形態に係る多峰性の微小突起は、いわゆる金型により高い再現性を確保することができる。また、上述の実施例について詳述するように、多峰性の微小突起の高さ分布について制御できるのに対し、充填不良の多峰性の微小突起については、このような制御が困難である。   In addition, in the multi-peak microprojections due to poor filling, there is a disadvantage that the reproducibility is poor, and thus a uniform product cannot be mass-produced, whereas the multi-peak micro-projections according to this embodiment are High reproducibility can be ensured by a so-called mold. In addition, as described in detail for the above-described embodiments, the height distribution of multimodal microprojections can be controlled, whereas such control is difficult for poorly filled multimodal microprojections. .

〔耐擦傷性の向上〕
ところでこの陽極酸化処理及びエッチング処理の交互の繰り返しにより微細穴を作製して反射防止物品を作製したところ、上述したように耐擦傷性に改善の余地が見られた。そこで反射防止物品を詳細に観察したところ、従来のこの種の反射防止物品のように、多角錘形状や回転放物面形状のような１つの頂点のみを持つ単峰性の微小突起のみからなり、各頂点の高さも一様に作製されている場合には、例えば他の物体が接触した場合に、広い範囲で微小突起の形状が一様に損なわれ、これにより反射防止機能が局所的に劣化し、また接触個所に白濁、傷等が発生して外観不良が発生することが判った。しかしながらロール版の製造条件を変更すると、このような耐擦傷性が改善されることが判った。 [Improved scratch resistance]
By the way, when the anti-reflective article was produced by producing fine holes by alternately repeating the anodizing treatment and the etching treatment, there was room for improvement in the scratch resistance as described above. Therefore, when the antireflection article was observed in detail, it consisted of only single-peaked microprojections having only one apex, such as a polygonal pyramid shape and a rotating paraboloid shape, as in this type of conventional antireflection article. If the height of each vertex is also made uniform, for example, when another object comes into contact, the shape of the microprojections is uniformly damaged over a wide range, thereby locally preventing the antireflection function. It was found that the appearance deteriorated due to deterioration and white turbidity, scratches, etc. at the contact points. However, it has been found that such scratch resistance is improved by changing the production conditions of the roll plate.

このような耐擦傷性が改善された反射防止物品の表面形状をＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）及びＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）により観察したところ、多数の微小突起の中に、頂点を複数有する多峰性の微小突起が存在することが判った。なおここで微細形状の観察のために、種々の方式の顕微鏡が提供されているものの、微細構造を損なわないようにして反射防止物品の表面形状を観察する場合には、ＡＦＭ及びＳＥＭが適している。   When the surface shape of such an antireflection article with improved scratch resistance was observed with an AFM (Atomic Force Microscope) and SEM (Scanning Electron Microscope), a large number of microprojections were observed. It was found that there are multimodal microprojections having a plurality of vertices. Although various types of microscopes are provided here for observing the fine shape, AFM and SEM are suitable for observing the surface shape of the antireflection article without damaging the fine structure. Yes.

ここで多峰性微小突起は、単に頂点を複数有するだけでなく、微小突起を先端側より平面視覚した場合に、ほぼ中央より外方に向かって形成された溝により複数の領域に分割され、この複数の領域の各領域が、それぞれ各頂点に係る峰であるように形成される。またこの多峰性の微小突起は、対応する形状を備えた微細穴の賦型処理により作製され、このような多峰性の微小突起に係る微細穴は、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにおいて、極めて近接して作製された微細穴が、エッチング処理により、一体化して作製される。これにより多峰性の微小突起は、微小突起を先端側より平面視覚した場合の周囲長が、単峰性の微小突起に比して長く形成されている。この点については、後述する図１５により見て取ることができる。なおこれら多峰性微小突起の形状は、特開２０１２−０３７６７０号公報に開示の賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起とは異なる特徴である。   Here, the multimodal microprotrusions not only have a plurality of vertices, but when the microprotrusions are viewed in plan from the tip side, they are divided into a plurality of regions by grooves formed outward from the center, Each of the plurality of regions is formed to be a peak related to each vertex. In addition, the multi-peak microprojections are produced by forming a micro-hole having a corresponding shape, and the micro-holes related to such multi-peak micro-protrusions are repeatedly anodized and etched. In FIG. 5, the micro holes produced in close proximity are produced integrally by etching. As a result, the multi-peak microprotrusions are formed such that the perimeter when the microprotrusions are viewed in plan from the tip side is longer than that of the single-peak microprotrusions. This point can be seen from FIG. 15 described later. The shape of these multimodal microprotrusions is a feature different from the multimodal microprotrusions caused by poor filling of the resin during the molding process disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-037670.

図１４は、この頂点を複数有する多峰性の微小突起の説明に供する断面図（図１４（ａ））、斜視図（図１４（ｂ））、平面図（図１４（ｃ））である。なおこの図１４は、理解を容易にするために模式的に示す図であり、図１４（ａ）は、連続する微小突起の頂点を結ぶ折れ線により断面を取って示す図である。この図１４（ｂ）及び（ｃ）において、ｘｙ方向は、基材２の面内方向であり、ｚ方向は微小突起の高さ方向である。反射防止物品１において、多くの微小突起５は、基材２より離れて頂点に向かうに従って徐々に断面積（高さ方向に直交する面（図１４においてＸＹ平面と平行な面）で切断した場合の断面積）が小さくなって、頂点が１つにより作製される。しかしながら中には、複数の微小突起が結合したかのように、先端部分に溝ｇが形成され、頂点が２つになったもの（５Ａ）、頂点が３つになったもの（５Ｂ）、さらには頂点が４つ以上のもの（図示略）が存在した。なお単峰性の微小突起５の形状は、概略、回転放物面の様な頂部の丸い形状、或いは円錐の様な頂点の尖った形状で近似することができる。一方、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、概略、単峰性の微小突起５の頂部近傍に溝状の凹部を切り込んで、頂部を複数の峰に分割したような形状で近似される。多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂの形状は、或いは、複数の峰を含み高さ方向（図１４ではＺ軸方向）を含む仮想的切断面で切断した場合の縦断面形状が、極大点を複数個含み各極大点近傍が上に凸の曲線になる代数曲線Ｚ＝ａ_２Ｘ^２＋ａ_４Ｘ^４＋・・＋ａ_２ｎＸ^２ｎ＋・・で近似されるような形状である。 FIG. 14 is a cross-sectional view (FIG. 14 (a)), a perspective view (FIG. 14 (b)), and a plan view (FIG. 14 (c)) for explaining the multimodal microprotrusions having a plurality of vertices. . Note that FIG. 14 is a diagram schematically showing for easy understanding, and FIG. 14A is a diagram showing a cross section by a broken line connecting the vertices of continuous minute protrusions. 14B and 14C, the xy direction is the in-plane direction of the substrate 2, and the z direction is the height direction of the microprojections. In the antireflection article 1, many microprotrusions 5 are gradually cut from a cross-sectional area (a plane perpendicular to the height direction (a plane parallel to the XY plane in FIG. 14)) toward the apex away from the base material 2. The cross-sectional area) is reduced, and one vertex is produced. However, in some cases, as if a plurality of microprotrusions were combined, a groove g was formed at the tip, and the apex was two (5A), the apex was three (5B), Furthermore, there were those having four or more vertices (not shown). The shape of the unimodal microprotrusions 5 can be approximated by a round shape at the top, such as a paraboloid of revolution, or a pointed shape, such as a cone. On the other hand, the shape of the multimodal microprotrusions 5A and 5B is roughly approximated by a shape in which a groove-shaped recess is cut in the vicinity of the top of the monomodal microprotrusion 5 and the top is divided into a plurality of peaks. The The shape of the multi-peaked microprotrusions 5A, 5B, or the vertical cross-sectional shape when cutting along a virtual cut surface including a plurality of peaks and including the height direction (Z-axis direction in FIG. 14) is the maximum point. It is a shape that is approximated by an algebraic curve Z = a ₂ X ² + a ₄ X ⁴ +... + A _2n X ²ⁿ +.

このような頂点を複数有する多峰性の微小突起は、単峰性の微小突起に比して、頂点近傍の寸法に対する裾の部分の太さが相対的に太くなる。これにより、多峰性の微小突起は、単峰性の微小突起に比して機械的強度が優れていると言える。これにより頂点を複数有する多峰性の微小突起が存在する場合、反射防止物品では、単峰性の微小突起のみによる場合に比して耐擦傷性が向上するものと考えられる。さらに、具体的に反射防止物品に外力が加わった場合、単峰性の微小突起のみの場合に比して、外力をより多くの頂点で分散して受ける為、各頂点に加わる外力を低減し、微小突起が損傷し難いようにすることができ、これにより反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。また仮に微小突起が損傷した場合でも、その損傷個所の面積を低減することができる。更に、多峰性の微小突起の半分程度は、最高峰高さ（麓が同じ微小突起に属する最も高い峰の高さ）が突起高さの平均値Ｈ_ＡＶＧ以上の微小突起に生じる為、外力を先ず各峰部分が受止めて犠牲的に損傷することによって、該微小突起の峰より低い本体部分、及び該多峰性の微小突起よりも高さの低い微小突起の損耗を防ぐ。これによっても反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらに外観不良の発生を低減することができる。 In such multi-peak microprojections having a plurality of vertices, the thickness of the skirt portion relative to the size in the vicinity of the vertices is relatively thicker than that of a single-peak microprojection. Thereby, it can be said that the multimodal microprotrusions are superior in mechanical strength to the single-peak microprotrusions. Thus, when there are multi-peaked microprojections having a plurality of vertices, it is considered that the anti-reflective article has improved scratch resistance as compared with the case of using only single-peak microprojections. In addition, when an external force is applied to the anti-reflective article, the external force is distributed and received at more vertices than when only a single-peaked microprojection is used. Thus, it is possible to make the microprotrusions less likely to be damaged, thereby reducing local deterioration of the antireflection function, and further reducing the appearance defects. Moreover, even if a microprotrusion is damaged, the area of the damaged portion can be reduced. Moreover, about half of the multimodal microprotrusions highest peak height (foot height of the highest peaks belonging to the same microprojections) is to produce the average value H _AVG or more microprojections of projection height, the external force First, each peak portion receives and sacrificial damage prevents the wear of the main body portion lower than the peak of the microprojection and the microprojection lower than the multi-peak microprojection. This also reduces local deterioration of the antireflection function and further reduces the occurrence of appearance defects.

なお上述した図５に示す度数分布においては、隣接突起間距離ｄ（横軸の値）について、２０ｎｍ及び４０ｎｍの短距離の極大値と１２０ｎｍ及び１６４ｎｍの長距離の極大値との２種類の極大値が存在する。これらの極大値のうちの長距離の極大値は、微小突起本体（頂部よりも下の中腹から麓にかけての部分）の配列に対応し、一方、短距離の極大値は頂部近傍に存在する複数の頂点（峰）に対応する。これにより極大点間距離の度数分布によっても、多峰性の微小突起の存在を見て取ることができる。   In the frequency distribution shown in FIG. 5 described above, two types of local maximums of the distance d between adjacent protrusions (value on the horizontal axis), that is, a short distance maximum value of 20 nm and 40 nm and a long distance maximum value of 120 nm and 164 nm. Value exists. Among these maximum values, the maximum value of the long distance corresponds to the arrangement of the microprojection bodies (the part from the middle to the heel below the top part), while the maximum value of the short distance exists in the vicinity of the top part. Corresponds to the apex (peak) of. As a result, the presence of multi-peaked microprotrusions can be seen also from the frequency distribution of the distance between the maximal points.

なお多峰性の微小突起は、その存在により耐擦傷性を向上できるものの、充分に存在しない場合には、この耐擦傷性を向上する効果を十分に発揮できないことは言うまでもない。係る観点より、本発明においては、表面に存在する全微小突起中における多峰性の微小突起の個数の比率は１０％以上とする。特に多峰性の微小突起による耐擦傷性を向上する効果を十分に奏する為には、該多峰性の微小突起の比率は３０％以上、好ましくは５０％以上とする。又、多峰性微小突起の比率を増やすに伴い製造工程の管理の難度が増す為、当該比率は好ましくは９０％以下、より好ましくは８０％以下とする。   Needless to say, the multi-peak microprotrusions can improve the scratch resistance due to their presence, but if they do not exist sufficiently, the effect of improving the scratch resistance cannot be fully exhibited. From such a viewpoint, in the present invention, the ratio of the number of multimodal microprojections in all the microprojections present on the surface is set to 10% or more. In particular, in order to sufficiently exhibit the effect of improving the scratch resistance due to the multimodal microprojections, the ratio of the multimodal microprojections is 30% or more, preferably 50% or more. Further, since the difficulty of managing the manufacturing process increases as the ratio of the multimodal microprotrusions increases, the ratio is preferably 90% or less, more preferably 80% or less.

さらにこのような多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂを含む微小突起群（５、５Ａ、５Ｂ、・・）を有する反射防止物品には、上述したように高さが制御された微小突起が形成され、また、高さの異なる微小突起が分布している。なおここで微小突起の高さとは、上述したように、麓（付け根）部を共有するある特定の微小突起について、その頂部に存在する最高高さを有する峰（最高峰）の高さを言う。図１４（ａ）の微小突起５の如くの単峰性の微小突起の場合は、頂部における唯一の峰（極大点）の高さが該微小突起の突起高さとなる。また図１４（ａ）の微小突起５Ａ、５Ｂのような多峰性の微小突起の場合は、頂部に在る麓部を共有する複数の峰のうちの最高峰の高さをもって該微小突起の高さとする。また麓部を共有する全峰が同一高さの場合は、其の同一の高さを以って該微小突起の高さとする。このように微小突起の高さが種々に異なる場合には、例えば物体の接触により高さの高い微小突起の形状が損なわれた場合でも、高さの低い微小突起においては、形状が維持されることになる。これによっても反射防止物品では、反射防止機能の局所的な劣化を低減し、さらには外観不良の発生を低減することができ、その結果、耐擦傷性を向上することができる。   Further, the antireflection article having the microprotrusion group (5, 5A, 5B,...) Including the multimodal microprotrusions 5A and 5B is formed with microprotrusions whose height is controlled as described above. In addition, microprojections having different heights are distributed. In addition, the height of a microprotrusion here means the height of the peak (highest peak) which has the highest height which exists in the top part about a specific microprotrusion which shares a ridge (base) part as mentioned above. . In the case of a unimodal microprojection such as the microprojection 5 in FIG. 14A, the height of the only peak (maximum point) at the top is the projection height of the microprojection. In addition, in the case of a multi-peak microprojection such as the microprotrusions 5A and 5B in FIG. 14A, the height of the microprotrusions has a height of the highest peak among a plurality of peaks sharing the ridge at the top. The height. Moreover, when all the peaks which share a collar part are the same height, let it be the height of this microprotrusion with the same height. In this way, when the heights of the microprojections are variously different, for example, even when the shape of the microprojections having a high height is damaged by contact with an object, the shape is maintained in the microprojections having a low height. It will be. Also in this case, in the antireflection article, local deterioration of the antireflection function can be reduced, and furthermore, occurrence of defective appearance can be reduced, and as a result, scratch resistance can be improved.

また反射防止物品表面の微小突起群と物体との間に塵埃が付着すると、当該物品が反射防止物品に対して相対的に摺動した際に、該塵埃が研磨剤として機能して微小突起（群）の磨耗、損傷が促進されることになる。この場合に、微小突起群を構成する各微小突起間に高低差が有ると、塵埃は高さの高い微小突起に強く接触し、これを損傷させる。一方で低高さの微小突起との接触は弱まり、高さの低い微小突起については損傷が軽減され、無傷ないしは軽微な傷で残存した高さの低い微小突起によって反射防止性能が維持される。   Further, when dust adheres between the microprojection group on the surface of the antireflection article and the object, when the article slides relative to the antireflection article, the dust functions as an abrasive to form microprojections ( Group) wear and damage are promoted. In this case, if there is a difference in height between the microprojections constituting the microprojection group, the dust strongly contacts the microprojections having a high height and is damaged. On the other hand, the contact with the low-height microprotrusions is weakened, and damage to the low-height microprotrusions is reduced, and the antireflection performance is maintained by the low-height microprotrusions that remain intact or light.

またこれに加えて、各微小突起の高さに分布（高低差）の有る微小突起群は、反射防止性能が広帯域化され、白色光のような多波長の混在する光、あるいは広帯域スペクトルを持つ光に対して、全スペクトル帯域で低反射率を実現するのに有利である。これは、かかる微小突起群によって良好な反射防止性能を発現し得る波長帯域が、隣接突起間距離ｄの他に、突起高さにも依存する為である。   In addition to this, the microprotrusion group with distribution (height difference) in the height of each microprotrusion has a broad antireflection performance and has light with multiple wavelengths such as white light or a broadband spectrum. For light, it is advantageous to realize a low reflectance in the entire spectral band. This is because the wavelength band in which good antireflection performance can be exhibited by such a microprojection group depends not only on the distance d between adjacent projections but also on the projection height.

またこの場合には、多数の微小突起のうちの高さの高い微小突起のみが、例えば反射防止物品１と対向するように配置された各種の部材表面と接触することになる。これにより高さが同一の微小突起のみによる場合に比して格段的に滑りを良くすることができ、製造工程等における反射防止物品の取り扱いを容易とすることができる。なおこのように滑りを良くする観点から、ばらつきは、標準偏差により規定した場合に、１０ｎｍ以上必要であるものの、５０ｎｍより大きくなると、このばらつきによる表面のざらつき感が感じられるようになる。従ってこの高さのばらつきは、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることが好ましい。   Further, in this case, only the high microprojections out of the many microprojections come into contact with various member surfaces arranged to face the antireflection article 1, for example. Thereby, it is possible to remarkably improve the slip as compared with the case where only the minute protrusions having the same height are used, and it is possible to easily handle the antireflection article in the manufacturing process or the like. From the viewpoint of improving the slip as described above, the variation needs to be 10 nm or more when defined by the standard deviation. However, when the variation is larger than 50 nm, the surface becomes rough. Therefore, the height variation is preferably 10 nm or more and 50 nm or less.

またこのように多峰性の微小突起が混在する場合には、単峰性の微小突起のみによる場合に比して反射防止の性能を向上することができる。すなわち図２、図１４、及び図１５等に示すような多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ等は、隣接突起間距離が同じ場合であっても、また突起高さが同じ場合であっても、単峰性の微小突起と比べて、より光の反射率が低減することになる。その理由は、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ等は、頂部より下（中腹及び麓）の形状が同じ単峰性の微小突起よりも、頂部近傍における有効屈折率の高さ方向の変化率が小さくなる為である。   In addition, when multi-peaked microprojections coexist in this way, the antireflection performance can be improved as compared with the case of using only single-peaked microprojections. That is, the multi-peak microprotrusions 5A, 5B, etc. as shown in FIGS. 2, 14, and 15 etc., even when the distance between adjacent protrusions is the same or when the protrusion height is the same. Compared with a single-peaked microprojection, the light reflectance is further reduced. The reason for this is that the multi-modal microprotrusions 5A, 5B, etc. have a higher rate of change in the effective refractive index in the vicinity of the apex than the monomodal microprotrusions below the apex (in the middle and the heel). This is because becomes smaller.

すなわち図１４において、ｚ＝０を高さＨ＝０とおき、高さ方向（Ｚ軸方向）に直交する仮想的切断面Ｚ＝ｚで微小突起５、５Ａ等を切断したと仮定した場合の面Ｚ＝ｚにおける微小突起と周辺の媒質（通常は空気）との屈折率の平均値として得られる有効屈折率ｎ_ｅｆは、切断面Ｚ＝ｚにおける周辺媒質（ここでは空気とする）の屈折率をｎ_Ａ＝１、微小突起５、５Ａ、・・の構成材料の屈折率をｎ_Ｍ＞１とし、又周辺媒質（空気）の断面積の合計値をＳ_Ａ（ｚ）、微小突起５、５Ａ、・・の断面積の合計値をＳ_Ｍ（ｚ）としたとき、
ｎ_ｅｆ（ｚ）＝１×Ｓ_Ａ(z)／(Ｓ_Ａ(z)＋Ｓ_Ｍ(z))＋ｎ_Ａ×Ｓ_Ｍ(z)／(Ｓ_Ａ(z)＋Ｓ_Ｍ(z))（式１）
で表される。これは、周辺媒質の屈折率ｎ_Ａ及び微小突起構成材料の屈折率ｎ_Ｍを、各々周辺媒質の合計断面積Ｓ_Ａ（ｚ）及び微小突起の合計断面積の合計値Ｓ_Ｍ（ｚ）の比で比例配分した値となる。 That is, in FIG. 14, assuming that z = 0 is set to height H = 0, and it is assumed that the minute protrusions 5, 5 </ b> A, etc. are cut at a virtual cutting plane Z = z orthogonal to the height direction (Z-axis direction). The effective refractive index n _ef obtained as an average value of the refractive indexes of the microprojections on the surface Z = z and the surrounding medium (usually air) is the refraction of the surrounding medium (here, air) on the cut surface Z = z. The refractive index of the constituent material of n _A = 1, the minute protrusions 5, 5A,... Is n _M > 1, and the total value of the sectional area of the peripheral medium (air) is S _A (z). When the total value of the cross-sectional areas of 5A,... Is S _M (z),
n _ef (z) = 1 × S _A (z) / (S _A (z) + S _M (z)) + n _A × S _M (z) / (S _A (z) + S _M (z)) (Formula 1 )
It is represented by This is because the refractive index n _A of the peripheral medium and the refractive index n _M of the constituent material of the microprojections are respectively set to the total sectional area S _A (z) of the peripheral medium and the total value S _M (z) of the total sectional area of the microprojections. The value is proportionally distributed by ratio.

ここで、単峰性の微小突起５を基準にして考えたときに、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ、・・は、頂部近傍が複数の峰に***している。そのため、頂部近傍を切断する仮想的切断面Ｚ＝ｚにおいて、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ、・・は、単峰性の微小突起５、・・に比べて相対的に低屈折率である周辺媒質の合計断面積Ｓ_Ａ（ｚ）の比率が、相対的に高屈折率である微小突起の合計断面積Ｓ_Ｍ（ｚ）の比率に比べて、より増大することになる。 Here, when considering the single-peaked microprojections 5 as a reference, the multi-peak microprojections 5A, 5B,... Therefore, in the virtual cutting plane Z = z that cuts the vicinity of the top, the multimodal microprotrusions 5A, 5B,... Have a relatively low refractive index compared to the single-peak microprotrusions 5,. The ratio of the total cross-sectional area S _A (z) of a certain peripheral medium is further increased as compared with the ratio of the total cross-sectional area S _M (z) of the microprojections having a relatively high refractive index.

その結果、仮想的切断面Ｚ＝ｚにおける有効屈折率ｎ_ｅｆ（ｚ）は、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ、・・の方が単峰性の微小突起５、・・に比べて、より周辺媒質の屈折率ｎ_Ａに近くなる。面Ｚ＝ｚにおける多峰性の微小突起の有効屈折率と周辺媒質の屈折率との差を｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_{ｍｕｌｔｉ}、単峰性の微小突起の有効屈折率と周辺媒質の屈折率との差を｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_ｍｏｎｏとすると、
｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_{ｍｕｌｔｉ}＜｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−ｎ_Ａ（ｚ）｜_ｍｏｎｏ（式２）
となる。ここでｎ_Ａ（ｚ）＝１とすると、
｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−１｜_{ｍｕｌｔｉ}＜｜ｎ_ｅｆ（ｚ）−１｜_ｍｏｎｏ（式２Ａ）
となる。 As a result, the effective refractive index n _ef (z) at the virtual cut surface Z = z is larger than that of the multimodal microprotrusions 5A, 5B,. It becomes closer to the refractive index n _A of the peripheral medium. The difference between the refractive index of the effective refractive index and the surrounding medium multimodal microprotrusions in the plane _{Z = z | n ef (z} ) -n A (z) | multi, the effective refractive index of the unimodal microprojection the difference between the refractive index of the surrounding medium and _{| n ef (z) -n a} (z) | When _mono,
| N _ef (z) −n _A (z) | _multi <| n _ef (z) −n _A (z) | _mono (Expression 2)
It becomes. Here, if n _A (z) = 1,
| N _ef (z) -1 | _multi <| n _ef (z) -1 | _mono (Formula 2A)
It becomes.

これにより頂部近傍において、多峰性の微小突起を含む微小突起群（各微小突起間に周辺媒質を含む）については、単峰性の微小突起のみからなる突起群に比べて、その有効屈折率と周辺媒質（空気）の屈折率との差、より詳細に言えば、微小突起の高さ方向の単位距離当たりの屈折率の変化率をより低減化すること、換言すれば、屈折率の高さ方向変化の連続性をより高めること）が可能になることが判る。   As a result, the effective refractive index of the microprojection group including the multi-peak microprojections (including the peripheral medium between the microprojections) in the vicinity of the top portion is higher than that of the single-peak microprojection group. And, more specifically, the rate of change of the refractive index per unit distance in the height direction of the microprojections is further reduced, in other words, the refractive index is high. It can be seen that it is possible to further increase the continuity of the change in direction.

一般に、隣接する屈折率ｎ_０の媒質と屈折率ｎ_１の媒質との界面に光が入射する場合に、該界面における光の反射率Ｒは、入射角＝０として、
Ｒ＝（ｎ_１−ｎ_０）^２／（ｎ_１＋ｎ_０）^２（式３）
となる。この式より界面両側の媒質の屈折率差ｎ_１−ｎ_０が小さいほど界面での光の反射率Ｒは減少し、（ｎ_１−ｎ_０）が値０に近づけばＲも値０に近づくことになる。 In general, when light is incident on an interface between an adjacent medium having a refractive index n _{0 and} a medium having a refractive index n ₁ , the reflectance R of the light at the interface is set as an incident angle = 0.
R = (n ₁ −n ₀ ) ² / (n ₁ + n ₀ ) ² (Formula 3)
It becomes. From this equation, the smaller the refractive index difference n ₁ -n ₀ between the media on both sides of the interface, the lower the light reflectivity R at the interface, and as (n ₁ -n ₀ ) approaches 0, R also approaches 0. It will be.

（式２）、（式２Ａ）及び（式３）より、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ、・・を含む微小突起群（各微小突起間に周辺媒質を含む）については、単峰性の微小突起５、・・のみからなる突起群に比べて光の反射率が低減する。   From (Expression 2), (Expression 2A), and (Expression 3), the microprotrusion group (including the peripheral medium between the microprotrusions) including the multimodal microprotrusions 5A, 5B,. The light reflectance is reduced as compared with the projection group consisting of only the minute projections 5.

なお単峰性の微小突起５のみからなる微小突起群を用いても、隣接突起間距離の最大値ｄｍａｘを反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長λｍｉｎ以下の十分小さな値にすることによって、十分な反射防止効果を発現することは可能である。但し、その場合、隣接峰間の距離と隣接微小突起間距離とが同一となる為、隣接微小突起間が接触、一体複合化する現象（いわゆるスティッキング）が発生し易くなる。スティッキングを生じると、実質上の隣接突起間距離ｄは一体複合化した微小突起数の分だけ増加する。   Even if a microprojection group consisting of only single-peak microprojections 5 is used, by setting the maximum value dmax of the distance between adjacent projections to a sufficiently small value not more than the shortest wavelength λmin of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection, It is possible to exhibit a sufficient antireflection effect. However, in this case, since the distance between adjacent peaks and the distance between adjacent minute protrusions are the same, a phenomenon (so-called sticking) in which adjacent minute protrusions are brought into contact with each other and integrated together is likely to occur. When sticking occurs, the substantial distance d between adjacent protrusions increases by the number of minute protrusions integrated together.

例えば、ｄ＝２００ｎｍの微小突起が４個スティッキングすると、実質上、スティッキングして一体化した突起の大きさは、ｄ＝４×２００ｎｍ＝８００ｎｍ＞可視光線帯域の最長波長（７８０ｎｍ）となり、これにより局所的に反射防止効果を損なうことになる。   For example, when four microprojections with d = 200 nm are stuck, the size of the stuck and integrated projection is substantially d = 4 × 200 nm = 800 nm> the longest wavelength in the visible light band (780 nm). The antireflection effect is locally impaired.

一方、多峰性の微小突起５Ａ、５Ｂ、・・からなる微小突起群の場合、頂部近傍の各峰間の隣接突起間距離ｄ^ＰＥＡＫは、麓から中腹にかけての微小突起本体部の隣接突起間距離ｄ_ＢＡＳＥよりも小さくなり（ｄ^ＰＥＡＫ＜ｄ_ＢＡＳＥ）、通常、ｄ^ＰＥＡＫ＝ｄ_ＢＡＳＥ／４〜ｄ_ＢＡＳＥ／２程度である。その為、各峰間の隣接突起間距離ｄ^ＰＥＡＫ≪λｍｉｎとすることで十分な反射防止性能を得ることができる。但し、多峰性の微小突起の各峰部は、麓部の幅に対する峰部の高さの比が小さく、単峰性の微小突起の麓部の幅に対する頂点の高さの比の１／２〜１／１０程度である。従って、同じ外力に対して、多峰性微小突起の峰部は単峰性の微小突起に比べての変形し難い。且つ、多峰性微小突起の本体部自体は峰部よりも隣接突起間距離は大であり、且つ強度も大である。その為、結局、多峰性の微小突起からなる微小突起群は、単峰性の微小突起からなる突起群に比べて、スティッキングの生じ難さと低反射率とを容易に両立させることができる。 On the other hand, in the case of a microprojection group consisting of multimodal microprotrusions 5A, 5B,..., The distance between adjacent protuberances d ^PEAK between the peaks in the vicinity of the apex It is smaller than the distance d _BASE (d ^PEAK <d _BASE ), and is usually about d ^PEAK = d _BASE / 4 to d _BASE / 2. Therefore, sufficient antireflection performance can be obtained by setting the distance d ^PEAK << λmin between adjacent protrusions between the peaks. However, each peak of the multi-peak microprojection has a small ratio of the height of the peak to the width of the ridge, and 1 / of the ratio of the height of the apex to the width of the ridge of the single-peak microprojection. It is about 2 to 1/10. Therefore, for the same external force, the peak of the multimodal microprotrusions is less likely to deform than the single-peak microprotrusions. In addition, the main body itself of the multimodal microprotrusions has a greater distance between adjacent protrusions and a greater strength than the ridges. Therefore, after all, the microprojection group composed of multimodal microprotrusions can easily achieve both the difficulty of sticking and the low reflectance as compared with the projection group composed of monomodal microprotrusions.

なお可視光の反射防止用途の他の用途であっても、又は可視光環境下であっても、当該反射防止材料が設置、使用される環境条件に応じて、想定する反射防止波長に応じたモスアイ構造を形成し、高さ分布を持たせる事により、前記の通り、従来のものより耐擦性があり、かつ、プロセス要件などで低硬度の材料を使用した場合においても互いのスティッキングを防止し、光学的必要性能を合わせ持つ反射防止材料を作製する事が可能となる。例えば、３８０ｎｍ前後の紫外領域について反射防止性能を得たい場合はモスアイの高さが約５０ｎｍでも可能であり、同様に７００ｎｍ前後の赤外領域については約１５０ｎｍ〜実用上を考慮し４００ｎｍであれば可能である。なお、前記の通りモスアイの配置ピッチについては高さについて飽和するような製作条件を見出し、モスアイの反射率を効果的に操作する事が可能である。さらに、モスアイの頂部構造についても、従来の単峰から改良を加える事で高さと反射率を両立し、かつ物理的にスティッキングを起こしにくく、効果的に反射率を低減する事が可能となっている。   In addition, even if it is other uses for antireflection of visible light, or under a visible light environment, the antireflection material depends on the assumed antireflection wavelength depending on the environmental conditions where the antireflection material is installed and used. By forming a moth-eye structure and having a height distribution, as described above, even when using materials that are more resistant to abrasion than conventional products and have low hardness due to process requirements, etc., prevent sticking to each other In addition, it is possible to produce an antireflection material having both optically required performance. For example, when it is desired to obtain antireflection performance in the ultraviolet region around 380 nm, the height of the moth eye can be about 50 nm. Similarly, in the infrared region around 700 nm, about 150 nm to 400 nm in consideration of practical use. Is possible. As described above, it is possible to find manufacturing conditions that saturate the height of the arrangement pitch of the moth-eye, and to effectively control the reflectance of the moth-eye. In addition, the top structure of the moth-eye can be improved from the conventional single peak to achieve both height and reflectivity, and it is difficult to cause physical sticking and can effectively reduce reflectivity. Yes.

図１５は、頂点が複数の微小突起を示す写真であり、図１５（ａ）は、本実施形態のものとは異なる微小突起の例ではあるが、ＡＦＭによるものであり、図１５（ｂ）及び（ｃ）は、本実施形態の微小突起の例で、ＳＥＭによるものである。図１５（ａ）では、溝ｇ及び３つの頂点を有する微小突起、及び溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができ、図１５（ｂ）では、溝ｇ及び４つの頂点を有する微小突起、及び溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができ、図１５（ｃ）では、溝ｇ及び３つの頂点を有する微小突起、溝ｇ及び２つの頂点を有する微小突起を見て取ることができる。なおこの図１５（ｂ）及び（ｃ）は、第１工程において水温２０℃、濃度０．０２Ｍのシュウ酸水溶液を適用し、印加電圧４０Ｖにより１２０秒、陽極酸化処理を実行したものである。またエッチング処理には、第１工程に同上陽極酸化液、第２工程に水温２０℃、濃度１．０Ｍのリン酸水溶液を適用した。陽極酸化処理とエッチング処理との回数は、それぞれ３（〜５）回である。   FIG. 15 is a photograph showing a plurality of minute protrusions at the apex, and FIG. 15A is an example of minute protrusions different from that of the present embodiment, but is based on AFM, and FIG. And (c) is an example of the microprotrusion of this embodiment, and is based on SEM. In FIG. 15 (a), a groove g and a microprotrusion having three vertices and a microprotrusion having a groove g and two vertices can be seen, and in FIG. 15 (b), the groove g and four vertices are present. A microprotrusion and a microprotrusion having a groove g and two vertices can be seen, and in FIG. 15C, a microprotrusion having a groove g and three vertices, and a microprotrusion having a groove g and two vertices can be seen. be able to. FIGS. 15B and 15C show the case where an oxalic acid aqueous solution having a water temperature of 20 ° C. and a concentration of 0.02 M is applied in the first step, and an anodic oxidation treatment is performed with an applied voltage of 40 V for 120 seconds. In the etching process, an anodic oxidation solution was applied to the first step, and an aqueous phosphoric acid solution having a water temperature of 20 ° C. and a concentration of 1.0 M was applied to the second step. The number of times of anodizing treatment and etching treatment is 3 (~ 5) times.

図１６及び図１７は、本実施形態における実際の微小突起の形状を示す斜視図（図１６）、平面図（図１７（ａ））、正面図（図１７（ｂ））及び側面図（図１７（ｃ））である。これら図１６及び図１７は、等高線図である。上述したように、複数回の陽極酸化処理における印加電圧を切り替えることにより、この図１６及び図１７による微小突起においては、高さの大きく異なる３つの峰が合体して１つの微小突起が形成されており、ほぼ中央より外方に向かって形成された３本の放射状の溝（沢状の極小部）によりこの３つの峰に係る領域に分割されて微小突起が作製されていることが判る。なおこの図１６及び図１７は、ＡＦＭによる計測結果によるデータを部分的に選択して詳細に示したものである。またこの図１６及び図１７における数字の単位はｎｍである。Ｘ座標及びＹ座標は、所定の基準位置からの座標値である。   16 and 17 are a perspective view (FIG. 16), a plan view (FIG. 17 (a)), a front view (FIG. 17 (b)), and a side view (FIG. 17 (c)). These FIG.16 and FIG.17 is a contour map. As described above, by switching the applied voltage in a plurality of anodic oxidation treatments, in the microprotrusions according to FIGS. 16 and 17, three peaks having greatly different heights are combined to form one microprotrusion. It can be seen that microprojections are produced by dividing the region into three peak areas by three radial grooves (swelled local minimum portions) formed outward from the center. FIG. 16 and FIG. 17 show data in detail by partially selecting data based on measurement results by AFM. The unit of the numbers in FIGS. 16 and 17 is nm. The X coordinate and the Y coordinate are coordinate values from a predetermined reference position.

図１８及び図１９は、図１６及び図１７との対比により、本実施形態における微小突起の他の計測結果を示す図である。この図１８及び図１９の微小突起においては、ほぼ高さの等しい３つの峰が合体して１つの微小突起が作製され、該３つの峰は、頂部のほぼ中央部より外方に向かって延びた３本の放射状の溝によって区分されていることが判る。   18 and 19 are diagrams showing other measurement results of the microprojections in the present embodiment, in comparison with FIGS. 16 and 17. In the microprotrusions of FIGS. 18 and 19, three ridges having substantially the same height are combined to form one microprotrusion, and the three ridges extend outward from the substantially central portion of the top. It can be seen that it is divided by three radial grooves.

図２０及び図２１は、図１６〜図１９との対比により、同様の本実施形態における他の微小突起の計測結果を示す図である。この図２０及び図２１の微小突起においては、横に一列に並んだ複数の微小突起が結合したかのような形状により形成され、この並び方向と、並び方向と直交する方向とでアスペクト比が異なるように作成されている。このような方向によってアスペクト比が異なる微小突起により反射防止物品にあっては、その反射防止特性に方向性を持たせることができる。なおこの微小突起においては、各峰間の溝は該並び方向と直行する方向に伸びている。   20 and 21 are diagrams showing the measurement results of other microprotrusions in the same embodiment in comparison with FIGS. 16 to 19. 20 and FIG. 21 is formed in a shape as if a plurality of microprojections arranged in a row horizontally are combined, and the aspect ratio between the arrangement direction and the direction orthogonal to the arrangement direction is the same. Created differently. In the antireflection article by the fine protrusions having different aspect ratios depending on the direction, the antireflection characteristic can be given directionality. In this microprotrusion, the grooves between the peaks extend in a direction perpendicular to the alignment direction.

なおこのようにして観察される結果によれば、各峰の内側にあっては、各峰の外側に比して表面の粗さが荒いように観察され、このように峰の内側と外側との粗さの相違により、賦型処理時の樹脂の充填不良により生じる多峰性微小突起との相違を見て取ることができる。なおこれらの斜視図等において、等高線が表されていない箇所は、計測の都合上、データが得られていない箇所である。   In addition, according to the results observed in this manner, the roughness of the surface is observed to be rougher than the outer side of each peak, and the inner side and the outer side of the peak are thus observed. Due to the difference in roughness, it is possible to see the difference from the multimodal microprotrusions caused by poor filling of the resin during the shaping process. In these perspective views and the like, portions where no contour lines are represented are portions where data is not obtained for convenience of measurement.

〔耐擦傷性の評価〕
表１は、耐擦傷性の評価結果を示す図である。上述の実施例１、実施例２の反射防止物品を単峰性微小突起のみによる同様の突起高さ分布による反射防止物品と比較したものである。なお比較例１は繰り返しの陽極酸化処理の印加電圧を第２の工程以降においても第１の工程と同一の一定電圧として作製した。また比較例２は、陽極酸化処理の印加電圧を２段階で切り替えて作製した。 [Evaluation of scratch resistance]
Table 1 shows the evaluation results of the scratch resistance. The antireflection article of Example 1 and Example 2 described above is compared with an antireflection article having a similar protrusion height distribution using only single-peaked microprojections. In Comparative Example 1, the applied voltage of the repetitive anodizing treatment was made to be the same constant voltage as in the first step even after the second step. In Comparative Example 2, the applied voltage of the anodizing treatment was switched in two steps.

この表１において、スチールウールの欄は、押し付け力１００ｇ及び２００ｇによりスチールウールを押し付けて往復させた後の表面の変化を目視により確認した結果である。二重丸の印は、目視上傷、濁りは見られないとの評価が得られたものであり、三角の印は、目視上、１〜５本の傷を見る事ができるものであり、×の印は、目視上、６本以上の傷が観察されるものである。なお評価の範囲は、１辺５ｃｍの矩形の領域である。これにより多峰性微小突起により充分に耐擦傷性が向上していることが判る。   In Table 1, the column of steel wool is the result of visually confirming the change in the surface after the steel wool was pressed and reciprocated with a pressing force of 100 g and 200 g. The double circle mark is an evaluation that no visual scratches or turbidity is seen, and the triangular mark is one that can visually observe 1 to 5 scratches, In the case of x, six or more scratches are observed visually. The evaluation range is a rectangular area with a side of 5 cm. It can be seen that the scratch resistance is sufficiently improved by the multimodal microprotrusions.

また乾拭きの欄は、指紋を付着させた後、不織布を用いて溶剤を含まない乾いた状態での拭きを５０往復させた時の、５°正反射率（ΔＹ（％））である。指紋を付着させた状態で、５°正反射率が４％となるように設定した。なお不織布は、ＫＢセーレン社製、ザヴィーナミニマックス（登録商標）１５０ｍｍ□を使用した。また何ら指紋による汚れを付着させない状態における５°正反射率の初期値は、０．５％であった。この検討結果によれば、多峰性微小突起により付着した汚れがふき取り易くなって反射防止性能を指紋付着前に近い状態にまで回復していることが判り、このことは多峰性微小突起を設けた場合には、微小突起の付け根側に汚れが深くもぐり込まないことによるものと考えられる。   Further, the column of dry wiping shows 5 ° regular reflectance (ΔY (%)) when 50 times of wiping in a dry state not containing a solvent is performed 50 times using a nonwoven fabric after attaching a fingerprint. With the fingerprint attached, the 5 ° regular reflectance was set to 4%. As the nonwoven fabric, Savina Minimax (registered trademark) 150 mm □ manufactured by KB Seiren Co., Ltd. was used. In addition, the initial value of the 5 ° regular reflectance in a state where no dirt due to fingerprints was attached was 0.5%. According to the results of this study, it was found that the dirt attached by the multimodal microprotrusions was easily wiped off, and the antireflection performance was restored to a state close to that before the fingerprint attachment. In the case where it is provided, it is considered that the dirt does not penetrate deeply into the base side of the minute protrusion.

以上の構成によれば、頂点が複数からなる多峰性の微小突起と頂点が１つの単峰性の微小突起とを混在させることにより、従来に比して耐擦傷性を向上することができる。また指紋に対する耐汚染性（易拭取り性）にも向上が見られる。   According to the above configuration, by combining a multi-peak microprojection having a plurality of vertices and a single-peak microprojection having a single vertex, the scratch resistance can be improved as compared with the conventional case. . In addition, the stain resistance (easy wiping property) against fingerprints is also improved.

またさらに微小突起の高さに分布を持たせることにより、滑り性を向上することができる。   Furthermore, the slipperiness can be improved by giving a distribution to the heights of the microprotrusions.

〔他の実施形態〕
以上、本発明の実施に好適な具体的な構成を詳述したが、本発明は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述の実施形態の構成を種々に変更し、さらには従来構成と組み合わせることができる。 Other Embodiment
The specific configuration suitable for the implementation of the present invention has been described in detail above. However, the present invention can be variously modified from the configuration of the above-described embodiment without departing from the spirit of the present invention, and further the conventional configuration. Can be combined.

すなわち上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返し回数をそれぞれ３（〜５）回に設定する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、繰り返し回数をこれ以外の回数に設定してもよく、またこのように複数回処理を繰り返して、最後の処理を陽極酸化処理とする場合にも広く適用することができる。   That is, in the above-described embodiment, the case where the number of repetitions of the anodizing treatment and the etching treatment is set to 3 (to 5) each is described, but the present invention is not limited to this, and the number of repetitions is set to other times. In addition, the present invention can be widely applied to the case where the process is repeated a plurality of times and the final process is anodizing.

また上述の実施形態では、反射防止物品を液晶表示パネル、電場発光表示パネル、プラズマ表示パネル等の各種画像表示パネルの表側面に配置して視認性を向上する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば液晶表示パネルの裏面側に配置してバックライトから液晶表示パネルへの入射光の反射損失を低減させる場合（入射光利用効率を増大させる場合）にも広く適用することができる。尚、ここで画像表示パネルの表面側とは、該画像表示パネルの画像光の出光面であり、画像観察者側の面でもある。又、画像表示パネルの裏面側とは、該画像表示パネルの表面の反対側面であり、バックライト（背面光源）を用いる透過型画像表示裝置の場合は、該バックライトからの照明光の入光面でもある。   Further, in the above-described embodiment, the case where the antireflection article is arranged on the front side surface of various image display panels such as a liquid crystal display panel, an electroluminescent display panel, a plasma display panel, and the like is described, but the present invention is described. However, the present invention is not limited to this. For example, it can be widely applied to a case where the reflection loss of incident light from the backlight to the liquid crystal display panel is reduced by reducing the reflection loss of incident light from the backlight (increasing incident light utilization efficiency). it can. Here, the surface side of the image display panel is a light output surface of the image display panel and also a surface on the image observer side. The back side of the image display panel is the opposite side of the surface of the image display panel. In the case of a transmissive image display apparatus using a backlight (back light source), the incident light from the backlight is incident. It is also a surface.

また上述の実施形態では、賦型用樹脂にアクリレート系の紫外線硬化性樹脂を適用する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、エポキシ系、ポリエステル系等の各種紫外線硬化性樹脂、或いはアクリレート系、エポキシ系、ポリエステル系等の電子線硬化性樹脂、ウレタン系、エポキシ系、ポリシロキサン系等の熱硬化性樹脂等の各種材料及び各種硬化形態の賦型用樹脂を使用する場合にも広く適用することができ、さらには例えば加熱したアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂等の熱可塑性の樹脂を押圧して賦型する場合等にも広く適用することができる。   In the above-described embodiment, the case where an acrylate-based ultraviolet curable resin is applied to the shaping resin has been described. However, the present invention is not limited thereto, and various ultraviolet curable resins such as epoxy-based and polyester-based resins, or Also when using various materials such as acrylate-based, epoxy-based, polyester-based electron beam curable resins, urethane-based, epoxy-based, polysiloxane-based thermosetting resins, and various types of curing resins The present invention can be widely applied. Further, for example, the present invention can also be widely applied in the case of molding by pressing a thermoplastic resin such as a heated acrylic resin, polycarbonate resin, or polystyrene resin.

また、上述の実施形態では、図１に図示の如く、基材２の一方の面上に受容層（紫外線硬化性樹脂層）４を積層してなる積層体の該受容層４上に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形し、該受容層４を硬化せしめて反射防止物品１を形成している。層構成としては２層の積層体となる。但し、本発明は、かかる形態のみに限定される訳では無い。本発明の反射防止物品１は、図示は略すが、基材２の一方の面上に、他の層を介さずに直接、微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形した単層構成であっても良い。或いは、基材２の一方の面に１層以上の中間層（層間の密着性、塗工適性、表面平滑性等の基材表面性能を向上させる層。プライマー層、アンカー層等とも呼称される。）を介して受容層４を形成し、該受容層表面に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を賦形した３層以上の積層体であっても良い。   Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 1, microprojections are formed on the receiving layer 4 of the laminate formed by laminating the receiving layer (ultraviolet curable resin layer) 4 on one surface of the substrate 2. The groups 5, 5A, 5B,... Are shaped and the receiving layer 4 is cured to form the antireflection article 1. The layer structure is a two-layer laminate. However, the present invention is not limited to such a form. Although not shown, the antireflection article 1 of the present invention is a single layer in which the microprojections 5, 5A, 5B,... Are directly formed on one surface of the substrate 2 without interposing another layer. It may be a configuration. Alternatively, one or more intermediate layers on one surface of the substrate 2 (layers that improve substrate surface performance such as interlayer adhesion, coating suitability, surface smoothness, etc. Also referred to as primer layer, anchor layer, etc. .) May be formed, and a laminate of three or more layers in which the microprotrusions 5, 5A, 5B,... Are formed on the surface of the receptor layer may be used.

更に、上述の実施形態では、図１にも図示の如く、基材２の一方の面上にのみ（直接或いは他の層を介して）微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を形成しているが、本発明はかかる形態には限定され無い。基材２の両面上に（直接或いは他の層を介して）各々微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を形成した構成であっても良い。基材２の両面上に微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・を有する形態の場合、該微小突起群を一方の面上にのみ該微小突起群を有する形態に比べ、反射防止性能が大きく向上する。例えば、空気と基材２自体との界面に於ける光の反射率が４％であり、微小突起群と空気との界面に於ける光の反射率が０．２％である場合、基材２の表（又は裏）面から裏（又は表）面に透過する光に対する表裏両面を合計した反射率は、微小突起群を有する層（受容層４）と基材２との界面の反射率の寄与を０％と見做すと、
（１）基材の表裏両面上に微小突起群が無い場合は、８％。
（２）基材の一方の面上にのみ微小突起群を有する場合は、４．２％。
（３）基材の表裏両面上に微小突起群を有する場合は、０．４％。
となる。
また、図示は略すが、図１等に図示の如き本発明の反射防止物品１において、基材２の微小突起群形成面とは反対側の面（図１においては基材２の下側面）に各種接着剤層を形成し、更に該接着剤層表面に離型フィルム（離型紙）を剥離可能に積層してなる接着加工品の形態とすることも出来る。かかる形態においては、離型フィルムを剥離除去して接着剤層を露出せしめ、該接着剤層により所望の物品の所望の表面上に本発明の反射防止物品１を貼り合わせ、積層することが出来、簡便に所望の物品に反射防止性能を付与することが出来る。接着剤としては、粘着剤（感圧接着剤）、２液硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、熱熔融型接着剤等の公知の接着形態のものが各種使用出来る。 Further, in the above-described embodiment, as shown in FIG. 1, the microprojections 5, 5A, 5B,... Are formed only on one surface of the base material 2 (directly or via another layer). However, the present invention is not limited to such a form. The microprojection groups 5, 5A, 5B,... May be formed on both surfaces of the substrate 2 (directly or via other layers). In the case of the form having the microprojection groups 5, 5A, 5B,... On both surfaces of the substrate 2, the antireflection performance is larger than the form in which the microprojection group is provided only on one surface. improves. For example, when the reflectance of light at the interface between air and the substrate 2 itself is 4% and the reflectance of light at the interface between the minute protrusions and the air is 0.2%, The total reflectance of the front and back surfaces with respect to light transmitted from the front (or back) surface to the back (or front) surface of 2 is the reflectance at the interface between the layer having the fine protrusion group (receiving layer 4) and the substrate 2 Assuming that the contribution of is 0%,
(1) 8% when there are no microprojections on both sides of the substrate.
(2) 4.2% when the microprojection group is provided only on one surface of the substrate.
(3) 0.4% in the case of having microprojections on both the front and back surfaces of the substrate.
It becomes.
Although not shown, in the antireflection article 1 of the present invention as shown in FIG. 1 and the like, the surface opposite to the surface on which the microprojections are formed of the substrate 2 (the lower surface of the substrate 2 in FIG. 1). Various adhesive layers are formed on the adhesive layer, and a release film (release paper) is laminated on the surface of the adhesive layer so as to be peelable. In such a form, the release film is peeled and removed to expose the adhesive layer, and the antireflection article 1 of the present invention can be laminated and laminated on the desired surface of the desired article by the adhesive layer. The antireflection performance can be easily imparted to a desired article. As the adhesive, various types of known adhesive forms such as a pressure-sensitive adhesive (pressure-sensitive adhesive), a two-component curable adhesive, an ultraviolet curable adhesive, a thermosetting adhesive, and a hot melt adhesive can be used. .

また、図示は略すが、図１等に図示の如き本発明の反射防止物品１において、微小突起群５、５Ａ、５Ｂ、・・形成面上に剥離可能な保護フィルムを仮接着した状態で保管、搬送、売買、後加工乃至施工を行い、しかる後に適時、該保護フィルムを剥離除去する形態とすることも出来る。かかる形態においては、保管、搬送等の間に微小突起群が損傷乃至は汚染して反射防止性能が低下することを防止することが出来る。   Although not shown, in the antireflection article 1 of the present invention as shown in FIG. 1 etc., the microprojections 5, 5 A, 5 B,... The protective film may be peeled and removed at an appropriate time after carrying, carrying, buying and selling, post-processing or construction. In such a form, it is possible to prevent the antireflection performance from being deteriorated due to damage or contamination of the microprojection group during storage, transportation and the like.

また、上述の実施形態では、図１、図１４（ａ）に示すように、各隣接微小突起間の谷底（高さの極小点）を連ねた面は高さが一定な平面であったが、本発明はこれに限らず、図２２に示すように、各微小突起間の谷底を連ねた包絡面が、可視光線帯域の最長波長λｍａｘ以上の周期Ｄ（すなわちＤ＞λｍａｘである）でうねった構成としてもよい。又該周期的なうねりは、基材２の表裏面に平行なＸＹ平面（図１４、図２２参照）における１方向（例えばＸ方向）のみでこれと直交する方向（例えばＹ方向）には一定高さであっても良いし、或いはＸＹ平面における２方向（Ｘ方向及びＹ方向）共にうねりを有していても良い。Ｄ＞λｍａｘを満たす周期Ｄでうねった凹凸面６が多数の微小突起からなる微小突起群に重畳することによって、微小突起群で完全に反射防止し切れずに残った反射光を散乱し、殘留反射光、とくに鏡面反射光を更に視認し難くし、以って、反射防止効果を一段と向上させることができる。   Further, in the above-described embodiment, as shown in FIGS. 1 and 14A, the surface connecting the valley bottoms (minimum points of height) between adjacent minute protrusions is a flat surface having a constant height. However, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 22, the envelope surface connecting the valley bottoms between the microprojections is undulated with a period D (that is, D> λmax) equal to or longer than the longest wavelength λmax of the visible light band. It is good also as a structure. Further, the periodic undulation is constant in only one direction (for example, the X direction) on the XY plane (see FIGS. 14 and 22) parallel to the front and back surfaces of the substrate 2 and in a direction orthogonal to the direction (for example, the Y direction). The height may be sufficient, or the two directions (X direction and Y direction) in the XY plane may have undulations. The uneven surface 6 that undulates with a period D satisfying D> λmax is superimposed on a microprojection group composed of a large number of microprojections, so that the reflected light remaining without being completely prevented from being reflected by the microprojection group is scattered, so that Reflected light, particularly specularly reflected light, can be made more difficult to visually recognize, and the antireflection effect can be further improved.

尚、係る凹凸面６の周期Ｄが全面に亙って一定では無く分布を有する場合は、該凹凸面について凸部間距離の度数分布を求め、その平均値をＤ_ＡＶＧ、標準偏差をΣとしたときの、
Ｄ_ＭＩＮ＝Ｄ_ＡＶＧ―２Σ
として定義する最小隣接突起間距離を以って周期Ｄの代わりとして設計する。即ち、微小突起群の殘留反射光の散乱効果を十分奏し得る条件は、
Ｄ_ＭＩＮ＞λｍａｘ
又、該凹凸の高低差に相当するＪＩＳ Ｂ０６０１（１９９４年）規定のＲｚ値（１０点平均粗さ）は、
Ｒｚ≧λｍｉｎ
である。通常、Ｄ又はＤ_ＭＩＮは１〜６００μｍ、好ましくは１０〜３００μｍとされる。又、通常、Ｒｚは０．４〜５μｍとされる。
各微小突起の谷底を連ねた包絡面形が、Ｄ（又はＤ_ＭＩＮ）＞λｍａｘ、なる凹凸面６を呈する樣な微小突起群を形成する具体的な製造方法の一例を挙げると以下の通りである。即ち、ロール版１３の製造工程において、円筒（又は円柱）形状の母材の表面にサンドブラスト又はマット（つや消し）メッキによって凹凸面６の凹凸形状に対応する凹凸形状を賦形する。次いで、該凹凸形状の面上に、直接或いは必要に応じて適宜の中間層を形成した後、アルミニウ層を積層する。その後、該凹凸形状表面に対応した表面形状を賦形されたアルミニウム層に上述の実施形態と同様にして陽極酸化処理及びエッチング処理を施して微小突起５、５Ａ、５Ｂを含む微小突起群を形成する。 In addition, when the period D of the uneven surface 6 is not constant over the entire surface and has a distribution, the frequency distribution of the distance between the protrusions is obtained for the uneven surface, and the average value is D _AVG and the standard deviation is Σ. When
D _MIN = D _AVG -2Σ
Designed as an alternative to period D with a minimum inter-protrusion distance defined as That is, conditions that can sufficiently exhibit the scattering effect of the reflected light of the microprojections are as follows:
D _MIN > λmax
Also, the Rz value (10-point average roughness) defined in JIS B0601 (1994) corresponding to the height difference of the unevenness is
Rz ≧ λmin
It is. Usually, D or D _MIN is 1 to 600 μm, preferably 10 to 300 μm. Usually, Rz is set to 0.4 to 5 μm.
An example of a specific manufacturing method for forming a concavo-convex microprojection group having an uneven surface 6 in which the envelope surface connecting the valley bottoms of each microprojection is D (or D _MIN )> λmax is as follows. is there. That is, in the manufacturing process of the roll plate 13, a concavo-convex shape corresponding to the concavo-convex shape of the concavo-convex surface 6 is formed on the surface of a cylindrical (or columnar) base material by sandblasting or mat (matte) plating. Next, an appropriate intermediate layer is formed on the uneven surface directly or as necessary, and then an aluminum layer is laminated. Thereafter, an aluminum layer formed with a surface shape corresponding to the uneven surface is subjected to anodizing treatment and etching treatment in the same manner as in the above embodiment to form a microprojection group including microprojections 5, 5A, 5B. To do.

また上述の実施形態では、陽極酸化処理とエッチング処理との繰り返しにより賦型処理用の金型を作製する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フォトリソグラフィーの手法を適用して賦型処理用の金型を作製する場合にも広く適用することができる。   In the above-described embodiment, the case where the mold for the shaping process is manufactured by repeating the anodizing process and the etching process has been described. However, the present invention is not limited to this, and the photolithography technique is applied. The present invention can also be widely applied to molds for mold processing.

また上述の実施形態では、ロール版を使用した賦型処理によりフィルム形状による反射防止物品を生産する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて、例えば平板、特定の曲面形状による賦型用金型を使用した枚葉の処理により反射防止物品を作成する場合等、賦型処理に係る工程、金型は、反射防止物品の形状に係る透明基材の形状に応じて適宜変更することができる。   Moreover, although the above-mentioned embodiment described the case where the anti-reflective article by a film shape was produced by the shaping process using a roll plate, this invention is not limited to this, The transparent base material which concerns on the shape of an anti-reflective article Depending on the shape, for example, when creating an antireflection article by processing a sheet using a shaping mold with a specific curved shape, such as a flat plate, the process related to the shaping process, the mold is the antireflection article It can change suitably according to the shape of the transparent base material which concerns on a shape.

また上述の実施形態では、画像表示パネルの表側面、或いは照明光の入射面にフィルム形状による反射防止物品を配置する場合について述べたが、本発明はこれに限らず、種々の用途に適用することができる。具体的には、画像表示パネルの画面上に間隙を介して設置されるタッチパネル、各種の窓材、各種光学フィルタ等による表面側部材の裏面（画像表示パネル側）に配置する用途に適用することができる。なおこの場合には、画像表示パネルと表面側部材との間の光の干渉によるニュートンリング等の干渉縞の発生の防止、画像表示パネルの出光面と表面側部材の入光面側との間の多重反射によるゴースト像の防止、さらには画面から出光されてこれら表面側部材に入光する画像光について、反射損失の低減等の効果を奏することができる。   In the above-described embodiment, the case where the antireflection article with the film shape is arranged on the front side surface of the image display panel or the incident surface of the illumination light has been described. However, the present invention is not limited to this and is applied to various applications. be able to. Specifically, it should be applied to applications that are placed on the back surface (image display panel side) of the surface side member such as a touch panel, various window materials, various optical filters, etc. installed on the screen of the image display panel through a gap. Can do. In this case, it is possible to prevent interference fringes such as Newton rings due to light interference between the image display panel and the surface side member, and between the light emission surface of the image display panel and the light incident surface side of the surface side member. Thus, it is possible to prevent ghost images due to multiple reflections, and to achieve effects such as reduction of reflection loss with respect to image light emitted from the screen and entering these surface side members.

或いは、タッチパネルを構成する透明電極を、フィルム或いは板状の透明基材上に本発明特定の微小突起群を形成し、更に該微小突起群上にＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の透明導電膜を形成したものを用いることが出来る。この場合には、該タッチパネル電極とこれと隣接する対向電極又は各種部材との間での光反射を防止して、干渉縞、ゴースト像等の発生を低減させる効果を奏することが出来る。   Alternatively, a transparent electrode constituting the touch panel is formed on a film or plate-like transparent substrate with a group of microprojections specific to the present invention, and a transparent conductive film such as ITO (indium tin oxide) is further formed on the group of microprojections. The formed one can be used. In this case, it is possible to prevent light reflection between the touch panel electrode and the counter electrode or various members adjacent to the touch panel electrode, thereby reducing the occurrence of interference fringes, ghost images, and the like.

また店舗のショウウインドウや商品展示箱、美術館の展示物の展示窓や展示箱等に使用する硝子板表面（外界側）、或いは表面及び裏面（商品又は展示物側面）の両面に配置するようにしても良い。なおこの場合、該硝子板表面の光反射防止による商品、美術品等の顧客や観客に対する視認性を向上することができる。   In addition, it is arranged on the glass plate surface (external side) used for the store show window and product display box of the store, the display window and display box of the exhibition of the museum, or both of the front and back surfaces (product or display side). May be. In this case, it is possible to improve the visibility for customers and spectators of products, artworks, etc. by preventing light reflection on the surface of the glass plate.

また眼鏡、望遠鏡、写真機、ビデオカメラ、銃砲の照準鏡（狙撃用スコープ）、双眼鏡、潜望鏡等の各種光学機器に用いるレンズ又はプリズムの表面に配置する場合にも広く適用することができる。この場合、レンズ又はプリズム表面の光反射防止による視認性を向上することができる。またさらに書籍の印刷部（文字、写真、図等）表面に配置する場合にも適用して、文字等の表面の光反射を防止し、文字等の視認性向上することができる。また看板、ポスター、其の他各種店頭、街頭、外壁等における各種表示（道案内、地図、或いは禁煙、入口、非常口、立入禁止等）の表面に配置して、これらの視認性を向上することができる。またさらに白熱電球、発光ダイオード、螢光燈、水銀燈、ＥＬ（電場発光）等を用いた照明器具の窓材（場合によっては、拡散板、集光レンズ、光学フィルタ等も兼ねる）の入光面側に配置するようにして、窓材入光面の光反射を防止し、光源光の反射損失を低減し、光利用効率を向上することができる。またさらに時計、其の他各種計測機器の表示窓表面（表示観察者側）に配置して、これら表示窓表面の光反射を防止し、視認性を向上することができる。   Further, the present invention can be widely applied to the case where the lens or prism is used on various optical devices such as glasses, a telescope, a camera, a video camera, a gun sighting mirror (sniper scope), binoculars, a periscope, and the like. In this case, the visibility by preventing light reflection on the lens or prism surface can be improved. Furthermore, it can also be applied to the case where it is arranged on the surface of a printed part (characters, photos, drawings, etc.) of a book to prevent light reflection on the surface of characters and the like and improve the visibility of characters and the like. In addition, it should be placed on the surface of signs (posters, posters, various other stores, streets, exterior walls, etc.) (road guidance, maps, smoking cessation, entrances, emergency exits, no entry, etc.) to improve visibility. Can do. In addition, a light entrance surface of a window material for a lighting fixture using incandescent bulbs, light emitting diodes, fluorescent lamps, mercury lamps, EL (electroluminescence), etc. (in some cases, it also serves as a diffuser plate, condenser lens, optical filter, etc.) By arranging it on the side, it is possible to prevent the light reflection of the light incident surface of the window material, reduce the reflection loss of the light source light, and improve the light utilization efficiency. Furthermore, it can arrange | position on the display window surface (display observer side) of a timepiece and other various measuring devices, the light reflection of these display window surfaces can be prevented, and visibility can be improved.

またさらに、自動車、鉄道車両、船舶、航空機等の乗物の操縦室（運転室、操舵室）の窓の室内側、室外側、あるいはその両側の表面に配置して窓における室内外光を反射防止して、操縦者（運転者、操舵者）の外界視認性を向上することができる。またさらに、防犯等の監視、銃砲の照準、天体観測等に用いる暗視装置のレンズないしは窓材表面に配置して、夜間、暗闇での視認性を向上することができる。   Furthermore, it is placed on the inside, outside, or both sides of the windows of the cockpits (driver's cabs, wheelhouses) of vehicles such as automobiles, railway vehicles, ships, and aircraft to prevent reflection of indoor and outdoor light from the windows. Thus, it is possible to improve the visibility of the outside world of the driver (driver, driver). Furthermore, it can be arranged on the surface of a night vision device lens or window material used for crime prevention monitoring, gun sighting, astronomical observation, etc. to improve visibility at night and in the dark.

またさらに、住宅、店舗、事務所、学校、病院等の建築物の窓、扉、間仕切、壁面等を構成する透明基板(窓硝子等)の表面（室内側、室外側、あいはその両側）の表面に配置して、外界の視認性、あるいは採光効率を向上することができる。またさらに、各種店舗、美術館、博物館等で用いる商品乃至展示品を収納し、展示する各種の展示箱乃至ショウケースの透明窓（又は扉）部の表面、裏面、又は表裏両面に配置して、展示する商品乃至展示品の視認性向上することができる。またさらに、温室、農業用ビニールハウスの透明シート、ないしは透明板（窓材）の表面に配置して、太陽光の採光効率を向上することができる。さらにまた、太陽電池表面に配置して、太陽光の利用効率（発電効率）を向上することができる。   Furthermore, the surface of the transparent substrate (window glass, etc.) that constitutes windows, doors, partitions, wall surfaces, etc. of buildings such as houses, stores, offices, schools, hospitals, etc. (inside, outside, or both sides) It is possible to improve the visibility of the outside world or the daylighting efficiency. Furthermore, it stores products or exhibits used in various stores, museums, museums, etc., and arranges them on the front, back, or both sides of the transparent window (or door) of various display boxes or showcases to be displayed, It is possible to improve the visibility of products to be displayed or exhibits. Furthermore, it can arrange | position on the surface of a greenhouse, the transparent sheet | seat of an agricultural greenhouse, or a transparent board (window material), and can improve the sunlight lighting efficiency. Furthermore, it can arrange | position on the solar cell surface and can improve the utilization efficiency (power generation efficiency) of sunlight.

またさらに、上述の実施形態においては、反射防止を図る電磁波の波長帯域を、専ら、可視光線帯域（の全域又は一部帯域）としたが、本発明はこれに限らず、反射防止を図る電磁波の波長帯域を赤外線、紫外線等の可視光線以外の波長帯域に設定しても良い。その場合は前記の各条件式中において、電磁波の波長帯域の最短波長Λｍｉｎを、それぞれ、赤外線、紫外線等の波長帯域における反射防止効果を希望する最短波長に設定すれば良い。例えば、最短波長Λｍｉｎが８５０ｎｍの赤外線帯域の反射防止を希望する場合は、隣接突起間距離ｄ（乃至は其の最大値ｄｍａｘ）を８５０ｎｍ以下、例えば、ｄ（ｄｍａｘ）＝８００ｎｍと設計すれば良い。尚、この場合は、可視光線帯域（３８０〜７８０ｎｍ）に於いては反射防止効果は期待し得ず、專ら波長８５０ｎｍ以上の赤外線に対しての反射防止効果を奏する反射防止物品が得られる。   Furthermore, in the above-described embodiment, the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection is exclusively the visible light band (all or part of the visible light band), but the present invention is not limited to this, and the electromagnetic wave for preventing reflection. May be set to a wavelength band other than visible light rays such as infrared rays and ultraviolet rays. In that case, the shortest wavelength Λmin in the wavelength band of the electromagnetic wave may be set to the shortest wavelength in which the antireflection effect in the wavelength band of infrared rays, ultraviolet rays, etc. is desired in each conditional expression. For example, when it is desired to prevent reflection in the infrared band where the shortest wavelength Λmin is 850 nm, the distance d between adjacent protrusions (or its maximum value dmax) may be designed to be 850 nm or less, for example, d (dmax) = 800 nm. . In this case, an antireflection effect cannot be expected in the visible light band (380 to 780 nm), and an antireflection article exhibiting an antireflection effect for infrared rays having a wavelength of 850 nm or more can be obtained.

以上例示の各種実施形態において、硝子板等の透明基板の表面、裏面、或いは表裏両面に本発明のフィルム状の反射防止物品を配置する場合、該透明基板の全面に亙って配置、被覆する以外に、一部分の領域にのみ配置することも出来る。かかる例としては、例えば、１枚の窓硝子について、其の中央部分の正方形領域において、室内側表面にのみフィルム状の反射防止物品を粘着剤で貼着し、その他領域には反射防止物品を貼着し無い場合を挙げることが出来る。透明基板の一部分の領域にのみ反射防止物品を配置する形態の場合は、特別な表示や衝突防止柵等の設置無しでも、該透明基板の存在を視認し易くして、人が該透明基板に衝突、負傷する危険性を低減する効果、及び室内（屋内）の覗き見防止と該透明基板の（該反射防止物品の配置領域における）透視性とが両立出来ると言う効果を奏し得る。   In the various exemplary embodiments described above, when the film-shaped antireflection article of the present invention is disposed on the front surface, back surface, or both front and back surfaces of a transparent substrate such as a glass plate, it is disposed and covered over the entire surface of the transparent substrate. In addition, it can be arranged only in a partial area. As an example of this, for example, for a single window glass, a film-shaped antireflection article is attached to the indoor side surface only with an adhesive in a square area at the center, and an antireflection article is provided in the other areas. The case where it does not stick can be mentioned. In the case where the antireflection article is arranged only in a partial area of the transparent substrate, it is easy to visually recognize the presence of the transparent substrate without special display or a collision prevention fence, etc. The effect of reducing the risk of collision and injury, and the effect that both the prevention of peeping indoors (indoors) and the transparency of the transparent substrate (in the region where the antireflection article is disposed) can be achieved.

１ 反射防止物品
２ 基材
４ 紫外線硬化性樹脂層、受容層
５、５Ａ、５Ｂ 微小突起
６ 凹凸面
１０ 製造工程
１２ ダイ
１３ ロール版
１４、１５ ローラ
ｇ 溝 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Anti-reflective article 2 Base material 4 Ultraviolet curable resin layer, receiving layer 5, 5A, 5B Minute protrusion 6 Uneven surface 10 Manufacturing process 12 Die 13 Roll plate 14, 15 Roller g Groove

Claims (5)

微小突起が密接して配置され、隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下である反射防止物品において、
前記微小突起は、頂点が複数の多峰性微小突起と、頂点が一つの単峰性微小突起とから構成され、
前記多峰性微小突起は、前記単峰性微小突起に比して周囲長が長く、
前記多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの度数分布における平均値Ｐが３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍであり、標準偏差σが５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍであること、
を特徴とする反射防止物品。 In the antireflection article in which the microprotrusions are closely arranged and the interval between the adjacent microprotrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave to prevent reflection,
The microprotrusions are composed of a plurality of multimodal microprojections having a plurality of vertices and a unimodal microprojection having one apex,
The multimodal microprotrusions have a longer perimeter than the monomodal microprotrusions,
The average value P in the frequency distribution of the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprotrusions is 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, and the standard deviation σ is 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm,
An antireflection article characterized by Ｐ−σ≦Ｄ≦Ｐ＋σにおける前記線分の数Ｎｍと、前記度数分布全体における前記線分の総数Ｎｔとの比率（Ｎｍ／Ｎｔ）が、以下の関係、
０．５５≦Ｎｍ／Ｎｔ≦０．９５を満たすこと、
を特徴とする請求項１に記載の反射防止物品。 The ratio (Nm / Nt) between the number Nm of the line segments in P−σ ≦ D ≦ P + σ and the total number Nt of the line segments in the entire frequency distribution is expressed by the following relationship:
Satisfying 0.55 ≦ Nm / Nt ≦ 0.95,
The antireflection article according to claim 1. Ｐ−２σ≦Ｄ≦Ｐ＋２σにおける前記線分の数Ｎｍと、前記度数分布全体における前記線分の総数Ｎｔとの割合（Ｎｍ／Ｎｔ）が、以下の関係、
０．８０≦Ｎｍ／Ｎｔ≦１．００を満たすこと、
を特徴とする請求項１又は請求項２に記載の反射防止物品。 The ratio (Nm / Nt) between the number Nm of the line segments in P-2σ ≦ D ≦ P + 2σ and the total number Nt of the line segments in the entire frequency distribution is as follows:
Satisfy 0.80 ≦ Nm / Nt ≦ 1.00,
The antireflection article according to claim 1 or 2, wherein 画像表示パネルの出光面上に、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の反射防止物品を配置した
画像表示装置。 The image display apparatus which has arrange | positioned the reflection preventing article of any one of Claim 1 to Claim 3 on the light emission surface of an image display panel. 反射防止物品の製造に供する反射防止物品の製造用金型であって、
前記反射防止物品は、
微小突起が密接して配置され、
隣接する前記微小突起の間隔が、反射防止を図る電磁波の波長帯域の最短波長以下であり、
前記微小突起は、頂点が複数の多峰性微小突起と、頂点が一つの単峰性微小突起とから構成され、
前記多峰性微小突起は、前記単峰性微小突起に比して周囲長が長く、
前記多峰性微小突起の各頂点を結ぶ線分の長さＤの度数分布における平均値Ｐが３０ｎｍ≦Ｐ≦４０ｎｍであり、標準偏差σが５ｎｍ≦σ≦１５ｎｍであり、
前記反射防止物品の製造用金型は、
前記微小突起に対応する微細穴が密接して作製されていること、
を特徴とする反射防止物品の製造用金型。 A mold for manufacturing an antireflective article for use in manufacturing an antireflective article,
The antireflective article is
The microprotrusions are closely placed,
The interval between the adjacent minute protrusions is equal to or less than the shortest wavelength of the wavelength band of the electromagnetic wave for preventing reflection,
The microprotrusions are composed of a plurality of multimodal microprojections having a plurality of vertices and a unimodal microprojection having one apex,
The multimodal microprotrusions have a longer perimeter than the monomodal microprotrusions,
The average value P in the frequency distribution of the length D of the line segment connecting the vertices of the multimodal microprotrusions is 30 nm ≦ P ≦ 40 nm, and the standard deviation σ is 5 nm ≦ σ ≦ 15 nm,
The mold for manufacturing the antireflection article is:
The minute holes corresponding to the minute protrusions are made closely,
A mold for manufacturing an antireflective article.