JP5636460B2 - 描画方法及び描画装置 - Google Patents
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Description
可変成形型電子線(EB:Electron beam)描画装置は以下のように動作する。第1のアパーチャ410には、電子線330を成形するための矩形例えば長方形の開口411が形成されている。また、第2のアパーチャ420には、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330を所望の矩形形状に成形するための可変成形開口421が形成されている。荷電粒子ソース430から照射され、第1のアパーチャ410の開口411を通過した電子線330は、偏向器により偏向され、第2のアパーチャ420の可変成形開口421の一部を通過して、所定の一方向(例えば、X方向とする)に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340に照射される。すなわち、第1のアパーチャ410の開口411と第2のアパーチャ420の可変成形開口421との両方を通過できる矩形形状が、X方向に連続的に移動するステージ上に搭載された試料340の描画領域に描画される。開口411と可変成形開口421との両方を通過させ、任意形状を作成する方式を可変成形(VSB:Variable Shaped Beam)方式という。
照射量の2次以上の項をもつ多項式で定義される、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギーの方程式を解いてかかる照射量を求める工程と、
求めた照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
上述した方程式は、上述した相関関係に沿うように各項のパラメータが定義されると好適である。
照射量を未知数とする、照射量に関する非線形方程式を解いて前記照射量を求める工程と、
求めた照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする
照射量の2次以上の項をもつ多項式で定義される、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギーの方程式を解いて照射量を求める演算部と、
求めた照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
パターン密度と照射量との相関関係式を予め求めておいて、相関関係式のパターン密度を荷電粒子ビームの規格化された後方散乱による蓄積エネルギーを照射量で除した量に置き換えた、照射量に関する非線形方程式を解いて照射量を求める工程と、
求めた照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする。
パターン密度と照射量との相関関係式を予め求めておいて、相関関係式のパターン密度を荷電粒子ビームの規格化された後方散乱による蓄積エネルギーを照射量で除した量に置き換えた、照射量に関する非線形方程式を解いてかかる照射量を求める演算部と、
求めた照射量で荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする。
図1は、実施の形態1における描画方法のフローチャートの要部を示す図である。
図1において、描画装置100は、描画部150と制御部160を備えている。描画装置100は、荷電粒子ビーム描画装置の一例であり電子ビーム描画装置の一例となる。描画部150では、電子鏡筒102と描画室103を備えている。電子鏡筒102内には、電子銃201、ブランキング(BLK)偏向器212、ブランキング(BLK)アパーチャ214、照明レンズ202、第1のアパーチャ203、投影レンズ204、偏向器205、第2のアパーチャ206、対物レンズ207、及び偏向器208が配置される。描画室103内には、XYステージ105が配置される。XYステージ105上には、描画対象となる試料101が配置される。試料101としては、マスク基板が含まれる。例えば、まだパターンが形成されていないマスクブランクスが含まれる。試料101は表面に電子ビームにより感光するレジストが塗布されている。制御部160は、制御計算機ユニット110、偏向制御回路120、磁気ディスク装置140,142を有している。制御計算機ユニット110、偏向制御回路120、及び磁気ディスク装置140,142は図示しないバスを介して互いに接続されている。制御計算機ユニット110内には、照射量計算部112、転送部114、描画データ処理部116、バッファメモリ118,119およびメモリ111が配置される。照射量計算部112、転送部114、及び描画データ処理部116の処理内容は、ソフトウェアによりコンピュータで実行されるようにしてもよい。或いは、電気的な回路によるハードウェアにより実施させても構わない。或いは、電気的な回路によるハードウェアとソフトウェアとの組合せにより実施させても構わない。或いは、かかるハードウェアとファームウェアとの組合せでも構わない。制御計算機ユニット110内に入力される情報或いは演算処理中及び処理後の各情報はその都度メモリ111に記憶される。図1では、実施の形態1を説明する上で必要な構成部分について記載している。描画装置100にとって、通常、必要なその他の構成が含まれても構わないことは言うまでもない。
図2は、実施の形態1におけるレジストに蓄積する電子ビームによる前方散乱エネルギーと後方散乱エネルギーの分布の一例を示す図である。図2において、縦軸はレジストに蓄積するエネルギーEを示し、横軸は、位置xを示す。ここで、xは、ベクトルを意味し、位置xの座標(x,y)を示しているものとする(以下、同様である)。また、D(x)を照射量とした場合に、図2では、前方散乱エネルギー分布12の最大値10(トップ位置部分)を関数kD(x)で示す。また、略水平に推移する後方散乱エネルギー分布22の最大値20(トップ位置部分)を関数kB(x)で示す。kは照射量をエネルギーに換算するための係数である。図2では、一例として、1:1ラインアンドスペースパターンにおけるエネルギーの分布を示している。
以上が、特許文献1で提案されている考え方である。この考え方を実現する本実施の形態の方法を以下で説明する。
実施の形態1では、前方散乱エネルギー分布12の最大値10を示す関数kD(x)と後方散乱エネルギー分布22の最大値20を示す関数kB(x)をつかって、近接効果が補正された照射量D(x)の方程式をつくる。
(1) kB(x)=kη∫D(x’)g(x−x’)dx’
ここで、積分は、LSIパターンの図形について取る。以下、特に断らないかぎり同様である。
(2−1) G(kD(x)+kB(x)=C
(2−2) G’(kD(x),kB(x))=C
(3) B(x)=G’(C,kD(x))
(4) (1/2)D(x)+η∫D(x’)g(x−x’)dx’=E0
(5−1) mkB(x)=−kD(x)+C
(5−2) mB(x)=−D(x)+C’
(6) mB(x)={−D(x)+C}(1+δ)
(7) mB(x)={−D(x)+C}(1+δ)
={−D(x)+C}{−D(x)+C}δ
={−D(x)+C}[1+δ{−D(x)+C}]
={−D(x)+C}+δ{−D(x)+C}2
=δD(x)2−{2Cδ+1}D(x)+{C+C2δ}
(8−1) mη∫D(x’)g(x−x’)dx’
=δD(x)2−{2Cδ+1}D(x)+{C+C2δ}
或いは、式(8−1)を一般化することで、式(7)は式(8−2)のように示すことができる。
(8−2) η∫D(x’)g(x−x’)dx’
=αD(x)2−βD(x)+γ
或いは、図形の寸法l(例えば、200nm)が後方散乱の広がりσ(例えば10μm)よりも十分に小さく(l<<σ)であり、かつ、均一パターンを繰り返すパターン構成の場合には、パターン密度ρを用いて、後方散乱エネルギーの蓄積量B(x)=ηρD(x)で定義することができる。均一パターンの繰り返しなのでかかる場合には、照射量は一定値Dとなる。例えば、1:1ラインアンドスペースパターンにおいて成り立つ。よって、かかる場合に式(8−2)を変形して、式(7)は式(8−3)のように示すことができる。
(8−3) ηρD=αD2−βD+γ
(9−1) ηρD=aD2−D/2+1
(9−2) aD2−(1/2+ηρ)D+1=0
(9−3) D=[1/2+ηρ−√{(1/2+ηρ)2−4a}]/(2a)
さらにさかのぼれば、このようにうまく行く理由は、(本実施の形態において、B(x)=∫D(x’)g(x−x’)dx’であることを考慮すると、)元の方程式(6)が、照射量D(x)に関して非線型の方程式であったことに起因している。すなわち、D(x)について、0次、1次に加え、2次の項が含まれていたことによる。これに対して、従来の方法は、式(4)のように、D(x)について線形の方程式であった。すなわち、D(x)について、0次と1次しかなく、2次以上のものがない。
(10−1) D(x)=lim Dn(x) (但し、n→∞)
(10−2) Dn+1(x)=Dn(x)+dn+1(x)
(11) αD0(x)2−βD0(x)
−ηD0(x’)∫g(x−x’)dx’+γ=0
(12−1) a=α
(12−2) b=β+ηU(x)
(12−3) c=γ
ここで、関数U(x)は、以下の式(13)とする。
(13) U(x)=∫g(x−x’)dx’
式11はD0(x)について、a、b、cを係数とする2次の方程式なので、解くことができる。解は2つあるが、aがゼロとなる極限で無限になる解は物理的に無意味なので、その極限でゼロにならない解をとることにする。すると、最初の項D0(x)は、b≧0のとき、以下の式(14−1)で、b<0のとき、以下の式(14−2)で求まる。
(14−1) D0(x)={b−√(b2−4ac)}/(2a)
(14−2) D0(x)={b+√(b2−4ac)}/(2a)
(15) 0=αDn(x)2−βDn(x)
−η∫Dn(x’)g(x−x’)dx’
+αdn+1(x)2+2αDn(x)dn+1(x)−βdn(x)
−η{∫g(x−x’)dx’}dn+1(x)+γ
(16−1) a=α
(16−2) b=−2αDn(x)+β+ηU(x)
(16−3) c=αDn(x)2−βDn(x)−ηU(x)+γ
ここで、関数U(x)は、上述の式(13)で定義されており、Vn(x)は以下の式(17)で定義する。
(17) Vn(x)=∫Dn(x’)g(x−x’)dx’
式(15)はdn+1(x)について、a、b、cを係数とする2次の方程式なので解くことができる。解は2つあるが、aがゼロとなった極限で無限になる解は物理的に無意味なので、その極限でゼロにならない解をとることにする。すると、dn+1(x)は、b≧0のとき、以下の式(18−1)で、b<0のとき、以下の式(18−2)で求まる。
(18−1) dn+1(x)={b−√(b2−4ac)}/(2a)
(18−2) dn+1(x)={b+√(b2−4ac)}/(2a)
図7において、電子ビーム描画方法は、近接効果が補正された最適な照射量を求める照射量演算工程(S100)と、データ転送工程(S116)と、描画データ処理工程(S120)と、描画工程(S122)という一連の工程を実施する。照射量演算工程(S100)は、その内部工程として、パターン密度ρ(x)計算工程(S102)と、関数U(x)計算工程(S103)と、照射量D0(x)計算工程(S104)と、関数Vn+1(x)計算工程(S106)と、関数dn+1(x)計算工程(S108)と、照射量Dn+1(x)計算工程(S110)と、判定工程(S112)と、フィードバック工程(S114)という一連の工程を実施する。
(19−1) U(x)=∫g(x−x’)dx’
(19−2) U(xi)=ΣΣg(xi−xj)ρ(xj)Δ2
(20−1) Vn+1(x)=∫g(x−x’)Dn(x)dx’
(20−2) Vn+1(xi)=ΣΣg(xi−xj)Dn(xi)ρ(xj)Δ2
実施の形態1では、後方散乱エネルギーB(x)の方程式を解くことで最適な照射量を求めていたが、これに限るものではない。実施の形態2では、照射量とパターン密度との相関関係式を予め求め、かかる相関関係式のパターン密度を、後方散乱エネルギーB(x)を照射量で割った量に置き換えてできる非線形方程式を解くことで最適な照射量を求める方法について説明する。実施の形態2における描画装置の構成は図1と同様である。また、以下に説明する以外の内容は、実施の形態1と同様である。
(21) D=p*(ρ,Δl)
(22) ρ=B*(x)/D
(23) B*(x)=∫D(x’)g(x−x’)dx’
ここで、積分は、LSIパターンの図形について取る。以下、特に断らないかぎり同様である。
以下の議論では 関数g(x)は次の条件(式(24))を満たしているものとする。
(24) ∫g(x)dx=1
ここで、積分領域は描画領域全面であり、x及びyについてそれぞれ、−∞から+∞とする。
(25) D=p*(B*(x)/D,Δl)
(26) D(x)=p*(B*(x)/D(x),Δl)
(27) D=1/{p(Δl)+q(Δl)・ρ+r(Δl)・ρ2}
(28) D=1/{p(Δl)+q(Δl)・ρ}
(29) D=1/[p(Δl)+q(Δl)・B*(x)/D
+r(Δl)・{B*(x)/D}2]
(30) D(x)=1/[p(Δl)+q(Δl)・B*(x)/D(x)
+r(Δl)・{B*(x)/D(x)}2]
(31) p(Δl)D(x)2+q(Δl)・D(x)・B*(x)−D(x)
+r(Δl)・B*(x)2=0
(32) p(Δl)D(x)2
+q(Δl)・D(x)・∫D(x’)g(x−x’)dx’
−D(x)+r(Δl)・{∫D(x’)g(x−x’)dx’}2=0
(33) ε(x)=−{p(Δl)D(x)2+q(Δl)・D(x)・B*(x)
−D(x)+r(Δl)・B*(x)2}
/{p’(Δl)D(x)2+q’(Δl)・D(x)・B*(x)
+r’(Δl)・B*(x)2}
(34−1) p’(Δl)=dp(Δl)/dΔl
(34−2) q’(Δl)=dq(Δl)/dΔl
(34−3) r’(Δl)=dr(Δl)/dΔl
(35) D0(x)=1/{p(Δl)+q(Δl)U(x)
+r(Δl)・U(x)2}
(36−1) dn+1(x)=[−bn+1(x)+√{bn+1(x)2
−4an+1(x)cn+1(x)}]/{2an+1(x)}
(36−2) dn+1(x)=[−bn+1(x)−√{bn+1(x)2
−4an+1(x)cn+1(x)}]/{2an+1(x)}
(36−3) dn+1(x)=−cn+1(x)/bn+1(x)
(37−1) an+1(x)=p(Δl)2+q(Δl)U(x)
+r(Δl)・U(x)2
(37−2) bn+1(x)=2p(Δl)Dn(x)−1
+q(Δl)U(x)Dn(x)
+{q(Δl)+2r(Δl)・U(x)}∫Dn(x’)g(x−x’)dx’
(37−3) cn+1(x)=p(Δl)Dn(x)2−Dn(x)
+q(Δl)Dn(x)∫Dn(x’)g(x−x’)dx’
+r(Δl){∫Dn(x’)g(x−x’)dx’}2
(38) D(x)/2+η∫D(x’)g(x−x’)dx’=D0
(39−1) D0=1/{2p(Δl)}
(39−2) η={q(Δl)+r(Δl)}/{2p(Δl)}
(40) g(x)={1/(πσb 2)}exp{−(x−x’)/σb 2}
なお、これらの量を一般の単位系で表現すれば次のようになる。p(Δl),q(Δl),r(Δl)の値は、それぞれ、8.0m2/C,9.6m2/C,3.2m2/Cと設定することになる。また、p’(Δl),q’(Δl),r’(Δl)の値は−1.0x108m/C,−1.0x107m/C,0.0m/Cに設定することになる。D0はD0=6.25x10−2C/m2という値になる。
(41) D=D0/(1/2+ηρ)
図14は、実施の形態2における手法での補正精度を見積もるための評価パターンの一例を示す図である。図14において、幅が2Wの評価パターン61を用いる。ここで、寸法Wは後方散乱の広がりσbより十分大きい値とする。そして、図14では、評価パターン61の右半分の幅Wの領域についてパターン密度が100%、評価パターン61の左半分の幅Wの領域についてパターン密度が0%となるようにする。よって、右半分の幅Wの領域に全体が位置する領域62ではパターン密度が100%になる。また、領域64は境界を含む ―5σから 5σ の領域であり、その中央部ではパターン密度が100%から0%に急変する。
図17と図18では、領域64について求めた結果を示している。図17と図18において縦軸は補正誤差、横軸は影響範囲σで規格化した相対位置(x/σ)である。図17と図18において各グラフに示す数値はイタレーションの回数を示す。図17では、1〜6回までの結果を示す。図18では、5〜10回までの結果を示す。図17と図18に示すように、実施の形態2の手法では、5回および8回のイタレーションで、それぞれ、誤差は1nm以下、および0.3nm以下に抑えられている。以上のように、実施の形態2の手法を用いることで、高い補正精度を得ることができる。
実施の形態1,2では、近接効果を補正した補正照射量を求める手法について説明したが、寸法誤差の要因としては、近接効果の他にかぶりやプロセスによるCD変動(例えばローディング効果)も存在する。そこで、実施の形態3では、上述した近接効果の補正と共にこれらかぶりやプロセスによるCD変動の補正も行う場合について説明する。実施の形態3における描画装置の構成は図1と同様である。また、以下に説明する以外の内容は、実施の形態2と同様である。
(42−1) B(x)=kη∫D(x’)g(x−x’)dx’
+kθ∫D(x’)gF(x−x’)dx’
(42−2) B*(x)=∫D(x’)g(x−x’)dx’
+(θ/η)∫D(x’)gF(x−x’)dx’
(43) ∫gF(x’)dx’=1
ここで、積分は描画領域全面であり、x及びyについてそれぞれ、−∞から+∞とする。
上述した方程式(31)の関数系を近接効果補正用に実験で求めておく。例えば式(31)のように求め、パラメータを決めておけばよい。そして、式(31)におけるB*(x)に式(42−2)を用い、例えば、式(10−1)、式(10−2)、式(35)〜式(37−3)を利用して、イタレーションによりこの補正方程式を解いて最適照射量(補正照射量)を求める。そして、求めた補正照射量にしたがって、照射量を制御しながら描画すれば、かぶりの影響も、近接効果補正と同時に、実施の形態3の方式によって高い精度で補正できる。
図20は、実施の形態2における非線形方程式の係数q(Δl)のΔlに対する変化の一例を示すグラフである。
図21は、実施の形態2における非線形方程式の係数r(Δl)のΔlに対する変化の一例を示すグラフである。
領域毎に適切な方法によって、プロセスによるCD変動(例えばローディング効果)に起因した寸法補正量Δlが決められる。次に、図19〜図21のグラフを参照することで、寸法補正量Δlに対応した近接効果補正のためのパラメータp(Δl),q(Δl),r(Δl)の値も決まる。これによって、小領域毎に、近接効果の非線形方程式(31)がきまるので、小領域毎に、例えば、式(10−1)、式(10−2)、式(35)〜式(37−3)を利用して、イタレーションにより非線形方程式(32)を解いて最適照射量(補正照射量)を求める。そして、求めた補正照射量にしたがって、照射量を制御しながら描画すれば、近接効果と共にプロセスによるCD変動(例えばローディング効果)についても寸法補正されたパターンが形成される。そして、形成されたパターンはプロセスを通すことで、設計寸法に一致することになる。このように、プロセスによるCD変動(例えばローディング効果)に対する寸法補正量Δlに応じた非線形方程式(31)の係数p(Δl),q(Δl),r(Δl)を設定することで、プロセスによるCD変動(例えばローディング効果)の影響も、近接効果補正と同時に、実施の形態3の方式によって高い精度で補正できる。
実施の形態4では、実施の形態2で説明した非線形方程式(32)の解法よりも簡易な別の解法について説明する。実施の形態4における描画装置の構成は図1と同様である。また、以下に説明する以外の内容は、実施の形態2と同様である。
(44) D(x)=D0(x)+r(Dl)D1(x)
すなわち、r(Dl)について2次以上の項、例えばr(Dl)2やr(Dl)3のような量は充分小さい量とみなしてゼロであると近似する。
式(44)を方程式(32)に代入し、r(Dl)について2次以上の項をゼロとすると、r(Dl)に関する0次の方程式として式(45−1)、及び、r(Dl)に関する1次の方程式として式(45−2)が得られる。
(45−1) p(Δl)D0(x)
+q(Δl)∫D0(x’)g(x−x’)dx’−1=0
(45−2) {1−2p(Δl)D0(x)
―q(Δl)∫D0(x’)g(x−x’)dx’}D1(x)
―q(Δl)・D0(x)・∫D1(x’)g(x−x’)dx’
={∫D0(x’)g(x−x’)dx’}2
後述する方法によって、式(45−1)を解くことにより、D0(x)の解を得ることができる。これによって、D0(x)は既知に関数となるので、式(45−2)に含まれる未知の関数はD1(x)のみであり、なおかつ方程式はD1(x)について線形の方程式である。この方程式も以下で述べる方法によって解くことができる。
式(45−1)も式(45−2)も以下の方程式(46)の特殊な場合である。
(46) s(x)f(x)+t(x)∫f(x’)g(x−x’)dx’
=u(x)
ここで、未知数はf(x)である。s(x)をp(Δl)で、t(x)をq(Δl)で、u(x)を1で、f(x)をD0(x)で置き換えれば、式(46)は方程式(45−1)になる。よって、以下で示す解で、このような置き換えを行えば、式(45−1)の解が得られ、これを用いて数値計算すれば、式(45−1)の精度の高い数値解を求めることができる。
また、s(x)を以下の式(47)で、t(x)を―q(Δl)・D0(x)で、u(x)を{∫D0(x’)g(x−x’)dx’}2で、f(x)をD1(x)で置き換えれば、式(46)は方程式(45−2)になる。
(47) s(x)=1−2p(Δl)D0(x)
―q(Δl)∫D0(x’)g(x−x’)dx’
よって、以下で示す解で、このような置き換えを行えば、式(45−2)の解が得られ、これを用いて数値計算すれば、式(45−2)の精度の高い数値解を求めることができる。
積分方程式(46)の解、関数f(x)は、以下の式(48−1)及び式(48−2)によってイタレーションを行なうことで求めることができる。
(48−1) f(x)=lim fn(x)(但し、n→∞)
(48−2) fn+1(x)=fn(x)+tn+1(x)
(49) f0(x)=u(x)/{s(x)+t(x)∫g(x−x’)dx’}
fn(x)まで求められた後は、式(48−2)に示すように、tn+1(x)を求めてこれをfn(x)に加算することによってfn+1(x)を求めるが、このtn+1(x)は次の式(50)で求める。
(50)tn+1(x)=―en+1(x)/{s(x)
+t(x)∫g(x−x’)dx’}
ただし、en+1(x)は次の式(51)で表される。
(51) en+1(x)=fn(x)s(x)
+t(x)∫fn(x’)g(x−x’)dx’―u(x)
12 前方散乱エネルギー分布
22 後方散乱エネルギー分布
30,32 ストライプ領域
34 メッシュ領域
40,50 図形
42 中心
52 位置
61 評価パターン
62,64 小領域
100 描画装置
101,340 試料
102 電子鏡筒
103 描画室
105 XYステージ
110 制御計算機ユニット
111 メモリ
112 照射量計算部
114 転送部
116 描画データ処理部
118,119 バッファメモリ
120 偏向制御回路
140,142 磁気ディスク装置
150 描画部
160 制御部
200 電子ビーム
201 電子銃
202 照明レンズ
203,410 第1のアパーチャ
204 投影レンズ
205,208 偏向器
206,420 第2のアパーチャ
207 対物レンズ
212 BLK偏向器
214 BLKアパーチャ
330 電子線
411 開口
421 可変成形開口
430 荷電粒子ソース
Claims (8)
- 照射量を未知数とする、前記照射量に関する非線形な、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギーの方程式を解いて前記照射量を求める工程と、
求めた照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする描画方法。 - 照射量を未知数とする、照射量に関する非線形方程式を解いて前記照射量を求める工程と、
求めた照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする描画方法。 - 照射量を未知数とする、前記照射量に関する非線形な、荷電粒子ビームの後方散乱による蓄積エネルギーの方程式を解いて前記照射量を求める演算部と、
求めた照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする描画装置。 - パターン密度と照射量との相関関係式を予め求めておいて、前記相関関係式のパターン密度を荷電粒子ビームの規格化された後方散乱による蓄積エネルギーを照射量で除した量に置き換えた、照射量に関する非線形方程式を解いて前記照射量を求める工程と、
求めた照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する工程と、
を備えたことを特徴とする描画方法。 - 前記非線形方程式は、前記相関関係式が示す相関関係に沿うように各項のパラメータが定義されることを特徴とする請求項4記載の描画方法。
- 所定のパターン密度で図形を繰り返し並べた評価パターンを、照射量を可変にしてそれぞれ描画した際に所望の設計寸法が得られた照射量を前記所定のパターン密度との前記相関関係式が示す相関関係とすることを特徴とする請求項4記載の描画方法。
- パターン密度と照射量との相関関係式を予め求めておいて、前記相関関係式のパターン密度を荷電粒子ビームの規格化された後方散乱による蓄積エネルギーを照射量で除した量に置き換えた、照射量に関する非線形方程式を解いて前記照射量を求める演算部と、
求めた照射量で前記荷電粒子ビームを照射して、試料にパターンを描画する描画部と、
を備えたことを特徴とする描画装置。 - 最適照射量に関する非線形方程式は、予め実験によって求められたパターン密度と最適照射量との相関関係を利用して得られたものであることを特徴とする請求項2記載の描画方法。
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