JP5622127B2 - 還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子およびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、異方性導電フィルム用の導電粒子として使用される金属微小粒子の他には、基板等の配線形成に使用される材料としても好ましい金属微小粒子と、その製造方法に関するものである。

地上デジタル放送の普及に伴い、ＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）、あるいはＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などのＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）が急激に伸長している。そのドライバＩＣや微細な配線回路の電気的な接続には、異方性導電フィルムが多く使用されている。

異方性導電フィルムは熱硬化性または、熱可塑性の絶縁性樹脂フィルム中に、導電粒子を分散させた接着剤であり、相対する配線の間に配置した後に熱圧着することで、導電粒子を介して配線間の導通を取り、面方向の隣接した配線間では電気的絶縁性を保つ接続材料である。その導電粒子には、ポリスチレンやアクリルなどの樹脂ボールの表面にＮｉ、Ａｕなどの金属材料をめっきして導電性を持たせた導電性樹脂ボール、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどの金属粉末、あるいはその表面に金属めっきをした粉末などが広く用いられている。

異方性導電フィルムの導電粒子として一般的に用いられている導電性樹脂ボールは、熱圧着時の圧力と温度により樹脂ボールが弾性変形するため、配線との接触面積を大きくできるなどの利点を有している。しかし、樹脂ボールが絶縁体であるため良好な導通が得られにくいばかりでなく、特別な処理によって表面への金属めっきが行わなければならないため、非常に高価になるという欠点がある。

一方、Ｎｉ粉末などの金属粉末は、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）とＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）の接続、ＴＣＰとＰＷＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｗｉｒｉｎｇ Ｂｏａｒｄ）の接続などの異方性導電フィルムに使用されている。ＴＣＰやＦＰＣ、ＰＷＢなどの回路基板は、Ｃｕ、あるいはその上にＳｎめっきなどを施した、比較的軟らかく、酸化膜ができやすい材質によって微細な配線回路が形成されている。金属粉末を用いた異方性導電フィルムは、上記、配線回路上の酸化膜を突き破って導通を確保できるなどの特長がある。しかしながら、例えばガスアトマイズ法により得られた金属粉末を異方性導電フィルム用導電粒子とする場合、粒度分布のシャープな粒子を得ることが非常に困難である。不揃いの大きさの粒子から、異方性導電フィルムの仕様に耐えうる粒子サイズへの分級処理は、高価となる問題点がある。

そこで、上記の課題を鑑みては、本発明者は回路基板の微細配線接続に用いる異方性導電フィルムについて、それに分散させる導電粒子を提案している（特許文献１）。この導電粒子は、優れた導電特性を有している一方、高硬度かつ均一な形状および粒度分布をも達成していることから、異方性導電フィルムに適するものとなっている。

また、ＦＰＣあるいはガラス基板等への微細な回路配線の形成には、Ａｇペーストによるスクリーン印刷法等が採用されている。この方法は、基板上に電気導電性の高いＡｇペーストで配線を印刷した後に、Ａｇのエレクトロマイグレーションを防止するため、Ａｇ配線をコートする形でカーボンペーストを積層印刷し、焼成して回路配線を形成する方法である。この方法に因れば、安価で大量に基板等を製造することが可能である。

特開２００６−１３１９７８号公報

上記の背景技術においては、例えば異方性導電フィルム用導電粒子に注視すると、特許文献１の方法は、上記の課題に一定の効果を示す有効な手法ではあるが、この種のＮｉＰ微小粒子では、導電性樹脂ボールと比較した場合、粒子サイズにばらつきがあり、改善の余地があった。

また、ＦＰＣや基板等への配線形成用材料として評価すれば、例えば配線間隔が０．２ｍｍ以下といった、より微細な配線を形成する場合には、スクリーン印刷の精度、すなわち、Ａｇ配線とそれに積層するエレクトロマイグレーション防止用のカーボンペースト印刷時の位置ズレにより、高精度の配線回路の形成が困難であるという問題点がある。そこで、配線形成用材料においては、このエレクトロマイグレーションの課題からくる回路配線の精度劣化を解消すべく、Ａｇペーストに代替する導電粒子が求められる。

本発明の目的は、特に異方性導電フィルムの導電粒子に使用するのに最適で、単分散性と導電特性に優れた球状ＮｉＰ微小粒子およびその製造方法を提供することである。またこれに加えては、ＦＰＣあるいはガラス基板等の回路配線を形成するのに最適で、耐マイグレーション性と導電特性、ならびに低温焼結性にも優れた球状ＮｉＰ微小粒子およびその製造方法を提供するものである。

本発明者は、高精度の微細回路に適用可能な異方性導電フィルム用の導電粒子について詳細に検討した。そして、基板等への回路配線を微細かつ高精度に形成できる材料としても、それに適した導電粒子を検討した。その結果、先に提案した特許文献１の異方性導電フィルム用導電粒子にＣｕを含む組成とすることで、粒子サイズのばらつきを抑制することが可能であり、更に粒子自体の導電特性を向上させるという結果を得た。

すなわち、本発明は、Ｎｉを主体にＰを含む成分組成、例えば１〜１５質量％のＰを含む成分組成からなる球状ＮｉＰ微小粒子において、その成分組成には０．０１〜１８質量％のＣｕを含み、平均粒径ｄ_５０が１〜７０μｍであり、かつその粒度分布が［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］≦０．８（ｄ_９０、ｄ_１０、ｄ_５０：積算分布曲線において、９０体積％、１０体積％、５０体積％を示す粒子径）であることを特徴とする還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子である。

そして、本発明は、ニッケル塩の水溶液と、ｐＨ調製剤およびｐＨ緩衝剤の混合水溶液と、リンを含む還元剤水溶液とを混合して還元析出させて、Ｎｉを主体にＰを含む球状ＮｉＰ微小粒子を製造する方法であり、上記本発明の還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子を製造する方法であって、前記ニッケル塩の水溶液はＣｕを含み、混合して還元析出を開始させる時のｐＨが７超のアルカリ性になるように調製することを特徴とする還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子の製造方法である。前記ニッケル塩の水溶液は、モル比にて、Ｎｉ／Ｃｕ＝４．０〜１００００となるよう、Ｃｕを含むことが好ましい。

本発明のＣｕを含む還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子は、その粒子が球状となっていることから、熱硬化性または熱可塑性の絶縁性樹脂フィルム中に配合した場合、粒子の凝集が少なく分散性が良好であり、異方性導電フィルムの導電粒子に使用した際に電極間のショートが抑制される。また、それとともに、従来良好な接続信頼性が得られにくかった材質であるＡｌやＣｒ電極等の酸化皮膜を形成しやすい金属電極間の接続においても、低い接続抵抗と高い接続信頼性を得ることが可能となる。

更に本発明の上記球状ＮｉＰ微小粒子は、その成分組成が、Ｎｉ基の金属粒子であることから、耐マイグレーション性と導電特性に優れるとともに、微細で均一な粒子サイズを呈していることから、ＦＰＣあるいはガラス基板等の回路配線を形成する場合には、低温での焼結性が良好であり、基板へのダメージを少なくすることが可能となる。

本発明の球状ＮｉＰ微小粒子の一例を示す電子顕微鏡写真である。 本発明の球状ＮｉＰ微小粒子の一例を示す電子顕微鏡写真である。 本発明の球状ＮｉＰ微小粒子の断面構造の一例を示す、電子顕微鏡写真である。 図３の断面に観察される、Ｎｉ濃度分布のマッピング写真である。 図３の断面に観察される、Ｃｕ濃度分布のマッピング写真である。 図３の断面に観察される、Ｐ濃度分布のマッピング写真である。 本発明の球状ＮｉＰ微小粒子の一例を示す電子顕微鏡写真である。

本発明の特徴は、Ｎｉを主体に、少なくとも半金属であるＰを必須に含有して構成された、例えば特許文献１に示されるような還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子のうちでは、これにＣｕが含有されたものは、粒子サイズのばらつき抑制に効果があることを、明らかにしたところにある。そして具体的には、そのＣｕ含有量が０．０１〜１８質量％の成分組成としたところにある。

そして、この通りのＣｕを含んだ球状ＮｉＰ微小粒子は、その平均粒径ｄ_５０が１〜７０μｍであり、かつその粒度分布が［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］≦０．８という、粒子サイズの揃った球状ＮｉＰ微小粒子である。含有元素においてＣｕを選択した球状ＮｉＰ微小粒子は、平均粒径が１〜７０μｍといった大径側での上記ばらつき抑制効果に優れる。

そして、本発明の球状ＮｉＰ微小粒子を製造するにおいては、例えば、Ｃｕを含むニッケル塩の水溶液と、ｐＨ調製剤およびｐＨ緩衝剤の混合水溶液と、リンを含む還元剤水溶液とを混合して還元析出させる無電解還元法により製造する方法であって、その還元析出を開始する混合水溶液のｐＨが７超のアルカリ性になるように調製することが好適である。前記Ｃｕを含むニッケル塩の水溶液は、モル比にて、Ｎｉ／Ｃｕ＝４．０〜１００００となるよう、Ｃｕ量が調製されていることが望ましい。

先ず、本発明の球状ＮｉＰ微小粒子は、Ｎｉを主体にＰを必須に含む、例えば１〜１５質量％のＰを含むような成分組成が基本となる。これについては、異方性導電フィルム用の導電粒子として用いる場合、その必要な硬さと導電性を付与する有効な方法として、本発明者は、粒子の中心部分では結晶構造を有し、表層部分においては非結晶に金属間化合物を分散させた構造の球状ＮｉＰ微小粒子を、特許文献１で提案している。

そして、特許文献１の方法によれば、これは粒度分布の均一性確保に一定の効果を示す有効な手法であるが、本発明者は鋭意検討を重ねた結果、特許文献１の球状ＮｉＰ微小粒子のうちでも、特にＣｕを添加したものこそ、粒子のばらつきが更に抑制され、導電性をも向上させることが可能であることをつきとめた。

本発明の、還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子においてのＣｕ含有量は、０．０１〜１８質量％であることが望ましい。Ｃｕの含有量を０．０１質量％未満とした場合には、粒子のばらつきを抑制する効果が得られにくい。また、Ｃｕ含有量が１８質量％を超えると、粒子同士が凝集しやすくなって単分散性が損なわれやすいばかりでなく、例えば異方性導電フィルムに適用した場合、それにより接続される回路基板の微細配線に適応しうる、例えば２０μｍ以下サイズの粒子が得られにくい。更に望ましくは、０．４０〜１７質量％のＣｕを含む成分組成とすることにより、粒子サイズにばらつきが少なく、導電性に優れた金属微小粒子を得ることが容易となる。

本発明のＣｕを含む還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子の平均粒径は、ｄ_５０の数値を０．１〜７０μｍとすることが望ましいが（ｄ_５０：積算分布曲線において、５０体積％を示す粒径）、この粒径は用途に応じて選定する必要がある。しかしながら、この粒径が０．１μｍ未満の場合には、粒子が凝集しやすくなるため、取り扱いが非常に困難となる。一方、平均粒径ｄ_５０が７０μｍを超えると、粒子を成長させるに多大な時間を要し、効率良く均一な粒子を得ることが困難となる。好ましくは、５０μｍ以下、さらには３０μｍ以下とする。なお、２０μｍを超えると、異方性導電フィルム用の導電粒子や、ＦＰＣ、基板等の配線形成に使用される材料としては、その機能上の使用が難しくなってくる。

ここで、本発明の球状ＮｉＰ微小粒子を、例えば異方性導電フィルム用導電粒子として用いる場合には、ｄ_５０の数値を１〜２０μｍとすることが望ましい。この粒径が１μｍ未満であると、異方導電接続された時に、ＴＣＰやＦＰＣ、ＰＷＢなどの回路基板に形成されている微細配線の高さばらつきを緩衝できず接触が不安定となり、接続信頼性が低下する。一方、ｄ_５０が２０μｍを超えると、配線間隔が数十μｍといった狭ピッチの微細配線の接続において、絶縁性が低下し、安定した接続信頼性が確保できない可能性がある。よって、本発明の球状ＮｉＰ微小粒子は、特に異方性導電フィルム用の導電粒子として最適にするためには、ｄ_５０の値は１〜７０μｍとする。１〜２０μｍが好ましく、更には１〜１０μｍを好ましいとするが、この粒径は異方性導電フィルムにより接続される配線間隔および電極の形状に合わせて任意に選定することが望ましい。

そして、本発明の還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子においては、ｄ_５０を上記の１μｍ以上、更には５μｍ以上の大径側に調整して、かつその時の粒子サイズのばらつき抑制効果に優れるのは、Ｃｕを単独含有させたときである。本発明の還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子は、その成分組成に上記のＣｕを含むことで、特に平均粒径ｄ_５０が１〜７０μｍの大径側での該粒度分布調整に有利である。

次に、本発明の球状ＮｉＰ微小粒子を、ＦＰＣあるいはガラス基板等の回路配線を形成する材料として用いる場合であっても、その平均粒径ｄ_５０は用途に合わせて任意に選定するが、０．１〜１０μｍとすることが望ましい。ｄ_５０が１０μｍを超えると、微細な配線間隔に適用できない場合があり、また回路配線を形成する時の焼結温度が上昇して、基板へダメージを与える懸念がある。一方、ｄ_５０が０．１μｍ未満であると、粒子の取り扱いが非常に困難となるばかりでなく、粒子自体が高価であることから、量産への対応が難しくなる。

次に、本発明の還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子は、均一な粒度分布を呈しているところにも特徴がある。粒度分布が［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］＞０．８の場合には（ｄ_９０、ｄ_１０：積算分布曲線において、９０体積％、１０体積％を示す粒径）、例えば異方性導電接続された際に、導通に関与する粒子が少なくなるため、接続信頼性が低くなる可能性がある。よって、この式で与えられる粒度分布はできるだけ小さい値を取ることが望ましいが、この値を小さくするための分級処理等には多大なコストを要するため、粒度分布の［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］は０．８以下であることが好ましい。より好ましくは、０．７以下である。

本発明の球状ＮｉＰ微小粒子の、好ましい製造方法について説明する。先ず、本発明者は、特許文献１において、ニッケル塩水溶液とＰを含む還元剤水溶液とを混合して還元析出させることで、Ｎｉを主体にＰを含む球状ＮｉＰ微小粒子を製造する、すなわち無電解還元法を提案した。この還元析出の基本原理は、本発明の球状ＮｉＰ微小粒子の製造にも利用することができるが、この場合、本発明で重要となるのは、そのニッケル塩水溶液中にＣｕイオンを添加することである。つまり、還元剤の酸化反応によって放出された自由電子により、Ｎｉイオンが還元されると共にＣｕが還元析出して、粒子サイズのばらつきの小さいＣｕを含んだＮｉＰ微小粒子を得ることが可能となる。

上記の反応メカニズムについて詳細に説明する。本発明の採用する無電解還元法では、ニッケル塩の水溶液とリンを含む還元剤水溶液とを混合した直後の、反応の初期過程において、先ず、リンを含む還元剤、すなわちホスフィン酸の酸化反応が起こる。その酸化反応の進行に伴い、溶液内に生成されたホスホン酸イオンが蓄積され、その限界濃度に達すると、ホスホン酸イオンと遊離Ｎｉイオンとが結合して、球状ＮｉＰ微小粒子の核となるホスホン酸ニッケルを生成する。そして、上記の核の表面、すなわちＮｉ表面においてホスフィン酸イオンは触媒活性を示し、反応の素過程である水素の脱離反応を経て酸化反応を起こす。その酸化反応の際に放出された自由電子により、Ｎｉ、Ｃｕの金属イオンが連続して還元析出し、目標とする球状ＮｉＰ微小粒子を形成する。

ところで、一般的な無電解Ｎｉ−Ｐめっきにおいては、被めっき物以外にめっき皮膜が析出したり、めっき液の自然分解の防止のために、チオ尿素などの硫黄化合物、あるいはＰｂ、Ｂｉ、Ｔｌ、Ｓｂなどの重金属イオンなどが安定剤として用いられている。上記の安定剤は、めっき液の自然分解の原因となる沈殿物に、Ｎｉよりも優先して吸着し、触媒毒として作用するものである。そして、Ｃｕは、上記の重金属に次いで、触媒活性を低下させる元素として知られている。本発明の球状ＮｉＰ微小粒子を製造するにおいては、ニッケル塩の水溶液に、Ｃｕを添加することによって、無電解還元法の反応途中過程において、その触媒毒の作用により、後発のホスホン酸ニッケルの生成が抑制できているものと判断している。そして、この結果としては、本発明の製造方法によって得られた球状ＮｉＰ微小粒子の、その断面における成分分布を分析したところ、その中心部にはＣｕイオンが濃密に分布していることを確認している（後述する図３〜６のＦＥ−ＳＥＭ（電界放出型走査電子顕微鏡）像の通り）。

更に加えては、上記の作用において、特に粒子サイズのばらつき抑制に適当な条件としては、前記ニッケル塩の水溶液に、モル比にて、Ｎｉ／Ｃｕ＝４．０〜１００００となるようＣｕを調製添加したときを設定した。Ｎｉ／Ｃｕ比が低くなると、個々の粒子サイズ自体は大きく調製できる一方では、粒度分布としてのばらつきは小さくなる傾向が認められる。また、同比が高くなると、個々の粒子サイズ自体は小さく調製できる一方では、やはり粒度分布としてのばらつきは小さくなる傾向が認められる。上記のモル比においては、Ｎｉ／Ｃｕ＝約４．５６に調製したニッケル塩の水溶液を使用した時の還元析出反応が１００％完遂すれば、得られた球状ＮｉＰ微小粒子に含まれる理論Ｃｕ量は、同Ｐ含有量が約７質量％の時で、１８質量％である。また、Ｎｉ／Ｃｕ＝約９９９９に調製したニッケル塩の水溶液を使用した時の還元析出反応が１００％完遂すれば、得られた球状ＮｉＰ微小粒子に含まれる理論Ｃｕ量は、同Ｐ含有量が約７質量％の時で、０．０１質量％である。

そして、これらの方法において、もう一つ重要となるのが、還元析出を開始させる時のｐＨの調製である。これが７超のアルカリ性になるように調製することで、析出反応を速やかに進行させ、Ｃｕを含んだＮｉＰ微小粒子を効率良く得ることが可能となる。また、この作用効果に併せては、本微小粒子の反応初期にあたる中心部のＰ濃度を低くすることをも可能とする（同図３〜６の通り）。これについては、本微小粒子の導電性および硬度を向上させるためには有利な手法として、特許文献１でも説明している。

なお、上記の手法によって提供される、本発明のＣｕを含む還元析出型ＮｉＰ微小粒子であっても、特許文献１に同様、それは更なる硬度付与のための加熱処理や、および／または、接続抵抗を低くするためのＡｕ等の表面被覆処理を施してもよい。

（実施例１）
硫酸ニッケル六水和物と硫酸銅五水和物とを、ＮｉとＣｕのモル比がＮｉ／Ｃｕ＝２３９となるよう調製して、純水に溶解し、金属塩水溶液を１５（ｄｍ^３）作製した。次に、酢酸ナトリウムを純水に溶解して、１．０（ｋｍｏｌ／ｍ^３）の濃度とし、更に水酸化ナトリウムを加えてｐＨ調製水溶液を１５（ｄｍ^３）作製した。そして、上記の金属塩水溶液とｐＨ調製水溶液を撹拌混合し、３０（ｄｍ^３）の混合水溶液とし、ｐＨを測定すると８．１の値を示した。そして、上記の混合水溶液をＮ_２ガスでバブリングしながら外部ヒーターにより３４３（Ｋ）に加熱保持し、撹拌を続けた。

次に、純水に１．８（ｋｍｏｌ／ｍ^３）の濃度でホスフィン酸ナトリウムを溶解した還元剤水溶液を１５（ｄｍ^３）作製し、こちらも外部ヒーターによって３４３（Ｋ）に加熱した。そして、上記、３０（ｄｍ^３）の混合水溶液と１５（ｄｍ^３）の還元剤水溶液を、温度が３４３±１（Ｋ）となるように調製した後に混合し、無電解還元法によって微小粒子を得た。

上記のようにして得られた微小粒子を乾燥させた後、レーザー回折散乱法による粒度分布計で粒子サイズを測定した。平均粒径ｄ_５０の値は３．７μｍで、ｄ_９０とｄ_１０はそれぞれ、５．３μｍと２．８μｍあり、［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］の式で与えられる粒度分布は０．６８であった。粒子の形状をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察した結果は図１の通りであり、単分散の球形状であることが確認された。そして、微小粒子の成分組成を分析した結果は、下記の表１に示す通り、Ｃｕが０．４０質量％含まれたＮｉＰ微小粒子であった。

（実施例２）
硫酸ニッケル六水和物と硫酸銅五水和物との割合を、ＮｉとＣｕのモル比がＮｉ／Ｃｕ＝５となるように調製し、金属塩水溶液、ｐＨ調製水溶液と還元剤水溶液の液量を、それぞれ０．２５（ｄｍ^３）とした以外は、実施例１と同様にして、無電解還元法により微小粒子を作製した。なお、混合水溶液のｐＨは９．０であった。

そして、レーザー回折散乱法により、粒径の分布を確認したところ、平均粒径ｄ_５０値が８．９μｍ、［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］値が０．５８であり、図２のＳＥＭ写真に示す球状ＮｉＰ微小粒子を得た。また、粒子の断面観察試料を作製し、ＦＥ−ＳＥＭ（電界放出型走査電子顕微鏡）により各元素の分布を観察したところ、図３〜６の通り、粒子中心から外側に向かって約２／３より内側に、Ｃｕが濃密に分布していることが確認された。なお、成分組成の分析結果は、表１に示す通りの、Ｃｕが１４．３６質量％であることが確認された。

（実施例３）
硫酸ニッケル六水和物と硫酸銅五水和物の割合を、モル比にてＮｉ／Ｃｕ＝３９となるように調製し、そして、ｐＨ緩衝剤を酢酸ナトリウムとマレイン酸二ナトリウムとし、それぞれの濃度を０．６５（ｋｍｏｌ／ｍ^３）、０．１７５（ｋｍｏｌ／ｍ^３）に変更してｐＨ調製水溶液を調製した以外は、実施例１と同様にして、無電解還元法により微小粒子を製造した。なお、混合水溶液のｐＨは８．２であった。

得られた微小粒子の粒径を、レーザー回折散乱法の粒度分布計により測定した結果、平均粒径ｄ_５０値は６７．１μｍで、［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］値は０．５１であった。また、上記の微小粒子をＳＥＭにより観察した結果は図７の通りであり、単分散の球形状であることが確認された。なお、成分組成の分析結果は、表１に示す通りの、Ｃｕが２．７５０質量％であることが確認された。

（実施例４）
特許文献１に従い、Ｃｕを添加しないニッケル塩水溶液と、水酸化ナトリウム０．９（ｋｍｏｌ／ｍ^３）および酢酸ナトリウム１．０（ｋｍｏｌ／ｍ^３）の混合水溶液を、それぞれ０．２５（ｄｍ^３）作製し、外部から加熱しながら撹拌を行ない、２液を混合して混合水溶液とし、Ｎ_２ガスを流してバブリングを行なって、混合水溶液の温度が３４３±１（Ｋ）となるように調製した。

一方で、純水に１．８（ｋｍｏｌ／ｍ^３）の濃度でホスフィン酸ナトリウムを溶解した還元剤水溶液を０．２５（ｄｍ^３）作製し、こちらも外部ヒーターによって３４３（Ｋ）に加熱し、実施例１と同様な方法により、球状ＮｉＰ微小粒子を得た。レーザー回折散乱法により、粒度分布を確認したところ平均粒径ｄ_５０値が２．９μｍ、［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］値は０．７６であった。そして、表１の成分組成の分析結果から、Ｃｕは不純物のレベル（０．００１質量％未満）でしか確認されなかった。

均一な粒子サイズを有する本発明の球状ＮｉＰ微小粒子は、異方性導電フィルム用の導電粒子の他には、同様な特性を必要とする異方性導電ペーストやヒートシールコネクタなどの、導電粒子としても適用できる。

Claims (4)

1. Ｎｉを主体にＰを含む成分組成からなる球状ＮｉＰ微小粒子において、その成分組成には０．０１〜１８質量％のＣｕを含み、平均粒径ｄ_５０が１〜７０μｍであり、かつその粒度分布が［（ｄ_９０−ｄ_１０）／ｄ_５０］≦０．８（ｄ_９０、ｄ_１０、ｄ_５０：積算分布曲線において、９０体積％、１０体積％、５０体積％を示す粒子径）であることを特徴とする還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子。
2. Ｎｉを主体に１〜１５質量％のＰを含む成分組成からなることを特徴とする請求項１に記載の還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子。
3. ニッケル塩の水溶液と、ｐＨ調製剤およびｐＨ緩衝剤の混合水溶液と、リンを含む還元剤水溶液とを混合して還元析出させて、Ｎｉを主体にＰを含む球状ＮｉＰ微小粒子を製造する方法であり、請求項１または２に記載の還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子を製造する方法であって、前記ニッケル塩の水溶液はＣｕを含み、混合して還元析出を開始させる時のｐＨが７超のアルカリ性となるように調製することを特徴とする還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子の製造方法。
4. 前記ニッケル塩の水溶液は、モル比にて、Ｎｉ／Ｃｕ＝４．０〜１００００となるＣｕを含むことを特徴とする請求項３に記載の還元析出型球状ＮｉＰ微小粒子の製造方法。