JP5621185B2 - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5621185B2 JP5621185B2 JP2008144252A JP2008144252A JP5621185B2 JP 5621185 B2 JP5621185 B2 JP 5621185B2 JP 2008144252 A JP2008144252 A JP 2008144252A JP 2008144252 A JP2008144252 A JP 2008144252A JP 5621185 B2 JP5621185 B2 JP 5621185B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- manufacturing
- semiconductor device
- coating layer
- layer
- ion implantation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 90
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 118
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 113
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 67
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 48
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 39
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 35
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 29
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 25
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 claims description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 2
- 244000137852 Petrea volubilis Species 0.000 claims 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
Description
Y. Negoro et al., Materials Science Forum Vols.457-460 (2004) pp.933-936
本明細書中において“連続層”とは、連続層が金属や半導体により形成されている場合は、格子結合が特定方向に一様に並んでいる層のことを意味し、連続層がフォトレジスト等により形成されている場合には、内部組織構造が一様な状態にある層のことを意味する。また本明細書中において“不連続層”とは、不連続層が金属や半導体により形成されている場合は、格子結合が特定方向に一様に並んでいない又は格子結合が切られている層のことを意味し、不連続層がフォトレジスト等により形成されている場合には、内部組織構造が一様でない状態にある層のことを意味する。不連続層では、格子結合や内部組織構造が一様ではないので、特定方向に応力が発生することがない。
始めに、図1乃至図3を参照して、本発明の第1の実施形態となる半導体装置の製造方法における不純物領域形成工程について説明する。なお以下では便宜的にオーミックコンタクト等に用いられる高濃度n型不純物領域を選択イオン注入処理と高温活性化熱処理により大口径基板に形成する場合を例として説明するが、形成する不純物領域はp型不純物領域であってもよい。また不純物領域の不純物濃度はどのような値であってもよく、さらに伝導型や不純物濃度が異なる複数の不純物領域が基板に形成されていてもよい。
(a)5×1014cm-2/40keV
(b)5×1014cm-2/70keV
(c)1×1015cm-2/100keV
(d)1×1015cm-2/150keV
(e)2×1015cm-2/200keV
(f)2×1015cm-2/250keV
本形態では、サブミクロン以上の深さ及び幅を有する線状の溝が面内方向に規則的に設計された溝パターンに従って、図3(a)に示すように表面上に規則的に形成された溝を有する不連続層5を形成する。例えば溝の密度が0.2本/cm2以上、好ましくは0.5本/cm2以上になるように溝パターン(例えば格子線やハニカム線)を設計し、この溝パターンに従って不連続層5を形成する。溝の断面形状は図3(a)に示すように楔形形状であってもよいし、矩形形状であってもよい。溝パターンの形成方法としては、フォトリソグラフィ法及びエッチング法,フォトリソグラフィ法及びリフトオフ法,YAGレーザ等を用いたレーザスキャン加工法,放電スキャン法,マイクロローリング法,シャドーマスク蒸着法等を例示できる。また溝ではなく、ドット(点)状の陥没孔(凹部)を形成しても同様の効果を得ることができる。ドット状の陥没孔を形成する場合、陥没孔の密度が100個/cm2以上、好ましくは1000個/cm2以上になるように陥没孔パターンを設計することが望ましい。
本形態では、サブミクロン以上の深さ及び幅を有する線状の溝が面内方向に不規則に設計された溝パターンに従って、図3(b)に示すように表面上に不規則に形成された溝を有する不連続層5を形成する。但しこの場合についても、溝の密度が0.2本/cm2以上、好ましくは0.5本/cm2以上になるように溝パターンを設計する。この場合の溝パターンの形成方法としては、サンドペーパーやステンレスウールを用いたヘアライン処理,粗研磨処理等を例示できる。またこの場合も、溝ではなく、ドット状の陥没孔を形成しても同様の効果を得ることができる。ドット状の陥没孔を形成する場合、陥没孔の密度が100個/cm2以上、好ましくは1000個/cm2以上になるように陥没孔パターンを設計することが望ましい。陥没孔パターンの形成方法としては、サンドブラスト処理やスパッタリング処理等を例示することができる。なお本形態は、(a)の形態と比較すると加工が極めて容易、且つ、安価であるが、溝の密度や深さを精密に管理することが難しい。このため、溝の平均密度が1桁〜4桁程度過剰になるように加工することが望ましい。
本形態では、キャップ層の表面に原子レベルの大量不連続性、すなわち高密度(1×1018〜1022個/cm3)の未結合手を形成することにより、図3(c)に示すように高密度の未結合手の集合体からなる不連続層5を形成する。このような不連続層5は、例えば不活性ガスプラズマを用いたプラズマボンバード処理(逆スパッタリング処理を含む)、又は不活性ガスイオンを用いた全面イオン注入処理により形成することができる。
口径2インチ,厚さ0.4mmの4H−SiC(0001)基板10枚を5枚ずつの2グループに分け、従来及び本実施形態の製造方法によりP不純物層を活性化させる比較実験を行った。その結果、従来の製造方法によりP不純物層を活性化させた場合、5枚全ての基板に破砕が確認されたのに対し、本実施形態の製造方法によりP不純物層を活性化させた場合には、5枚全ての基板について破砕が発生せず活性化を終了することができた。また本実施形態の製造方法により活性化させた基板表面の平坦度(荒れの度合)は従来の製造方法を用いた場合と同等であった。また口径75mm,100mmの4H−SiC基板及び6H−SiC基板の活性化についても本実施形態の製造方法を適用した所、これら大口径基板でも破砕は確認されなかった。さらには口径150mmの3C−SiC基板の活性化(活性化条件は1400℃,5分)についても本実施形態の製造方法を適用した所、同150mm基板でも破砕なく熱処理が正常に終了した。以上の実験事実から、本実施形態によれば口径が50mm以上のSiC基板に対しても基板を破砕することなく活性化熱処理を施すことができることが確認された。
次に、図4を参照して、本発明の第2の実施形態となる半導体装置の製造方法における不純物領域形成工程について説明する。本実施形態は、素子領域間を切断(スクライビング)する時のスクライブラインに合わせて素子領域上にキャップ層を設けるものである。このような構成の場合、スクライブラインに合わせてキャップ層を形成することができるので、大局的に見るとキャップ層が素子領域単位に分割された状態と等価であると見ることができる(素子領域上に設けられるキャップ層の一つ一つは第1の実施形態のように不連続層を有さない)。従って連続層の深度を計算しながら不連続層を形成する工程を省略して製造工程を簡略化することができる。
口径2インチ〜100mm,厚さ0.4mmの4H−及び6H−SiC(0001)基板、口径2インチ〜150mm,厚さ0.3mmの3C−SiC(001)基板それぞれ数枚について本実施形態の製造方法によりP不純物層を活性化させる実験を行った。その結果、全ての基板に破砕が発生せず活性化を終了することができた。また素子領域に対応する基板表面の平坦度(荒れの度合)は従来の製造方法を用いた場合と同等であった。この実験事実から、本実施形態によれば口径が50mm以上のSiC基板に対しても基板を破砕することなく活性化熱処理を施すことができることが知見された。
2:イオン注入マスク層
3:イオン注入スルー膜
4:連続層
5:不連続層
6,8:キャップ層
7:不純物領域
I:不純物イオン注入領域
R1:開口部領域
Claims (20)
- 炭化珪素のワイドギャップ半導体により形成された半導体基板の表面上にイオン注入マスク層を形成する工程と、
半導体基板表面の素子領域に対応する位置の前記イオン注入マスク層を除去することによりマスク層の開口部を形成する工程と、
前記マスク層表面上及び前記開口部から露出している前記半導体基板表面上にイオン注入スルー層を形成する工程と、
前記イオン注入スルー層を介して前記半導体基板に不純物イオンを注入する工程と、
不純物イオン注入後の半導体基板表面から前記イオン注入マスク層と前記イオン注入スルー層を除去する工程と、
前記イオン注入マスク層と前記イオン注入スルー層が除去された半導体基板の表面上に格子結合が特定方向に一様に並んでいる状態または内部組織構造が一様な状態である内部構成を有する第1被膜層を形成する工程と、
前記第1被膜層の表面上に、特定方向に応力が発生しないように、格子結合が特定方向に一様に並んでいない状態、または格子結合が切られている状態、或いは内部組織構造が一様でない状態である内部構成を有する第2被膜層を形成する工程と、
前記第1被膜層と前記第2被膜層が形成された半導体基板に対し熱処理を施すことにより前記不純物イオンを活性化させる工程と、
前記熱処理後の半導体基板表面から前記第1被膜層と前記第2被膜層を除去する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層が形成された後に残存する前記第1被膜層の膜厚が100Å以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は所定のパターンに従って表面上に規則的に形成された線状の溝を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は前記線状の溝を少なくとも0.2本/cm2以上有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は所定のパターンに従って表面上に規則的に形成された点状の凹部を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は前記点状の凹部を少なくとも100個/cm2以上有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は表面上に不規則に形成された線状の溝を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は前記線状の溝を少なくとも0.2本/cm2以上有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は表面上に不規則に形成された点状の凹部を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項9に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は前記点状の凹部を少なくとも100個/cm2以上有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3乃至請求項10のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
フォトリソグラフィ法とエッチング法、フォトリソグラフィ法とリフトオフ法、レーザスキャン加工法、放電スキャン法、マイクロローリング法、及びシャドーマスク蒸着法のうち、いずれか1つの方法により前記溝又は前記凹部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7又は請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
サンドペーパー若しくはステンレスウールを用いたヘアライン処理、又は粗研磨処理により前記溝を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項9又は請求項10に記載の半導体装置の製造方法において、
サンドブラスト処理、又はスパッタリング処理により前記凹部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1又は請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第2被膜層は、前記第1被膜層の原子構造を切断することにより高密度に形成された未結合手の集合体であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項14に記載の半導体装置の製造方法において、
プラズマボンバード処理、逆スパッタリング処理、及び全面イオン注入処理のうちのいずれかの処理により未結合手を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項14又は請求項15に記載の半導体装置の製造方法において、
前記未結合手の密度が1×1018個/cm3以上1×1022個/cm3以下の範囲内にあることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項16のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体基板の口径又は一辺が50mm以上の長さを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1乃至請求項17のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1被膜層が炭素を主成分とする材料により形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項18に記載の半導体装置の製造方法において、
前記炭素を主成分とする材料は、グラファイト膜、無定形炭素膜、DLC膜、及びダイヤモンド膜のうちのいずれかであること特徴とする半導体装置の製造方法。 - 炭化珪素のワイドギャップ半導体により形成された半導体基板と、
前記半導体基板の表面上に形成され、注入された不純物イオンが熱処理によって活性化された素子領域と、
前記素子領域を含む前記半導体基板表面に形成され、格子結合が特定方向に一様に並んでいる状態または内部組織構造が一様な状態である内部構成を有する第1被膜層と、
前記第1被膜層の表面上に形成され、特定方向に応力が発生しないように、格子結合が特定方向に一様に並んでいない状態、または格子結合が切られている状態、或いは内部組織構造が一様でない状態である内部構成を有する第2被膜層と
を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008144252A JP5621185B2 (ja) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008144252A JP5621185B2 (ja) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009290160A JP2009290160A (ja) | 2009-12-10 |
JP5621185B2 true JP5621185B2 (ja) | 2014-11-05 |
Family
ID=41459044
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008144252A Expired - Fee Related JP5621185B2 (ja) | 2008-06-02 | 2008-06-02 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5621185B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012015229A (ja) * | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体デバイスの製造方法 |
JP6582736B2 (ja) | 2015-08-25 | 2019-10-02 | 富士電機株式会社 | 窒化物半導体装置の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62137823A (ja) * | 1985-12-11 | 1987-06-20 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体基板のアニ−リング方法 |
JPH077007A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-10 | Rohm Co Ltd | 半導体装置用基板製造方法 |
JP3206527B2 (ja) * | 1997-11-14 | 2001-09-10 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2002016013A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP4961633B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2012-06-27 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP4942134B2 (ja) * | 2005-05-20 | 2012-05-30 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP4971340B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | 炭化珪素半導体素子の製造方法 |
-
2008
- 2008-06-02 JP JP2008144252A patent/JP5621185B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009290160A (ja) | 2009-12-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1855312B1 (en) | PROCESS FOR PRODUCING SiC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE | |
US10741683B2 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP5803979B2 (ja) | 炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置ならびに炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
TW200926303A (en) | Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device | |
JP2005229105A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
US7867882B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP6219238B2 (ja) | サセプタ及びその製造方法 | |
JP4331773B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20220314357A1 (en) | Method for manufacturing composite substrate, and composite substrate | |
JP5621185B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP3963154B2 (ja) | 炭化珪素ショットキーバリアダイオードの製造方法 | |
JP2019014627A (ja) | 単結晶基板および炭化ケイ素基板 | |
US20020179909A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing the same | |
JP3856729B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH10125905A (ja) | 半導体基板および半導体基板のそり矯正方法 | |
WO2015045653A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
US20120017826A1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide substrate | |
JP5975940B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2021001090A (ja) | ダイヤモンド基板の製造方法 | |
JP2018107271A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2011236063A (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
JP2011236064A (ja) | 炭化珪素基板の製造方法 | |
JP2006313787A (ja) | 終端構造を有する半導体装置およびその製造方法 | |
JP2016028009A (ja) | 炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置ならびに炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110426 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110527 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130627 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130730 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140507 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140701 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140826 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140908 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5621185 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |