JP5065936B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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- 支持基板と、
発光層を含み、第1の面とその反対側の第2の面を有する半導体層と、
前記第2の面に選択的に設けられたコンタクト層と、
前記第2の面に前記コンタクト層と離間して設けられ、前記コンタクト層よりも厚く形成された絶縁膜と、
前記コンタクト層と前記絶縁膜との間に設けられた高反射材料層と、
前記コンタクト層、前記絶縁膜、及び前記高反射材料層と、前記支持基板との間に設けられた金属層と、
を備え、
前記高反射材料層は、前記金属層における前記絶縁膜側の部分よりも、前記発光層から放出される光に対する反射率が高いことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記絶縁膜は前記コンタクト層よりも厚く且つ前記金属層側に突出していることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記開口部の幅と前記コンタクト層の幅の和は、前記コンタクト層の幅の2倍以下であることを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の半導体発光素子。
- 前記高反射材料層は、AuZn、AuおよびITOの少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体発光素子。
- 前記金属層は、
前記コンタクト層と前記絶縁膜と前記高反射材料層と接し、これらを覆う第1の金属層と、
前記第1の金属層の上に設けられた第2の金属層と、を有し、
前記第1の金属層は、前記コンタクト層と前記絶縁膜と前記高反射材料層が設けられた側からTi、Pt、Auを順に積層した積層構造であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体発光素子。 - 基板上に設けられた発光層を含む半導体層の表面上に、半導体を含むコンタクト層を選択的に形成する工程と、
前記半導体層の表面上に、前記コンタクト層を覆って絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を選択的に除去し、前記コンタクト層を露出させ、前記コンタクト層の周囲の前記半導体層の表面を露出させる工程と、
前記コンタクト層の周囲の前記半導体層の表面上に、高反射材料層を形成する工程と、
前記絶縁膜と前記コンタクト層と前記高反射材料層を覆う金属層を形成する工程と、
前記金属層に支持体を貼り合わせた後、前記基板を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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