JP5608471B2 - 光感知回路およびその駆動方法 - Google Patents
光感知回路およびその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5608471B2 JP5608471B2 JP2010187470A JP2010187470A JP5608471B2 JP 5608471 B2 JP5608471 B2 JP 5608471B2 JP 2010187470 A JP2010187470 A JP 2010187470A JP 2010187470 A JP2010187470 A JP 2010187470A JP 5608471 B2 JP5608471 B2 JP 5608471B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- control signal
- light
- voltage
- sensing circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 41
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 15
- 101000806846 Homo sapiens DNA-(apurinic or apyrimidinic site) endonuclease Proteins 0.000 description 10
- 101000835083 Homo sapiens Tissue factor pathway inhibitor 2 Proteins 0.000 description 10
- 102100026134 Tissue factor pathway inhibitor 2 Human genes 0.000 description 10
- 101100219315 Arabidopsis thaliana CYP83A1 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100269674 Mus musculus Alyref2 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100140580 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) REF2 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100152598 Arabidopsis thaliana CYP73A5 gene Proteins 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/44—Electric circuits
- G01J1/46—Electric circuits using a capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
follower)方式の感知回路であって、このようなソースフォロワ方式の感知回路は入力と出力の線形特性が良いという長所がある。
(ΔVn:n番目のサブフレームの出力信号、IPHOTO:光漏れ電流)のように基準となる最初のサブフレームの出力信号と同じ結果を有するようになる。このような演算を通じて得た各サブフレーム別のデジタル出力信号を用いてこれを補間すれば、16-ビットのデジタル信号が得られるようになる。
P2 第2トランジスタ
P3 第3トランジスタ
P4 第4トランジスタ
P5 第5トランジスタ
P6 第6トランジスタ
P7 第7トランジスタ
P8 第8トランジスタ
P9 第9トランジスタ
P10 第10トランジスタ
C1 第1キャパシタ
C2 第2キャパシタ
PD 受光素子
Claims (12)
- 第1基準電圧および第2電源の間に連結される第1トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極および第2電極の間に連結され、ゲート電極に第1制御信号が印加される第2トランジスタと、
前記第1基準電圧と第1トランジスタとの間に連結され、ゲート電極に第2制御信号が印加される第3トランジスタと、
前記第2電源と第1トランジスタとの間に連結され、ゲート電極に反転された第2制御信号が印加される第4トランジスタと、
第2基準電圧と第3基準電圧との間に連結される受光素子と、
前記第2基準電圧と前記受光素子のカソードとの間に連結され、ゲート電極に前記第1制御信号が印加される第5トランジスタと、
前記受光素子のカソードと第3基準電圧との間に連結される第1キャパシタと、
前記受光素子のカソードと第1キャパシタの第1電極との間に連結され、ゲート電極に第3制御信号が印加される第6トランジスタと、
前記第1トランジスタの第1電極と出力負荷の一側との間に連結され、ゲート電極に第4制御信号が印加される第7トランジスタと、
前記出力負荷の他側に延びた出力信号線と第1電源との間に連結され、ゲート電極に初期化信号が印加される第8トランジスタと、
前記第1トランジスタのゲート電極および第1キャパシタの第1電極の間に連結された第2キャパシタと、
を含む第1の光感知回路および第2の光感知回路を備え、
前記第2の光感知回路には、前記受光素子に対して遮光層がさらに設けられ、
1フレーム期間は、互いに異なる期間長を有する複数のサブフレーム期間を含み、各サブフレーム期間は第1区間、第2区間および第3区間を含み、前記第1区間は第1−1区間および第1−2区間を含み、
前記第1−1区間において前記第1制御信号および前記第3制御信号が第1ロジックレベルで提供され、
前記第1−2区間において前記第1制御信号、前記第2制御信号および前記第3制御信号が前記第1ロジックレベルで提供され、
前記第2区間において前記第3制御信号が前記第1ロジックレベルで提供され、
前記第3区間において前記第4制御信号が前記第1ロジックレベルで提供され、
前記第1トランジスタ〜前記第7トランジスタは、前記第1ロジックレベルで制御信号が提供される場合にターンオンされ、
前記各サブフレームにおける前記第2区間に対する前記第1区間および前記第3区間の割合は互いに異なることを特徴とする光感知回路。 - 前記受光素子はp-i-m(p-intrinsic-metal)ダイオード、PINダイオード、PNダイオード、フォトカプラーのうち選択されたいずれか1つであることを特徴とする請求項1に記載の光感知回路。
- 前記第1基準電圧、第2基準電圧は、前記第3基準電圧よりもハイレベルの電圧値を有することを特徴とする請求項1または2に記載の光感知回路。
- 前記第3基準電圧および第2電源は、前記第1基準電圧および第2基準電圧よりもローレベルの電圧または接地電源GNDで実現されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の光感知回路。
- 前記第2トランジスタ、第5トランジスタ、第6トランジスタのうち少なくとも1つはデュアルゲートの形態で実現されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光感知回路。
- ゲート電極に反転された第1制御信号が印加され、第1、2電極が前記第1トランジスタのゲート電極と連結された第9トランジスタと、
ゲート電極に反転された第3制御信号が印加され、第1、2電極が前記第1キャパシタの第1電極と連結された第10トランジスタと
が更に含まれることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の光感知回路。 - 1つのフレームが複数のサブフレームで構成され、前記複数のサブフレームはそれぞれ3つの区間t1、t2、t3に分けられて動作する請求項1に記載の光感知回路の駆動方法において、
第1区間に対して第1トランジスタの閾値電圧が第2キャパシタに格納され、受光素子のカソード電圧が第2基準電圧で充電されて前記受光素子が逆バイアス状態で実現される第1段階と、
第2区間に対して前記受光素子に入射される光の程度によって発生する光漏れ電流により第1キャパシタに格納された電圧が前記光漏れ電流に対応する程度に放電される第2段階と、
第3区間に対して前記光漏れ電流に対応して放電される電圧に関する情報が出力信号線に出力される第3段階と
前記第1の光感知回路からの情報が示す電圧と前記第2の光感知回路からの情報が示す電圧との差分演算を行う第4段階と、
が含まれ、
前記各サブフレームでの第2区間は最初のサブフレームの第2区間時間T0を基準に順次2の倍数だけ短くなり、
前記各サブフレームにおける前記第2区間に対する前記第1区間および前記第3区間の割合は互いに異なることを特徴とする光感知回路の駆動方法。 - 最も長い第2区間を有する最初のサブフレームでは低い照度の光が感知され、最も短い第2区間を有する最後のサブフレームでは高い照度の光が感知されることを特徴とする請求項7に記載の光感知回路の駆動方法。
- 前記第1段階は選択信号として第1制御信号が提供されて前記第1トランジスタのゲート電極ノードの電圧が第2電源に初期化される第1-1段階と、
前記第1-1段階の後に前記第1制御信号および第2制御信号が選択信号として提供されて前記第1トランジスタのゲート電極ノードの電圧が「第1基準電圧−第1トランジスタの閾値電圧」で充電される第1-2段階と
が含まれることを特徴とする請求項7または8に記載の光感知回路の駆動方法。 - 前記第2段階は選択信号として第3制御信号が提供されて第6トランジスタがターンオンされ、これにより、前記第1キャパシタの電圧変化量だけ前記第1トランジスタのゲート電極ノードの電圧がカップリングされて減少されることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の光感知回路の駆動方法。
- 前記第2段階は前記第2区間のうち特定区間で選択信号として初期化信号が提供されて第8トランジスタがターンオンされ、これにより、出力信号線の電圧が第1電源で充電される段階が更に含まれることを特徴とする請求項7〜10のいずれか1項に記載の光感知回路の駆動方法。
- 前記第3段階は選択信号として第4信号が提供されて第7トランジスタがターンオンされ、これにより、前記光漏れ電流に対応して放電される電圧が前記第7トランジスタを経由して出力信号線に出力されることを特徴とする請求項7〜11のいずれか1項に記載の光感知回路の駆動方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2010-0025659 | 2010-03-23 | ||
KR1020100025659A KR101101065B1 (ko) | 2010-03-23 | 2010-03-23 | 광 감지회로 및 그 구동방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011199246A JP2011199246A (ja) | 2011-10-06 |
JP5608471B2 true JP5608471B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=44146357
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010187470A Expired - Fee Related JP5608471B2 (ja) | 2010-03-23 | 2010-08-24 | 光感知回路およびその駆動方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8497461B2 (ja) |
EP (1) | EP2372323B1 (ja) |
JP (1) | JP5608471B2 (ja) |
KR (1) | KR101101065B1 (ja) |
CN (1) | CN102200474B (ja) |
TW (1) | TWI467563B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI486563B (zh) * | 2012-08-16 | 2015-06-01 | E Ink Holdings Inc | 光感測器及其光電晶體的驅動方法 |
TWI485372B (zh) * | 2012-11-16 | 2015-05-21 | Au Optronics Corp | 光感測電路及光感測之控制方法 |
US10528106B2 (en) * | 2017-08-21 | 2020-01-07 | Yonglin Biotech Corp. | Display device |
CN110460786B (zh) * | 2019-08-09 | 2022-10-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素感应电路、第一偏置电压确定方法、电子设备 |
CN110933335B (zh) * | 2020-01-21 | 2020-05-12 | 南京迪钛飞光电科技有限公司 | 一种平板探测器的驱动电路以及时序驱动方法 |
TWI745014B (zh) * | 2020-08-07 | 2021-11-01 | 友達光電股份有限公司 | 光感測電路與觸控顯示器 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04252923A (ja) * | 1991-01-29 | 1992-09-08 | Toshiba Corp | 光検波回路 |
JPH1137841A (ja) * | 1997-07-23 | 1999-02-12 | Nikon Corp | 電流ー電圧変換回路 |
JP2001203941A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-07-27 | Mitsubishi Electric Corp | 固体撮像素子 |
KR101001969B1 (ko) * | 2003-12-26 | 2010-12-17 | 삼성전자주식회사 | 광감지 패널과, 이를 갖는 액정 표시 장치 |
JP4168979B2 (ja) | 2004-06-03 | 2008-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光センサ回路、光センサ回路の出力信号処理方法および電子機器 |
KR100621216B1 (ko) | 2004-12-10 | 2006-09-13 | 한국전자통신연구원 | 아날로그/디지탈 혼합 방식 온도보상 기능을 구비한 광송신 장치 |
KR101157952B1 (ko) | 2005-02-23 | 2012-06-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백 라이트 유닛과 이를 이용한 액정 표시장치 |
JP4555725B2 (ja) | 2005-04-13 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | 受光回路、半導体レーザ装置および光ピックアップ装置 |
JP4252078B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2009-04-08 | 三洋電機株式会社 | 光検出装置 |
JP5259132B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-08-07 | 三星ディスプレイ株式會社 | 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置 |
KR100825411B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-04-29 | 한양대학교 산학협력단 | 주변광 감지 회로 및 이를 갖는 평판 표시 장치 |
JP4959449B2 (ja) | 2006-12-27 | 2012-06-20 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 周辺光感知回路及びこれを有する平板表示装置 |
KR100824855B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주변광 감지 회로 및 이를 갖는 평판 표시 장치 |
EP1939847B1 (en) | 2006-12-27 | 2016-08-10 | IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | Ambient light sensor circuit and flat panel display device having the same |
KR100824859B1 (ko) | 2006-12-27 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 주변광 감지 회로를 갖는 평판 표시 장치 |
KR100957948B1 (ko) | 2008-02-19 | 2010-05-13 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광센서 및 그를 이용한 평판표시장치 |
-
2010
- 2010-03-23 KR KR1020100025659A patent/KR101101065B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2010-08-24 JP JP2010187470A patent/JP5608471B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-25 CN CN201110048665.6A patent/CN102200474B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-07 US US13/064,115 patent/US8497461B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-03-17 TW TW100109205A patent/TWI467563B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-03-18 EP EP11250336.2A patent/EP2372323B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110233387A1 (en) | 2011-09-29 |
KR20110106564A (ko) | 2011-09-29 |
EP2372323A1 (en) | 2011-10-05 |
EP2372323B1 (en) | 2016-08-03 |
TW201137853A (en) | 2011-11-01 |
US8497461B2 (en) | 2013-07-30 |
CN102200474B (zh) | 2014-07-30 |
CN102200474A (zh) | 2011-09-28 |
TWI467563B (zh) | 2015-01-01 |
JP2011199246A (ja) | 2011-10-06 |
KR101101065B1 (ko) | 2011-12-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20210201804A1 (en) | Electronic panel, display device, and driving method | |
JP5608471B2 (ja) | 光感知回路およびその駆動方法 | |
US9799268B2 (en) | Active matrix organic light-emitting diode (AMOLED) pixel driving circuit, array substrate and display apparatus | |
CN105957473B (zh) | 一种有机发光显示面板及其驱动方法 | |
JP5341586B2 (ja) | タッチセンサ、これを有する液晶表示パネル及びタッチセンサのセンシング方法 | |
US6975008B2 (en) | Circuit for detecting ambient light on a display | |
JP5254187B2 (ja) | 光検出回路及びその駆動方法、並びにこれを備えたタッチスクリーンパネル | |
CN101192373B (zh) | 有机发光显示器及其具有电压补偿技术的有机发光像素 | |
CN107316606A (zh) | 一种像素电路、其驱动方法显示面板及显示装置 | |
KR100824855B1 (ko) | 주변광 감지 회로 및 이를 갖는 평판 표시 장치 | |
CN107314813B (zh) | 光强检测单元、光强检测方法和显示装置 | |
KR101535894B1 (ko) | 광 감지회로, 이를 구비한 액정표시장치 및 이의 구동방법 | |
CN101543059A (zh) | 图像拾取装置和显示装置 | |
JP2016522434A (ja) | 外部補償誘導回路及びその誘導方法、表示装置 | |
KR100957948B1 (ko) | 광센서 및 그를 이용한 평판표시장치 | |
CN101621068B (zh) | 图像传感器 | |
JP4048497B2 (ja) | 表示装置及びその駆動制御方法 | |
KR101427590B1 (ko) | 광센서, 이를 포함하는 디스플레이장치 및 그 제어방법 | |
KR100816226B1 (ko) | 주변광 감지 회로 및 이를 갖는 평판 표시 장치 | |
KR100776502B1 (ko) | 외광감지센서 및 이를 이용한 액정표시장치 | |
KR100824858B1 (ko) | 주변광 감지 회로를 갖는 평판 표시 장치 | |
KR100824859B1 (ko) | 주변광 감지 회로를 갖는 평판 표시 장치 | |
KR100824856B1 (ko) | 주변광 감지 회로를 갖는 평판 표시 장치 | |
KR100824857B1 (ko) | 주변광 감지 회로를 갖는 평판 표시 장치 | |
JP2008096242A (ja) | 光量検出装置およびそれを備えた液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120921 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130226 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130516 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140507 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140901 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5608471 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |