JP5607566B2 - Terahertz wave spectrometer - Google Patents

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Description

本発明は、テラヘルツ波を用いた分光計測装置に関する。   The present invention relates to a spectroscopic measurement apparatus using a terahertz wave.

従来、テラヘルツ波を用いた分光計測装置に関する技術として、例えば特許文献１に記載の全反射分光計測装置がある。この全反射分光計測装置では、内部全反射プリズムの入射面にテラヘルツ波発生素子が一体に設けられ、内部全反射プリズムの出射面にテラヘルツ波検出素子が一体に設けられている。このような内部全反射プリズムとテラヘルツ波発生素子とテラヘルツ波検出素子とを一体化した一体型プリズムを用いる場合、全反射分光計測装置を小型化しつつ、高い効率でテラヘルツ波を検出できるという利点がある。   Conventionally, as a technique related to a spectroscopic measurement apparatus using a terahertz wave, for example, there is a total reflection spectroscopic measurement apparatus described in Patent Document 1. In this total reflection spectroscopic measurement apparatus, a terahertz wave generating element is integrally provided on the incident surface of the internal total reflection prism, and a terahertz wave detecting element is integrally provided on the emission surface of the internal total reflection prism. In the case of using an integral prism in which such an internal total reflection prism, a terahertz wave generating element, and a terahertz wave detecting element are integrated, there is an advantage that terahertz waves can be detected with high efficiency while downsizing the total reflection spectroscopic measurement device. is there.

特開２００８−２２４４４９号公報JP 2008-224449 A

しかしながら、テラヘルツ波を用いた分光計測装置の被測定物には、計測中の加熱・冷却を必要とするものがある。特許文献１に記載の全反射分光計測装置では、一体型プリズムが用いられているため、被測定物を加熱・冷却する際の温度変化が、内部全反射プリズムを経てテラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子に伝わり易い。テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子に温度変化が過剰に伝わると、テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子の動作不良や剥離等が生じるおそれがある。   However, some objects to be measured by spectroscopic measurement apparatuses using terahertz waves require heating and cooling during measurement. In the total reflection spectroscopic measurement apparatus described in Patent Document 1, since an integral prism is used, a temperature change when the object to be measured is heated / cooled passes through the internal total reflection prism to generate a terahertz wave generating element and a terahertz wave. Easy to be transmitted to the detection element. If the temperature change is excessively transmitted to the terahertz wave generating element and the terahertz wave detecting element, there is a possibility that the terahertz wave generating element and the terahertz wave detecting element may malfunction or peel off.

本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子が一体に設けられた内部全反射プリズムにおいて、被測定物の加熱・冷却に伴う影響を抑制できるテラヘルツ波分光計測装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and suppresses the influence of heating and cooling of an object to be measured in an internal total reflection prism integrally provided with a terahertz wave generating element and a terahertz wave detecting element. An object of the present invention is to provide a terahertz wave spectroscopic measurement device that can be used.

上記課題解決のため、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置は、レーザ光を出射する光源と、光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、分岐部で分岐したポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生素子と、テラヘルツ波の入射面・出射面及び被測定物の配置部を有し、入射面から入射したテラヘルツ波を内部で伝播させ、配置部で反射又は透過させて出射面から出射させる内部全反射プリズムと、内部全反射プリズムから出射したテラヘルツ波と、プローブ光とが入射し、テラヘルツ波とプローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出素子と、を備え、内部全反射プリズムは、配置部を含む第１のプリズム部分と、テラヘルツ波発生素子が一体に固定される入射面及びテラヘルツ波検出素子が一体に固定される出射面と、第１のプリズム部分が嵌合する凹部とを含む本体部分と、を有し、第１のプリズム部分と本体部分との嵌合部分に断熱材が介在していることを特徴とする。   In order to solve the above problems, a terahertz wave spectrometer according to the present invention includes a light source that emits laser light, a branching unit that branches the laser light emitted from the light source into pump light and probe light, and a branching unit. A terahertz wave generating element that generates a terahertz wave when incident pump light is incident, a terahertz wave incident surface / exit surface, and an arrangement part of the object to be measured, and the terahertz wave incident from the incident surface is propagated internally and arranged The internal total reflection prism that is reflected or transmitted by the light exiting from the output surface, the terahertz wave emitted from the internal total reflection prism, and the probe light are incident, and the terahertz for detecting the correlation between the terahertz wave and the probe light The internal total reflection prism includes a first prism portion including an arrangement portion, an incident surface on which the terahertz wave generating element is integrally fixed, and a terahertz wave. A main body portion including an emission surface on which the Rutz wave detecting element is integrally fixed and a concave portion into which the first prism portion is fitted, and the first prism portion and the main body portion are thermally insulated from the fitting portion. It is characterized by the presence of a material.

このテラヘルツ波分光計測装置では、第１のプリズム部分と本体部分との嵌合部分に断熱材が介在している。このため、被測定物を加熱・冷却する際の温度変化が、第１のプリズム部分から本体部分に伝わり難くなっている。従って、テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子に温度変化が過剰に伝わることを防止でき、テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子の動作不良や剥離等の影響を抑制できる。   In this terahertz wave spectroscopic measurement device, a heat insulating material is interposed in a fitting portion between the first prism portion and the main body portion. For this reason, it is difficult for a temperature change when the object to be measured is heated / cooled to be transmitted from the first prism portion to the main body portion. Accordingly, it is possible to prevent the temperature change from being excessively transmitted to the terahertz wave generating element and the terahertz wave detecting element, and it is possible to suppress the influence of the malfunction and peeling of the terahertz wave generating element and the terahertz wave detecting element.

ここで、第１のプリズム部分と本体部分との嵌合部分にマッチングオイルが更に介在していることが好ましい。この場合、上記嵌合部分の界面において、テラヘルツ波の多重反射を抑制できる。   Here, it is preferable that matching oil is further interposed in a fitting portion between the first prism portion and the main body portion. In this case, multiple reflection of terahertz waves can be suppressed at the interface of the fitting portion.

また、第１のプリズム部分と本体部分との嵌合部分において、テラヘルツ波が通る光路部分に本体部分と略同等の屈折率を有すると共に第１のプリズム部分を支持する第２のプリズム部分が介在しており、テラヘルツ波が通らない非光路部分に断熱材が介在していることが好ましい。この場合、非光路部分では、断熱材によって第１のプリズム部分から本体部分への熱伝導を抑制でき、光路部分では、第２のプリズム部分によってテラヘルツ波の透過率を十分に確保できる。   Further, in the fitting portion between the first prism portion and the main body portion, a second prism portion having a refractive index substantially equal to that of the main body portion and supporting the first prism portion is interposed in the optical path portion through which the terahertz wave passes. In addition, it is preferable that a heat insulating material is interposed in a non-optical path portion through which terahertz waves do not pass. In this case, heat conduction from the first prism portion to the main body portion can be suppressed by the heat insulating material in the non-optical path portion, and the transmittance of the terahertz wave can be sufficiently ensured by the second prism portion in the optical path portion.

また、断熱材は空気であることが好ましい。この場合、空気を断熱材として利用することで、内部全反射プリズムの構成を簡素化できる。   The heat insulating material is preferably air. In this case, the structure of the internal total reflection prism can be simplified by using air as a heat insulating material.

また、非光路部分に第１のプリズム部分を支持する第３のプリズム部分が更に介在していることが好ましい。この場合、第１のプリズム部分が更にしっかりと支持される。   Further, it is preferable that a third prism portion for supporting the first prism portion is further interposed in the non-optical path portion. In this case, the first prism portion is supported more firmly.

また、第１のプリズム部分と本体部分との嵌合部分において、テラヘルツ波が通る光路部分に空気が介在しており、テラヘルツ波が通らない非光路部分に断熱性を有すると共に第１のプリズム部分を支持する断熱材が介在していることが好ましい。この場合、非光路部分では、断熱材によって第１のプリズム部分から本体部分への熱伝導を抑制でき、光路部分では、空気によって断熱性とテラヘルツ波の透過率の向上とを両立できる。   Further, in the fitting portion between the first prism portion and the main body portion, air is interposed in the optical path portion through which the terahertz wave passes, and the first prism portion has heat insulation in the non-optical path portion through which the terahertz wave does not pass. It is preferable that a heat insulating material supporting In this case, in the non-optical path portion, heat conduction from the first prism portion to the main body portion can be suppressed by the heat insulating material, and in the optical path portion, it is possible to achieve both heat insulation and improvement in terahertz wave transmittance by air.

また、第１のプリズム部分には、温度を調整する温度調整手段が接続されていることが好ましい。この場合、温度調整手段により第１のプリズム部分の温度を調整することで、被測定物の温度を効率よく調整できる。   Moreover, it is preferable that a temperature adjusting means for adjusting the temperature is connected to the first prism portion. In this case, the temperature of the object to be measured can be adjusted efficiently by adjusting the temperature of the first prism portion by the temperature adjusting means.

本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置によれば、テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子が一体に設けられた内部全反射プリズムにおいて、被測定物の加熱・冷却に伴う影響を抑制できる。   According to the terahertz wave spectroscopic measurement device according to the present invention, in the internal total reflection prism in which the terahertz wave generating element and the terahertz wave detecting element are integrally provided, it is possible to suppress the influence caused by heating and cooling of the object to be measured.

本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の一実施形態を示す図である。1 is a diagram illustrating an embodiment of a terahertz wave spectrometer according to the present invention. 内部全反射プリズムの断面図である。It is sectional drawing of an internal total reflection prism. 被測定物に関する光学定数を計測する手順を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the procedure which measures the optical constant regarding a to-be-measured object. 内部全反射プリズムの変形例を示す図である。It is a figure which shows the modification of an internal total reflection prism. 内部全反射プリズムの別の変形例を示す図である。It is a figure which shows another modification of an internal total reflection prism. 内部全反射プリズムの更に別の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another modification of an internal total reflection prism. 内部全反射プリズムの更に別の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another modification of an internal total reflection prism. 内部全反射プリズムの更に別の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another modification of an internal total reflection prism. 内部全反射プリズムの更に別の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows another modification of an internal total reflection prism. 内部全反射プリズムの更に別の変形例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another modification of an internal total reflection prism.

以下、図面を参照しながら、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の好適な実施形態について詳細に説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of a terahertz wave spectrometer according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明に係るテラヘルツ波分光計測装置の一実施形態を示す図である。同図に示すように、テラヘルツ波分光計測装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、テラヘルツ波発生素子３２・内部全反射プリズム３１・テラヘルツ波検出素子３３が一体となった一体型プリズム３と、テラヘルツ波を検出する検出部４とを備えた全反射分光計測装置である。また、テラヘルツ波分光計測装置１は、上記構成要素の動作を制御する制御部５と、検出部４からの出力に基づいてデータ解析を行うデータ解析部６と、データ解析部６における処理結果を表示する表示部７とを備えている。   FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of a terahertz wave spectrometer according to the present invention. As shown in the figure, a terahertz wave spectroscopic measurement apparatus 1 includes an integrated prism in which a laser light source 2 that emits laser light, a terahertz wave generating element 32, an internal total reflection prism 31, and a terahertz wave detecting element 33 are integrated. 3 and a total reflection spectroscopic measurement apparatus including a detection unit 4 that detects a terahertz wave. Further, the terahertz wave spectroscopic measurement device 1 includes a control unit 5 that controls the operation of the above-described components, a data analysis unit 6 that performs data analysis based on an output from the detection unit 4, and a processing result in the data analysis unit 6. And a display unit 7 for displaying.

レーザ光源２は、フェムト秒パルスレーザを発生させる光源である。レーザ光源２からは、例えば平均パワー１２０ｍＷ、繰り返しレート７７ＭＨｚのフェムト秒パルスレーザが出力される。レーザ光源２から出射したフェムト秒パルスレーザは、ミラー１１，１２を経て、ビームスプリッター１３によってポンプ光４８とプローブ光４９とに二分される（図２参照）。プローブ光４９が伝播するプローブ光用光路Ｃ１には、ミラー１４，１５及びレンズ１６が設けられており、プローブ光４９は、レンズ１６で集光されて後述のテラヘルツ波検出素子３３に入射する。   The laser light source 2 is a light source that generates a femtosecond pulse laser. For example, a femtosecond pulse laser with an average power of 120 mW and a repetition rate of 77 MHz is output from the laser light source 2. The femtosecond pulse laser emitted from the laser light source 2 passes through mirrors 11 and 12 and is divided into pump light 48 and probe light 49 by the beam splitter 13 (see FIG. 2). The mirrors 14 and 15 and the lens 16 are provided in the probe light optical path C1 through which the probe light 49 propagates. The probe light 49 is collected by the lens 16 and enters a terahertz wave detecting element 33 described later.

一方、ポンプ光４８が伝播するポンプ光用光路Ｃ２には、遅延部２１と、変調器２２とが設けられている。遅延部２１は、一対のミラー２３，２４と、可動ステージ２６上に設置された反射プリズム２５によって構成され、反射プリズム２５の位置を一対のミラー２３，２４に対して前後させることで、ポンプ光４８の遅延調節が可能となっている。また、変調器２２は、例えば光チョッパによってポンプ光４８の透過と遮断を切り替える部分である。変調器２２は、制御部５からの信号に基づいて、例えば１ｋＨｚでポンプ光４８の透過と遮断の変調を行う。   On the other hand, a delay unit 21 and a modulator 22 are provided in the optical path C2 for pump light through which the pump light 48 propagates. The delay unit 21 includes a pair of mirrors 23 and 24 and a reflecting prism 25 installed on the movable stage 26. The position of the reflecting prism 25 is moved back and forth with respect to the pair of mirrors 23 and 24, thereby pump light. 48 delay adjustments are possible. The modulator 22 is a part that switches between transmission and blocking of the pump light 48 by, for example, an optical chopper. Based on the signal from the control unit 5, the modulator 22 modulates transmission and blocking of the pump light 48 at 1 kHz, for example.

ポンプ光用光路Ｃ２を伝播したポンプ光４８は、ミラー２８を経てレンズ２７で集光され、一体型プリズム３に入射する。一体型プリズム３を構成する内部全反射プリズム３１は、例えばＳｉやＭｇＯ等によって形成されている。図２に示すように、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａ側にはテラヘルツ波発生素子３２が一体に固定され、出射面３１ｂ側にはテラヘルツ波検出素子３３が一体に固定されている。内部全反射プリズム３１は、上部に平坦な全反射面３１ｃを有し、入射面３１ａから入射したテラヘルツ波を内部で伝播させ、全反射面３１ｃで全反射させ、出射面３１ｂから出射させる。全反射面３１ｃには、屈折率、誘電率、吸収係数といった各種の光学定数を計測する対象となる被測定物３４が配置される。即ち、本実施形態では、全反射面３１ｃが被測定物３４の配置部をなしている。また、本実施形態では、被測定物３４には、例えば医薬品等、計測中の加熱・冷却を必要とするものが想定される。   The pump light 48 propagated through the optical path C2 for pump light is condensed by the lens 27 via the mirror 28 and enters the integrated prism 3. The internal total reflection prism 31 constituting the integrated prism 3 is made of, for example, Si or MgO. As shown in FIG. 2, a terahertz wave generating element 32 is integrally fixed to the incident surface 31a side of the internal total reflection prism 31, and a terahertz wave detecting element 33 is integrally fixed to the emitting surface 31b side. The internal total reflection prism 31 has a flat total reflection surface 31c at the top, propagates the terahertz wave incident from the incident surface 31a inside, totally reflects the total reflection surface 31c, and emits it from the output surface 31b. On the total reflection surface 31c, an object to be measured 34 that is a target for measuring various optical constants such as a refractive index, a dielectric constant, and an absorption coefficient is disposed. In other words, in the present embodiment, the total reflection surface 31 c forms an arrangement part of the DUT 34. Further, in the present embodiment, it is assumed that the object to be measured 34 requires heating / cooling during measurement, such as pharmaceuticals.

入射面３１ａと全反射面３１ｃとの間には、テラヘルツ波発生素子３２で発生したテラヘルツ波Ｔを全反射面３１ｃに向けて平行光化する第１光学面３１ｄが設けられている。更に、全反射面３１ｃと出射面３１ｂとの間には、全反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波Ｔを出射面３１ｂに向けて集光する第２光学面３１ｅが設けられている。これらの第１光学面３１ｄ及び第２光学面３１ｅは、内部全反射プリズム３１の底面を所定の形状に曲面加工することによって形成されている。   Between the incident surface 31a and the total reflection surface 31c, there is provided a first optical surface 31d that collimates the terahertz wave T generated by the terahertz wave generating element 32 toward the total reflection surface 31c. Further, a second optical surface 31e that collects the terahertz wave T totally reflected by the total reflection surface 31c toward the output surface 31b is provided between the total reflection surface 31c and the output surface 31b. The first optical surface 31d and the second optical surface 31e are formed by processing the bottom surface of the internal total reflection prism 31 into a predetermined shape.

テラヘルツ波発生素子３２としては、例えばＺｎＴｅなどの非線形光学結晶、ＧａＡｓを用いた光スイッチなどのアンテナ素子、ＩｎＡｓなどの半導体、超伝導体などを用いることができる。これらの素子から発生するテラヘルツ波のパルスは、一般的には数ピコ秒程度である。テラヘルツ波発生素子３２として非線形光学結晶を用いた場合、テラヘルツ波発生素子３２にポンプ光４８が入射すると、非線形光学効果によってテラヘルツ波Ｔに変換される。発生したテラヘルツ波Ｔは、内部全反射プリズム３１の全反射面３１ｃで全反射し、テラヘルツ波検出素子３３に入射する。   As the terahertz wave generating element 32, for example, a nonlinear optical crystal such as ZnTe, an antenna element such as an optical switch using GaAs, a semiconductor such as InAs, a superconductor, or the like can be used. The pulse of the terahertz wave generated from these elements is generally about several picoseconds. When a nonlinear optical crystal is used as the terahertz wave generating element 32, when the pump light 48 is incident on the terahertz wave generating element 32, the terahertz wave generating element 32 is converted into a terahertz wave T by the nonlinear optical effect. The generated terahertz wave T is totally reflected by the total reflection surface 31 c of the internal total reflection prism 31 and enters the terahertz wave detection element 33.

テラヘルツ波検出素子３３としては、例えばＺｎＴｅなどの電気光学結晶、ＧａＡｓを用いた光スイッチなどのアンテナ素子を用いることができる。テラヘルツ波検出素子３３として、電気光学結晶を用いた場合、テラヘルツ波検出素子３３にテラヘルツ波Ｔとプローブ光４９とが同時に入射すると、プローブ光４９がポッケルス効果によって複屈折を受ける。プローブ光４９の複屈折量は、テラヘルツ波Ｔの電場強度に比例する。従って、プローブ光４９の複屈折量を検出することで、テラヘルツ波Ｔを検出できる。   As the terahertz wave detecting element 33, for example, an antenna element such as an electro-optic crystal such as ZnTe or an optical switch using GaAs can be used. When an electro-optic crystal is used as the terahertz wave detection element 33, when the terahertz wave T and the probe light 49 are simultaneously incident on the terahertz wave detection element 33, the probe light 49 receives birefringence due to the Pockels effect. The amount of birefringence of the probe light 49 is proportional to the electric field strength of the terahertz wave T. Therefore, the terahertz wave T can be detected by detecting the birefringence amount of the probe light 49.

テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３の固定には、例えば熱硬化型の接着剤が用いられる。このとき用いられる接着剤は、テラヘルツ波Ｔの波長において透明なものであって、テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３それぞれの屈折率と内部全反射プリズム３１の屈折率との間の屈折率、又はいずれかと同等の屈折率を有していることが好ましい。   For example, a thermosetting adhesive is used to fix the terahertz wave generating element 32 and the terahertz wave detecting element 33. The adhesive used at this time is transparent at the wavelength of the terahertz wave T, and is refracted between the refractive index of each of the terahertz wave generating element 32 and the terahertz wave detecting element 33 and the refractive index of the internal total reflection prism 31. It is preferable to have a refractive index equal to or any of the refractive indexes.

また、接着剤のほか、テラヘルツ波Ｔの波長において透明なワックスを溶融・凝固させて固定する方法や、テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３を入射面３１ａ及び出射面３１ｂにそれぞれ直接接触させた状態で、テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３の縁部を接着剤で固めるようにしてもよい。   In addition to the adhesive, a method of melting and solidifying transparent wax at the wavelength of the terahertz wave T, or directly contacting the terahertz wave generating element 32 and the terahertz wave detecting element 33 to the incident surface 31a and the emitting surface 31b, respectively. In this state, the edges of the terahertz wave generating element 32 and the terahertz wave detecting element 33 may be hardened with an adhesive.

テラヘルツ波Ｔを検出する検出部４は、テラヘルツ波検出素子３３が電気光学結晶の場合、図１に示すように、例えばλ／４波長板４１と、偏光素子４２と、一対のフォトダイオード４３，４３と、差動増幅器４４と、ロックイン増幅器４７とによって構成されている。テラヘルツ波検出素子３３で反射したプローブ光４９は、ミラー４５によって検出部４側に導かれ、レンズ４６で集光されてλ／４波長板４１を経由した後、ウォラストンプリズムなどの偏光素子４２によって垂直直線偏光成分と水平直線偏光成分とに分離される。このプローブ光４９の垂直直線偏光成分と水平直線偏光成分とは、一対のフォトダイオード４３，４３によってそれぞれ電気信号に変換され、差動増幅器４４によってその差分が検出される。差動増幅器４４からの出力信号は、ロックイン増幅器４７によって増幅された後、データ解析部６に入力される。   When the terahertz wave detection element 33 is an electro-optic crystal, the detection unit 4 that detects the terahertz wave T includes, for example, a λ / 4 wavelength plate 41, a polarization element 42, a pair of photodiodes 43, as shown in FIG. 43, a differential amplifier 44, and a lock-in amplifier 47. The probe light 49 reflected by the terahertz wave detection element 33 is guided to the detection unit 4 side by the mirror 45, condensed by the lens 46, passes through the λ / 4 wavelength plate 41, and then is a polarization element 42 such as a Wollaston prism. Is separated into a vertical linearly polarized light component and a horizontal linearly polarized light component. The vertical linearly polarized light component and the horizontal linearly polarized light component of the probe light 49 are converted into electric signals by the pair of photodiodes 43 and 43, respectively, and the difference is detected by the differential amplifier 44. The output signal from the differential amplifier 44 is amplified by the lock-in amplifier 47 and then input to the data analysis unit 6.

テラヘルツ波検出素子３３にテラヘルツ波Ｔとプローブ光４９とが同時に入射した場合、差動増幅器４４からはテラヘルツ波Ｔの電場強度に比例した強度の信号が出力され、テラヘルツ波検出素子３３にテラヘルツ波Ｔとプローブ光４９とが同時に入射しなかった場合、差動増幅器４４からは信号が出力されないこととなる。また、テラヘルツ波Ｔが内部全反射プリズム３１の全反射面３１ｃで反射するときに放射されるエバネッセント成分は、内部全反射プリズム３１の全反射面３１ｃに配置される被測定物３４と相互作用を起こし、被測定物３４が配置されていない場合に比べてテラヘルツ波Ｔの反射率が変化する。従って、このテラヘルツ波Ｔの反射率の変化を計測することで、被測定物３４の分光特性を評価できる。   When the terahertz wave T and the probe light 49 are simultaneously incident on the terahertz wave detection element 33, a signal having an intensity proportional to the electric field intensity of the terahertz wave T is output from the differential amplifier 44, and the terahertz wave detection element 33 is output. When T and the probe light 49 are not incident at the same time, no signal is output from the differential amplifier 44. Further, the evanescent component emitted when the terahertz wave T is reflected by the total reflection surface 31 c of the internal total reflection prism 31 interacts with the object to be measured 34 disposed on the total reflection surface 31 c of the internal total reflection prism 31. As a result, the reflectance of the terahertz wave T changes compared to the case where the DUT 34 is not disposed. Therefore, by measuring the change in the reflectance of the terahertz wave T, the spectral characteristics of the DUT 34 can be evaluated.

データ解析部６は、例えばテラヘルツ波分光計測装置１の専用の解析プログラムに基づいて全反射分光計測のデータ解析処理を行う部分であり、物理的には、ＣＰＵ（中央処理装置）、メモリ、入力装置、及び表示部７などを有するコンピュータシステムである。データ解析部６は、ロックイン増幅器４７から入力された信号に基づいてデータ解析処理を実行し、解析結果を表示部７に表示させる。   The data analysis unit 6 is a part that performs data analysis processing of total reflection spectroscopic measurement based on, for example, a dedicated analysis program for the terahertz wave spectroscopic measurement device 1, and physically includes a CPU (central processing unit), memory, and input. It is a computer system having an apparatus, a display unit 7 and the like. The data analysis unit 6 executes data analysis processing based on the signal input from the lock-in amplifier 47 and causes the display unit 7 to display the analysis result.

図３は、被測定物３４に関する光学定数を計測する手順を示すフローチャートである。なお、以下の説明では、テラヘルツ波Ｔが内部全反射プリズム３１の全反射面３１ｃに対しＰ偏光で入射した場合を仮定する。   FIG. 3 is a flowchart showing a procedure for measuring an optical constant related to the measurement object 34. In the following description, it is assumed that the terahertz wave T is incident on the total reflection surface 31c of the internal total reflection prism 31 as P-polarized light.

図３に示すように、まず、テラヘルツ波分光計測装置１を用いてリファレンス計測及びサンプル計測を実施する（ステップＳ０１，Ｓ０２）。リファレンス計測では、被測定物３４が配置されていない全反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波Ｔｒｅｆを計測する。また、サンプル計測では、被測定物３４が配置されている全反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波Ｔｓｉｇを計測する。なお、リファレンス計測は、光学定数の計測の度に行わなくても良い。例えば、一度のリファレンス計測結果を記憶しておき、記憶したリファレンス計測結果を以後の光学定数の計測で繰り返し用いてもよい。 As shown in FIG. 3, first, reference measurement and sample measurement are performed using the terahertz wave spectrometer 1 (steps S01 and S02). In the reference measurement, the terahertz wave T ref totally reflected by the total reflection surface 31c where the device under test 34 is not arranged is measured. In the sample measurement, the terahertz wave T sig totally reflected by the total reflection surface 31c on which the device under test 34 is arranged is measured. The reference measurement may not be performed every time the optical constant is measured. For example, one reference measurement result may be stored, and the stored reference measurement result may be repeatedly used in subsequent optical constant measurement.

次に、テラヘルツ波Ｔｒｅｆとテラヘルツ波Ｔｓｉｇとをそれぞれフーリエ変換することによって、振幅Ｒｒｅｆ及び位相Φｒｅｆと、振幅Ｒｓｉｇ及び位相Φｓｉｇと、をそれぞれ求める（ステップＳ０３）。 Next, the amplitude R ref and the phase Φ ref and the amplitude R sig and the phase Φ sig are respectively obtained by performing Fourier transform on the terahertz wave T ref and the terahertz wave T sig (step S03).

次に、振幅Ｒｒｅｆと振幅Ｒｓｉｇとの比Ｐを式（１）によって求め、位相Φｒｅｆと位相Φｓｉｇとの位相差Δを式（２）によって求める（ステップＳ０４）。

Figure 0005607566

Figure 0005607566
さらに、上述した比Ｐと位相差Δとを用いて値ｑを式（３）のように定める（ステップＳ０５）。
Figure 0005607566
 Next, the ratio P between the amplitude R ref and the amplitude R sig is obtained by the equation (1), and the phase difference Δ between the phase Φ ref and the phase Φ sig is obtained by the equation (2) (step S04).
Figure 0005607566
Figure 0005607566
Further, using the ratio P and the phase difference Δ described above, a value q is determined as shown in Expression (3) (step S05).
Figure 0005607566

ここで、内部全反射プリズム３１に対するテラヘルツ波Ｔの入射角をθｉ（図２参照）とし、テラヘルツ波Ｔｒｅｆ及びテラヘルツ波Ｔｓｉｇについてスネルの法則より求められる屈折角をそれぞれθｒｅｆ，θｓｉｇとする。更に、フレネルの反射式を用いると、式（３）におけるＰｅ−ｉΔは、以下の式（４）で表すことができる。

Figure 0005607566
Here, the incident angle of the terahertz wave T with respect to the internal total reflection prism 31 is θ i (see FIG. 2), and the refraction angles obtained from Snell's law for the terahertz wave T ref and the terahertz wave T sig are respectively θ ref and θ sig. And Further, using the Fresnel reflection equation, Pe −iΔ in the equation (3) can be expressed by the following equation (4).
Figure 0005607566

上記式（４）を式（３）に代入し、式の変形を行うと、以下の式（５）が得られる。

Figure 0005607566
By substituting the above equation (4) into equation (3) and modifying the equation, the following equation (5) is obtained.
Figure 0005607566

また、内部全反射プリズム３１を構成する物質の複素屈折率をｎｐｒｉｓｍとし、被測定物３４の複素屈折率をｎｓａｍｐｌｅとした場合、スネルの法則は以下の式（６）のようになり、被測定物３４の複素屈折率の２乗は、式（７）で表される。従って、式（５）を式（７）に代入することで、被測定物３４の複素屈折率を求めることができ、これにより、被測定物３４の所望の光学定数が計測される（ステップＳ０６）。

Figure 0005607566

Figure 0005607566
 Further, when the complex refractive index of the material constituting the internal total reflection prism 31 is n prism and the complex refractive index of the DUT 34 is n sample , Snell's law is as shown in the following formula (6): The square of the complex refractive index of the DUT 34 is expressed by Expression (7). Therefore, by substituting equation (5) into equation (7), the complex refractive index of the device under test 34 can be obtained, and thereby the desired optical constant of the device under test 34 is measured (step S06). ).
Figure 0005607566
Figure 0005607566

続いて、本発明の要部である内部全反射プリズム３１について、更に詳細に説明する。   Next, the internal total reflection prism 31, which is a main part of the present invention, will be described in more detail.

図２に示すように、内部全反射プリズム３１では、配置面３１ｃを上面とする断面三角形状の第１のプリズム部分３１ｆが本体部分３１ｇに対して別体となっている。第１のプリズム部分３１ｆは、本体部分３１ｇと同様にＳｉやＭｇＯ等によって形成されている。   As shown in FIG. 2, in the internal total reflection prism 31, a first prism portion 31f having a triangular cross section with the arrangement surface 31c as an upper surface is separate from the main body portion 31g. The first prism portion 31f is made of Si, MgO, or the like, like the main body portion 31g.

一方、本体部分３１ｇの上部には、第１のプリズム部分３１ｆの形状に対応する断面三角状の凹部３１ｉが形成されている。そして、第１のプリズム部分３１ｆは、本体部分３１ｇの凹部３１ｉに嵌め込まれている。   On the other hand, a concave portion 31i having a triangular cross section corresponding to the shape of the first prism portion 31f is formed on the upper portion of the main body portion 31g. The first prism portion 31f is fitted in the recess 31i of the main body portion 31g.

また、第１のプリズム部分３１ｆと本体部分３１ｇとの嵌合部分には、テラヘルツ波Ｔが通る光路部分と、テラヘルツ波Ｔが通らない非光路部分とを含む全体に、断熱性を有する断熱材３１ｈが介在している。断熱材３１ｈは、例えばセラミックス等、テラヘルツ波Ｔの波長において透明なものであることが好ましい。   In addition, the fitting portion between the first prism portion 31f and the main body portion 31g includes an optical path portion through which the terahertz wave T passes and a non-optical path portion through which the terahertz wave T does not pass. 31h intervenes. The heat insulating material 31h is preferably transparent at the wavelength of the terahertz wave T, such as ceramics.

以上説明したように、本実施形態では、第１のプリズム部分３１ｆと本体部分３１ｇとの嵌合部分に断熱材３１ｈが介在している。このため、被測定物３４を加熱・冷却する際の温度変化が、第１のプリズム部分３１ｆから本体部分３１ｇに伝わり難くなっている。従って、テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３に温度変化が過剰に伝わることを防止でき、テラヘルツ波発生素子３２及びテラヘルツ波検出素子３３の動作不良や剥離等の影響を抑制できる。   As described above, in the present embodiment, the heat insulating material 31h is interposed in the fitting portion between the first prism portion 31f and the main body portion 31g. For this reason, it is difficult for the temperature change when the DUT 34 is heated / cooled to be transmitted from the first prism portion 31f to the main body portion 31g. Accordingly, it is possible to prevent the temperature change from being excessively transmitted to the terahertz wave generating element 32 and the terahertz wave detecting element 33, and it is possible to suppress the influence of the operation failure or peeling of the terahertz wave generating element 32 and the terahertz wave detecting element 33.

また、本実施形態では、全反射面３１ｃを含む第１のプリズム部分３１ｆを、本体部分３１ｇから取り外すことができる。このため、被測定物３４に関する光学定数を計測した後に、全反射面３１ｃを容易に洗浄できる。   In the present embodiment, the first prism portion 31f including the total reflection surface 31c can be removed from the main body portion 31g. For this reason, after measuring the optical constant regarding the to-be-measured object 34, the total reflection surface 31c can be wash | cleaned easily.

以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は上記実施形態に限られるものではない。   The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above embodiments.

例えば、図４に示すように、第１のプリズム部分３１ｆと本体部分３１ｇとの嵌合部分の界面にマッチングオイル３１ｋを塗布してもよい。この場合、上記界面において、テラヘルツ波の多重反射を抑制できる。   For example, as shown in FIG. 4, a matching oil 31k may be applied to the interface of the fitting portion between the first prism portion 31f and the main body portion 31g. In this case, multiple reflection of terahertz waves can be suppressed at the interface.

また、第１のプリズム部分３１ｆ及び凹部３１ｉの断面形状は三角形状に限られない。例えば、第１のプリズム部分３１ｆ及び凹部３１ｉの断面形状は、図５に示すように矩形状であってもよいし、図６に示すように、上広がりの台形状であってもよい。   Further, the cross-sectional shapes of the first prism portion 31f and the concave portion 31i are not limited to a triangular shape. For example, the cross-sectional shape of the first prism portion 31f and the recess 31i may be a rectangular shape as shown in FIG. 5, or may be a trapezoidal shape spreading upward as shown in FIG.

また、図６に示すように、第１のプリズム部分３１ｆと本体部分３１ｇとの嵌合部分において、テラヘルツ波Ｔが通る光路部分に、本体部分３１ｇと略同等の屈折率を有すると共に第１のプリズム部分３１ｆを支持する第２のプリズム部分３１ｍを介在させ、テラヘルツ波が通らない非光路部分に断熱材３１ｈを介在させてもよい。第２のプリズム部分３１ｍは、例えば本体部分３１ｇと同様にＳｉやＭｇＯ等によって形成される。この場合、非光路部分では、断熱材３１ｈによって第１のプリズム部分３１ｆから本体部分３１ｇへの熱伝導を抑制でき、光路部分では、第２のプリズム部分３１ｍによってテラヘルツ波Ｔの透過率を十分に確保できる。   Further, as shown in FIG. 6, in the fitting portion between the first prism portion 31f and the main body portion 31g, the optical path portion through which the terahertz wave T passes has a refractive index substantially equal to that of the main body portion 31g and the first portion. A second prism portion 31m that supports the prism portion 31f may be interposed, and a heat insulating material 31h may be interposed in a non-optical path portion through which terahertz waves do not pass. The second prism portion 31m is formed of Si, MgO or the like, for example, similarly to the main body portion 31g. In this case, in the non-optical path portion, the heat conduction from the first prism portion 31f to the main body portion 31g can be suppressed by the heat insulating material 31h, and in the optical path portion, the transmittance of the terahertz wave T is sufficiently increased by the second prism portion 31m. It can be secured.

また、図７に示すように、図６の断熱材３１ｈをなくし、非光路部分に形成される空隙３１ｎの空気を断熱材としてもよい。この場合、空気を断熱材として利用することで、内部全反射プリズムの構成を簡素化できる。   Moreover, as shown in FIG. 7, the heat insulating material 31h of FIG. 6 may be eliminated, and the air in the gap 31n formed in the non-optical path portion may be used as the heat insulating material. In this case, the structure of the internal total reflection prism can be simplified by using air as a heat insulating material.

また、図８に示すように、非光路部分に、第１のプリズム部分３１ｆを支持する第３のプリズム部分３１ｐを更に介在させてもよい。第３のプリズム部分３１ｐは、例えば本体部分３１ｇと同様にＳｉやＭｇＯ等によって形成される。この場合、第１のプリズム部分３１ｆが更にしっかりと支持される。   In addition, as shown in FIG. 8, a third prism portion 31p that supports the first prism portion 31f may be further interposed in the non-optical path portion. The third prism portion 31p is formed of Si, MgO, or the like, for example, similarly to the main body portion 31g. In this case, the first prism portion 31f is more firmly supported.

また、図９に示すように、第１のプリズム部分３１ｆと本体部分３１ｇとの嵌合部分において、テラヘルツ波Ｔが通る光路部分に空隙３１ｑを形成し、テラヘルツ波Ｔが通らない非光路部分に、断熱性を有すると共に第１のプリズム部分３１ｆを支持する断熱材３１ｒを介在させてもよい。断熱材３１ｒは、例えばセラミックス等である。この場合、非光路部分では、断熱材３１ｒによって第１のプリズム部分３１ｆから本体部分３１ｇへの熱伝導を抑制でき、光路部分では、空気によって断熱性とテラヘルツ波Ｔの透過率の向上とを両立できる。   Further, as shown in FIG. 9, in the fitting portion between the first prism portion 31f and the main body portion 31g, a gap 31q is formed in the optical path portion through which the terahertz wave T passes, and the non-optical path portion through which the terahertz wave T does not pass is formed. In addition, a heat insulating material 31r that has heat insulating properties and supports the first prism portion 31f may be interposed. The heat insulating material 31r is, for example, ceramics. In this case, in the non-optical path portion, the heat conduction from the first prism portion 31f to the main body portion 31g can be suppressed by the heat insulating material 31r, and in the optical path portion, both heat insulation and improvement in the transmittance of the terahertz wave T are achieved by air. it can.

また、図１０に示すように、第１のプリズム部分３１ｆには、温度を調整する温度調整手段３１ｓが接続されていることが好ましい。温度調整手段３１ｓは、例えば、ペルチェ素子である。この場合、温度調整手段３１ｓにより第１のプリズム部分３１ｆの温度を調整することで、被測定物３４の温度を効率よく調整できる。   Further, as shown in FIG. 10, it is preferable that temperature adjusting means 31s for adjusting temperature is connected to the first prism portion 31f. The temperature adjusting unit 31s is, for example, a Peltier element. In this case, the temperature of the object to be measured 34 can be adjusted efficiently by adjusting the temperature of the first prism portion 31f by the temperature adjusting means 31s.

１…テラヘルツ波分光計測装置、３１…内部全反射プリズム、３１ａ…入射面、３１ｂ…出射面、３１ｃ…全反射面（配置部）、３１ｆ…第１のプリズム部分、３１ｇ…本体部分、３１ｈ…断熱材、３１ｉ…凹部、３１ｋ…マッチングオイル、３１ｍ…第２のプリズム部分、３１ｐ…第３のプリズム部分、３１ｒ…断熱材、３１ｓ…温度調整手段、３２…テラヘルツ波発生素子、３３…テラヘルツ波検出素子、３４…被測定物。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Terahertz wave spectroscopy measuring device 31 ... Internal total reflection prism, 31a ... Incident surface, 31b ... Outgoing surface, 31c ... Total reflection surface (arrangement | positioning part), 31f ... 1st prism part, 31g ... Main-body part, 31h ... Insulating material, 31i ... concave portion, 31k ... matching oil, 31m ... second prism portion, 31p ... third prism portion, 31r ... insulating material, 31s ... temperature adjusting means, 32 ... terahertz wave generating element, 33 ... terahertz wave Detection element, 34 ... object to be measured.

Claims (6)

レーザ光を出射する光源と、
前記光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、
前記分岐部で分岐した前記ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生素子と、
前記テラヘルツ波の入射面・出射面及び被測定物の配置部を有し、前記入射面から入射した前記テラヘルツ波を内部で伝播させ、前記配置部で反射又は透過させて前記出射面から出射させる内部全反射プリズムと、
前記内部全反射プリズムから出射した前記テラヘルツ波と、前記プローブ光とが入射し、前記テラヘルツ波と前記プローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出素子と、を備え、
前記内部全反射プリズムは、
前記配置部を含む第１のプリズム部分と、
前記テラヘルツ波発生素子が一体に固定される前記入射面及び前記テラヘルツ波検出素子が一体に固定される前記出射面と、前記第１のプリズム部分が嵌合する凹部とを含む本体部分と、を有し、
前記第１のプリズム部分と前記本体部分との嵌合部分において、前記テラヘルツ波が通る光路部分に前記本体部分と略同等の屈折率を有すると共に前記第１のプリズム部分を支持する第２のプリズム部分が介在しており、前記テラヘルツ波が通らない非光路部分に断熱材が介在していることを特徴とするテラヘルツ波分光計測装置。 A light source that emits laser light;
A branching portion for branching the laser light emitted from the light source into pump light and probe light;
A terahertz wave generating element that generates a terahertz wave by the incidence of the pump light branched by the branch part; and
The terahertz wave incident surface / exit surface and an arrangement portion of the object to be measured are provided, the terahertz wave incident from the incident surface is propagated inside, reflected or transmitted by the arrangement portion, and emitted from the emission surface. An internal total reflection prism;
The terahertz wave emitted from the internal total reflection prism and the probe light enter, and a terahertz wave detection element that detects a correlation between the terahertz wave and the probe light, and
The internal total reflection prism is
A first prism portion including the arrangement portion;
A main body portion including the incident surface on which the terahertz wave generating element is integrally fixed; the emission surface on which the terahertz wave detecting element is fixed integrally; and a concave portion into which the first prism portion is fitted. Have
In a fitting portion between the first prism portion and the main body portion, a second prism that has a refractive index substantially equal to that of the main body portion and supports the first prism portion in an optical path portion through which the terahertz wave passes. A terahertz wave spectroscopic measurement apparatus characterized in that a heat insulating material is interposed in a non-optical path portion through which a portion is interposed and the terahertz wave does not pass . レーザ光を出射する光源と、
前記光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、
前記分岐部で分岐した前記ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生するテラヘルツ波発生素子と、
前記テラヘルツ波の入射面・出射面及び被測定物の配置部を有し、前記入射面から入射した前記テラヘルツ波を内部で伝播させ、前記配置部で反射又は透過させて前記出射面から出射させる内部全反射プリズムと、
前記内部全反射プリズムから出射した前記テラヘルツ波と、前記プローブ光とが入射し、前記テラヘルツ波と前記プローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出素子と、を備え、
前記内部全反射プリズムは、
前記配置部を含む第１のプリズム部分と、
前記テラヘルツ波発生素子が一体に固定される前記入射面及び前記テラヘルツ波検出素子が一体に固定される前記出射面と、前記第１のプリズム部分が嵌合する凹部とを含む本体部分と、を有し、
前記第１のプリズム部分と前記本体部分との嵌合部分において、前記テラヘルツ波が通る光路部分に空気が介在しており、前記テラヘルツ波が通らない非光路部分に断熱性を有すると共に前記第１のプリズム部分を支持する断熱材が介在していることを特徴とするテラヘルツ波分光計測装置。 A light source that emits laser light;
A branching portion for branching the laser light emitted from the light source into pump light and probe light;
A terahertz wave generating element that generates a terahertz wave by the incidence of the pump light branched by the branch part; and
The terahertz wave incident surface / exit surface and an arrangement portion of the object to be measured are provided, the terahertz wave incident from the incident surface is propagated inside, reflected or transmitted by the arrangement portion, and emitted from the emission surface. An internal total reflection prism;
The terahertz wave emitted from the internal total reflection prism and the probe light enter, and a terahertz wave detection element that detects a correlation between the terahertz wave and the probe light, and
The internal total reflection prism is
A first prism portion including the arrangement portion;
A main body portion including the incident surface on which the terahertz wave generating element is integrally fixed; the emission surface on which the terahertz wave detecting element is fixed integrally; and a concave portion into which the first prism portion is fitted. Have
In the fitting portion between the first prism portion and the main body portion, air is interposed in the optical path portion through which the terahertz wave passes, and the non-optical path portion through which the terahertz wave does not pass has heat insulation properties and the first portion. A terahertz wave spectroscopic measurement device characterized in that a heat insulating material for supporting the prism portion of is interposed . 前記第１のプリズム部分と前記本体部分との嵌合部分にマッチングオイルが更に介在していることを特徴とする請求項１又は２記載のテラヘルツ波分光計測装置。 The terahertz wave spectrometer according to claim 1 or 2 , wherein matching oil is further interposed in a fitting portion between the first prism portion and the main body portion. 前記断熱材は空気であることを特徴とする請求項１記載のテラヘルツ波分光計測装置。 The insulation terahertz wave spectroscopic measurement apparatus according to claim 1, wherein the air. 前記非光路部分に前記第１のプリズム部分を支持する第３のプリズム部分が更に介在していることを特徴とする請求項１又は４記載のテラヘルツ波分光計測装置。 Terahertz wave spectroscopic measurement apparatus according to claim 1 or 4, wherein the third prism portion for supporting the first prism portion to the Hihikariro moiety is further interposed. 前記第１のプリズム部分には、温度を調整する温度調整手段が接続されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載のテラヘルツ波分光計測装置。 Wherein the first prism portion, a terahertz wave spectroscopic measurement apparatus according to any one of claims 1-5, characterized in that the temperature regulating means is connected for adjusting the temperature.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101740020B1 (en) * 2015-11-30 2017-05-26 목원대학교 산학협력단 Degradation assessment system of insulating oils using terahertz time-domain spectroscopy
US10895504B2 (en) 2017-07-19 2021-01-19 Hamamatsu Photonics K.K. Terahertz wave spectroscopic measurement apparatus and terahertz wave spectroscopic measurement method

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5931668B2 (en) * 2012-09-21 2016-06-08 株式会社堀場エステック Diagnosis mechanism, diagnosis method, diagnosis mechanism program for flow sensor, and mass flow controller
CN103645154B (en) * 2013-11-26 2015-12-02 东莞理工学院 A kind of method utilizing tera-hertz spectra signal extraction materials optical constant
CN105928898A (en) * 2016-04-15 2016-09-07 中国人民解放军第三军医大学第附属医院 Rapidly established terahertz attenuation total reflection system based on Dove prism
JP7014623B2 (en) * 2018-01-29 2022-02-01 浜松ホトニクス株式会社 Terahertz wave spectroscopic measuring device
CN109507181B (en) * 2019-01-17 2020-06-30 中南大学 Method for rapidly and quantitatively detecting concentration of trace cobalt, nickel and iron ions in zinc smelting solution

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4602869A (en) * 1983-12-05 1986-07-29 Harrick Nicolas J Internal reflection prism liquid cell
JPS63184038A (en) * 1987-01-27 1988-07-29 Seikosha Co Ltd Apparatus for detecting pollution of liquid
JPH06111357A (en) * 1992-09-25 1994-04-22 Olympus Optical Co Ltd Optical pickup
JPH11271219A (en) * 1998-03-25 1999-10-05 Natl Rehabilitation Center For The Disabled Surface plasmon resonance system immunoassay device
US6970256B1 (en) * 2003-04-16 2005-11-29 Jackson John H Apparatus and methods for measuring thickness and refractive index
JP2006112808A (en) * 2004-10-12 2006-04-27 Fujikura Ltd Surface plasmon sensor
JP4958220B2 (en) * 2006-03-16 2012-06-20 倉敷紡績株式会社 Total reflection attenuation optical probe and aqueous solution spectrometer using the same
US7781737B2 (en) * 2006-12-20 2010-08-24 Schlumberger Technology Corporation Apparatus and methods for oil-water-gas analysis using terahertz radiation
JP4800244B2 (en) * 2007-03-13 2011-10-26 浜松ホトニクス株式会社 Terahertz wave measuring device
JP4871176B2 (en) * 2007-03-13 2012-02-08 浜松ホトニクス株式会社 Total reflection terahertz wave measuring device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101740020B1 (en) * 2015-11-30 2017-05-26 목원대학교 산학협력단 Degradation assessment system of insulating oils using terahertz time-domain spectroscopy
US10895504B2 (en) 2017-07-19 2021-01-19 Hamamatsu Photonics K.K. Terahertz wave spectroscopic measurement apparatus and terahertz wave spectroscopic measurement method

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