JP5602669B2 - 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5602669B2 JP5602669B2 JP2011070228A JP2011070228A JP5602669B2 JP 5602669 B2 JP5602669 B2 JP 5602669B2 JP 2011070228 A JP2011070228 A JP 2011070228A JP 2011070228 A JP2011070228 A JP 2011070228A JP 5602669 B2 JP5602669 B2 JP 5602669B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- semiconductor
- adhesive
- adhesive composition
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Dicing (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
[1](A)アクリル重合体、(B)エポキシ系熱硬化樹脂、(C)熱硬化剤、および(D)イソフタル酸系化合物と硬化促進用化合物とから形成された複合化合物を含有することを特徴とする半導体用接着剤組成物。
[7]前記[6]に記載の半導体用接着シートの接着剤層に半導体ウェハを貼着し、該半導体ウェハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップを被着部に接着剤層を介して熱圧着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
本発明の半導体用接着剤組成物は、(A)アクリル重合体、(B)エポキシ系熱硬化樹脂、(C)熱硬化剤、および(D)イソフタル酸系化合物と硬化促進用化合物とから形成された複合化合物を含有する。また、前記接着剤組成物の各種物性を改良するため、必要に応じて他の成分を配合してもよい。以下、これら各成分について具体的に説明する。
アクリル重合体(A)としては従来公知のアクリル重合体を用いることができる。
アクリル重合体(A)の重量平均分子量(Mw)は、1万以上200万以下であることが好ましく、10万以上150万以下であることがより好ましい。アクリル重合体(A)のMwが低過ぎると、接着剤層と基材との接着力が高くなってチップのピックアップ不良が起こることがある。アクリル重合体(A)のMwが高すぎると、被着体の凹凸へ接着剤層が追従できないことがあり、ボイドなどの発生要因になることがある。アクリル重合体(A)のMwは、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法により測定されるポリスチレン換算値であり、その測定条件は実施例に記載のとおりである。
エポキシ系熱硬化樹脂(B)としては、従来公知の種々のエポキシ樹脂を用いることができる。前記エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素変性エポキシ樹脂や、これらのハロゲン化物などの、構造単位中に2つ以上の官能基が含まれるエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。
熱硬化剤(C)は、エポキシ系熱硬化樹脂(B)に対する熱硬化剤として機能する。
熱硬化剤(C)としては、エポキシ基と反応しうる官能基を分子中に2個以上有する化合物が挙げられ、その官能基としてはフェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基、酸無水物基などが挙げられる。これらの中では、フェノール性水酸基、アミノ基および酸無水物基が好ましく、フェノール性水酸基およびアミノ基がより好ましい。
硬化促進剤は、通常、接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。本発明では硬化促進剤として、イソフタル酸系化合物と硬化促進用化合物とから形成された複合化合物(D)を用いることを特徴としている。
イソフタル酸系化合物としては、硬化促進用化合物を包接し得る化合物が挙げられ、具体的には下記式(I)で表されるイソフタル酸系化合物が挙げられる。
炭素数1〜6のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、s−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペントキシ基、イソペントキシ基、2−メチルブトキシ基、1−エチルプロポキシ基、2−エチルプロポキシ基、ネオペントキシ基、ヘキシルオキシ基、4−メチルペントキシ基、3−メチルペントキシ基、2−メチルペントキシ基、3,3−ジメチルブトキシ基、2,2−ジメチルブトキシ基、1,1−ジメチルブトキシ基、1,2−ジメチルブトキシ基、1,3−ジメチルブトキシ基、2,3−ジメチルブトキシ基などが挙げられる。
イソフタル酸系化合物は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
硬化促進用化合物としては、エポキシ基とフェノール性水酸基等との反応を促進し得る化合物が挙げられ、具体的には下記式(II)で表されるイミダゾール化合物が挙げられる。
硬化促進用化合物は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
複合化合物(D)は、イソフタル酸系化合物および硬化促進用化合物を溶媒に添加後、必要に応じて攪拌しながら、加熱処理または加熱還流処理を行い、析出させることにより得ることができる。複合化合物(D)は、例えば、特開2007−39449号公報に記載の方法に従って調製することができる。
本発明の接着剤組成物は、エネルギー線重合性化合物(E)を含有してもよい。エネルギー線重合性化合物(E)をエネルギー線照射によって重合させることで、接着シートにおける接着剤層の接着力を低下させることができる。このため、半導体チップのピックアップ工程において、基材と接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。
本発明の接着剤組成物において、エネルギー線重合性化合物(E)の含有量は、アクリル重合体(A)100重量部に対して、通常は1〜400重量部、好ましくは3〜300重量部、より好ましくは10〜200重量部である。エネルギー線重合性化合物(E)の含有量が前記範囲を上回ると、有機基板やリードフレームなどに対する接着剤層の接着力が低下することがある。
本発明の接着剤組成物が前記エネルギー線重合性化合物(E)を含有する場合、その接着剤組成物の使用に際して、紫外線などのエネルギー線を照射して、接着剤層の接着力を低下させることが好ましい。接着剤組成物中に光重合開始剤(F)を含有させることで、重合・硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。
本発明において、接着剤組成物の被着体に対する接着力および密着力をより向上させるため、カップリング剤(G)を用いてもよい。また、カップリング剤(G)を使用することで、接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性をより向上させることができる。
本発明において、無機充填材(H)を用いてもよい。無機充填材(H)を接着剤組成物に配合することにより、該組成物の熱膨張係数を調整することが可能となる。半導体チップ、リードフレームおよび有機基板に対して硬化後の接着剤層の熱膨張係数を最適化することで、パッケージ信頼性をより向上させることができる。また、接着剤層の硬化後の吸湿率をより低減することも可能となる。
本発明の接着剤組成物において、無機充填材(H)の含有量は、接着剤組成物全体に対して、通常は0〜80重量%である。
本発明の接着剤組成物には、上記各成分の他に、必要に応じて各種添加剤が含有されてもよい。各種添加剤としては、ポリエステル樹脂等の可とう性成分、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料などが挙げられる。
本発明の半導体用接着シートは、基材上に形成された上述の半導体用接着剤組成物からなる接着剤層を有する。本発明の接着シートの形状は、テープ状、ラベル状などあらゆる形状をとり得る。
本発明の半導体用接着シートの利用方法について、該接着シートを半導体装置(例えば半導体パッケージ)の製造に適用した場合を例にとって説明する。半導体装置の製造方法は、上記半導体用接着シートの接着剤層に半導体ウェハを貼着し、該半導体ウェハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップを被着部に接着剤層を介して熱圧着する工程を含む。
上記半導体装置の製造方法においては、まず、半導体ウェハの一方の面およびリングフレームを本発明の接着シートの接着剤層上に載置し、軽く押圧し、半導体ウェハを固定する。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記半導体ウェハを切断し半導体チップを得る。この際の切断深さは、半導体ウェハの厚みと接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さにする。
次いで、接着剤層を介して半導体チップを被着部に載置(熱圧着)する。被着部は、例えば、有機基板もしくはリードフレームのダイパッド部、または下段となる他の半導体チップ(下段チップ)である。ダイパッド部または下段チップは、半導体チップを載置する前に加熱するか載置直後に加熱される。加熱温度は通常80〜200℃、好ましくは100〜180℃であり、加熱時間は通常0.1秒〜5分、好ましくは0.5秒〜3分であり、載置するときの圧力は通常1kPa〜200MPaである。
せん断強度の測定
(1)上段チップの作成
実施例または比較例で得られた接着シートを、40℃7日間の促進処理に供した。ウェハバックサイドグラインド装置((株)ディスコ製、DGP8760)により表面をドライポリッシュ処理し、表面粗度(Ra)を0.12μmにしたシリコンウェハ(200mm径、厚さ500μm)のドライポリッシュ処理面に、促進処理後の実施例または比較例で得られた接着シートをテープマウンター(リンテック(株)製、Adwill(登録商標) RAD2500 m/8)を用いて貼付し、同時にリングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置(リンテック(株)製、Adwill(登録商標) RAD2000)を用いて、前記シートの基材面から紫外線を照射(350mW/cm2、190mJ/cm2)した。
ポリイミド系樹脂(日立化成デュポンマイクロシステムズ(株)製PLH708)がコーティングされたシリコンウェハ(200mm径、厚さ725μm)にダイシングテープ(リンテック(株)製、Adwill D−650)を上記と同様に貼付し、12mm×12mmのチップサイズにダイシングしてピックアップした。ダイシングされたシリコンウェハチップのポリイミド面へ、上記(1)で得た上段チップを接着剤層を介して100℃、300gf/chip、1秒間の条件にてボンディングした。その後、125℃で60分、さらに175℃で120分間加熱して接着剤層を硬化させ、試験片を得た。この硬化直後の試験片を、以下「試験片(ア)」と記す。
得られた試験片(ア)および(イ)のそれぞれを、ボンドテスター(Dage社製、ボンドテスターSeries4000)の250℃に設定された測定ステージ上に30秒間放置し、ボンディング界面より100μmの高さの位置よりスピード500μm/sで接着面に対し水平方向(せん断方向)に応力をかけ、試験片チップとポリイミド面との接着状態が破壊するときの力(せん断強度)(N)を測定した。また、1水準(各実施例および比較例)の測定値として、6サンプルの測定値の平均値を採用した。100N/chip以上のせん断強度を有する場合を合格とした。
(10)上段チップの作成
せん断強度測定時の(1)上段チップの作成で得たチップを上段チップとして使用した。
ウェハバックサイドグラインド装置((株)ディスコ製、DGP8760)により表面をドライポリッシュ処理し、表面粗度(Ra)を0.12μmにしたシリコンウェハ(200mm径、厚み75μm)のドライポリッシュ処理面に、ダイシングダイボンディングシート(リンテック(株)製、LE4738)をテープマウンター(リンテック(株)製、Adwill (登録商標) RAD2500 m/8)を用いて貼付し、同時にウェハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置(リンテック(株)製、Adwill(登録商標) RAD2000)を用いて、前記シートの基材側から紫外線を照射(350mW/cm2、190mJ/cm2)した。
チップをダイボンドする配線基板として、銅箔張り積層板(三菱ガス化学(株)製、BTレジンCCL-HL832HS)の銅箔に回路パターンが形成され、該パターン上にソルダーレジスト(太陽インキ製造(株)製、PSR-4000 AUS303)を有している2層両面基板(LNTEG0001、サイズ:157mm×70mm×0.22t、最大凹凸15μm、(株)日立超LSIシステムズ製)を用いた。
得られた半導体パッケージを、85℃60%RH条件下に168時間放置して吸湿させた後、最高温度260℃、加熱時間1分間のIRリフロー(リフロー炉:相模理工製WL-15-20DNX型)を3回行った。上段チップと下段チップとの接合部の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生の有無を、走査型超音波探傷装置(日立建機ファインテック(株)製Hye-Focus)および断面観察により評価した。半導体パッケージを25個試験に投入し、剥離の発生しなかった数(OK数)により、半導体パッケージの表面実装性の評価とした。なお、接合部に面積5.0mm2以上の剥離を観察した場合を剥離していると判断した。
(反応開始温度およびピークトップの測定)
表1に記載の組成の接着剤組成物を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が50重量%となるように希釈した。得られた希釈液をシリコーン処理された剥離フィルム(リンテック(株)製、SP−PET2811(S))上に乾燥後の厚みが約60μmになるように塗布・乾燥し、接着剤層を得た。得られた接着剤層3層を合計厚みが180μmになるようにラミネートし、その後、紫外線照射装置(リンテック(株)製、Adwill(登録商標) RAD2000)を用いて、積層体の両面から紫外線を照射(350mW/cm2、190mJ/cm2)することにより、積層接着剤層1〜8を得た。
・装置:パーキンエルマー社製、Pyris−I
・昇温速度:10℃/min
・温度範囲:50〜300℃
アクリル重合体(A)の重量平均分子量(Mw)は下記方法で測定した。
・測定方法:ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー(GPC)法
・標準物質:ポリスチレン標準
・装置:東ソー(株)製HLC−8220GPC
・カラム:東ソー(株)製TSKgelGMHXL、TSKgelGMHXLおよび
TSKgel2000HXLを順次連結したもの
・溶媒:テトラヒドロフラン
・濃度:1%
・注入量:80μl
・流速:1.0ml/min
・測定温度:40℃
・検出器:示走屈折計
表1に記載の組成の接着剤組成物を使用した。表1中、各成分の数値は固形分換算の重量部を示し、本発明において固形分とは溶媒以外の全成分をいう。表1に記載の組成の接着剤組成物を、メチルエチルケトンにて固形分濃度が50重量%となるように希釈し、シリコーン処理された剥離フィルム(リンテック(株)製、SP−PET3811(S))上に乾燥後の厚みが約60μmになるように塗布・乾燥した後に、基材であるポリエチレンフィルム(厚み100μm、表面張力33mN/m)と貼り合せて、接着剤層を基材上に転写することで、所望の接着シートを得た。得られた接着シートを用いてせん断強度の測定および表面実装性の評価を、表1に記載の組成の接着剤組成物を用いて包接状態の評価を行った。結果を表2に示す。
(A)アクリル重合体
(A)−1:アクリル酸メチル(MA)/2−ヒドロキシエチルアクリレート(HEA)(85/15重量%)からなるアクリル酸エステル共重合体(Mw=30万、Tg=6℃)
(A)−2:MA/HEA=95/5重量%(Mw=30万、Tg=9℃)
(B)エポキシ系熱硬化樹脂
(B)−1:ビスフェノールA型エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン(株)製:jER828、エポキシ当量184〜194g/eq)
(B)−2:クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬(株)製:ECON-104S、エポキシ当量213〜223g/eq)
(B)−3:多官能エポキシ樹脂
(日本化薬(株)製:EPPN-502H、エポキシ当量158〜178g/eq)
(B)−4:ジシクロペンタジエン(DCPD)型エポキシ樹脂
(DIC製:EPICLON HP-7200HH、エポキシ当量265〜300g/eq)
(C)熱硬化剤:ノボラック型フェノール樹脂
(昭和高分子(株)製:ショウノールBRG-556)
(D)複合化合物または(d)硬化促進剤
(D)−1:5−ヒドロキシイソフタル酸により包接された2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(日本曹達(株)製:HIPA-2P4MHZ、イミダゾール含有率:50モル%)
(D)−2:5−ヒドロキシイソフタル酸により包接された2−フェニル−4,5−ジ(ヒドロキシメチル)イミダゾール(日本曹達(株)製:HIPA-2PHZ、イミダゾール含有率:50モル%)
(D)−3:5−ニトロイソフタル酸により包接された2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(日本曹達(株)製:NIPA-2P4MHZ、イミダゾール含有率:67モル%)
(D)−4:5−ニトロイソフタル酸により包接された2−フェニル−4,5−ジ(ヒドロキシメチル)イミダゾール(日本曹達(株)製:NIPA-2PHZ、イミダゾール含有率:50モル%)
(d)−1:2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール
(四国化成工業(株)製:キュアゾール2P4MHZ-PW)
(d)−2:2−フェニル−4,5−ジ(ヒドロキシメチル)イミダゾール
(四国化成工業(株)製:キュアゾール2PHZ)
(d)−3:1,1,2,2−テトラキス−(4−ヒドロキシフェニル)エタンにより包接された2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(日本曹達(株)製:TEP-2P4MHZ)
(E)エネルギー線重合性化合物:ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート
(日本化薬(株)製:KAYARAD R-684)
(F)光重合開始剤:α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン
(チバ・スペシャリティ・ケミカルズ(株)製:イルガキュア184)
(G)カップリング剤:シランカップリング剤
(三菱化学(株)製:MKCシリケートMSEP2)
(H)無機充填材:Siフィラー((株)アドマテックス製:アドマファインSC2050)
(I)その他の成分:熱可塑性ポリエステル樹脂(東洋紡績(株)製:バイロン220)
Claims (7)
- (A)アクリル重合体、
(B)エポキシ系熱硬化樹脂、
(C)熱硬化剤、および
(D)イソフタル酸系化合物により式(II)で表わされるイミダゾール化合物が包接された包接化合物
を含有することを特徴とする半導体用接着剤組成物。
- 式(I)中のR 1 が、炭素数3〜6のシクロアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシ基または水酸基であることを特徴とする請求項2に記載の半導体用接着剤組成物。
- 前記(D)成分におけるイソフタル酸系化合物が、5−ヒドロキシイソフタル酸および5−ニトロイソフタル酸から選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体用接着剤組成物。
- 前記(D)成分における上記式(II)で表わされるイミダゾール化合物が、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールおよび2−フェニル−4,5−ジ(ヒドロキシメチル)イミダゾールから選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜4の何れか一項に記載の半導体用接着剤組成物。
- 基材上に形成された請求項1〜5の何れか一項に記載の半導体用接着剤組成物からなる接着剤層を有することを特徴とする半導体用接着シート。
- 請求項6に記載の半導体用接着シートの接着剤層に半導体ウェハを貼着し、該半導体ウェハをダイシングして半導体チップとし、該半導体チップ裏面に接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、該半導体チップを被着部に接着剤層を介して熱圧着する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011070228A JP5602669B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-28 | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010082124 | 2010-03-31 | ||
JP2010082124 | 2010-03-31 | ||
JP2011070228A JP5602669B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-28 | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011225840A JP2011225840A (ja) | 2011-11-10 |
JP5602669B2 true JP5602669B2 (ja) | 2014-10-08 |
Family
ID=45041591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011070228A Active JP5602669B2 (ja) | 2010-03-31 | 2011-03-28 | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5602669B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013127034A (ja) * | 2011-12-19 | 2013-06-27 | Nitto Denko Corp | シート状電子部品封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた電子部品装置 |
JP5901349B2 (ja) * | 2012-02-28 | 2016-04-06 | 古河電気工業株式会社 | 接着フィルム、ウェハ加工用テープおよび接着フィルムの製造方法 |
JP2015193683A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | デクセリアルズ株式会社 | 熱硬化性接着組成物、及び熱硬化性接着シート |
JP6562614B2 (ja) * | 2014-10-23 | 2019-08-21 | リンテック株式会社 | 接着剤組成物および接着シート |
JP2016011427A (ja) * | 2015-09-07 | 2016-01-21 | 古河電気工業株式会社 | 接着フィルム、ウェハ加工用テープおよび接着フィルムの製造方法 |
JP2017171814A (ja) * | 2016-03-25 | 2017-09-28 | 株式会社巴川製紙所 | プリント配線基板用接着シート |
JP6827851B2 (ja) * | 2017-03-08 | 2021-02-10 | リンテック株式会社 | 回路部材接続用シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP7176575B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-11-22 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 半導体装置の製造方法及びダイシング・ダイボンディング一体型フィルム |
KR102584266B1 (ko) * | 2019-05-10 | 2023-10-05 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 회로 접속용 접착제 조성물, 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지 |
WO2020231101A1 (ko) * | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 주식회사 엘지화학 | 반도체 회로 접속용 접착제 조성물, 이를 이용한 반도체용 접착 필름, 반도체 패키지 제조방법 및 반도체 패키지 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5068045B2 (ja) * | 2005-07-06 | 2012-11-07 | 日本曹達株式会社 | 包接化合物、硬化触媒、硬化樹脂形成用組成物及び硬化樹脂 |
JP5467720B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2014-04-09 | リンテック株式会社 | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
JP5466368B2 (ja) * | 2008-02-18 | 2014-04-09 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品接合用接着剤 |
JP5143785B2 (ja) * | 2008-05-22 | 2013-02-13 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品接合用接着剤 |
JP5320117B2 (ja) * | 2009-03-18 | 2013-10-23 | 積水化学工業株式会社 | 電子部品用接着剤 |
JP5414630B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-02-12 | 株式会社タムラ製作所 | 熱硬化性樹脂組成物、その硬化物及び該硬化物を用いたプリント配線板 |
-
2011
- 2011-03-28 JP JP2011070228A patent/JP5602669B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011225840A (ja) | 2011-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5602669B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5774322B2 (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5137538B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5917215B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
TWI669363B (zh) | Reagent composition, adhesive sheet, and method of manufacturing semiconductor device | |
JP5005258B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
KR102346224B1 (ko) | 접착제 조성물, 접착 시트 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR101483308B1 (ko) | 점접착제 조성물, 점접착 시트 및 반도체장치의 제조방법 | |
JP2009242605A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2008231366A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2012167174A (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JPWO2015016352A6 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5550371B2 (ja) | 接着剤組成物および接着シート | |
JP5237647B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP4806815B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5005325B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5126960B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5513734B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2012153804A (ja) | 接着剤組成物および接着シート | |
JP5414256B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2011198914A (ja) | 半導体用接着剤組成物、半導体用接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5500787B2 (ja) | 接着剤組成物、接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5426831B2 (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 | |
JP2012153819A (ja) | 接着剤組成物および接着シート | |
JP2009227892A (ja) | 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110401 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140623 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140805 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5602669 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |