JP5601494B2 - 液晶材料の製造方法 - Google Patents
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aは1、2又は3を表し、
A1及びA2はそれぞれ独立に(a) トランス−1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のメチレン基又は隣接していない2個以上のメチレン基は−O−又は−S−に置き換えられてもよい)、
(b) 1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は窒素原子に置き換えられてもよい)及び
(c) 1,4−ビシクロ(2.2.2)オクチレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、並びにクロマン−2,6−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基(a)、基(b)又は基(c)に含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、A1が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良く、
Z1は単結合、−CH2CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−又は−OCO−を表すが、複数存在するZ1は同一であっても異なっていても良く、
Y1は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数2〜6のアルケニルオキシ基を表す。)で表される化合物の比抵抗値を、式(A−1)及び(A−2)で表される化合物
(実施例1) 式(1−1)で表される化合物の再結晶(1)
式(A−1)及び(A−2)
(比較例1) 式(1−1)で表される化合物の再結晶(2)
市販の一級グレード品のヘキサンのイオン濃度を分析したところ、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和は0.20ppbであった。実施例1において、カラムクロマトグラフィー後に得られた溶液から溶媒を減圧下に留去し得られた粗体24.9gをこのヘキサン50mLに加温溶解し、実施例1と同様の再結晶および乾燥操作を行った。得られた式(1−1)で表される化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は6.0×1011Ω・mであった。精製工程前と比較し比抵抗値の向上が十分ではなく、液晶表示素子用の液晶組成物材料としては使用することができなかった。
(実施例2)式(1−1)で表される化合物の再結晶(3)
式(A−1)及び(A−2)を各50%ずつ含む、比抵抗値が1.0×1013Ω・mである液晶組成物(M−1)に、式(1−1)で表される化合物(純度99.90%)を20%添加した液晶組成物の比抵抗値は1.0×1011Ω・mであった。この式(1−1)で表される化合物50gをリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.03ppbであるヘキサン50mLに加温溶解し、実施例1と同様の再結晶および乾燥操作を行った。得られた式(1−1)で表される化合物の収量は23.4gであり、純度は99.97%であった。これを液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は2.0×1012Ω・mであった。
(比較例2)式(1−1)で表される化合物の再結晶(4)
市販の一級グレード品のヘキサンのイオン濃度を分析したところ、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和は0.20ppbであった。実施例2において、再結晶溶媒にこのヘキサン50mLを使用し、同様の再結晶および乾燥操作を行った。得られた式(1−1)で表される化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は5.0×1011Ω・mであった。精製工程前と比較し比抵抗値の向上が十分ではなく、液晶表示素子用の液晶組成物材料としては使用することができなかった。
(実施例3)式(1−1)で表される化合物の再結晶(5)
実施例1において、カラムクロマトグラフィーの際の式(1−1)で表される化合物の溶解にヘキサン/トルエン混合溶媒(体積比4/1)50mLを用い、展開溶媒にヘキサン/トルエン混合溶媒(体積比4/1)75mLを用いて同様の操作を行った。得られた式(1−1)で表される化合物の収量は23.0gであり、純度は99.97%であった。これを液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は2.6×1012Ω・mであった。
(実施例4)イオン交換樹脂による再結晶溶媒の処理
ガラス製クロマトグラフ管に陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂の混合物5gを充填し、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.20ppbであるヘキサン50mLを通液してイオン交換樹脂を洗浄した。その後、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.20ppbであるヘキサン150mLを通液して清浄なガラスフラスコに採取した。得られたヘキサンを分析したところ、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和は0.05ppbであった。このヘキサンを使用し、実施例2記載の方法と同様の操作を行ったところ、収量は23.4gであった。得られた式(1−1)で表される化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物の比抵抗値は1.6×1012Ω・mであった。
(実施例5)シリカゲル及びアルミナによる溶媒の処理
ガラス製クロマトグラフ管にシリカゲル及びアルミナをそれぞれ5g充填し、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.20ppbであるヘキサン50mLを通液して洗浄した。その後、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.20ppbであるヘキサン150mLを通液して清浄なガラスフラスコに採取した。得られたヘキサンを分析したところ、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和は0.03ppbであった。
(実施例6)
実施例1において、式(1−1)で表される化合物の代わりに下表に示す化合物を用い、同様の操作を行った。なお表中の比抵抗値は、それぞれの化合物を液晶組成物(M−1)に20%添加した液晶組成物のものである。
Claims (18)
- 一般式(1)
aは1、2又は3を表し、
A1及びA2はそれぞれ独立に(a) トランス−1,4−シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のメチレン基又は隣接していない2個以上のメチレン基は−O−又は−S−に置き換えられてもよい)、
(b) 1,4−フェニレン基(この基中に存在する1個の−CH=又は隣接していない2個以上の−CH=は窒素原子に置き換えられてもよい)及び
(c) 1,4−ビシクロ(2.2.2)オクチレン基、ナフタレン−2,6−ジイル基、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル基及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイル基、並びにクロマン−2,6−ジイル基
からなる群より選ばれる基を表すが、上記の基(a)、基(b)又は基(c)に含まれる水素原子はそれぞれフッ素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又は塩素原子で置換されていても良く、A1が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていても良く、
Z1は単結合、−CH2CH2−、−CH=CH−、−C≡C−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−、−OCF2−、−COO−又は−OCO−を表すが、複数存在するZ1は同一であっても異なっていても良く、
Y1は水素原子、フッ素原子、塩素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数2〜6のアルケニル基、炭素数1〜6のアルコキシ基又は炭素数2〜6のアルケニルオキシ基を表す。)で表される化合物の比抵抗値を、式(A−1)及び(A−2)で表される化合物
- 請求項1記載の比抵抗値の定義による比抵抗値が8.0×1011Ω・m未満を示す請求項1記載の一般式(1)で表される化合物をカラムクロマトグラフィーにより精製した後、使用した溶媒の一部若しくは全部を留去した後に、又は溶媒を留去することなくリチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が0.05ppb以下である炭化水素系溶媒から選択される単一又は混合溶媒を更に加え、再結晶した後に、再結晶に使用した溶媒を留去することによる、該比抵抗値の定義による比抵抗値が8.0×1011Ω・m以上を示す結晶状態の一般式(1)で表される化合物の製造方法。
- 一般式(1)において、Y1がフッ素原子を表す請求項1〜3のいずれかに記載の製造方法。
- 一般式(1)において、R1がメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基又はペンチル基であり、Z1が単結合、−CH2CH2−、−CF2O−又は−OCF2−を表す請求項1〜4のいずれかに記載の製造方法。
- 一般式(1)においてR1及びY1がそれぞれ独立的にメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ビニル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、3−ブテニルオキシ基又は4−ペンテニルオキシ基を表し、Z1が単結合、−CH2CH2−、−CH2O−、−OCH2−、−CF2O−又は−OCF2−を表す請求項1、2又は6記載の製造方法。
- 再結晶に使用する炭化水素系溶媒がへキサン並びにその構造異性体、ヘプタン並びにその構造異性体、オクタン並びにその構造異性体、石油エーテル、ベンゼン、トルエン、キシレン、及びクメンから選択される単一又は混合溶媒である請求項1〜8のいずれかに記載の製造方法。
- 再結晶に使用する炭化水素系溶媒がヘキサン並びにその構造異性体、ヘプタン並びにその構造異性体、及びトルエンから選択される単一又は混合溶媒である請求項1〜8のいずれかに記載の製造方法。
- イオン交換樹脂で処理した炭化水素系溶媒を再結晶に使用することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の製造方法。
- シリカゲル、アルミナ又はそれらの混合物により精製した炭化水素系溶媒を再結晶に使用することを特徴とする請求項1〜10のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項2記載のカラムクロマトグラフィーによる精製時に展開溶媒として炭化水素系溶媒がヘキサン並びにその構造異性体、ヘプタン並びにその構造異性体、及びトルエンから選択される単一又は混合溶媒を使用する請求項2〜12のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項2記載のカラムクロマトグラフィーによる精製時に充填材としてシリカゲル、アルミナ又はそれらの混合物を使用する請求項2〜13のいずれかに記載の製造方法。
- 再結晶後の一般式(1)で表される化合物の該比抵抗値が1.0×1012Ω・m以上を示す請求項1〜14のいずれかに記載の製造方法。
- 請求項1〜15のいずれかに記載の方法により製造された一般式(1)で表される化合物を含有する液晶組成物の製造方法。
- 請求項16記載の方法により製造された液晶組成物を使用した液晶表示素子の製造方法。
- 請求項1〜15のいずれかに記載の製造方法を実施する際に行う再結晶方法。
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