JP5590100B2

JP5590100B2 - Laminated sheet for semiconductor device manufacturing

Info

Publication number: JP5590100B2
Application number: JP2012250822A
Authority: JP
Inventors: 道夫増野; 禎一稲田; 哲郎岩倉
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2007-04-03
Filing date: 2012-11-15
Publication date: 2014-09-17
Anticipated expiration: 2028-03-24
Also published as: JP5298588B2; JP2008277778A; JP2013034027A

Description

本発明は、半導体ウェハを接着シート付き半導体素子に個片化する工程において、半導体素子の回路面の汚染を低減できる、半導体装置製造用積層シートに関する。 The present invention relates to a laminated sheet for manufacturing a semiconductor device, in which contamination of a circuit surface of a semiconductor element can be reduced in a process of dividing a semiconductor wafer into semiconductor elements with an adhesive sheet.

従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材の接合には銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤボンディング時における不具合の発生、膜厚の制御困難性、およびボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、シート状の接着剤が使用されるようになってきた。 Conventionally, a silver paste has been mainly used for joining a semiconductor element and a semiconductor element mounting support member. However, with the recent miniaturization and high performance of semiconductor elements, the support members used are required to be small and fine. In response to such demands, silver paste has been unable to cope with such demands due to occurrence of defects during wire bonding due to protrusion or inclination of semiconductor elements, difficulty in controlling film thickness, and generation of voids. Therefore, in recent years, sheet-like adhesives have been used in order to cope with the above requirements.

この接着シートの代表的な使用方法の一つにウェハ裏面貼付方式がある。これは、まず半導体ウェハの裏面に接着シートを貼付さらに接着シートの他面にダイシング用基材シートを貼り合わせ、その後前記半導体ウェハからダイシングによって、個片化した接着シート付き半導体素子をピックアップし、それを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンド、モールドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることになる。また、この接着シートと前記ダイシング用基材シートを一体化したダイシングダイボンド一体型積層シートなるものがあり、その形状は長尺の剥離シートに、ウェハ径よりも大きく真円形状にプリカットされた接着シートと、その接着シートよりも更に大きく真円形状にプリカットされたダイシング用基材シートを積層したものが一般的である（図１）（例えば特許文献１、２、３参照）。 One of the typical usage methods of this adhesive sheet is a wafer back surface sticking method. This is a process of first sticking an adhesive sheet on the back side of a semiconductor wafer and further bonding a base sheet for dicing on the other side of the adhesive sheet, and then picking up a semiconductor element with an adhesive sheet separated by dicing from the semiconductor wafer, The semiconductor device is obtained by bonding it to a support member and subsequent processes such as heating, curing, wire bonding, and molding. In addition, there is a dicing die bond integrated laminated sheet in which the adhesive sheet and the dicing base sheet are integrated, and the shape thereof is a long release sheet that is pre-cut into a perfect circle larger than the wafer diameter. A sheet is generally laminated with a base sheet for dicing that is pre-cut into a perfect circle larger than the adhesive sheet (see FIG. 1, for example).

また、ウェハ裏面貼付方式でのダイシング方法としては、ダイヤモンドブレードを用いて、ウェハと接着シートを同時にダイシングする方法が一般的であるが、極薄ウェハ（例えば、厚さ１００μｍ以下）を用いる場合、ダイシング時のチップ割れが問題となってきており、この課題を解決するため種々な方法が検討されているが、近年先ダイシング方法や、ステルスダイシング方法などの接着シート付き半導体素子を個片化する方法が知られている（例えば特許文献４、５、６参照）。 In addition, as a dicing method in the wafer back surface pasting method, a method of dicing the wafer and the adhesive sheet at the same time using a diamond blade is common, but when using an extremely thin wafer (for example, a thickness of 100 μm or less), Chip cracking at the time of dicing has become a problem, and various methods have been studied to solve this problem. In recent years, semiconductor elements with an adhesive sheet such as a prior dicing method and a stealth dicing method have been separated into individual pieces. Methods are known (see, for example, Patent Documents 4, 5, and 6).

前者は、半導体ウェハ表面からそのウェハ厚さよりも浅い切込み深さの溝を形成し半導体ウェハ回路面に表面保護シートを貼着し、上記半導体ウェハの裏面研削をすることでウェハの厚みを薄くするとともに、最終的には個々の半導体素子への分割を行い、研削面に、ダイシング用基材シートとその上に形成された接着シートとからなるダイシングダイボンド一体型積層シートを貼着し、前述の表面保護シートを剥離し、ダイシング用基材シートをエキスパンドすることにより、ダイシングダイボンド一体型積層シートの接着シートを半導体素子の形状に切断する方法である。後者は、半導体ウェハ表面からレーザを照射することにより、ウェハ内部に選択的に改質部を形成し、ダイシング用基材シートをエキスパンドすることにより、改質部に沿ってウェハと接着シートを半導体素子の形状に切断する方法である。 In the former, a groove having a depth of cut smaller than the wafer thickness is formed from the surface of the semiconductor wafer, a surface protection sheet is attached to the circuit surface of the semiconductor wafer, and the back surface of the semiconductor wafer is ground to reduce the thickness of the wafer. At the same time, it is divided into individual semiconductor elements, and a dicing die bond integrated laminated sheet consisting of a base sheet for dicing and an adhesive sheet formed thereon is attached to the grinding surface, In this method, the adhesive sheet of the dicing / die bonding integrated laminated sheet is cut into the shape of a semiconductor element by peeling the surface protective sheet and expanding the base sheet for dicing. In the latter, a laser is irradiated from the surface of the semiconductor wafer to selectively form a modified portion inside the wafer, and by expanding the base sheet for dicing, the wafer and the adhesive sheet are semiconductorized along the modified portion. It is a method of cutting into the shape of an element.

特開２００２−２２６７９６号公報JP 2002-226996 A 特開２００２−１５８２７６号公報JP 2002-158276 A 特開平２−３２１８１号公報JP-A-2-32181 特開２００５−２６０２０４号公報JP 2005-260204 A 国際公開第０４／１０９７８６号パンフレットInternational Publication No. 04/109786 Pamphlet 特開２００６−０９３２１３号公報JP 2006-093213 A

これらはいずれも、ダイシング用基材シートをエキスパンドすることにより、接着シート、またはウェハと接着シートを、半導体素子の形状に切断するため、エキスパンド速度を速く、またエキスパンド量を多くする場合があるが、この時ウェハ、接着シート、ダイシング用基材シート内部に応力が発生する。ダイシング用基材シートは、一般的に延伸性にすぐれるため、またウェハ、及びウェハに貼付られた部分の接着シートは、所定の形状に切断されるため、応力が分散する。しかし、前述のように真円形状にプリカットされた接着シートの直径はウェハ径よりも大きいため、接着シートにはウェハに貼付されていない部分（以下、接着シート外周部とする）が存在し、この部分に応力が発生する。 In any case, the dicing substrate sheet is expanded to cut the adhesive sheet, or the wafer and the adhesive sheet into the shape of the semiconductor element, so that the expansion speed may be increased and the amount of expansion may be increased. At this time, stress is generated inside the wafer, the adhesive sheet, and the substrate sheet for dicing. The substrate sheet for dicing is generally excellent in stretchability, and the stress is dispersed because the wafer and the adhesive sheet of the portion attached to the wafer are cut into a predetermined shape. However, since the diameter of the adhesive sheet pre-cut into a perfect circle as described above is larger than the wafer diameter, there is a portion not attached to the wafer (hereinafter referred to as the adhesive sheet outer peripheral portion) in the adhesive sheet, Stress is generated in this portion.

この接着シート外周部にかかる応力を分散するために、接着シートは無秩序に切断され、無定形に個片化（以下、破片とする）される場合がある。この接着シートの破片は、エキスパンド時、またはエキスパンド後の工程において、ダイシング用基材シートから剥がれる場合があり、剥がれた破片が、個片化された半導体素子の回路面に付着、汚染し、工程異常、歩留まり低下の原因となる。 In order to disperse the stress applied to the outer peripheral portion of the adhesive sheet, the adhesive sheet may be cut randomly and singulated into pieces (hereinafter referred to as fragments) in some cases. The adhesive sheet debris may be peeled off from the dicing substrate sheet in the process after expansion or in the process after expansion, and the peeled debris adheres to and contaminates the circuit surface of the separated semiconductor element. It will cause abnormalities and decrease in yield.

本発明はこのような背景に鑑み、エキスパンド工程において、接着シート、及びウェハと接着シートを切断するときに、接着シート外周部に発生する応力を分散し、接着シートの破片による半導体素子回路面の付着、汚染を防ぐ、半導体装置製造用積層シートを提供することを目的としている。 In view of such a background, the present invention disperses the stress generated in the outer periphery of the adhesive sheet when the adhesive sheet and the wafer and the adhesive sheet are cut in the expanding process, and the semiconductor element circuit surface due to the fragments of the adhesive sheet. It aims at providing the lamination sheet for semiconductor device manufacture which prevents adhesion and contamination.

本発明は、長尺の剥離シートに、所定の形状にプリカットされた接着シートと、少なくとも延伸性と粘着性を有する単層または多層のダイシング用基材シートを有する、半導体装置製造用積層シートを提供するものである。 The present invention provides a laminated sheet for manufacturing a semiconductor device, comprising a long release sheet, an adhesive sheet precut into a predetermined shape, and a single-layer or multi-layer dicing base sheet having at least stretchability and adhesiveness. It is to provide.

すなわち、本発明は以下の発明に関する。 That is, the present invention relates to the following inventions.

（１）長尺の剥離シート上に、所定の形状にプリカットされた接着シートと、少なくとも延伸性と粘着性を有する単層または多層のダイシング用基材シートとが積層され、前記プリカット形状が真円以外の形状であることを特徴とする半導体装置製造用積層シート。 (1) An adhesive sheet pre-cut into a predetermined shape and a single-layer or multi-layer substrate sheet for dicing having at least stretchability and tackiness are laminated on a long release sheet, and the pre-cut shape is true. A laminated sheet for manufacturing a semiconductor device, which has a shape other than a circle.

（２）前記プリカット形状が、楔形であることを特徴とする、前記（１）記載の半導体装置製造用積層シート。すなわち、接着シートの外周端部が外周に沿って多数の楔形が連続した形状（ジグザグ）にプリカット加工されたものであり、接着シートは、凹凸を有する多角形状の外周を有するものである。 (2) The laminated sheet for manufacturing a semiconductor device according to (1), wherein the pre-cut shape is a wedge shape. That is, the outer peripheral end portion of the adhesive sheet is pre-cut into a shape (zigzag) in which a large number of wedge shapes are continuous along the outer periphery, and the adhesive sheet has a polygonal outer periphery having irregularities.

（３）前記プリカット形状が、外周端部に切込を有することを特徴とする、前記（１）記載の半導体装置製造用積層シート。 (3) The laminated sheet for manufacturing a semiconductor device according to (1), wherein the precut shape has a cut at an outer peripheral end.

（４）前記プリカット形状が、楔形を有し、且つその楔形凹部に切込を有することを特徴とする、前記（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体装置製造用積層シート。 (4) The laminated sheet for manufacturing a semiconductor device according to any one of (1) to (3), wherein the pre-cut shape has a wedge shape and has a notch in the wedge-shaped recess.

（５）前記ダイシング用基材シートが、ウェハリングの形状にプリカットされていることを特徴とする、前記（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体装置製造用積層シート。 (5) The laminated sheet for manufacturing a semiconductor device according to any one of (1) to (4), wherein the substrate sheet for dicing is precut into a shape of a wafer ring.

本発明の半導体装置製造用積層シートにより、エキスパンド工程において、接着シート、及びウェハと接着シートを切断するときに、接着シート外周部に発生する応力を分散し、接着シートの破片による半導体素子回路面の付着、汚染を防ぐことができる。 In the expanding process, the laminated sheet for manufacturing a semiconductor device according to the present invention disperses the stress generated in the outer periphery of the adhesive sheet when the adhesive sheet and the wafer and the adhesive sheet are cut. Adhesion and contamination can be prevented.

従来の半導体装置製造用積層シートの上面図と断面図である。It is the top view and sectional drawing of the conventional laminated sheet for semiconductor device manufacture. 本発明の半導体装置製造用積層シートの実施形態例の上面図と断面図である。It is the upper side figure and sectional drawing of the example of embodiment of the lamination sheet for semiconductor device manufacture of this invention. 本発明の半導体装置製造用積層シートの接着シートのプリカット形状例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the example of the precut shape of the adhesive sheet of the lamination sheet for semiconductor device manufacture of this invention. 本発明の半導体装置製造用積層シートの接着シートのプリカット形状例を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the example of the precut shape of the adhesive sheet of the lamination sheet for semiconductor device manufacture of this invention. 楔形の形状を示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the shape of the wedge shape.

図１は、一般的な半導体装置製造用積層シートの上面図であり、長尺の剥離シート１に、ウェハ径よりも大きく真円形状にプリカットされた接着シート２と、その接着シート２よりも更に大きく真円形状にプリカットされたダイシング用基材シート３を積層したものである。また、図２は真円以外の形状にプリカットされた接着シートを有する本発明の半導体装置製造用積層シートの実施形態例の上面図であり、図３、４は、本発明の半導体装置製造用積層シートにおいて、接着シートのプリカット形状のみを示したものであり、図５は、楔形の形状を説明したものである。 FIG. 1 is a top view of a general laminated sheet for manufacturing a semiconductor device. An adhesive sheet 2 precut into a round shape larger than a wafer diameter on a long release sheet 1, and more than the adhesive sheet 2 Further, the substrate sheet 3 for dicing that has been pre-cut into a large circular shape is laminated. 2 is a top view of an embodiment of a laminated sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention having an adhesive sheet precut into a shape other than a perfect circle, and FIGS. 3 and 4 are for manufacturing a semiconductor device of the present invention. In the laminated sheet, only the precut shape of the adhesive sheet is shown, and FIG. 5 illustrates the wedge shape.

図２は、剥離シート１上に、周囲が楔形にプリカットされた接着シート２と、円形にプリカットされたダイシング用基材シート３を有する半導体装置製造用積層シートである。以下に楔形の形状について詳細を説明するが、これに限定されるものでは無い。楔形の各凹部、各凸部は、それぞれ同心円上にあることが望ましく、上下左右対称であることが更に好ましい。図５において楔形の形状を説明する。図５は接着シートの外周に沿って設けられる楔形９の一部を示したものであり、接着シートの中心５から楔の凸部までの距離６と、中心５から楔の凹部までの距離７の差は、より大きい方が好ましいが、ウェハ貼付時の接着シート糊代部分と、半導体装置積層シートのダイシング基材用シート直径を鑑み、例えば８ｉｎｃｈウェハ用であれば、１ｍｍ以上が好ましく、１０ｍｍ以上がより好ましく、２５ｍｍ以上が更に好ましいが、ウェハサイズが異なる場合はこの限りではない。また隣り合う２つの楔間の距離８は、切断する半導体素子の形状にもよるが、より小さい方が好ましく、１０ｍｍ以下がより好ましく、５ｍｍ以下が更に好ましい。また、中心５から楔の凹部までの距離７は、８ｉｎｃｈウェハ用の場合では、１０５〜１１５ｍｍ程度であることが好ましい。なお、楔形の数としては、対象となるウエハの大きさにより一該に定まらないが、一般に３０〜１２０程度が好ましい。 FIG. 2 shows a laminated sheet for manufacturing a semiconductor device having an adhesive sheet 2 pre-cut in a wedge shape on a release sheet 1 and a dicing base sheet 3 pre-cut in a circular shape. Details of the wedge shape will be described below, but the present invention is not limited to this. The wedge-shaped concave portions and the convex portions are preferably concentric, and more preferably vertically and horizontally symmetrical. The wedge shape will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a part of the wedge shape 9 provided along the outer periphery of the adhesive sheet. A distance 6 from the center 5 of the adhesive sheet to the convex portion of the wedge and a distance 7 from the center 5 to the concave portion of the wedge are shown. The larger the difference, the larger the difference, but in view of the adhesive sheet paste margin at the time of attaching the wafer and the sheet diameter for the dicing substrate of the semiconductor device laminated sheet, for example, for an 8-inch wafer, 1 mm or more is preferable, and 10 mm The above is more preferable and 25 mm or more is more preferable, but this is not the case when the wafer size is different. The distance 8 between two adjacent wedges depends on the shape of the semiconductor element to be cut, but is preferably smaller, more preferably 10 mm or less, and even more preferably 5 mm or less. The distance 7 from the center 5 to the concave portion of the wedge is preferably about 105 to 115 mm in the case of an 8-inch wafer. The number of wedges is not limited to one depending on the size of the target wafer, but generally about 30 to 120 is preferable.

図３は、本発明の半導体装置製造用積層シートにおいて、接着シートのプリカット形状のみを示したものであり、接着シート２のプリカット形状に切込４を有するものである。切込の長さはより長い方が好ましいが、ウェハ貼付時の接着シート糊代部分と、半導体装置積層シートのダイシング基材用シート直径を鑑み、例えば８ｉｎｃｈウェハ用であれば、１ｍｍ以上が好ましく、１０ｍｍ以上がより好ましく、２５ｍｍ以上が更に好ましいが、ウェハサイズが異なる場合はこの限りではない。また隣り合う２つの切込間の距離は、切断する半導体素子の形状にもよるが、より小さい方が好ましいが、１０ｍｍ以下がより好ましく、５ｍｍ以下が更に好ましい。なお、この切込は、図４に示すようないわゆる切込ばかりでなく、楔形などの切欠部として構成してもよい。また、各切込間あるいは各切欠間の円弧部分を削除し、全体を多角形の接着シートのプリカット形状とすることもできる。切込あるいは切欠の数としては、対象となるウエハの大きさにより一該に定まらないが、一般に３０〜１２０程度が好ましい。 FIG. 3 shows only the precut shape of the adhesive sheet in the laminated sheet for manufacturing a semiconductor device of the present invention, and has a cut 4 in the precut shape of the adhesive sheet 2. The length of the cut is preferably longer. However, in consideration of the adhesive sheet paste margin at the time of attaching the wafer and the dicing substrate sheet diameter of the semiconductor device laminated sheet, for example, for an 8-inch wafer, 1 mm or more is preferable. 10 mm or more is more preferable, and 25 mm or more is more preferable, but this is not the case when the wafer size is different. The distance between two adjacent cuts depends on the shape of the semiconductor element to be cut, but is preferably smaller, more preferably 10 mm or less, and even more preferably 5 mm or less. This notch may be configured not only as a so-called notch as shown in FIG. 4 but also as a notch such as a wedge shape. Moreover, the arc part between each notch or each notch can be deleted, and the whole can also be made into the precut shape of a polygonal adhesive sheet. The number of notches or notches is not fixed depending on the size of the target wafer, but is generally preferably about 30 to 120.

図４は、図２の楔形の接着シートプリカット、及び図３の切込４の接着シートプリカット形状を兼ね備えたものであって、楔形の凹部に切込を有するものである。なお、凹部に限らず、楔型の凸部に切込を入れることも、また、凹部および凸部の両者に切込を入れることもできる。 FIG. 4 combines the wedge-shaped adhesive sheet precut of FIG. 2 and the adhesive sheet precut shape of the notch 4 of FIG. 3, and has a notch in the wedge-shaped recess. In addition, not only a recessed part but a notch can also be made into a wedge-shaped convex part, and a notch can also be made into both a recessed part and a convex part.

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれに制限されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

実施例１〜３、比較例１
３８μｍ厚さの剥離シート上の厚さ２５μｍの接着シート（日立化成工業株式会社製、ＨＳ−ＬＤ１００）を、金型、または切削機器を用い、表１のプリカット形式の欄に示す所定形状に接着シートをプリカットしたものを準備し、次に、厚さ１１０μｍのダイシング用基材シート（古河電気工業株式会社製、ＵＣ−３３４ＥＰ）を表１に示すようなプリカットされた接着シートに張り合わせた後、ダイシングシートを直径２４０ｍｍの円形にプリカットし、積層シートを作製した。 Examples 1-3, Comparative Example 1
Adhering a 25 μm-thick adhesive sheet (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., HS-LD100) on a 38 μm-thick release sheet to a predetermined shape shown in the column of pre-cut format in Table 1 After preparing a pre-cut sheet, a substrate sheet for dicing having a thickness of 110 μm (manufactured by Furukawa Electric Co., Ltd., UC-334EP) was attached to a pre-cut adhesive sheet as shown in Table 1, The dicing sheet was pre-cut into a circle having a diameter of 240 mm to prepare a laminated sheet.

次いで、積層シートから前記剥離シートを剥離し、既に５×５ｍｍサイズにダイシングされた支持テープ付きウェハを貼り付ける。ウェハの支持テープを剥離し、エキスパンダー（株式会社テクノビジョン製、拡張装置）を用い、エキスパンド速度５０ｍｍ／ｓ、エキスパンド量１５ｍｍの条件にてエキスパンドを行った。 Next, the release sheet is peeled from the laminated sheet, and a wafer with a supporting tape that has already been diced to a size of 5 × 5 mm is attached. The support tape of the wafer was peeled off, and expanded using an expander (manufactured by Technovision Co., Ltd., expansion device) under conditions of an expansion speed of 50 mm / s and an expansion amount of 15 mm.

比較例は、接着シートを真円形状にプリカットした以外は実施例と同様に行ったものを用いてエキスパンドを行った。 The comparative example was expanded using what was performed similarly to the Example except having pre-cut the adhesive sheet into a perfect circle shape.

評価方法は、エキスパンド後の接着シート外周部の接着シート剥離発生量を観測した。接着シートとの剥離とは、接着シートの一部が捲れ上がる、または接着シートの一部が分離し破片となり、ダイシングテープから剥がれることを意味する。接着シートの剥離の有無は、目視によって確認した。剥離が発生しなかったものを○、発生したものを×とした。その結果を表１に示した。

The evaluation method observed the amount of adhesive sheet peeling occurring on the outer periphery of the adhesive sheet after expansion. Peeling from the adhesive sheet means that a part of the adhesive sheet is rolled up, or a part of the adhesive sheet is separated into fragments and peeled off from the dicing tape. The presence or absence of peeling of the adhesive sheet was confirmed visually. The case where peeling did not occur was marked with ◯, and the case where peeling occurred was marked with ×. The results are shown in Table 1.

表１より、実施例１〜３では接着シートの破片発生が見られず、結果が良好であった。これに対し、比較例１では接着シートの破片発生がみられることが分かった。 From Table 1, in Examples 1-3, generation | occurrence | production of the fragment | piece of an adhesive sheet was not seen but the result was favorable. In contrast, in Comparative Example 1, it was found that the adhesive sheet was broken.

１剥離シート
２接着シート
３ダイシング用基材シート
４切込
５中心
６中心から凸部までの距離
７中心から凹部までの距離
８隣り合う２つの楔間の距離
９楔形 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Release sheet 2 Adhesive sheet 3 Base sheet for dicing 4 Notch 5 Center 6 Distance from center to convex part 7 Distance from center to concave part 8 Distance between two adjacent wedges 9 Wedge shape

Claims

長尺の剥離シート上に、所定の形状にプリカットされた接着シートと、少なくとも延伸性と粘着性を有する単層または多層のダイシング用基材シートとが積層され、前記プリカット形状が楔形の凹凸を複数有する半導体装置製造用積層シート。 An adhesive sheet pre-cut into a predetermined shape and a single-layer or multi-layer substrate sheet for dicing having at least stretchability and adhesiveness are laminated on a long release sheet, and the pre-cut shape has wedge-shaped irregularities. multiple having semiconductors devices for manufacturing laminated sheet.

前記プリカット形状が、外周端部に切込を有する請求項１記載の半導体装置製造用積層シート。 The pre-cut shape, the laminated sheet for semiconductor device fabrication of 請 Motomeko 1 wherein that having a cut in the outer circumferential end portion.

前記プリカット形状が、前記楔形の凹部に切込を有する請求項１又は２に記載の半導体装置製造用積層シート。 The pre-cut shape, the semiconductor device manufacturing laminated sheet according to claim 1 or 2 having a cut in the recess of the wedge.

前記ダイシング用基材シートが、ウェハリングの形状にプリカットされている請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置製造用積層シート。 The dicing substrate sheet, the laminated sheet according to any one of 請 Motomeko 1-3 that have been pre-cut to the shape of the wafer ring.