JP5588123B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 28
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 69
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 64
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 209
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 36
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 27
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 15
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/90—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions
- H01L28/91—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation having vertical extensions made by depositing layers, e.g. by depositing alternating conductive and insulating layers
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- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
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- H—ELECTRICITY
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- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
- H10B12/315—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor with the capacitor higher than a bit line
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
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Description
12 第2キャパシタパターン
13 キャパシタコンタクトプラグパターン
14 キャパシタコンタクトパッドパターン
15 ワード線パターン
16 ビット線パターン
21 半導体基板
22 Pウェル
23 半導体ピラー
24 第1ソース・ドレイン領域
25 ビット線
26 素子分離領域
27 ゲート絶縁膜
28 ゲート電極
29 第2ソース・ドレイン領域
30 第1層間膜
31 第2層間膜
32 キャパシタコンタクトホール
33 キャパシタコンタクトプラグ
33a キャパシタコンタクト導電膜
33b キャパシタコンタクトパッド
34 キャパシタ層間膜
35 蓄積電極
35a 蓄積電極導電膜
36 キャパシタ絶縁膜
37 上部電極
37a 上部電極導電膜
38 第3層間膜
39 バリアメタル
40 AlCu配線
41 第4層間膜
51 マスク材
52 反射防止膜
53 フォトレジスト膜
61 キャパシタ積層体
71 マスク材
72 反射防止膜
73 フォトレジスト膜
81 キャパシタ積層体
101 半導体基板
102 Pウェル
103 半導体ピラー
104 第1ソース・ドレイン領域
105 ビット線
106 ゲート絶縁膜
107 ゲート電極
108 第2ソース・ドレイン領域
109 第1層間膜
110 第2層間膜
111 キャパシタコンタクトプラグ
112 キャパシタ層間膜
113 マスク材
114 反射防止膜
115 レジスト膜
116 キャパシタ用孔部
Claims (16)
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、第1方向に延在し、帯状のパターンを有する第1マスクを形成する工程と、
前記第1マスクをマスクに前記絶縁膜をエッチングして、前記絶縁膜を帯状体に加工する帯状体形成工程と、
前記帯状体の上に、前記第1方向と異なる第2方向に延在し、帯状のパターンを有する第2マスクを形成する工程と、
前記第2マスクをマスクにして、前記帯状体をエッチングして、前記帯状体を柱状体に加工する柱状体形成工程と、
前記柱状体の表面を被覆するように第1導電膜を形成する工程と
前記第1導電膜をエッチングして、前記第1導電膜から成る電極を前記柱状体の側面に形成する電極形成工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜を形成する工程の前に、さらに
前記半導体基板上に層間膜を形成する工程と、
前記層間膜にコンタクトホールを形成する工程と
前記コンタクトホール内から前記層間膜上にかけて第2導電膜を形成する工程を有し、
前記帯状体形成工程では、前記絶縁膜をエッチングすると共に前記第2導電膜をエッチングする第1の第2導電膜エッチング工程を含み、
前記柱状体形成工程では、前記絶縁膜をエッチングすると共に前記第2導電膜をエッチングする第2の第2導電膜エッチング工程を含む、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において
前記第1の第2導電膜エッチング工程では、前記第2導電膜をエッチングすると共に、前記層間膜をエッチングする工程を含み、
前記第2の前記第2の第2導電膜エッチング工程では、前記第2導電膜をエッチングすると共に、前記層間膜をエッチングする工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1マスクは、前記第1方向と直交する方向に第1ピッチで繰り返して複数配置され、
前記第2マスクは、前記第2方向と直交する方向に第2ピッチで繰り返して複数配置され、
前記第1マスクと前記第2マスクが交わるそれぞれの領域に、前記柱状体がそれぞれ形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1方向と前記第2方向は直交していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記第1のマスク形成工程と第2のマスク形成工程とは、前記第1ピッチと第2ピッチとが等しくなるように行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2記載の半導体装置の製造方法において、
前記層間膜を形成する工程の前に、さらに
前記半導体基板上に、一方が前記第2導電膜と電気的に接続されるソース・ドレイン領域を備えるトランジスタを形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項7記載の半導体装置の製造方法において、
前記トランジスタを形成する工程では、
前記半導体基板に、柱状部を形成する工程と、
前記柱状部の底部に第1ソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記柱状部の上部に前記第1導電膜と電気的に接続される第2ソース・ドレイン領域を形成する工程と、
前記複数の柱状部のそれぞれの側面にゲート絶縁膜を介して複数のゲート電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8記載の半導体装置の製造方法において、さらに
前記半導体基板に、前記第1方向あるいは前記第2方向に延在し、前記第1ソース・ドレイン領域と接続されるビット線を形成する工程と、
前記複数のゲート電極に接続し、前記ビット線が延在する方向に対して直交する方向に延在するワード線を形成する工程を、さらに有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項6記載の半導体装置の製造方法において、
前記電極形成工程の後に、さらに
前記電極を覆って第2絶縁膜を形成する工程と、
前記第2絶縁膜の上に第3導電膜から成る第2電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板上に形成され、その平面形状は第1方向に平行な2つの辺及び第1方向と異なる第2方向に平行な2つの辺から成る四辺を有し、絶縁膜から成る柱状体と、
前記柱状体の側面に形成された第1導電膜から成る電極と、
前記半導体基板上に形成された層間膜と、
前記層間膜に形成されたコンタクトホール内から前記層間膜上にかけて形成された第2導電膜を備え、
前記柱状体は、前記絶縁膜の下に位置する前記第2導電膜を含むことを特徴とする半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置において
前記柱状体は、前記第1方向と前記第2方向のそれぞれに沿って並進対称に繰り返して複数個配置されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項12記載の半導体装置において
前記第1方向と前記第2方向は直交していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項13記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、
ゲート電極、及び第1ソース・ドレイン領域、及び前記第1導電膜に接続される第2ソース・ドレイン領域を備えるトランジスタと、
前記ゲート電極に接続され前記第1方向に延在するワード線と、
前記第1ソース・ドレイン領域に接続され前記第2方向に延在するビット線を有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項14記載の半導体装置において、
加工寸法をFとして、前記ワード線は前記第2方向に2Fピッチで複数個配列され、前記ビット線は前記第1方向に2Fピッチで複数個配列され、
前記積層体は、前記ワード線と前記ビット線の複数の交点に、それぞれ配置されている
ことを特徴とする半導体装置。 - 請求項15記載の半導体装置において
前記トランジスタは、
半導体材料から成る半導体柱状部を有し、
前記半導体柱状部の側面に、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極が形成され、
前記半導体柱状部の下部に前記第1ソース・ドレイン領域が形成され、
前記半導体柱状部の上部に前記第2ソース・ドレイン領域が形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009123778A JP5588123B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
US12/781,429 US8372724B2 (en) | 2009-05-22 | 2010-05-17 | Device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009123778A JP5588123B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010272714A JP2010272714A (ja) | 2010-12-02 |
JP5588123B2 true JP5588123B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=43124013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009123778A Active JP5588123B2 (ja) | 2009-05-22 | 2009-05-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8372724B2 (ja) |
JP (1) | JP5588123B2 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012204560A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013045894A (ja) * | 2011-08-24 | 2013-03-04 | Rexchip Electronics Corp | 補助電極構造を備えた立体型dram |
US8575584B2 (en) * | 2011-09-03 | 2013-11-05 | Avalanche Technology Inc. | Resistive memory device having vertical transistors and method for making the same |
US9343545B2 (en) * | 2013-03-06 | 2016-05-17 | International Business Machines Corporation | Electrical coupling of memory cell access devices to a word line |
KR20140129787A (ko) * | 2013-04-30 | 2014-11-07 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 하드마스크구조물 및 그를 이용한 반도체장치의 미세 패턴 형성 방법 |
US9171862B2 (en) * | 2014-01-24 | 2015-10-27 | Macronix International Co., Ltd. | Three-dimensional memory and method of forming the same |
CN104810326B (zh) * | 2014-01-28 | 2017-09-08 | 旺宏电子股份有限公司 | 三维存储器及其制造方法 |
US9911693B2 (en) * | 2015-08-28 | 2018-03-06 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices |
CN109155310B (zh) | 2016-08-31 | 2023-03-31 | 美光科技公司 | 存储器单元及存储器阵列 |
EP3507802A4 (en) | 2016-08-31 | 2020-04-08 | Micron Technology, Inc. | DETECTION AMPLIFIER STRUCTURES |
US10157926B2 (en) | 2016-08-31 | 2018-12-18 | Micron Technology, Inc. | Memory cells and memory arrays |
CN109155145B (zh) | 2016-08-31 | 2022-11-01 | 美光科技公司 | 存储器阵列 |
US10355002B2 (en) | 2016-08-31 | 2019-07-16 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, methods of forming an array of two transistor-one capacitor memory cells, and methods used in fabricating integrated circuitry |
EP3507832A4 (en) | 2016-08-31 | 2020-04-08 | Micron Technology, Inc. | MEMORY CELLS AND MEMORY MATRICES |
WO2018044454A1 (en) | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Micron Technology, Inc. | Memory cells and memory arrays |
WO2018132250A1 (en) | 2017-01-12 | 2018-07-19 | Micron Technology, Inc. | Memory cells, arrays of two transistor-one capacitor memory cells, methods of forming an array of two transistor-one capacitor memory cells, and methods used in fabricating integrated circuitry |
EP3676835A4 (en) | 2017-08-29 | 2020-08-19 | Micron Technology, Inc. | MEMORY CIRCUIT |
US11217589B2 (en) * | 2019-10-04 | 2022-01-04 | Nanya Technology Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US11201154B2 (en) | 2019-12-27 | 2021-12-14 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming an apparatus including device structures including pillar structures, and related memory devices, and electronic systems |
CN117337049A (zh) * | 2020-06-16 | 2024-01-02 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件及其制作方法 |
US11961881B2 (en) * | 2020-08-13 | 2024-04-16 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure |
CN114256417A (zh) * | 2020-09-22 | 2022-03-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 电容结构及其形成方法 |
EP4002437B1 (en) | 2020-09-22 | 2023-08-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Method of forming a contact window structure |
US11929280B2 (en) | 2020-09-22 | 2024-03-12 | Changxin Memory Technologies, Inc. | Contact window structure and method for forming contact window structure |
US20220139918A1 (en) * | 2020-10-29 | 2022-05-05 | Sang-Yun Lee | Novel Three-Dimensional DRAM Structures |
CN117320436A (zh) * | 2022-06-21 | 2023-12-29 | 长鑫存储技术有限公司 | 半导体结构及其制作方法、存储器 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0425171A (ja) | 1990-05-21 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
JPH05343638A (ja) * | 1992-06-04 | 1993-12-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
JPH1022457A (ja) * | 1996-07-03 | 1998-01-23 | Mitsubishi Electric Corp | 容量装置及び半導体装置並びにそれらの製造方法 |
JP2000150826A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2001102546A (ja) * | 1999-10-01 | 2001-04-13 | Nec Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2001189434A (ja) | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Fujitsu Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
JP4439766B2 (ja) * | 2001-08-02 | 2010-03-24 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
WO2003028112A1 (fr) * | 2001-09-20 | 2003-04-03 | Renesas Technology Corp. | Dispositif de circuit integre a semi-conducteur et son procede de fabrication |
JP4025171B2 (ja) | 2002-10-29 | 2007-12-19 | 日本冶金工業株式会社 | 耐食性、溶接性および表面性状に優れるステンレス鋼およびその製造方法 |
JP2007035915A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5466818B2 (ja) * | 2007-09-27 | 2014-04-09 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体装置 |
KR20090035775A (ko) * | 2007-10-08 | 2009-04-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 및 이를 형성하는 방법 |
KR20090108747A (ko) * | 2008-04-14 | 2009-10-19 | 삼성전자주식회사 | 가변적 원자층 적층 온도를 이용한 반도체 및 그 제조 방법 |
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2009
- 2009-05-22 JP JP2009123778A patent/JP5588123B2/ja active Active
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2010
- 2010-05-17 US US12/781,429 patent/US8372724B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20100295110A1 (en) | 2010-11-25 |
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JP2010272714A (ja) | 2010-12-02 |
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