JP5587917B2 - マイクロリソグラフィ投影露光装置 - Google Patents
マイクロリソグラフィ投影露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5587917B2 JP5587917B2 JP2011553289A JP2011553289A JP5587917B2 JP 5587917 B2 JP5587917 B2 JP 5587917B2 JP 2011553289 A JP2011553289 A JP 2011553289A JP 2011553289 A JP2011553289 A JP 2011553289A JP 5587917 B2 JP5587917 B2 JP 5587917B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- illumination
- optical surface
- mirror
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
- G03F7/70116—Off-axis setting using a programmable means, e.g. liquid crystal display [LCD], digital micromirror device [DMD] or pupil facets
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
- G03F7/70266—Adaptive optics, e.g. deformable optical elements for wavefront control, e.g. for aberration adjustment or correction
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70591—Testing optical components
- G03F7/706—Aberration measurement
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Lenses (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
図1は、投影光ビームを生成するための照明系12を含むDUV投影露光装置10の非常に簡略化した斜視図である。投影光ビームは、微細構造18を含むマスク16上の視野14を照明する。この実施形態では、照明視野14は、近似的にリングセグメントの形状を有する。しかし、他の例えば矩形の照明視野14の形状も考えられている。
図2は、図1に示しているDUV照明系12を通るより詳細な子午断面図である。明瞭化のために、図2の図は大幅に簡略化したものであり、正確な縮尺のものではない。特に、これは、様々な光学ユニットをごく少数の光学要素のみで表すことを意味する。現実には、これらのユニットは、かなり多くのレンズ及び他の光学要素を含む場合がある。
ミラーの向き、すなわち、傾斜軸56x、56y(図3を参照されたい)に対する傾斜角は、非常に正確に制御すべきである。これは、感光面22上に生成されるパターンが、ミラーMijの向きに依存する、系瞳面70内の強度分布の変化に非常に影響され易いことによる。
図5は、第1の実施形態による照明ユニット92を通る略子午断面図である。この実施形態では、照明部材は、2次元アレイで配置された光源104によって形成される。光源104は、本出願に特に適するレーザダイオード、例えば、垂直空洞面発光レーザ(VCSEL)として達成することができ、これは、これらのレーザダイオードは、密に充填することができるが、それにも関わらず個別に制御することができるからである。各光源104は、物体平面108を像平面112上に結像する結像系110の物体平面108に配置された光射出ファセット106を有する。
ps 2<5λd (1)
ここで、psは、光学面上に生成される測定光スポットの平均ピッチである。光学面がミラーMijによって形成される場合には、このピッチpsは、通常はミラーMijのピッチpmに等しくなる。上述の不等式では、dは、物体平面108と像平面112の間の距離を表し、λは、測定光の中心波長である。各光射出ファセットが、それ自体のレンズによってミラーMij上に結像された場合に不等式(1)が満たされると、回折が、ミラーMij上に生成される光スポットを測定精度の有意な低下をもたらす程度まで不鮮明にすることになる。
小さい光射出ファセット106を有する光源104は、大きい発散を有する測定光束94を余儀なく生成する。それによって結像系110の光学設計をより困難にし、通常は、大きい直径を有する光学要素の使用を意味する大きい幾何学的光学流束がもたらされる。
図8は、第3の実施形態による照明ユニット92を通る子午断面図である。図6及び図7に示している第2の実施形態とは対照的に、結像系110は、2つよりも多いが、全部ではない光射出ファセット106が配置される物体平面を各々が有する複数のサブ結像系を含む。図示の実施形態では、各々がそれぞれ2つの正のレンズ114a、116a、114b、116b、及び114c、116cを含む3つのサブ結像系が存在する。
Mps 2≧5λd (2)
ここで、M>2は、サブ結像系の最小直径が、光スポットのピッチpsを超える際の係数である(すなわち、最小直径はMpsである)。
図9は、図5に示している第1の実施形態に類似する第4の実施形態による照明ユニット92を通る子午断面図である。しかし、この実施形態では、結像系110は、第2のレンズ116と像平面112の間の距離がより大きいように構成される。それによって照明系12内の測定デバイス90の空間配列が簡素化される。更に、図5に図示の実施形態と比較して、測定光束34の開口数が減少する。それによって検出器光学系98の設計及び配列が容易になる。ここでもまた、照明部材103は、光源又は光源と集光器との組合せを含むことができる。
全ての上述の実施形態では、結像系110は、次式によって与えられる倍率βを有する。
|β|=R=ps/pf (3)
ここで、psは、ここでもまた、像平面112内のミラーMij上の測定光スポットの平均ピッチであり、pfは、物体平面104内の光射出ファセット106の平均ピッチである(図8を参照されたい)。
|β|=2・R=2・ps/pf (4)
|β|=N・ps/pf (5)
隣接するアレイ120aから120dの間の距離は、隣接する照明部材103の間のピッチpfよりもかなり大きいとすることができるので、アレイ120aから120dを別々のユニットとして、例えば、複数のレーザダイオードが形成された別々のダイとして製造することができる。図10及び図11に示している簡略化した実施形態では、これらのアレイは3×3=9個の照明部材103しか備えず、それに対してミラーアレイ46は36個のミラーMijを含む。照明部材103のより小さいアレイの製造はより簡単であり、通常はより高い製造収量をもたらす。更に、照明部材103の故障の場合には、故障した照明部材を含む1つの(小さい)アレイを交換するだけでよい。前に説明した実施形態では、密度に充填されたアレイ内で単一の光源を交換するのは通常は不可能であるから、光源のアレイ全体を交換すべきである。
別の利点は、アレイ120aから120dによって生成されるスポットの位置が、アレイ120aから120dの間の空間関係をレンズ114aから114dに対して緊密に変更することによって簡単に調節することができる点である。この利点は、ミラーアレイ46上の位置を異なるアレイ120aから120dの照明部材103によって照明することができるように冗長性を与える機能を含む。
上述の実施形態では、ミラーアレイ46は、結像系110の光軸に対して少なくとも実質的に垂直に配置することができることを仮定した。実際の系では、ミラーアレイ46を傾斜して照明しなければならず、これは、そうした場合にのみ、測定デバイス90のいかなる構成要素も投影光の伝播を遮蔽せず、ミラーMijから反射された測定光束94を検出器光学系98(図4を参照されたい)によって受光することを保証することができることによる。結像系110の物体平面106及び像平面112が、シャインプルーフ条件を満たす場合には、そのような斜照明を簡単に達成することができる。
照明部材103内に光源104の冗長性を与える手法を複数の照明部材103を通る子午断面図である図14に例示している。各照明部材103は、光源104のアレイ及び1つの集光器を含む。集光器は、全ての照明部材103に対して共通の基板124上に印加されたレンズ118によって形成される。一実施形態では、照明部材103の光源104のうちの1つのみが、所定の時点で作動している。
図15は、EUV放射線源30を有する照明系12、反射マスク16、及び投影対物系20を含むEUV投影露光装置の概略図である。対物系20は、支持体24上に付加された感光面22上にマスク16の縮小像を形成する6つのミラーM1からM6を含む。
104 照明部材
106 光射出ファセット
108 物体平面
110 光学結像系
112 像平面
Mij マイクロミラー
Claims (15)
- マイクロリソグラフィ投影露光装置であって、
光学面(46;M6)と、
前記光学面に関連するパラメータを該光学面上の複数の位置で測定するように構成された測定デバイス(90)と、
を含み、
前記測定デバイス(90)は、
a)i)測定光(94)を放出するように構成された光射出ファセット(106)を各々が有する複数の照明部材(103)、及び
ii)少なくとも2つの光射出ファセット(106)が配置された物体平面(108)と、前記光学面と少なくとも実質的に一致する像平面(112)との間の結像関係を共通の結像系によって確立し、それによって該少なくとも2つの光射出ファセット(106)の像である複数の測定光スポットを該光学面上に生成する光学結像系(110)、
を含む照明ユニット(92)と、
b)測定光の特性をそれが前記測定光スポットにおいて前記光学面と相互作用した後に測定するように構成された検出器ユニット(96)と、
c)前記検出器ユニット(96)によって判断された前記測定光の前記特性に基づいて、前記位置の各々に対して前記面関連パラメータを判断するように構成された評価ユニット(102)と、
を含む、
ことを特徴とする装置。 - 前記光学面(46;M6)に関連し、かつ複数の位置で測定される前記パラメータは、該光学面の形状を定めることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記光学面(46;M6)を変形するように構成された面変形ユニット(130)を含むことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の装置。
- 前記光学面(46;M6)は、それが前記測定光の少なくとも実質的な部分を反射するように構成されることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の装置。
- 前記光学面(46)は、入射光線を制御信号に応じて可変である反射角で反射するようになったミラー(Mij)のアレイによって形成されることを特徴とする請求項1に記載の装置。
- 前記ミラー(Mij)は、少なくとも1つの傾斜軸(56x,56y)によって傾斜されるように構成されることを特徴とする請求項5に記載の装置。
- ミラー(46)の前記アレイは、装置の照明系(12)に配置され、
前記ミラー(Mij)は、前記照明系(12)の系瞳面(70)の方向に投影光を向ける、
ことを特徴とする請求項5又は請求項6に記載の装置。 - dが、前記光射出ファセット(106)と前記光学面(46;M6)の間の平均距離であり、psが、該光学面上に生成された前記光スポットの平均ピッチであり、かつλが、前記測定光の中心波長である時に、ps 2<5λdという条件が成り立つことを特徴とする請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の装置。
- 少なくとも1つの照明部材(103)が、
a)測定光を生成するようになった測定光源(104)と、
b)前記測定光源(104)によって生成された前記測定光の発散を低減するように該測定光の光路に配置された集光器(118)と、
を含む、
ことを特徴とする請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の装置。 - 少なくとも1つの照明部材が、前記光学面(46;M6)上の同じ光スポットに測定光を向ける少なくとも2つの測定光源(図14の104)を含むことを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の装置。
- 前記少なくとも2つの測定光源(104)は、前記集光器(118)の後焦点面に配置されることを特徴とする請求項9及び請求項10に記載の装置。
- 前記結像系(110)は、少なくとも2つのサブ結像系を含み、
各サブ結像系は、前記照明ユニット(92)に収容された2つ又はそれよりも多くであるが、全部ではない光射出ファセット(図8及び図10の106)が配置された物体平面を有する、
ことを特徴とする請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の装置。 - 前記サブ結像系(114a,116;114b,116)は、|β|=N・Rである倍率βを有し、ここで、N=2,3,4,...であり、R=ps/pfは、前記光学面(46;M6)上に生成された前記光スポットの平均psピッチと隣接する光射出ファセット(106)の平均ピッチpfとの間の比であることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか1項に記載の装置。
- 前記照明ユニットは、n≧N2個の照明サブユニットに再分割され、
各照明サブユニットは、前記照明部材(103)の一部を含み、該一部の光射出ファセット(106)は、前記結像サブユニットのうちの1つの前記物体平面に配置されている、
ことを特徴とする請求項13に記載の装置。 - 前記光学系の前記物体平面(図13の108)及び前記像平面(112)は、互いに対して傾斜されることを特徴とする請求項1から請求項14のいずれか1項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2009/001827 WO2010102649A1 (en) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | Microlithographic projection exposure apparatus |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012520554A JP2012520554A (ja) | 2012-09-06 |
JP5587917B2 true JP5587917B2 (ja) | 2014-09-10 |
Family
ID=41259537
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011553289A Active JP5587917B2 (ja) | 2009-03-13 | 2009-03-13 | マイクロリソグラフィ投影露光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8854604B2 (ja) |
JP (1) | JP5587917B2 (ja) |
CN (1) | CN102349026B (ja) |
TW (1) | TWI497221B (ja) |
WO (1) | WO2010102649A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5337304B2 (ja) * | 2009-07-17 | 2013-11-06 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそこに収容される光学面に関連するパラメータを測定する方法 |
DE102010062720B4 (de) | 2010-12-09 | 2012-07-12 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV-Lithographiesystem |
US20140340663A1 (en) * | 2011-09-16 | 2014-11-20 | Asml Netherlands B.V. | Apparatus for Monitoring a Lithographic Patterning Device |
US9785051B2 (en) | 2012-10-15 | 2017-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Actuation mechanism, optical apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing devices |
CN111147836B (zh) | 2015-05-06 | 2022-08-05 | 杜比实验室特许公司 | 图像投影中的热补偿 |
CN107290937B (zh) | 2016-03-31 | 2018-10-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种投影曝光装置及方法 |
TWI825023B (zh) * | 2017-08-24 | 2023-12-11 | 日商索尼股份有限公司 | 光造型裝置、發光控制方法及發光控制程式 |
CN114325889A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 拓荆科技股份有限公司 | 光学照明装置及光学改性设备 |
CN114325891A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 拓荆科技股份有限公司 | 反射模块、光学照明装置及光学改性设备 |
CN114280701A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-05 | 拓荆科技股份有限公司 | 光学照明装置及光学改性设备 |
CN114371522A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-19 | 拓荆科技股份有限公司 | 光学照明装置及光学改性设备 |
CN114325890A (zh) * | 2021-12-30 | 2022-04-12 | 拓荆科技股份有限公司 | 光学照明装置及光学改性设备 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL9100410A (nl) * | 1991-03-07 | 1992-10-01 | Asm Lithography Bv | Afbeeldingsapparaat voorzien van een focusfout- en/of scheefstandsdetectie-inrichting. |
JP3927774B2 (ja) * | 2000-03-21 | 2007-06-13 | キヤノン株式会社 | 計測方法及びそれを用いた投影露光装置 |
US6737662B2 (en) | 2001-06-01 | 2004-05-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, control system, computer program, and computer program product |
JP4324957B2 (ja) | 2002-05-27 | 2009-09-02 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置および露光方法 |
JP2004056125A (ja) * | 2002-06-20 | 2004-02-19 | Nikon Corp | 個別アクチュエータを有する反射投影光学系 |
KR100480620B1 (ko) | 2002-09-19 | 2005-03-31 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 미러 어레이를 구비한 노광 장치 및 이를 이용한노광 방법 |
DE10327733C5 (de) | 2003-06-18 | 2012-04-19 | Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung zur Formung eines Lichtstrahls |
KR101159867B1 (ko) | 2003-09-12 | 2012-06-26 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로리소그래피 투사 노출 장치용 조명 시스템 |
KR101170182B1 (ko) | 2004-02-17 | 2012-08-01 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 마이크로 리소그래피 투영 노광 장치용 조명 시스템 |
JP4843272B2 (ja) * | 2004-07-31 | 2011-12-21 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光学システム |
US20060087634A1 (en) | 2004-10-25 | 2006-04-27 | Brown Jay M | Dynamic illumination uniformity and shape control for lithography |
US7170584B2 (en) * | 2004-11-17 | 2007-01-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7548302B2 (en) * | 2005-03-29 | 2009-06-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7332733B2 (en) * | 2005-10-05 | 2008-02-19 | Asml Netherlands B.V. | System and method to correct for field curvature of multi lens array |
JP2007150295A (ja) * | 2005-11-10 | 2007-06-14 | Carl Zeiss Smt Ag | ラスタ要素を有する光学装置、及びこの光学装置を有する照射システム |
US7525642B2 (en) * | 2006-02-23 | 2009-04-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7804603B2 (en) * | 2006-10-03 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Measurement apparatus and method |
US7493814B2 (en) * | 2006-12-22 | 2009-02-24 | The Boeing Company | Vibratory gyroscope with parasitic mode damping |
EP2511765B1 (de) * | 2007-02-06 | 2019-04-03 | Carl Zeiss SMT GmbH | Regelvorrichtung zur Regelung einer flächigen Anordnung individuell ansteuerbarer Strahlablenkungselemente in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage |
DE102008040742A1 (de) * | 2007-08-02 | 2009-02-05 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung von Mehrfachspiegelanordnungen, optische Anordnung mit einer derartigen Vorrichtung sowie mit einer zweiten Mehrfachspiegelanordnung zum Ein- und Ausschalten einer ersten Mehrfachspiegelanordnung sowie Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Vorrichtung |
WO2009080310A1 (en) | 2007-12-21 | 2009-07-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Illumination system for a microlithographic projection exposure apparatus |
DE102008050446B4 (de) | 2008-10-08 | 2011-07-28 | Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 | Verfahren und Vorrichtungen zur Ansteuerung von Mikrospiegeln |
-
2009
- 2009-03-13 JP JP2011553289A patent/JP5587917B2/ja active Active
- 2009-03-13 CN CN200980157991.1A patent/CN102349026B/zh active Active
- 2009-03-13 WO PCT/EP2009/001827 patent/WO2010102649A1/en active Application Filing
-
2010
- 2010-02-01 TW TW099102784A patent/TWI497221B/zh active
-
2011
- 2011-08-23 US US13/215,616 patent/US8854604B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012520554A (ja) | 2012-09-06 |
WO2010102649A1 (en) | 2010-09-16 |
US8854604B2 (en) | 2014-10-07 |
US20120002185A1 (en) | 2012-01-05 |
TWI497221B (zh) | 2015-08-21 |
CN102349026B (zh) | 2015-07-29 |
CN102349026A (zh) | 2012-02-08 |
TW201100971A (en) | 2011-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5587917B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置 | |
JP5337304B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置及びそこに収容される光学面に関連するパラメータを測定する方法 | |
US9977333B2 (en) | Illumination system for illuminating a mask in a microlithographic exposure apparatus | |
JP5863974B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の投影対物レンズ | |
US9523922B2 (en) | Illumination system of a microlithographic projection exposure apparatus having a temperature control device | |
JP5727005B2 (ja) | 光学系及びマルチファセットミラー | |
JP5525608B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置においてマスクを照明するための照明系 | |
JP6016169B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の照明系 | |
JP5918858B2 (ja) | マイクロリソグラフィ投影露光装置の光変調器及び照明系 | |
KR20140063761A (ko) | 공간 광 변조기의 검사 방법 및 장치, 및 노광 방법 및 장치 | |
WO2013053692A1 (en) | Collector | |
US10444631B2 (en) | Method of operating a microlithographic projection apparatus and illumination system of such an apparatus | |
JP2018531412A5 (ja) | ||
JP2018531412A6 (ja) | マイクロリソグラフィ投影装置を動作させる方法およびそのような装置の照明システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130529 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130529 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130829 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130905 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131129 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140602 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140702 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140707 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5587917 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |