JP5579931B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
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Description
図1に示すように、撮像装置10は、裏面照射型撮像装置であり、配線層13、素子基板14、裏面電極15、カラーフィルタ16、マイクロレンズ17等を備える。配線層13、素子基板14、カラーフィルタ16、マイクロレンズ17は、この順に支持基板49(図16参照)上に積層される。支持基板は、後述するように例えばシリコン基板からなる。
まず、図7に示すように、素子基板14の表裏に絶縁膜26を形成する(絶縁膜形成工程)。絶縁膜26は、熱酸化膜(SiO2)であり、厚さは、例えば10〜50nm程度である。また、図示しないが、反射防止膜(SiN等)を設ける場合には、ここで形成する絶縁膜26上、あるいは、後述の裏面電極15上に設けても良く、絶縁膜27上に設けても良い。以下では、反射防止膜を形成しない例を説明する。
なお、上述の第1実施形態では、全ての画素31に対して共通に1つの裏面電極15が設けられている例を説明したが、裏面電極15を、複数に区分けされた個別電極で構成しても良い。この構成は、立体視用の画像(いわゆる3D画像)や位相差AFのために、2つの画素31を一組にして、左右(あるいは上下)に視差のある像を撮像する撮像装置に特に好適である。
なお、上述の第2実施形態では、列方向(Y方向)に帯状の裏面電極63a,63bを設ける例を説明したが、以下に第3実施形態として説明するように、個別裏面電極が行方向(X方向)に帯状に分割して設けられている。
13 配線層
14 素子基板
15,63,67,72 裏面電極
31 画素
32,73 n+拡散層
36 蓄積層
37 シリコン−絶縁層界面
38 電子反転層
39 ホール蓄積層
Claims (20)
- 入射光量に応じた信号電荷を発生し、前記信号電荷を蓄積するフォトダイオードが複数形成され、表面に前記フォトダイオードを制御する配線層が形成されるとともに、裏面から前記フォトダイオードに光が入射される素子基板と、
前記素子基板の前記裏面に設けられ、前記フォトダイオードの動作制御のタイミングに応じた電圧が印加されることにより、前記素子基板の前記裏面近傍のポテンシャルを変調する裏面電極と、
前記素子基板に設けられ、前記裏面電極に正電圧が印加されたときに前記素子基板の前記裏面近傍に形成される電子反転層と前記信号電荷を蓄積する前記フォトダイオードとを、単調に変化するポテンシャル勾配にて連結し、前記電子反転層に流入した前記信号電荷を排出する電荷排出路と、を備える固体撮像装置。 - 前記裏面電極には、前記フォトダイオードが光の入射を受けて前記信号電荷を蓄積する蓄積期間に正電圧が印加され、前記フォトダイオードが前記信号電荷を蓄積する蓄積領域と分離して、前記素子基板の前記裏面近傍に電子反転層を形成する請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極には、前記フォトダイオードが光の入射を受けて前記信号電荷を蓄積する蓄積期間に負電圧が印加され、前記素子基板の前記裏面近傍にホール蓄積層を形成する請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極には、前記信号電荷を破棄するリセット期間に正電圧が印加され、前記フォトダイオードと連結するように、前記素子基板の前記裏面近傍に電子反転層を形成する請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極には、前記信号電荷を破棄するリセット期間に正電圧と負電圧が交互に印加される請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極は、複数の前記フォトダイオードを覆うように一様に設けられている請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極として、複数の前記フォトダイオードを分離する素子分離領域上に設けられた第1電極と、前記各フォトダイオード上に設けられた第2電極とを備え、
前記第1電極は前記フォトダイオードの動作に応じた電圧が印加され、前記素子分離領域の近傍のポテンシャルを前記フォトダイオードの動作に応じて変調し、
前記第2電極は前記フォトダイオード上の前記裏面近傍にホール蓄積層を形成する請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第2電極は、負電圧が印加されることにより、前記フォトダイオード上の前記裏面近傍にホール蓄積層を形成する請求項7に記載の固体撮像装置。
- 前記第1電極及び前記第2電極は、前記フォトダイオードの配列の列方向に沿って設けられている請求項7に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極は、複数の前記フォトダイオードを分離する素子分離領域上に設けられ、
前記フォトダイオード上には、分極により前記フォトダイオードの前記裏面近傍にホール蓄積層を形成する強誘電体薄膜を備える請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記裏面電極は、複数の前記フォトダイオードを分離する素子分離領域上に設けられ、
前記フォトダイオード上には、固定電荷が注入された誘電体薄膜を備え、
前記誘電体薄膜は、前記固定電荷によって前記フォトダイオード上の前記裏面近傍にホール蓄積層を形成する請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記裏面電極は、前記フォトダイオードの行毎に設けられ、各々に電圧が印加される複数の個別電極を備える請求項1に記載の固体撮像装置。
- 各々の前記個別電極に印加する電圧を調節して、前記電子反転層に流入した前記信号電荷を、前記フォトダイオードの列方向に転送する請求項12に記載の固体撮像装置。
- 前記個別電極には所定の正電圧を印加して、前記フォトダイオードと連結するように前記電子反転層を形成することにより、前記信号電荷を前記電子反転層に流入させ、前記電子反転層によって前記信号電荷を転送する請求項13に記載の固体撮像装置。
- 前記電子反転層によって前記信号電荷を転送するときに、複数の前記フォトダイオードから取得した前記信号電荷を加算する請求項14に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極は、前記フォトダイオード上に開口が位置するように、複数の前記フォトダイオードを分離する素子分離領域上に網目状に設けられている請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極は、前記フォトダイオードの列毎または行毎に分離して設けられた複数の個別電極を備える請求項16に記載の固体撮像装置。
- 前記裏面電極は遮光材料からなる請求項16に記載の固体撮像装置。
- 前記フォトダイオードが配列された画素部の周囲に、当該固体撮像装置の動作を制御する周辺回路を備え、
前記周辺回路に対応する前記裏面に、第2の裏面電極が設けられている請求項1に記載の固体撮像装置。 - 前記第2の裏面電極は、表面のデジタル回路領域とアナログ回路領域とに分けて設けられている請求項19に記載の固体撮像装置。
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