JP5578665B2 - 熱電変換素子及びその製造方法 - Google Patents
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なお、電気伝導率を増大するためには、(1)移動度(単位:cm2/Vs)の高い材料を用いること、(2)材料中のキャリア濃度(単位:1/cm3)を高めてやることが必要となる。
Z=σS2/κ (式1)
即ち、ナノレベルで平坦な支持基板2の表面上には分子が規則正しく配列し易く移動度の高い高性能な薄膜を得ることができ、反面、乱雑な凹凸のある支持基板2の表面上に積層した分子は乱雑な配列になる傾向があり移動度の低い薄膜となってしまうために、支持基板2の表面は平坦度が高い方が好ましいのである。
ここで、シートコンダクタンスとは、支持基板2と平行な2次元平面上での電気の流れやすさを表現する尺度である。
この理由はキャリア発生層4からキャリア輸送層3へ供給されたキャリアの大多数がキャリア発生層4とキャリア輸送層3との界面近傍10nm程度の範囲に分布しているからと考えられる。
一方、10nmの膜厚時には表面粗さ(rms)が4.84nm、20nmの膜厚時には表面粗さ(rms)が6.58nmといった具合に、6nmから10nm、20nmと膜厚を更に大きくしていくと、ペンタセン薄膜の表面は粗くなっていることが分かる(図3(c)及び図3(d)参照)。
そのために、キャリア輸送層3の厚さが6nmである場合に、電気伝導率が最大値を有することとなる。なお、このことは、図2(c)からも明らかである。
よって、通常ドーピングを施した熱電変換素子よりも、本発明を適用した熱電変換素子のほうが高いパワーファクターを得られることが明白である。
2支持基板
3キャリア輸送層
4キャリア発生層
5電極
6HMDS被膜
7ペンタセン薄膜
Claims (8)
- 真性有機半導体材料から構成されたキャリア輸送層と、
該キャリア輸送層に隣接して設けられると共に、前記キャリア輸送層に所定のキャリアを供給可能なキャリア発生層とを備える
熱電変換素子。 - 前記キャリア輸送層及び前記キャリア発生層は、低分子材料によって構成された
請求項1に記載の熱電変換素子。 - 前記キャリア輸送層は、その材料のキャリア移動度が0.1cm2/Vs以上であると共に、前記キャリア発生層からキャリアが供給された際の電気伝導率が0.1S/cm以上である
請求項1または請求項2に記載の熱電変換素子。 - 前記キャリア発生層は、
その材料と前記キャリア輸送層材料との電荷移動量が0.5以上であると共に、ドナー型有機材料の場合はHOMO準位が−4eV以上であり、アクセプター型有機材料の場合はLUMO準位が−5eV以下である
若しくは、
その材料と前記キャリア輸送層材料との電荷移動量が0.5以上であると共に、ドナー型無機材料の場合はフェルミ準位が−4eV以上であり、アクセプター型無機材料の場合はフェルミ準位が−5eV以下である
請求項1、請求項2または請求項3に記載の熱電変換素子。 - 前記キャリア輸送層材料は、アントラセン若しくはその誘導体、テトラセン若しくはその誘導体、ペンタセン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、フラーレン若しくはその誘導体、グラフェン若しくはその誘導体、ピセン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリジアセチレン若しくはその誘導体のいずれかである
請求項1、請求項3または請求項4に記載の熱電変換素子。 - 前記キャリア発生層は、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、ジクロロジシアノベンゾキノン、三酸化モリブデン、三酸化タングステン、ジベンゾテトラチアフルバレン、ビスエチレンジチオテトラチアフルバレン、ビスシクロペンタジエニルの金属錯体若しくはその誘導体、アクリジンオレンジベース、炭酸セシウム、フッ化リチウムのいずれかである
請求項1、請求項3、請求項4または請求項5に記載の熱電変換素子。 - 真性有機半導体材料によりキャリア輸送層を形成すると共に、該キャリア輸送層に隣接して同キャリア輸送層に所定のキャリアを供給可能なキャリア発生層を形成する工程を備える
熱電変換素子の製造方法。 - 前記キャリア輸送層及び前記キャリア発生層は、低分子材料を真空蒸着することにより形成する
請求項7に記載の熱電変換素子の製造方法。
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