JP6944168B1 - 熱電素子、発電装置、電子機器、及び熱電素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本実施形態における熱電素子1、及び発電装置100の一例を示す模式断面図である。
第1電極11及び第2電極12は、例えば第1方向Zに沿って離間して設けられる。第1電極11は、例えば基板51に接して設けられる。
ドナー層21及びアクセプター層22は、各電極11、12に挟まれ、互いに接して設けられる。ドナー層21及びアクセプター層22は、少なくとも1層を含む。ドナー層21は、第1電極11と接し、第2電極12と離間する。アクセプター層22は、第2電極12と接し、第1電極11と離間する。即ち、上述した各構成11、12、21、22は、第1電極11、ドナー層21、アクセプター層22、及び第2電極12の順に積層されて設けられる。
基板51は、例えば第1電極11と接し、第2電極12、ドナー層21、及びアクセプター層22と離間する。基板51は、第1電極11を固定する。基板51は、例えば第1基板51aと、第2基板51bとを含んでもよい。この場合、例えば図1(b)に示すように、第1基板51aは第1電極11と接し、第2基板51bは第2電極12と接する。
次に、本実施形態における熱電素子1の製造方法の一例を説明する。図3は、本実施形態における熱電素子1の製造方法の一例を示すフローチャートである。
第1電極形成工程S110は、第1電極11を形成する。第1電極形成工程S110では、例えば図1(a)に示した基板51上に、第1電極11を形成する。この際、例えば基板51に対して洗浄及びベーキングを実施したあと、第1電極11を形成する。第1電極11は、例えば減圧環境下でスパッタリング法又は真空蒸着法により形成される。
ドナー層形成工程S120は、第1電極11の表面に、少なくとも1層を含むドナー層21を形成する。ドナー層21は、例えば配向分極を示す有機物を用いて形成された層を含む。ドナー層21は、例えば減圧環境下でスパッタリング法又は真空蒸着法により形成される。
アクセプター層形成工程S130は、ドナー層21の表面に、少なくとも1層を含むアクセプター層22を形成する。アクセプター層22は、例えば配向分極を示す有機物を用いて形成された層を含む。アクセプター層22は、例えば減圧環境下でスパッタリング法又は真空蒸着法により形成される。
第2電極形成工程S140は、アクセプター層22の表面に、第2電極12を形成する。第2電極12は、例えば第1電極11よりも低い仕事関数を有する材料を用いて形成される。第2電極12は、例えば減圧環境下でスパッタリング法又は真空蒸着法により形成される。
次に、本実施形態における熱電素子1の変形例を説明する。上述した実施形態と、変形例との違いは、アクセプター層22が、2層以上の層を含む点である。なお、上述した構成と同様の内容については、説明を省略する。
次に、本実施形態における熱電素子1の製造方法の変形例を説明する。
次に、第2実施形態における熱電素子1の一例を説明する。上述した実施形態と、第2実施形態との違いは、遮蔽部61を備える点である。なお、上述した構成と同様の内容については、説明を省略する。
<電子機器500>
上述した熱電素子1及び発電装置100は、例えば電子機器に搭載することが可能である。以下、電子機器の実施形態のいくつかを説明する。
11 :第1電極
12 :第2電極
21 :ドナー層
22 :アクセプター層
51 :基板
51a :第1基板
51b :第2基板
61 :遮蔽部
100 :発電装置
101 :第1配線
102 :第2配線
500 :電子機器
501 :電子部品
502 :主電源
503 :補助電源
S110 :第1電極形成工程
S120 :ドナー層形成工程
S130 :アクセプター層形成工程
S140 :第2電極形成工程
X :第2方向
Y :第3方向
Z :第1方向
Claims (11)
- 電極間の温度差を不要とする熱電素子であって、
第1電極と、
前記第1電極と離間して設けられた第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、少なくとも1層を含むドナー層と、
前記ドナー層と前記第2電極との間に設けられ、少なくとも1層を含むアクセプター層と、
を備え、
前記ドナー層及び前記アクセプター層の少なくとも何れかは、配向分極を示す有機物を含むこと
を特徴とする熱電素子。 - 前記第1電極の仕事関数は、前記第2電極の仕事関数よりも高いこと
を特徴とする請求項1記載の熱電素子。 - 前記ドナー層及び前記アクセプター層は、固体であること
を特徴とする請求項2記載の熱電素子。 - 前記アクセプター層のLUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)は、前記ドナー層のHOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)とLUMOとの間であり、
前記アクセプター層のHOMOは、前記ドナー層のHOMOよりも高いこと
を特徴とする請求項1〜3の何れか1項記載の熱電素子。 - 前記アクセプター層は、
前記ドナー層と接する第1アクセプター層と、
前記第1アクセプター層と前記第2電極との間に設けられた第2アクセプター層と、
前記第2アクセプター層と前記第2電極との間に設けられた電子輸送層と、
を含み、
前記第1アクセプター層、前記第2アクセプター層、及び前記電子輸送層の少なくとも何れかは、配向分極を示す有機物を含むこと
を特徴とする請求項1〜4の何れか1項記載の熱電素子。 - 前記アクセプター層は、前記ドナー層と接し、2種類の材料を混合させた混合層を含むこと
を特徴とする請求項1〜4の何れか1項記載の熱電素子。 - 請求項1記載の熱電素子と、
前記第1電極と電気的に接続された第1配線と、
前記第2電極と電気的に接続された第2配線と、
を備えること
を特徴とする発電装置。 - 請求項1記載の熱電素子と、
前記熱電素子を電源に用いて駆動する電子部品と
を備えること
を特徴とする電子機器。 - 電極間の温度差を不要とする熱電素子の製造方法であって、
第1電極を形成する第1電極形成工程と、
少なくとも1層を含むドナー層を形成するドナー層形成工程と、
少なくとも1層を含むアクセプター層を形成するアクセプター層形成工程と、
第2電極を形成する第2電極形成工程と、
を備え、
前記ドナー層及び前記アクセプター層の少なくとも何れかは、配向分極を示す有機物を含むこと
を特徴とする熱電素子の製造方法。 - 前記ドナー層形成工程は、前記第1電極の表面に、前記ドナー層を形成し、
前記アクセプター層形成工程は、前記ドナー層の表面に、前記アクセプター層を形成し、
前記第2電極形成工程は、前記アクセプター層の表面に、減圧環境下で前記第2電極が形成され、
前記第1電極の仕事関数は、前記第2電極の仕事関数よりも高いこと
を特徴とする請求項9記載の熱電素子の製造方法。 - 前記アクセプター層形成工程は、
前記ドナー層の表面に、第1アクセプター層を形成する工程と、
前記第1アクセプター層の表面に、第2アクセプター層を形成する工程と、
前記第2アクセプター層の表面に、電子輸送層を形成する工程と、
を含み、
前記第2電極形成工程は、前記電子輸送層の表面に、前記第2電極を形成することを含み、
前記第1アクセプター層、前記第2アクセプター層、及び前記電子輸送層の少なくとも何れかは、配向分極を示す有機物を含むこと
を特徴とする請求項9又は10記載の熱電素子の製造方法。
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