JP5494303B2 - Tftアレイ検査装置および欠陥強度算出方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明のTFTアレイ検査装置の構成を説明するための概略図である。
図2〜4は、本発明の欠陥強度の算出動作の概略を説明するためのフローチャートおよび概略図である。
次に、本発明のTFTアレイ検査装置が備える信号処理部の構成例について図5を用いて説明する。
ここで示す算出例は、欠陥強度の算出を行う対象ピクセルに設定される抽出範囲に対して近傍する2つの抽出範囲を設定する。欠陥強度の算出は、対象ピクセル内の検出点を含む抽出範囲と、この抽出範囲に対して設定した2つの近傍の隣接する抽出範囲の計3つの抽出範囲についてそれぞれ平均強度を算出し、抽出範囲の位置を表す算出点と平均強度とを座標点とし、この3つの座標点を通る2次関数を算出し、算出した2次関数の極値を算出し、算出した極値を欠陥強度とする。
図11を用いて本発明の欠陥強度の別の算出例を説明する。
図12を用いて本発明の欠陥強度の算出例の変形例を説明する。
2 ステージ
3 電子銃
4 検出器
5 電子線走査制御部
6 ステージ駆動制御部
7 制御部
10 信号処理部
11 平均強度算出部
12 欠陥強度算出部
12a 関数算出部
12b 極値算出部
13 欠陥強度平均値算出部
14 記憶部
15 記憶部
16 記憶部
20 欠陥検出部
100 基板
101 パネル
102 ピクセル
104 強度分布
110 検出点
111 算出点
112A,112B,112C 抽出範囲
121 強度分布曲線
122 強度分布曲線
Q 極小値
Claims (10)
- TFT基板に所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、前記TFT基板に電子線を照射して得られる二次電子を検出し、前記二次電子の検出信号の信号強度に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFT基板アレイ検査において、
前記TFT基板のアレイ検査は、アレイに対応するピクセルについて、前記検出信号の信号強度から算出する欠陥強度を用いた欠陥検出により行い、
前記欠陥強度の算出は、
TFT基板上において、一ピクセルについて複数個所に電子線を照射して二次電子を検出して一ピクセル当たり複数個の検出信号を取得し、
前記複数個の検出信号から検出信号の強度分布の算出に使用する検出信号を抽出する抽出範囲を設定し、
各ピクセルについて、当該ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルの一部を含む少なくとも2つの抽出範囲の少なくとも3つの抽出範囲において、各抽出範囲内に含まれる検出信号の平均強度を算出し、
前記算出した平均強度と抽出範囲を代表する位置を座標点とする少なくとも3点を近似する関数を求め、
前記関数の極値を求め、
前記求めた極値を当該ピクセルの欠陥検出に用いる欠陥強度とすることを特徴とする、欠陥強度算出方法。 - 前記欠陥強度の算出を同一基板について複数回繰り返し、各算出で得られた欠陥強度を平均演算して欠陥強度平均値を算出し、算出した欠陥強度平均値を用いて欠陥検出することを特徴とする、請求項1に記載の欠陥強度算出方法。
- 前記抽出範囲は、前記ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルに対してTFT基板上のx軸方向、y軸方向、斜め方向の何れかの軸方向に隣接する2つの抽出範囲の計3つであり、
前記関数は前記各抽出範囲を代表する3点を通る二次関数であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の欠陥強度算出方法。 - 前記抽出範囲は、
前記ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルに対してTFT基板上のx軸方向およびy軸方向に隣接する4つの抽出範囲、
又は、
前記ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルに対してTFT基板上のx軸方向、y軸方向、および斜め方向に隣接する8つの抽出範囲であり、
前記関数は前記抽出範囲を代表する5点又は9点を通る曲面を近似する関数であることを特徴とする、請求項1又は2に記載の欠陥強度算出方法。 - 前記抽出範囲は、矩形状に配置される4個の検出信号を抽出する範囲であり、
前記平均強度は、前記4個の検出信号の信号強度の平均値により求めることを特徴とする、請求項1から4の何れか一つに記載の欠陥強度算出方法。 - TFT基板に所定電圧の検査信号を印加してアレイを駆動し、前記TFT基板に電子線を照射して得られる二次電子を検出し、前記二次電子の検出信号の信号強度に基づいてTFT基板のアレイを検査するTFT基板アレイ検査装置において、
前記検出信号の信号強度から予め定められた抽出範囲内の検出信号の平均強度を算出する平均強度算出部と、
前記検出信号の信号強度から前記欠陥強度を算出する欠陥強度算出部と
アレイに対応するピクセルについて、前記算出した欠陥強度を用いて欠陥検出を行う欠陥検出部とを備え、
TFT基板上において、一ピクセルについて複数個所に電子線を照射して二次電子を検出して検出信号を取得し、
平均強度算出部は、
一ピクセル当たり複数個の検出信号から検出信号の強度分布の算出に使用する検出信号を抽出する抽出範囲を設定し、
各ピクセルについて、当該ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルの一部を含む少なくとも2つの抽出範囲の少なくとも3つの抽出範囲において、各抽出範囲内に含まれる検出信号の平均強度を算出し、
前記欠陥強度算出部は、
前記算出した平均強度および抽出範囲を代表する位置を座標点とする少なくとも3点を近似する関数を求め、前記関数の極値を求め、前記求めた極値を当該ピクセルの欠陥検出に用いる欠陥強度として算出することを特徴とする、
TFTアレイ検査装置。 - 欠陥強度平均値算出部を備え、
前記平均強度算出部および前記欠陥強度算出部は、前記欠陥強度の算出を同一基板について複数回繰り返し、
前記欠陥強度平均値算出部は、前記繰り返して行う算出で得られた欠陥強度を平均演算して欠陥強度平均値を算出し、前記算出した欠陥強度平均値を用いて欠陥検出することを特徴とする、請求項6に記載のTFTアレイ検査装置。 - 前記抽出範囲は、前記ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルに対してTFT基板上のx軸方向、y軸方向、斜め方向の何れかの軸方向に隣接する2つの抽出範囲の計3つの抽出範囲であり、
前記関数は前記各抽出範囲を代表する3点を通る二次関数であることを特徴とする、請求項6又は7に記載のTFTアレイ検査装置。 - 前記抽出範囲は、
前記ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルに対してTFT基板上のx軸方向およびy軸方向に隣接する4つの抽出範囲、
又は、
前記ピクセルを含む抽出範囲、および当該ピクセルに対してTFT基板上のx軸方向、y軸方向、および斜め方向に隣接する8つの抽出範囲であり、
前記関数は前記抽出範囲を代表する5点又は9点を通る曲面を近似する関数であることを特徴とする、請求項6又は7に記載のTFTアレイ検査装置。 - 前記抽出範囲は、矩形状に配置される4個の検出信号を抽出する範囲であり、
前記平均強度は、前記4個の検出信号の信号強度の平均値により求めることを特徴とする、請求項6から9の何れか一つに記載のTFTアレイ検査装置。
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