JP5566141B2

JP5566141B2 - 粘接着剤組成物、粘接着シートおよび半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP5566141B2
Application number: JP2010057920A
Authority: JP
Inventors: 功市川; 正啓古館
Original assignee: Lintec Corp
Current assignee: Lintec Corp
Priority date: 2010-03-15
Filing date: 2010-03-15
Publication date: 2014-08-06
Anticipated expiration: 2030-03-15
Also published as: JP2011190354A

Description

本発明は、半導体素子（半導体チップ）を有機基板やリードフレームにダイボンディングする工程およびシリコンウエハ等をダイシングし且つ半導体チップを有機基板やリードフレームにダイボンディングする工程で使用するのに特に適した粘接着剤組成物および該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートならびに該粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法に関する。

シリコン、ガリウムヒ素などの半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片（ＩＣチップ）に切断分離（ダイシング）された後に次の工程であるマウント工程に移されている。この際、半導体ウエハは予め粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられた後、次工程のボンディング工程に移送される。

これらの工程の中でピックアップ工程とボンディング工程のプロセスを簡略化するために、ウエハ固定機能とチップ接着機能とを同時に兼ね備えたダイシング・ダイボンディング用粘接着シートが種々提案されている（たとえば、特許文献１〜４）。

特許文献１〜４には、特定の組成物よりなる粘接着剤層と、基材とからなる粘接着シートが開示されている。この粘接着剤層は、ウエハダイシング時には、ウエハを固定する機能を有し、さらにエネルギー線照射により接着力が低下し基材との間の剥離力がコントロールできるため、ダイシング終了後、チップのピックアップを行うと、粘接着剤層は、チップとともに剥離する。粘接着剤層を伴ったＩＣチップを基板に載置し、加熱すると、粘接着剤層中の熱硬化性樹脂が接着力を発現し、ＩＣチップと基板との接着が完了する。

上記特許文献に開示されている粘接着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、チップ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようになる。上記特許文献に開示されている粘接着剤は、エネルギー線硬化性成分として、低分子量のエネルギー線硬化性化合物が配合されてなる。エネルギー線照射によって、エネルギー線硬化性化合物が重合硬化し、接着力が低下し、基材からの粘接着剤層の剥離が容易になる。また上記の粘接着シートの粘接着剤層は、エネルギー線硬化および熱硬化を経た後には全ての成分が硬化し、チップと基板とを強固に接着する。

ところで、近年、半導体装置に対する要求物性は、非常に厳しいものとなっている。たとえば、厳しい熱湿環境下におけるパッケージ信頼性が求められている。しかし、半導体チップ自体が薄型化した結果、チップの強度が低下し、またそれを補うためにチップ裏面の粗度を小さくし抗折強度を持たせる技術が発展したため、上記粘接着シートの粘接着剤層と粗度の小さいチップ裏面との接着力が低下し、厳しい熱湿環境下におけるパッケージ信頼性は十分なものとは言えなくなってきた。

また、半導体装置内でチップの保持と外部との電気的導通を担う有機基板表面上の配線ピッチが狭くなり被着表面の粗度が大きくなっている。これに対し接着剤が被着表面の凹凸を十分埋め込むことができず、空気層（ボイド）が残り、上記パッケージ信頼性の難易度をさらに高めるものとなっている。

また近年電子部品の接続において行われている表面実装法ではパッケージ全体が半田融点以上の高温化にさらされる表面実装法（リフロー）が行われている。最近では環境への配慮から鉛を含まない半田への移行により実装温度が従来の２４０℃から２６０℃へと上昇し、半導体パッケージ内部で発生する応力が大きくなり、接着界面の剥離発生やパッケージクラック発生の危険性はさらに高くなっている。

すなわち、半導体チップの薄型化、有機基板の配線およびピッチの細線化および実装温度の上昇が、パッケージの信頼性低下を招いている。

特開平２−３２１８１号公報特開平８−２３９６３６号公報特開平１０−８００１号公報特開２０００−１７２４６号公報

このため、薄型化しつつある半導体チップを狭ピッチの有機基板上に実装した半導体パッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がない、高いパッケージ信頼性を実現することが要求されている。

本発明は上記のような従来技術に鑑みてなされたものであって、ダイボンドに使用される粘接着剤組成物に検討を加え、上記要求に応えることを目的としている。

本発明者らは、このような課題の解決を目的として鋭意研究した結果、ナフタレン骨格および／またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂を含む粘接着性組成物を用いて製造された半導体装置では、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、接着界面の剥離やパッケージクラックが発生しないことを見出した。エポキシ樹脂中のナフタレン骨格やアントラセン骨格の剛直で疎水性に優れる構造に起因して、硬化後の粘接着性組成物のガラス転移温度が高まると同時に吸水率が下がる。これにより接着界面の剥離やパッケージクラックの発生がなく、表面実装性（耐IRリフロー性）が維持され、つまり半導体パッケージの信頼性が向上すると考えられる。このような知見に基づいて、本発明者らは、本発明を完成させた。

本発明の要旨は以下のとおりである。
本発明の粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）、ナフタレン骨格および／またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）、および硬化剤（Ｃ）を含むことを特徴とする。

本発明の粘接着剤組成物は、硬化させた後のガラス転移温度が、１５０℃以上であることが好ましい。
本発明の粘接着剤組成物は、前記エポキシ樹脂（Ｂ）の、１５０℃における溶融粘度が１．０Ｐａ・ｓ以下であり、かつ軟化点が６０℃以上であることが好ましい。

本発明の粘接着剤組成物は、前記エポキシ樹脂（Ｂ）が、下記式（１）〜（３）で表わされる化合物であることが好ましい。

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）

（ただし、式中のＲ¹〜Ｒ⁴は、水素原子または下記式（４−１）で示される官能基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁴のうち少なくとも１つが、下記式（４−１）で示される官能基である。）

また、本発明の粘接着シートは、前記粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を、基材上に形成してなることを特徴とする。

本発明の粘接着シートは、半導体素子と基板のダイボンド部との接着に用いられることが好ましい。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップを形成し、前記ＩＣチップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、前記ＩＣチップを基板のダイパッド部上に前記粘接着剤層を介して熱圧着する工程を含むことを特徴とする。

本発明の該粘接着剤組成物、およびそれからなる粘接着剤層を有する粘接着シートは、薄型の半導体チップを狭ピッチの有機基板のダイパッド部上に実装した半導体パッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、被着体と粘接着剤組成物との間の剥離やパッケージクラックの発生を低減できるために、高いパッケージ信頼性を達成できる。

以下、本発明についてさらに具体的に説明する。
本発明に係る粘接着剤組成物は、アクリル重合体（Ａ）（以下「（Ａ）成分」とも言う。他の成分についても同様である。）、ナフタレン骨格および／またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）（以下「（Ｂ）成分」とも言う。）、硬化剤（Ｃ）を必須成分として含む。なお、本発明に係る粘接着剤組成物は、各種物性を改良するため、必要に応じ他の成分を含んでいてもよい。以下、これら各成分について具体的に説明する。

アクリル重合体（Ａ）；
アクリル重合体（Ａ）としては、公知のアクリル重合体を用いることができる。
アクリル重合体の重量平均分子量は１万以上２００万以下であることが好ましく、１０万以上１５０万以下であることがより好ましい。アクリル重合体の重量平均分子量が上記範囲にあれば、基材との剥離力の上昇が低減され、ピックアップ不良が起こりにくく、基板等の被着体表面の凹凸へ粘接着剤組成物が追従でき、ボイドなどの発生を低減することができる。

アクリル重合体のガラス転移温度は、好ましくは−６０℃以上０℃以下、さらに好ましくは−５０℃以上−１０℃以下、特に好ましくは−４０℃以上−２０℃以下の範囲にある。ガラス転移温度が上記範囲にあると、粘接着剤層と基材との剥離力が大きくなることを防ぎ、チップのピックアップ不良の発生を低減するとともに、ウエハを固定するのに十分な接着力を発揮できる。

また、このアクリル重合体（Ａ）を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体が挙げられ、より具体的には、アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレート、環状骨格を有する（メタ）アクリレート、水酸基を有する（メタ）アクリレート、カルボキシル基を有する（メタ）アクリレート等が挙げられる。

アルキル基の炭素数が１〜１８であるアルキル（メタ）アクリレートとしては、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。

環状骨格を有する（メタ）アクリレートとしては、例えばシクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、イソボルニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、イミドアクリレート等が挙げられる。

水酸基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレートが挙げられる。

また、アクリル重合体（Ａ）は、上記の（メタ）アクリル酸エステルモノマーあるいはその誘導体の他に、カルボキシル基を含有する不飽和単量体としてアクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、カルボキシル基を有する（メタ）アクリレートとしてグリシジルメタクリレート、グリシジルアクリレート、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等が共重合されてなるものであってもよい。なお、エポキシ樹脂との相溶性が良いという観点から、アクリル重合体（Ａ）が、分子中に水酸基を有していることが好ましい。

エポキシ樹脂（Ｂ）；
エポキシ樹脂（Ｂ）は、下記式（１）で表わされるナフタレン骨格または下記式（２）で表わされるアントラセン骨格を有する。

ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）としては、例えば、下記式（３）〜（５）で表される化合物が挙げられる。

また、式（４）で表わされる化合物としては、例えば、式（４Ａ）で表わされる化合物が挙げられる。
アントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）としては、例えば、下記式（６）で表される化合物が挙げられる。

なお、本発明の粘接着剤組成物に含まれるエポキシ樹脂（Ｂ）は、１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

（但し、式中のｎは、０〜１０の整数を表す。）

（但し、式中のRは水素原子、またはメチル基を表す。）

有機基板等の被着体表面の凹凸へ粘接着剤組成物を追従させるという観点から、エポキシ樹脂（Ｂ）の１５０℃における溶融粘度は、１．０Ｐａ・ｓ以下であることが好ましく、０．９Ｐａ・ｓ以下であることがより好ましく、０．０１〜０．９であることがさらに好ましい。

また、ダイシング時にブレードとシリコンウェハおよび粘接着剤組成物との摩擦により発生する熱で粘接着剤組成物が溶融しチップ保持機能が低下することを防止するという観点から、エポキシ樹脂（Ｂ）の軟化点は、６０℃以上であることが好ましく、８０〜１５０℃であることがより好ましい。１５０℃より高温であると、ボンディング時に溶融することが出来ず十分な凹凸追従性を得られない場合がある。

本発明において、エポキシ樹脂（Ｂ）の１５０℃における溶融粘度および軟化点は、実施例の方法で測定することができる。
本発明の粘接着剤組成物には、アクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して、エポキシ樹脂（Ｂ）が、好ましくは１〜１５００重量部含まれ、より好ましくは３〜１０００重量部含まれる。エポキシ樹脂の配合量が上記範囲であると、十分な被着体との接着性が得られ、かつ安定してシート状に加工することができ、粘接着剤組成物からなる粘接着剤層の表面上のハジキ、スジといった不具合の発生を低減できる。

本発明の粘接着剤組成物は、ナフタレン骨格またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）を含むことで、エポキシ樹脂中のナフタレン骨格やアントラセン骨格の剛直で疎水性に優れる構造に起因して、一般に硬化後の粘接着剤組成物のガラス転移温度が高くなるとともに吸水率が低くなる。

すなわち、本発明の粘接着剤組成物は、硬化後の粘接着剤組成物のガラス転移温度を高くすることにより、耐熱性を向上させることができると同時に吸水率が低くなるために、実装温度で十分な接着性を発現することができ、さらに、常温での加工性を維持しつつ、粘接着剤組成物を被着体の表面凹凸に十分埋め込むことができる。そのために、本発明の粘接着剤組成物を使用して接着された被着体と粘接着剤組成物との間にはボイドが発生せず、信頼性を向上できる。例えば、本発明の粘接着剤組成物は、半導体素子と基板のダイボンド部との接着に用いられる粘接着剤組成物（ダイボンド用粘接着剤組成物）ことが好ましい。ダイボンド用粘接着剤組成物として、本発明の粘接着剤組成物により半導体チップと基板とを接着して、パッケージを製造した場合、当該パッケージには、厳しいリフロー条件に曝されても、接着界面の剥離やパッケージクラックが発生しない、または、極めて発生し難い。
硬化後の粘接着剤組成物のガラス転移温度を高くするという観点から、エポキシ樹脂（Ｂ）のエポキシ基は多官能型であることが好ましい。

エポキシ樹脂（ｂ´）；
また、本発明の粘接着剤組成物は、エポキシ樹脂（Ｂ）以外のエポキシ樹脂（以下「エポキシ樹脂（ｂ′）」という。））を含んでいてもよい。

このようなエポキシ樹脂（ｂ′）としては、ナフタレン骨格またはアントラセン骨格を有さない限り特に限定されないが、ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、多官能型エポキシ樹脂、ビスフェノール骨格を有するエポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン（ＤＣＰＤ）型エポキシ樹脂等が挙げられる。

ビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂としては、例えば、下記式（７）〜（８）で表される化合物が挙げられる。

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）
多官能型エポキシ樹脂としては、例えば、下記式（９）で表わされる化合物が挙げられる。

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、例えば、下記式（１０）で表わされる化合物が挙げられる。

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）
ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂としては、例えば、下記式（１１）で表わされる化合物が挙げられる。

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）
なお、本発明の粘接着剤組成物にエポキシ樹脂（ｂ′）が含まれる場合、エポキシ樹脂（ｂ′）は１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

硬化後の粘接着剤組成物のガラス転移温度を高温にするという観点から、本発明の粘接着剤組成物に、エポキシ樹脂（ｂ′）が含まれる場合、エポキシ樹脂（ｂ′）／エポキシ樹脂（Ｂ）の比率（重量比）は、好ましくは２０以下、より好ましくは９以下である。

硬化剤（Ｃ）；
硬化剤（Ｃ）は、エポキシ樹脂（Ｂ）、本発明の粘接着剤組成物にエポキシ樹脂（ｂ′）が含まれる場合にはエポキシ樹脂（Ｂ）およびエポキシ樹脂（ｂ′）、に対する硬化剤として機能する。

硬化剤（Ｃ）は、好ましくは、１分子中にエポキシ基と反応しうる官能基を２個以上有する化合物である。この官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシル基および酸無水物などが挙げられる。これらのうち好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基、酸無水物などが挙げられ、さらに好ましくはフェノール性水酸基、アミノ基が挙げられる。これらの具体的な例としては、下記式（１２）で表される多官能系フェノール樹脂や、下記式（１３）で表されるビフェノール、下記式（１４）で表わされるノボラック型フェノール樹脂、下記式（１５）で表されるビフェニル系フェノール樹脂等のフェノール性硬化剤や、ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）などのアミン系硬化剤が挙げられる。

なお、本発明の粘接着剤組成物に含まれる硬化剤（Ｃ）は、１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）

（但し、式中のｎは０〜１０の整数を表す。）
本発明の粘接着樹脂組成物には、エポキシ樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、あるいは、粘接着剤組成物にエポキシ樹脂（ｂ′）が含まれる場合は、エポキシ樹脂（Ｂ）とエポキシ樹脂（ｂ′）との合計１００重量部に対して、硬化剤（Ｃ）が、好ましくは０．１〜５００重量部含まれ、より好ましくは１〜２００重量部含まれる。

硬化剤（Ｃ）の配合量が上記範囲であると、十分な硬化性を発揮し、吸湿率の上昇を抑制することができるために、高いパッケージ信頼性を維持することができる。
本発明に係る粘接着剤組成物には、上記アクリル重合体（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）が必須成分として含まれる限り、各種物性を改良するため、必要に応じて上記のエポキシ樹脂（ｂ′）や、下記の各種成分が含まれていてもよい。

硬化促進剤（Ｄ）；
硬化促進剤（Ｄ）は、粘接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤としては、好ましくは、エポキシ基とフェノール性水酸基やアミン等との反応を促進し得る化合物である。この化合物としては、具体的には、３級アミン類、イミダゾール類、有機ホスフィン類、テトラフェニルボロン塩等が挙げられる。

３級アミン類としては、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等が挙げられる。

イミダゾール類としては、２−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。

有機ホスフィン類としては、トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。
テトラフェニルボロン塩としては、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等が挙げられる。

なお、本発明の粘接着剤組成物に含まれる硬化促進剤（Ｄ）は、１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。
本発明の粘接着剤組成物には、エポキシ樹脂（Ｂ）１００重量部に対して、あるいは、粘接着剤組成物にエポキシ樹脂（ｂ′）が含まれる場合は、エポキシ樹脂（Ｂ）とエポキシ樹脂（ｂ′）との合計１００重量部に対して、硬化促進剤（Ｄ）が、好ましくは０．００１〜１００重量部、より好ましくは０．０１〜５０重量部、さらに好ましくは０．１〜１０重量部含まれる。

カップリング剤（Ｅ）；
カップリング剤は、粘接着剤組成物の被着体に対する接着性、密着性を向上させる機能を有する。また、カップリング剤を使用することで、粘接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、その耐水性を向上することができる。

カップリング剤は、上記アクリル重合体（Ａ）およびエポキシ樹脂（Ｂ）を有する官能基と反応する基を有する化合物であることが好ましい。
このようなカップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましい。

シランカップリング剤としては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−６−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシラン等が挙げられる。なお、本発明の粘接着剤組成物にカップリング剤（Ｅ）が含まれる場合、カップリング剤（Ｅ）は、１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

本発明の粘接着剤組成物には、エポキシ樹脂（Ｂ）と硬化剤（Ｃ）との合計１００重量部、あるいは、粘接着剤組成物にエポキシ樹脂（ｂ′）が含まれる場合は、エポキシ樹脂（Ｂ）とエポキシ樹脂（ｂ′）と硬化剤（Ｃ）との合計１００重量部に対して、カップリング剤（Ｃ）が、通常０．１〜２０重量部、好ましくは０．２〜１０重量部、より好ましくは０．３〜５重量部含まれる。カップリング剤の配合量を上記範囲にすると、カップリング剤の効果が得られるとともに、アウトガスの発生を抑制することができる。

架橋剤（Ｆ）；
本発明の粘接着剤組成物には、粘接着剤組成物の初期接着力および凝集力を調節するために、アクリル重合体の架橋剤を添加してもよい。架橋剤（Ｆ）としては、例えば有機多価イソシアナート化合物、有機多価イミン化合物が挙げられる。

有機多価イソシアナート化合物としては、芳香族多価イソシアナート化合物、脂肪族多価イソシアナート化合物、脂環族多価イソシアナート化合物およびこれらの多価イソシアナート化合物の三量体、ならびにこれら多価イソシアナート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマー等を挙げることができる。

有機多価イソシアナート化合物のさらに具体的な例としては、例えば２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシレンジイソシアナート、ジフェニルメタン−４，４′−ジイソシアナート、ジフェニルメタン−２，４′−ジイソシアナート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアナート、ヘキサメチレンジイソシアナート、イソホロンジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−４，４′−ジイソシアナート、ジシクロヘキシルメタン−２，４′−ジイソシアナート、トリメチロールプロパンアダクトトルイレンジイソシアナート、リジンイソシアナートなどが挙げられる。

有機多価イミン化合物の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルメタン−４，４’−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）、トリメチロールプロパンートリーβ−アジリジニルプロピオナート、テトラメチロールメタンートリーβ−アジリジニルプロピオナート、Ｎ，Ｎ’−トルエン−２，４−ビス（１−アジリジンカルボキシアミド）トリエチレンメラミン等を挙げることができる。

本発明の粘接着剤組成物には、アクリル重合体（Ａ）１００重量部に対して、架橋剤（Ｆ）は、通常０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部、より好ましくは０．５〜３重量部含まれる。

無機充填材（Ｇ）；
無機充填材（Ｇ）は、熱膨張係数を調整する機能を有し、金属や有機樹脂からなる基板と異なる熱膨張係数を有する半導体チップに対し、硬化後の粘接着剤組成物の熱膨張係数を最適化することでパッケージの耐熱性を向上させることができる。また、粘接着剤組成物の硬化後の吸湿率を低減させることも可能となる。

無機充填材（Ｇ）としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化珪素、窒化ホウ素等の粉末、これらを球形化したビーズ、単結晶繊維、アモルファス繊維等が挙げられる。この中でも、無機充填材（Ｇ）がシリカ粉末、アルミナ粉末であることが好ましい。なお、本発明の粘接着剤組成物に無機充填材（Ｇ）が含まれる場合は、無機充填材（Ｇ）は、１種単独であってもよく、２種以上の組み合わせであってもよい。

本発明の粘接着剤組成物における無機充填材（Ｇ）の配合量は、適宜調整されてもよく、通常、粘接着剤組成物全体に対して、０〜８０重量％含まれる。無機充填材（Ｇ）の配合量を上記範囲にすると、効果的に熱膨張係数を調整することができる。

エネルギー線重合性化合物（Ｈ）；
本発明の粘接着剤組成物には、エネルギー線重合性化合物（Ｈ）が配合されてもよい。エネルギー線重合性化合物（Ｈ）をエネルギー線照射によって硬化させることで、粘接着剤層と基材の剥離力を低下させることができるため、基材と粘接着剤層との層間剥離を容易に行えるようになる。

エネルギー線重合性化合物（Ｈ）は、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。
エネルギー線重合性化合物（Ｈ）としては、アクリレート系化合物が挙げられ、より具体的には、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどが挙げられる。

これらのアクリレート系化合物は、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有し、アクリレート系化合物の重量平均分子量は、通常、１００〜３００００であり、好ましくは３００〜１００００程度である。

本発明の粘接着剤組成物にエネルギー線重合性化合物（Ｈ）が含まれる場合、粘接着剤組成物には、エネルギー線重合性化合物（Ｈ）は、アクリル共重合体（Ａ）１００重量部に対して通常１〜４００重量部、好ましくは３〜３００重量部、より好ましくは１０〜２００重量部含まれる。エネルギー線重合性化合物（Ｈ）の配合量を上記範囲にすることで、有機基板やリードフレームに対する粘接着剤組成物の接着性の低下を防ぐことができる。

光重合開始剤（Ｉ）；
本発明の粘接着剤組成物が前記エネルギー線重合性化合物（Ｈ）を含む場合、エネルギー線の照射により重合硬化するにあたって、該組成物中に光重合開始剤（Ｉ）が含まれることで、重合硬化時間およびエネルギー線の照射量を少なくすることができる。

光重合開始剤（Ｉ）としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４−ジエチルチオキサンソン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、2,4,6-トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド、1,2-ジフェニルメタン、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
なお、本発明の粘接着剤組成物に光重合開始剤（Ｉ）が含まれる場合、光重合開始剤（Ｉ）は１種単独であってもよいし、２種以上の組み合わせであってもよい。

本発明の粘接着剤組成物に含まれる光重合開始剤（Ｉ）の配合量は、理論的には、該組成物中に存在する不飽和結合量やその反応性および使用される光重合開始剤の反応性に基づいて、決定されるべきであるが、該組成物が複雑な混合物系である場合には、光重合開始剤（Ｉ）の配合量の決定は必ずしも容易ではない。本発明の粘接着剤組成物に光重合開始剤（Ｉ）が含まれる場合において、光重合開始剤（Ｉ）の配合量の一般的な指針としては、アクリル共重合体（Ａ）１００重量部に対して、光重合開始剤（Ｉ）が好ましくは０．１〜１０重量部、より好ましくは１〜５重量部含まれる。光重合開始剤（Ｉ）の配合量上記範囲にあると、満足なピックアップ性が得られるとともに、光重合に寄与しない残留物の生成を低減し、粘接着剤組成物の十分な硬化性が得られる。

（その他の成分）
本発明の粘接着剤組成物には、上記成分の他に、必要に応じて各種添加剤が含まれていてもよい。

例えば、硬化後の粘接着剤組成物が、可とう性を保持するために、粘接着剤組成物に可とう性成分が含まれていてもよい。この可とう性成分は、常温および加熱下で可とう性を有する成分であり、例えば、熱可塑性樹脂やエラストマーからなるポリマーであってもよいし、ポリマーのグラフト成分、ポリマーのブロック成分であってもよい。また、可とう性成分がエポキシ樹脂に予め変性された変性樹脂であってもよい。
さらに、本発明の粘接着剤組成物は、必要に応じて、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料等を含んでいてもよい。

（粘接着剤組成物）
本発明の粘接着剤組成物は、感圧接着性と加熱硬化性とを有する。そのため、未硬化状態では各種被着体を一時的に保持する機能が発揮され、加熱硬化により高い接着機能が発揮される。

粘接着剤組成物を加熱硬化するにあたり、高温雰囲気に曝されるリフロー工程中においても、充分な接着物性を保持し、高いパッケージ信頼性を達成できる。さらに、パッケージ信頼性の確保が困難な薄型半導体チップや狭ピッチの有機基板を用いた半導体装置において、本発明の粘接着剤組成物を半導体チップと基板との接着に使用した場合でも、この半導体装置は、高い耐熱衝撃性を示す。

本発明の粘接着剤組成物は、上記成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）を、さらに必要に応じてその他の成分を、適宜の割合で混合して得られる。これらを混合するにあたり、各成分を予め溶媒で希釈しておいてもよく、また混合時に溶媒を加えてもよい。

また、本発明の粘接着剤組成物は、硬化させた後のガラス転移温度が、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１６０℃以上であり、さらに好ましくは１７０〜２６０℃である。粘接着剤組成物を硬化させた後のガラス転移温度が上記範囲にあると半導体パッケージの表面実装温度、例えば２６０℃においても十分な接着力を維持し、剥離やクラックなどの発生を抑制し、信頼性を維持できる。

（粘接着シート）
本発明に係る粘接着シートは、基材上に、上記粘接着剤組成物からなる粘接着剤層が積層してなる。本発明に係る粘接着シートの形状は、テープ状、ラベル状など、あらゆる形状をとり得る。

粘接着シートの基材としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリイミドフィルム等の透明フィルム、またはこれらの透明フィルムの架橋フィルムが挙げられる。また、基材としては、これらの単層フィルムであってもよいし、これらの積層フィルムであってもよい。また、上記の透明フィルムの他、これらを着色した不透明フィルム、フッ素樹脂フィルム等を用いることができる。

本発明の粘接着シートは、各種の被着体に貼付され、被着体に所要の加工を施した後、粘接着剤層は、被着体に固着残存させて基材から剥離される。
すなわち、粘接着剤層を、基材から被着体に転写する工程を含むプロセスに使用される。このため、基材の粘接着剤層に接する面の表面張力は、好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下、さらに好ましくは３７ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは３５ｍＮ／ｍ以下である。このように表面張力が比較的低い基材は、材質を適宜に選択して得ることが可能であるし、また基材の表面に剥離剤を塗布して剥離処理を施すことで得ることもできる。

基材の剥離処理に用いられる剥離剤としては、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系、不飽和ポリエステル系、ポリオレフィン系、ワックス系等の剥離剤が挙げられるが、この中でも、耐熱性を有する観点から、アルキッド系、シリコーン系、フッ素系の剥離剤が好ましい。

上記剥離剤を用いて基材の表面を剥離処理するためには、剥離剤をそのまま（無溶剤）で、または溶剤に希釈された状態やエマルション化した状態で、グラビアコーター、メイヤーバーコーター、エアナイフコーター、ロールコーター等により塗布して、剥離剤が塗布された基材を、常温下または加熱下に供するか、または電子線により硬化させたり、ウェットラミネーションやドライラミネーション、熱溶融ラミネーション、溶融押出ラミネーション、共押出加工などで積層体を形成したりすればよい。

基材の膜厚は、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは１５〜３００μｍ、特に好ましくは２０〜２５０μｍ程度である。
また、粘接着剤層の厚みは、通常は１〜５００μｍ、好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍ程度である。

粘接着シートは、例えば、基材上に、粘接着剤層を構成する組成物を塗布し、乾燥して製造されてもよいし、粘接着剤層を剥離フィルム上に設けた後に、該粘接着剤層を基材に転写してされて製造されてもよい。

なお、粘接着シートを被着体に貼着する前には、粘接着シートの粘接着剤層を保護するために、粘接着剤層の表面（被着体に接触する面）に剥離フィルムを積層しておいてもよい。

また、粘接着剤層の表面（被着体に接触する面）の外周部には、リングフレーム等の他の治具を固定するために、別途粘接着剤層や粘着テープが設けられていてもよい。
次に本発明に係る粘接着シートの使用方法について、該粘接着シートを半導体装置の製造に適用した場合を例にとって説明する。

本発明の粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法においては、まず、本発明に係る粘接着シートをダイシング装置上に、リングフレームにより固定し、シリコンウエハの一方の面を粘接着シートの粘接着剤層上に載置し、軽く押圧し、ウエハを固定する。次いで、ダイシングソーなどの切断手段を用いて、上記のシリコンウエハを切断しＩＣチップを得る。ここで、切断の深さは、シリコンウエハの厚みと、粘接着剤層の厚みとの合計およびダイシングソーの磨耗分を加味した深さである。なお、シリコンウェハを切断する前後に、基材面から紫外線を照射してもよい。

次いで必要に応じ、粘接着シートのエキスパンドを行い、ＩＣチップ間隔を拡張させて、ＩＣチップのピックアップをさらに容易に行えるようにする。ここで、粘接着剤層と基材との間にずれが発生することになり、粘接着剤層と基材との間の接着力が減少して、チップのピックアップ性が向上する。

このようにしてＩＣチップのピックアップを行うと、切断された粘接着剤層をＩＣチップ裏面に固着残存させながら、該チップを基材から剥離することができる。
次いで、ＩＣチップを、粘接着剤層を介して基板上のダイパッド部に載置する。ダイパッド部はＩＣチップを載置する前に加熱されているか、載置直後に加熱される。ここで、チップの圧着（ダイボンド）するときの加熱温度は、通常は８０〜２００℃、好ましくは１００〜１８０℃であり、加熱時間は、通常は０．１秒〜５分、好ましくは０．５秒〜３分であり、圧着するときの圧力は、通常１ｋＰａ〜１０００ＭＰａである。

ＩＣチップを基板のダイパッド部にダイボンドした後に、必要に応じて、さらに、ダイパッド部を加熱してもよい。ここで、加熱温度は、上記加熱温度の範囲と同様であり、加熱時間は通常１〜１８０分、好ましくは１０〜１２０分である。

また、チップマウントした後に、上記加熱処理は行わずに、ＩＣチップとダイパッド部とを仮接着状態にしておき、後工程として実施される樹脂封止の際の加熱を利用して粘接着剤層を硬化させてもよい。

このような工程を経ることで、粘接着剤層が硬化し、ＩＣチップとダイパッド部とを強固に接着することができる。また、粘接着剤層はダイボンド条件下では流動化しているため、ダイパッド部の凹凸にも十分に埋め込まれ、ボイドの発生を防止できる。

すなわち、本発明の半導体装置は、ＩＣチップの固着手段である粘接着剤が硬化し、かつダイパッド部の凹凸にも十分に埋め込まれた構成となるために、高温多湿等の過酷な条件下にあっても、十分なパッケージ信頼性およびボード実装性が達成される。

なお、本発明の粘接着剤組成物および粘接着シートは、上記のような使用方法の他に、半導体化合物、ガラス、セラミックス、金属などの接着に使用することもできる。

以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
なお、以下の実施例および比較例において、「半導体パッケージ表面実装性の評価」は次のように行った。

「表面実装性の評価」
（１）半導体チップの製造；
ウエハバックサイドグラインド装置（ＤＩＳＣＯ社製、ＤＧＰ８７６０）により表面をドライポリッシュ処理し、表面粗度を０．１２μｍにしたシリコンウエハ（２００ｍｍ径、厚さ７５μｍ）の研磨面に、実施例および比較例の粘接着シートの貼付をテープマウンター（リンテック社製、Ａｄｗｉｌｌ（登録商標）ＲＡＤ２５００）により行い、ウエハダイシング用リングフレームに固定した。その後、紫外線照射装置（リンテック社製、ＡｄｗｉｌｌＲＡＤ２０００）を用いて基材面から紫外線を照射（３５０ｍＷ／ｃｍ²、１９０ｍＪ／ｃｍ²）した。次いで、ダイシング装置（ディスコ社製、ＤＦＤ６５１）を使用し、シリコンウエハを８ｍｍ×８ｍｍのサイズのチップにダイシングした。ダイシングの際の切り込み量は、粘接着シート（ダイシング・ダイボンディングシート）の基材フィルムに対して２０μｍ切り込むようにした。

（２）半導体パッケージの製造；
チップをダイボンドする配線基板として、銅箔張り積層板（三菱ガス化学社製、ＢＴレジンＣＣＬ−ＨＬ８３２ＨＳ）の銅箔に回路パターンが形成され、パターン上にソルダーレジスト（太陽インキ社製、ＰＳＲ−４０００ＡＵＳ３０３）を有している２層両面基板（ＬＮＴＥＧ０００１サイズ：１５７ｍｍ×７０ｍｍ×０．２２ｔ、最大凹凸１５μｍ（日立超ＬＳＩ製））を用いた。（１）で得られたシリコンチップを粘接着剤層（未硬化の接着剤層）ごとピックアップし、該配線基板上に粘接着剤層を介して載置した後、１２５℃、２５０ｇｆ、０．３秒間の条件で圧着（ダイボンド）した。次いで１２０℃で３０分、さらに１４０℃で３０分の条件で加熱し、粘接着剤層を充分熱硬化させた。その後、モールド樹脂（京セラケミカル株式会社製ＫＥ−Ｇ１２５０）で封止厚４００μｍになるようにシリコンチップを粘接着剤層で接着硬化したＢＴ基板を、封止装置（アピックヤマダ株式会社製、ＭＰＣ−０６ＭＴｒｉａｌＰｒｅｓｓ）を使用し、１７５℃５時間でモールド樹脂を硬化させ、封止した。ついで、封止されたＢＴ基板をダイシングテープ（リンテック株式会社製Ａｄｗｉｌｌ（登録商標）Ｄ−５１０Ｔ）に貼付して、ダイシング装置（ディスコ社製、ＤＦＤ６５１）により１５．２５ｍｍ×１５．２５ｍｍサイズにダイシングすることで信頼性評価用の半導体パッケージを得た。

（３）半導体パッケージ表面実装性の評価；
得られた半導体パッケージを８５℃、６０％ＲＨ条件下に１６８時間放置し、吸湿させた後、最高温度２６０℃、加熱時間１分間のＩＲリフロー（リフロー炉：相模理工製ＷＬ−１５−２０ＤＮＸ型）を３回行なった際に、接合部の浮き・剥がれの有無、パッケージクラック発生の有無を走査型超音波探傷装置（日立建機ファインテック株式会社製Ｈｙｅ−Ｆｏｃｕｓ）および断面観察により評価した。

なお、基板／半導体チップ接合部に面積が０．２５ｍｍ²以上の剥離を観察した場合を剥離していると判断して、パッケージを２５個試験に投入し接合部の浮き・剥がれ、パッケージクラックが発生しなかった個数を数えた。

（４）ガラス転移温度（Ｔｇ）の測定；
基材（ポリプロピレン製）上に、後述の粘接着剤組成物からなる、２００μｍ厚の接着剤層を形成し、接着剤層が形成された試験シートを製造した。この試験シートを、剥離処理された鉄板上に供して、基材を剥離し、試験シートの接着剤層を１２０℃、３０分、次いで１４０℃、３０分、さらに１７５℃、５時間の条件で熱硬化させ、平板状の硬化された粘接着剤組成物を得た。次いで、硬化後の粘接着剤組成物を約２０×５ｍｍの短冊状に切断して試験片を製造した。この試験片を、粘弾性測定装置（ＴＡインスツルメント（株）製、ＤＭＡＱ８００）に供し、試験片の粘接着剤層のｔａｎδ（損失弾性率と貯蔵弾性率との比）を、周波数１１Ｈｚ、０〜３００℃の温度条件で測定した。さらに、得られたｔａｎδ（損失弾性率と貯蔵弾性率との比）のピーク温度から、Ｔｇを求めた。

（５）溶融粘度の測定；
コーンプレート（ＩＣＩ）高温粘度計を用いて、１５０℃におけるエポキシ樹脂のＩＣＩ粘度を求めた。

（６）軟化点の測定；
エポキシ樹脂の軟化点は、ＪＩＳＫ７２３４に準じて測定した。なお、下記表１において、軟化点が「液状」とは、軟化点が低く、室温でエポキシ樹脂が軟化している状態を指す。

［粘接着剤組成物の成分］
また、粘接着剤組成物を構成する各成分は下記および表１の通りである。表１の成分および配合量に従い、粘接着剤組成物を、各成分を配合して調製した。
（Ａ）アクリル重合体：日本合成化学工業株式会社製コーポニールＮ−２３５９−６（Ｍｗ：約３０万）
（Ｂ−１）固体エポキシ樹脂：ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（日本化薬株式会社製ＮＣ−７０００Ｌ、エポキシ当量２２３〜２３８ｇ／ｅｑ、ＩＣＩ粘度（１５０℃）０．５０〜１．００Ｐａ・ｓ、軟化点８３〜９３℃）
（Ｂ−２）固体エポキシ樹脂：ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製ＨＰ−４７００、エポキシ当量１６５ｇ／ｅｑ、ＩＣＩ粘度（１５０℃）０．４５Ｐａ・ｓ、軟化点９０℃）
（Ｂ−３）固体エポキシ樹脂：ナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製ＥＸＡ−４７１０、エポキシ当量１７０ｇ／ｅｑ、ＩＣＩ粘度（１５０℃）０．９０Ｐａ・ｓ、軟化点９５℃）
（Ｂ−４）固体エポキシ樹脂：アントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製ＹＸ８８００、エポキシ当量１８０ｇ／ｅｑ、ＩＣＩ粘度（１５０℃）０．１７Ｐａ・ｓ、軟化点１０４℃）
（ｂ′−１）液状エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２０ｐｈｒアクリル粒子含有品（株式会社日本触媒製エポセットＢＰＡ３２８、エポキシ当量２３５ｇ／ｅｑ）
（ｂ′−２）固体エポキシ樹脂：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン株式会社製エピコート１０５５、エポキシ当量８００〜９００ｇ／ｅｑ、ＩＣＩ粘度（１５０℃）２．５Ｐａ・ｓ、軟化点８９〜９８℃）
（ｂ′−３）固体エポキシ樹脂：ＤＣＰＤ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学株式会社製ＥＰＩＣＬＯＮＨＰ−７２００ＨＨ、エポキシ当量２６５〜３００ｇ／ｅｑ、ＩＣＩ粘度（１５０℃）２．０〜６．０Ｐａ・ｓ、軟化点７５〜９０℃）
（ｂ′−４）固体エポキシ樹脂：クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬株式会社製ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、エポキシ当量２１３〜２２３ｇ／ｅｑ、ＩＣＩ粘度（１５０℃）２．５５〜３．４５Ｐａ・ｓ、軟化点９０〜９４℃）
（ｂ′−５）液状エポキシ樹脂：柔軟性骨格含有エポキシ樹脂（大日本インキ化学株式会社製ＥＸＡ−４８５０−１５０、エポキシ当量４５０ｇ／ｅｑ）

（Ｃ−１）硬化剤：ノボラック型フェノール樹脂（昭和高分子株式会社ショウノールＢＲＧ−５５６、フェノール性水酸基当量１０４ｇ／ｅｑ）
（Ｃ−２）硬化剤：ジシアンジアミド（旭電化製アデカハードナー３６３６ＡＳ）
（Ｄ）硬化促進剤：２−フェニル−４，５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製キュアゾール２ＰＨＺ）
（Ｅ）シランカップリング剤（三菱化学株式会社製ＭＫＣシリケートＭＳＥＰ２、エポキシ当量２２２ｇ／ｅｑ）
（Ｆ）無機充填材：株式会社アドマテックス製アドマファインＳＣ２０５０
また、粘接着シートの基材としては、ポリエチレンフィルム（厚さ１００μｍ、表面張力３３ｍＮ／ｍ）を用いた。
（Ｇ）エネルギー線重合性化合物：ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート（日本化薬株式会社製ＫＡＹＡＲＡＤＲ−６８４）
（Ｈ）光重合開始剤：α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバ・スペシャルティ・ケミカルズ株式会社製イルガキュア１８４）
（Ｉ）熱可塑性樹脂：熱可塑性ポリエステル（東洋紡社製、バイロン（登録商標）２２０；Ｍｗ＝２５００）
表１に記載の組成の粘接着剤組成物のＭＥＫ（メチルエチルケトン）溶液（固形濃度６１％ｗｔ）を、シリコーン処理された剥離フィルム（リンテック株式会社製ＳＰ−ＰＥＴ３８１１（Ｓ））上に３０μｍの厚みになるように塗布、乾燥（乾燥条件：オーブンにて１００℃、１分間）した後に基材（ポリプロピレン製、厚さ１００μｍ）と貼り合せて、粘接着剤層を基材上に転写することで粘接着シートを得た。結果を表２に示す。

本発明によれば、薄型化しつつある半導体チップを狭ピッチの有機基板上に実装したパッケージにおいて、厳しいリフロー条件に曝された場合であっても、高いパッケージ信頼性を達成できる粘接着剤組成物および該粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を有する粘接着シートならびこの粘接着シートを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

Claims

アクリル重合体（Ａ）、ナフタレン骨格および／またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）、および硬化剤（Ｃ）を含み、
前記エポキシ樹脂（Ｂ）の、１５０℃における溶融粘度が１．０Ｐａ・ｓ以下であり、かつ軟化点が６０℃以上であることを特徴とする粘接着剤組成物。
アクリル重合体（Ａ）、ナフタレン骨格および／またはアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂（Ｂ）、および硬化剤（Ｃ）を含み、
前記エポキシ樹脂（Ｂ）が、下記式（１）〜（３）の何れかで表わされる化合物であることを特徴とする粘接着剤組成物。

（但し、式中のｎは０以上の整数を表す。）

（ただし、式中のＲ¹〜Ｒ⁴は、水素原子または下記式（４−１）で示される官能基であり、Ｒ¹〜Ｒ⁴のうち少なくとも１つが、下記式（４−１）で示される官能基である。）
前記エポキシ樹脂（Ｂ）の、１５０℃における溶融粘度が１．０Ｐａ・ｓ以下であり、かつ軟化点が６０℃以上であることを特徴とする請求項２に記載の粘接着剤組成物。
硬化させた後のガラス転移温度が、１５０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の粘接着剤組成物。
請求項１〜４の何れか一項に記載の粘接着剤組成物からなる粘接着剤層を、基材上に形成してなることを特徴とする粘接着シート。
半導体素子と基板のダイボンド部との接着に用いられることを特徴とする請求項５に記載の粘接着シート。
請求項５または６に記載の粘接着シートの粘接着剤層に半導体ウエハを貼着し、
前記半導体ウエハをダイシングしてＩＣチップを形成し、
前記ＩＣチップ裏面に粘接着剤層を固着残存させて基材から剥離し、
前記ＩＣチップを基板のダイパッド部上に前記粘接着剤層を介して熱圧着する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。