JP5563765B2 - 排水処理システム及び排水処理方法 - Google Patents

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Description

本発明は、シリコンの研削加工や研磨加工等で生ずるシリコン加工排水からシリコン加工屑を除去するための排水処理システム、及びそれを用いた排水処理方法に関する。
シリコン単結晶は、研削加工や切断加工等の機械加工をされることでシリコンウェハとされる。例えば、シリコン単結晶の育成ロッドは、先ずその外面を研削された後、取り扱いが容易な所定長さのカットロッドに切断されてから、ウェハを採取するためのスライス加工に供される。
シリコン単結晶の育成ロッドの研削加工や切断加工(シリコン加工)に際しては、工業用水、井水、市水、又は純水等の研削水が使用される。このため、シリコン加工で生成するシリコン加工排水には、シリコンの微細粉からなる多量のシリコン加工屑が含有されている。このシリコン加工排水は、廃棄処分や再利用されるに際して、含有されるシリコン加工屑を分離する必要があるため、各種フィルタを備えた排水処理システムを用いて濾過処理されることが一般的である。
関連する従来技術として、処理対象であるシリコン加工排水を、特定の酸性成分を注入することで酸性にした後に濾過膜で濾過することで、濾過膜を詰まらせる成分の生成を抑制した排水処理方法及び処理システムが開示されている(例えば、特許文献1〜3参照)。
特公平6−69551号公報 特開2002−50596号公報 特開2005−21805号公報
処理対象となるシリコン加工排水の供給量や濾過水等の受入量等が制限される場合、或いは排水処理システムの補修を行う場合等には、排水処理システムの運転を停止する必要がある。しかしながら、排水処理システムの運転を短期間又は長期間停止した後、再度開始すると、特許文献1〜3において開示された処理システムを用いた場合であっても濾過膜に急激な詰まりを生ずる場合があった。
本発明は、このような従来技術の有する問題点に鑑みてなされたものであり、その課題とするところは、処理対象となるシリコン加工排水の供給量や濾過水等の受入量等の制限、或いは運転休止等の外的要因に極めて影響され難く、濾過膜に急激な詰まりを生ずることなく長期間安定した状態でシリコン加工排水の処理が可能な排水処理システム、及び排水処理方法を提供することにある。
本発明者らは上記課題を達成すべく鋭意検討した結果、濾過膜に急激な詰まりが生じたときの系内のシリコン加工排水を分析したところ、炭酸ガスが注入された直後には十分な酸性状態にあったシリコン加工排水のpHは、中性(=7)付近にまで上昇していることが判明した。また、シリコン加工排水に含有される固形分に占める金属珪素の割合を分析したところ、炭酸ガスが注入された直後に比して、濾過膜に急激な詰まりが生じたときのシリコン加工排水の金属珪素の濃度が減少していることが判明した。これらの分析結果から、炭酸ガスが注入されたシリコン加工排水であっても、濾過膜で濾過処理される前に相当時間が経過すると液性が中性〜アルカリ性へと変化してしまい、コロイド状の高分子析出物が徐々に生成し易くなることが判明した。
即ち、本発明によれば、以下に示す排水処理システム、及び排水処理方法が提供される。
[1]シリコン加工屑を含有するシリコン加工排水を濾過処理する排水処理システムであって、前記シリコン加工排水に酸性流体を注入してそのpHが4.0〜6.5の被処理排水を得る酸性流体注入手段と、前記被処理排水を貯留する排水貯留手段と、前記被処理排水を濾過して、前記シリコン加工屑の含有割合が増加した濃縮水と濾過水に分離する濾過手段と、前記被処理排水を前記排水貯留手段から前記濾過手段に送液する送液手段と、前記排水貯留手段に貯留される前記被処理排水の量が基準量を下回った場合、又は分離された濃縮水及び/若しくは濾過水の量が基準量を上回った場合に、前記濾過手段に流入する直前における前記被処理排水のpHと連動して、連続的又は間欠的に、前記被処理排水のpHを4.0〜6.5に調整して前記濾過手段に送液するとともに、前記濃縮水、又は前記濃縮水と前記濾過水を前記排水貯留手段に送液することが可能な循環送液制御手段と、を備えた排水処理システム。
]前記酸性流体が、炭酸ガスである前記[1]に記載の排水処理システム。
]シリコン加工屑を含有するシリコン加工排水を濾過処理する排水処理方法であって、前記[1]または[2]に記載の排水処理システムを使用する排水処理方法。
本発明の排水処理システムは、処理対象となるシリコン加工排水の供給量や濾過水等の受入量等の制限、或いは運転休止等の外的要因に極めて影響され難く、濾過膜に急激な詰まりを生ずることなく長期間安定した状態でシリコン加工排水の処理が可能であるといった効果を奏するものである。
本発明の排水処理方法によれば、処理対象となるシリコン加工排水の供給量や濾過水等の受入量等の制限、或いは運転休止等の外的要因に極めて影響され難く、濾過膜に急激な詰まりを生ずることなく長期間安定した状態でシリコン加工排水を処理することができる。
本発明の排水処理システムの一実施形態を示す概念図である。 本発明の排水処理システムの一実施形態における作動状態の一部を示す概念図である。 本発明の排水処理システムの一実施形態における作動状態の一部を示す概念図である。
符号の説明
1:シリコン加工機、2:排水タンク、3:炭酸ガス注入手段、4:炭酸ガスボンベ、5:流量制御バルブ、6:炭酸ガス注入部、7,10:pHセンサ、8:レベルスイッチ、9,16:送液ポンプ、11:濾過膜、12,13,14:流路切り替えバルブ、15:濾過水タンク、20:排水処理システム、30:循環送液制御手段、40:送液再開制御手段
以下、本発明の実施の最良の形態について説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、以下の実施の形態に対し適宜変更、改良等が加えられたものも本発明の範囲に入ることが理解されるべきである。
図1は、本発明の排水処理システムの一実施形態を示す概念図である。図1に示すように、本実施形態の排水処理システム20は、炭酸ガス注入手段3、排水タンク2、濾過膜11、送液ポンプ9、及び循環送液制御手段30を備えている。以下、図面を参照しつつその詳細について説明する。
炭酸ガス注入手段3は、シリコン加工排水に酸性流体を注入し、そのpHが5.0〜6.5の被処理排水を調製することが可能な手段である。シリコン加工排水は、シリコン加工機1等を使用してシリコンインゴットやシリコンウェハを研削、切断、研磨等することによって生成及び排出される工業排水である。シリコンインゴット等の加工に用いられる加工水としては、工業用水、井水、市水、又は純水等を挙げることができる。排出されるシリコン加工排水には、シリコン加工屑が含まれている。
シリコン加工排水に注入される酸性流体としては、炭酸ガス等の酸性気体や、塩酸、硝酸等の酸性液体等を挙げることができる。なかでも炭酸ガスを用いることが、濾過処理によって得られる濾過水から容易に除去可能であり、濾過水の再利用等の観点から好ましい。
炭酸ガス注入手段3は、炭酸ガスボンベ4、流量制御バルブ5、及び炭酸ガス注入部6を備えている。流量制御バルブ5によって炭酸ガスボンベ4からの流出量が制御された炭酸ガスは、排水タンク2内に配設された炭酸ガス注入部6から放出される。炭酸ガス注入部6は、例えば樹脂製の多孔質チューブ等によって構成されており、泡状に排出された炭酸ガスはバブリングされることによってシリコン加工排水中に即座に注入される。なお、調製される被処理排水のpHは、排水タンク2に配設されたpHセンサ7で測定されたpHをモニタしつつ、炭酸ガスの流出量を流量制御バルブ5で制御することで容易に調整することができる。なお、pHセンサ7を用いなくとも、例えば得られる被処理排水のpHが所望の値となるのに必要な炭酸ガスの量を事前に把握しておき、流量制御バルブ5にて一定流量を注入する機構としてもよい。
排水タンク2は、被処理排水を貯留する排水貯留手段として機能する部分である。なお、図1に示す排水処理システム20においては、炭酸ガス注入手段3が排水タンク2に配設された状態を示しているが、排水タンク2と炭酸ガス注入手段3はそれぞれ独立していてもよい。
送液ポンプ9は、被処理排水を排水タンク2から濾過膜11に送液する送液手段として機能する部分である。なお、図1に示す排水処理システム20においては、排水タンク2と濾過膜11の間の流路上に送液ポンプ9が配設された状態を示しているが、送液ポンプ9の配設箇所は、排水タンク2中の被処理排水を濾過膜11へと送液可能な箇所であればよい。
濾過膜11は、排水タンク2から送液されてきた被処理排水を濾過することが可能な濾過手段として機能する部分であり、流入した被処理排水を、シリコン加工屑の含有割合が増加した濃縮水と濾過水に分離することが可能な部分である。濾過膜11の材質は特に限定されないが、高分子膜、セラミック膜、金属膜等を挙げることができる。また、濾過膜11の形状としては、中空糸膜、平膜、チューブ膜、ハニカム構造膜、モノリス膜(マルチルーメン膜)等を挙げることができる。なお、濾過方式については特に限定されず、被処理排水の一部を濾過膜に透過させ、残部を未透過の濃縮水として得るクロスフロー型のフィルタを用いた濾過方式(クロスフロー方式)、被処理水の全部を透過させる直濾過方式、或いは浸漬膜濾過方式等を好適例として挙げることができる。
濾過膜11で濾過されずに流出した未濾過水(濃縮水)は、排水タンク2に戻される。また、流路切り替えバルブ12を切り替えることにより、送液ポンプ9の上流に戻すことも好ましい。排水タンク2等に戻された未濾過水は、系内を循環することになるため、時間経過とともにシリコン加工屑の濃度が上昇する。このため、被処理排水に含まれるシリコン加工屑を適当な量に維持すべく、連続的又は間欠的に、未濾過水の一部を濃縮水として系外に排出する。
濾過膜11から生成した濾過水は、濾過水タンク15に貯留することができる。なお、濾過水タンク15に貯留された濾過水は、再利用すべく、送液ポンプ16等を使用してシリコン加工機1に送液することができる。なお、濾過水は、流路切り替えバルブ14を操作することによってその一部又は全部を排水タンク2に戻したり、シリコン加工用の水以外の用途に供したり、或いは排水として処分したりすることも可能である。
図1及び図2に示す循環送液制御手段30は、排水タンク2に貯留される被処理排水の量が基準量を下回った場合、又は分離された濃縮水及び/若しくは濾過水の量が基準量を上回った場合(以下、「運転待機要求時(1)」ともいう)に、濾過膜11に流入する直前における被処理排水のpHと連動して連続的又は間欠的に、濃縮水、又は濃縮水と濾過水を排水タンク2に送液するとともに、被処理排水のpHを5.0〜6.5に調整して濾過膜11に送液することが可能な手段である。
「運転待機要求時(1)」としては、例えば、シリコン加工機1の運転速度低下や運転停止によってシリコン加工排水の量が低下するような場合、或いは濾過水タンク15等が満水状態のため、濾過水や濃縮水を排出できない場合等を挙げることができる。
排水タンク2に貯留される被処理排水の量は、レベルスイッチ8等によって検知することができる。循環送液制御手段30が作動を開始する基準となる被処理排水の量を基準量として予め設定しておけばよい。
循環送液制御手段30としては、図1及び図2に示すような、pHセンサ10、炭酸ガス注入手段3、送液ポンプ9、及び流路切り替えバルブ13,14をリレー接続し、それぞれの手段を、pHセンサ10で測定したpH値と連動して作動するようにプログラムされた制御システムを好適例として挙げることができる。
運転待機要求時(1)には、図2に示すように、pHセンサ10で検知したpHに連動して、濾過水及び濃縮水を排水タンク2に送液するように流路切り替えバルブ13,14をそれぞれ切り替える。排水タンク12に送液された濾過水及び濃縮水は、排水タンク2中の被処理排水に混合されるとともに、pHセンサ10で検知したpHに連動して、炭酸ガス注入手段3を作動させることができる。炭酸ガス注入手段3を作動させることにより、排水タンク2中の被処理排水のpHを4.0〜6.5、好ましくは5.0〜6.0に調整し、送液ポンプ9の運転によって濾過膜11に送液する(循環させる)ことができる。なお、被処理排水の送液(循環)は、連続的であっても間欠的であってもよい。また、濾過膜11に流入する直前における被処理排水のpHを把握するには、pHセンサ10を使用しなくても、例えば、被処理排水の送液(循環)時間とpH変化との相関関係等を事前に把握しておき、タイマー制御によって被処理排水の送液(循環)をコントロールすることも好ましい。
このように、運転待機要求時(1)であっても特定のpHに維持した被処理排水を系内に循環させることにより、運転待機要求(1)が解除されて「運転待機解除時」となり、排水処理システムの運転を再度開始した場合であっても、濾過膜に急激な詰まりを生ずることなく長期間安定した状態でシリコン加工排水の処理が可能となる。
一方、図1及び図3に示す送液再開制御手段40は、排水タンク2から濾過膜11への被処理排水の送液が所定期間停止した場合(以下、「運転待機要求時(2)」ともいう)に、少なくとも排水タンク2の直後から濾過膜11の直前までの間の流路の内部に滞留した被処理排水の一部又は全部を、流路の外部へと排出した後に、排水タンク2から濾過膜11への被処理排水の送液を再開することが可能な手段である。
「運転待機要求時(2)」としては、例えば、シリコン加工機1の運転を長期間停止(加工工場の稼動が停止)する場合等を挙げることができる。
送液再開制御手段40としては、図1及び図3に示すような、pHセンサ10、炭酸ガス注入手段3、送液ポンプ9、及び流路切り替えバルブ12,13,14をリレー接続し、それぞれの手段を、pHセンサ10で測定したpH値と連動して作動するようにプログラムされた制御システムを好適例として挙げることができる。
運転待機要求時(2)には、排水タンク2から濾過膜11への被処理排水の送液が所定期間停止している。その後、運転待機要求(2)が解除されて「運転待機解除時」になると、図3に示すように、濃縮水(未濾過水)を系外に排出するように流路切り替えバルブ12,13をそれぞれ切り替える。また、濾過膜11で濾過が行われないように流路切り替えバルブ14を切り替える。なお、炭酸ガス注入手段3は、連続的又は間欠的に作動させておくことが好ましい。このような状態で送液ポンプ9を作動させ、少なくとも排水タンク2の直後から濾過膜11の直前までの間の流路の内部に滞留した被処理排水の一部又は全部を、流路の外部へと排出する。その後、排水タンク2から濾過膜11への被処理排水の送液を再開する。
なお、濾過膜11の直前における流路内に滞留した被処理排水のpHをpHセンサ10によってモニタリングしつつ、被処理排水を外部へと排出することも好ましい。また、pHセンサ10を使用しなくても、例えば、タイマー制御によって被処理排水の送液をコントロールすることも好ましい。
このように、運転待機要求時(2)にシステムの運転を長期間休止した後に、排水処理システムの運転を再度開始した場合であっても、運転再開に先立って排水タンク2の直後から濾過膜11の直前までの間の流路の内部に滞留した被処理排水を流路の外部へと排出するため、濾過膜に急激な詰まりを生ずることなく長期間安定した状態でシリコン加工排水の処理が可能となる。
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
図1に示す構成の排水処理システム20、及び表1に示すシリコン加工排水(被処理排水)を用意した。次に、運転待機要求時(1)と運転待機解除時(15時間後)の運転状態を表2に示す状態としてシリコン加工排水の処理を行った。即ち、運転待機要求時(1)には、濾過水及び濃縮水を排水タンク2に送液するように流路切り替えバルブ13,14をそれぞれ切り替えるとともに、排水タンク2中の被処理排水のpHを5.2に調整し、濾過膜11に連続的に送液(連続循環運転)した。運転待機解除後(運転再開後)における排水処理システム20の運転状態を確認した結果を「運転再開結果」として表2に示す。
(実施例2,3、比較例1)
運転待機要求時と運転待機解除時(15時間後)の運転状態を表2に示す状態としてシリコン加工排水の処理を行ったこと以外は、前述の実施例1と同様にしてシリコン加工排水の処理を行った。運転待機解除後(運転再開後)における排水処理システム20の運転状態を確認した結果を「運転再開結果」として表2に示す。
Figure 0005563765
Figure 0005563765
(実施例4)
図1に示す構成の排水処理システム20、及び表1に示すシリコン加工排水(被処理排水)を使用し、運転待機要求時(2)と運転待機解除時(15時間後)の運転状態を表2に示す状態としてシリコン加工排水の処理を行った。即ち、運転待機要求時(2)には、先ず、炭酸ガスの注入のみ継続してそれ以外の運転は停止するとともに、運転待機解除時には、濃縮水を系外に排出するように流路切り替えバルブ12,13,14をそれぞれ切り替え、排水タンク2の直後から濾過膜11の直前までの間の流路の内部に滞留した被処理排水を系外に排出した。次いで、通常の排水処理システムの運転を再開した。運転待機解除後(運転再開後)における排水処理システム20の運転状態を確認した結果を「運転再開結果」として表3に示す。
Figure 0005563765
表2及び表3に示すように、実施例1〜4の排水処理システムを用いて排水処理した場合には、比較例1の排水処理システムを用いて排水処理した場合のように運転再開後に急激な膜詰まりが発生することなく、3ヶ月以上に渡って安定した状態で運転を継続することが可能であった。
本発明の排水処理システムは、シリコン加工、特にシリコンインゴットの外周研削加工によって生じたシリコン加工屑を含有するシリコン加工排水の処理に好適に用いることができる。

Claims (3)

  1. シリコン加工屑を含有するシリコン加工排水を濾過処理する排水処理システムであって、
    前記シリコン加工排水に酸性流体を注入してそのpHが4.0〜6.5の被処理排水を得る酸性流体注入手段と、
    前記被処理排水を貯留する排水貯留手段と、
    前記被処理排水を濾過して、前記シリコン加工屑の含有割合が増加した濃縮水と濾過水に分離する濾過手段と、
    前記被処理排水を前記排水貯留手段から前記濾過手段に送液する送液手段と、
    前記排水貯留手段に貯留される前記被処理排水の量が基準量を下回った場合、又は分離された濃縮水及び/若しくは濾過水の量が基準量を上回った場合に、前記濾過手段に流入する直前における前記被処理排水のpHと連動して、連続的又は間欠的に、前記被処理排水のpHを4.0〜6.5に調整して前記濾過手段に送液するとともに、前記濃縮水、又は前記濃縮水と前記濾過水を前記排水貯留手段に送液することが可能な循環送液制御手段と、を備えた排水処理システム。
  2. 前記酸性流体が、炭酸ガスである請求項1に記載の排水処理システム。
  3. シリコン加工屑を含有するシリコン加工排水を濾過処理する排水処理方法であって、
    請求項1または2に記載の排水処理システムを使用する排水処理方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101426723B (zh) * 2006-02-24 2011-12-14 Ihi压缩和机器株式会社 硅粒的处理方法和装置
KR100985861B1 (ko) * 2008-09-24 2010-10-08 씨앤지하이테크 주식회사 반도체용 슬러리 공급장치 및 슬러리 공급방법
EP2489641A1 (en) * 2011-02-15 2012-08-22 Ostara Nutrient Recovery Technologies Inc. Methods and apparatus for struvite recovery using upstream CO2 injection
JP2012178418A (ja) * 2011-02-25 2012-09-13 Nomura Micro Sci Co Ltd 研磨剤の回収方法および研磨剤の回収装置
CN102233539A (zh) * 2011-07-05 2011-11-09 大连隆正光饰机制造有限公司 光饰机水循环***
JP5868150B2 (ja) * 2011-12-06 2016-02-24 株式会社ディスコ 廃液処理装置
WO2013091129A1 (en) * 2011-12-19 2013-06-27 General Electric Company Membrane filtration process for industrial process water treatment and recovery
CA2975934A1 (en) * 2015-02-03 2016-08-11 Chelan, Inc. Improved fluid treatment apparatus and processes
CN109704342B (zh) * 2018-12-26 2024-05-03 山东辰宇稀有材料科技有限公司 一种硅粉废液回收设备
JP2021094674A (ja) 2019-12-19 2021-06-24 株式会社ディスコ 廃液処理装置及び加工水再生システム

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261691A (ja) * 1985-09-12 1987-03-18 Japan Organo Co Ltd 濾過膜による濾過方法
JPH07316846A (ja) * 1994-05-27 1995-12-05 Asahi Chem Ind Co Ltd ケミカルメカニカルポリッシング液の再生方法
JPH08115892A (ja) * 1994-10-14 1996-05-07 Kurita Water Ind Ltd 研磨剤粒子の回収方法
JPH1066971A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Toray Ind Inc 純水製造装置および純水製造方法
JPH11156164A (ja) * 1997-11-26 1999-06-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 酢酸セルロース膜の保管方法及びホウ酸廃液処理装置
JP2001038153A (ja) * 1999-05-27 2001-02-13 Sanyo Electric Co Ltd 排水の再生システム
JP2001198825A (ja) * 2000-01-14 2001-07-24 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
JP2002050596A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Sanyo Electric Co Ltd 半導体結晶物の処理システムおよび半導体ウェハの処理システム
JP2002126733A (ja) * 2000-10-26 2002-05-08 Teraoka Seiko Co Ltd 浄水装置
JP2002292362A (ja) * 2001-03-30 2002-10-08 Kurita Water Ind Ltd 比抵抗調整水製造装置
JP2004261768A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Japan Organo Co Ltd 超純水製造システムおよびその運転方法
JP2005021805A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 排水処理方法及び排水処理システム

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6283086A (ja) * 1985-10-07 1987-04-16 Nec Kyushu Ltd 研削排水回収装置
JPH074224B2 (ja) 1989-10-30 1995-01-25 三菱電機株式会社 膜分離型リアクタの制御装置
JP3341601B2 (ja) * 1996-10-18 2002-11-05 日本電気株式会社 研磨剤の回収再利用方法および装置
JP3569605B2 (ja) 1997-02-25 2004-09-22 日本碍子株式会社 コロイダルシリカ含有廃水からの水回収方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6261691A (ja) * 1985-09-12 1987-03-18 Japan Organo Co Ltd 濾過膜による濾過方法
JPH07316846A (ja) * 1994-05-27 1995-12-05 Asahi Chem Ind Co Ltd ケミカルメカニカルポリッシング液の再生方法
JPH08115892A (ja) * 1994-10-14 1996-05-07 Kurita Water Ind Ltd 研磨剤粒子の回収方法
JPH1066971A (ja) * 1996-08-28 1998-03-10 Toray Ind Inc 純水製造装置および純水製造方法
JPH11156164A (ja) * 1997-11-26 1999-06-15 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 酢酸セルロース膜の保管方法及びホウ酸廃液処理装置
JP2001038153A (ja) * 1999-05-27 2001-02-13 Sanyo Electric Co Ltd 排水の再生システム
JP2001198825A (ja) * 2000-01-14 2001-07-24 Kurita Water Ind Ltd 研磨材の回収装置
JP2002050596A (ja) * 2000-08-02 2002-02-15 Sanyo Electric Co Ltd 半導体結晶物の処理システムおよび半導体ウェハの処理システム
JP2002126733A (ja) * 2000-10-26 2002-05-08 Teraoka Seiko Co Ltd 浄水装置
JP2002292362A (ja) * 2001-03-30 2002-10-08 Kurita Water Ind Ltd 比抵抗調整水製造装置
JP2004261768A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Japan Organo Co Ltd 超純水製造システムおよびその運転方法
JP2005021805A (ja) * 2003-07-02 2005-01-27 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp 排水処理方法及び排水処理システム

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