JP5563760B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
また、前記第1コンタクトホールの深さは、請求項4に記載されているように、前記第2コンタクトホールの深さよりも浅くてもよい。
また、前記エッチングストッパ層のCF 4 ガスに対するエッチングレートは、請求項5に記載されているように、前記半導体層のCF 4 ガスに対するエッチングレートよりも小さくてもよい。
3 エピタキシャル層(半導体層)
4 ドレイン領域
5 ボディ領域
6 ゲートトレンチ
8 ゲート電極
9 ソース領域
10 ボディコンタクト領域
11 層間絶縁膜(絶縁膜)
12 表面(絶縁膜の表面)
13 ゲートコンタクトホール(第1コンタクトホール)
14 エッチングストッパ層
15 ソースコンタクトホール(第2コンタクトホール)
16 ゲートコンタクトプラグ(第1導電プラグ)
17 ソースコンタクトプラグ(第2導電プラグ)
31 表面(半導体層の表面)
41 半導体装置
Claims (5)
- 半導体層と、
前記半導体層の表面から堀り下がったゲートトレンチと、
前記ゲートトレンチの内壁に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層において、前記ゲートトレンチの側方に形成された第1導電型のボディ領域と、
前記半導体層の表層部に形成され、前記ボディ領域に前記半導体層の表面側から接する第2導電型のソース領域と、
前記半導体層の表面から前記ソース領域を貫通して、前記ボディ領域に接続される第2導電型のボディコンタクト領域と、
前記半導体層の基層部に形成され、前記ボディ領域に前記半導体層の表面側とは反対側の裏面側から接する第1導電型のドレイン領域と、
前記ゲートトレンチに埋設されたゲート電極と、
前記半導体層上に積層された絶縁膜と、
前記絶縁膜における前記ゲート電極に対向する部分に形成され、前記絶縁膜を貫通する第1コンタクトホールと、
前記絶縁膜における前記ボディコンタクト領域に対向する部分に形成され、前記絶縁膜を貫通する第2コンタクトホールと、
前記第1コンタクトホールを介して、前記ゲート電極に電気的に接続される第1導電プラグと、
前記第2コンタクトホールを介して、前記ソース領域および前記ボディコンタクト領域に電気的に接続される第2導電プラグと、
平面視で前記第1コンタクトホールと重なる領域において、前記ゲート電極と前記絶縁膜との間に介在され、前記ゲート電極の材料と異なり、前記ゲート電極上に形成され、かつ、前記半導体層の材料とエッチングレートの異なる材料からなるエッチングストッパ層とを備え、
前記エッチングストッパ層の端面は、前記ゲート絶縁膜の内壁と接している、半導体装置。 - 前記エッチングストッパ層が、絶縁材料からなり、
前記第1導電プラグが、前記エッチングストッパ層を貫通して前記ゲート電極に接続されている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記エッチングストッパ層が、導電材料からなる、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1コンタクトホールの深さは、前記第2コンタクトホールの深さよりも浅い、請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記エッチングストッパ層のCF 4 ガスに対するエッチングレートは、前記半導体層のCF 4 ガスに対するエッチングレートよりも小さい、請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
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