JP5550978B2 - パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図2(A),(B)は、本発明に係る実施の形態1の方法で形成された被検査パターン2を概略的に示す図である。図2(A)は、半導体ウェハ1の主面に対して垂直な方向から見た被検査パターン2の平面図(上面視図)であり、図2(B)は、図2(A)に示す被検査パターン2のIIb−IIb線に沿った断面図である。この被検査パターン2は、マスク(レチクル)を原版として用いる半導体リソグラフィ工程(以下、単に「リソグラフィ工程」と呼ぶ。)により半導体ウェハまたは基板の主面上に形成される。
次に、本発明に係る実施の形態2について説明する。図8(A),(B)は、実施の形態2の方法で形成された被検査パターン5及び基準パターン6を概略的に示す図である。図8(A)は、半導体ウェハ1の主面に対して垂直な方向から見た被検査パターン5及び基準パターン6の平面図(上面視図)であり、図8(B)は、図8(A)の基準パターン6のVIIIb−VIIIb線に沿った断面図であり、図8(C)は、図8(A)の被検査パターン5のVIIIc−VIIIc線に沿った断面図である。これら被検査パターン5及び基準パターン6は、実施の形態1の被検査パターン2の場合と同様に、マスク(レチクル)を原版として用いるリソグラフィ工程により半導体ウェハまたは基板の主面上に形成される。また、図3(B)または図3(C)に示したショット領域10内の被検査領域13に本実施の形態に係る被検査パターン5及び基準パターン6を形成することができる。
次に、本発明に係る実施の形態3について説明する。図13(A),(B)は、実施の形態3の方法で形成された被検査パターン8を概略的に示す図である。図13(A)は、半導体ウェハ1の主面に対して垂直な方向から見た被検査パターン8の平面図(上面視図)であり、図13(B)は、図13(A)の被検査パターン8のXIIIb−XIIIb線に沿った断面図である。この被検査パターン8は、実施の形態1の被検査パターン2の場合と同様に、マスク(レチクル)を原版として用いるリソグラフィ工程により半導体ウェハまたは基板の主面上に形成される。また、図3(B)または図3(C)に示したショット領域10内の被検査領域13に本実施の形態に係る被検査パターン8を形成することができる。
以上、図面を参照して本発明に係る種々の実施の形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な形態を採用することもできる。上記実施の形態1〜3では、被検査パターン2,5,8をグリッドライン11内の被検査領域13に形成することができるが、この代わりに、素子形成領域12内に、回路形成用のレジストパターンまたは絶縁膜パターンとともに被検査パターン2,5,8を形成してもよい。
Claims (6)
- 基板の主面上の被検査領域に感光性樹脂膜を形成する工程と、
投影光学系を用いて、マスクに形成された原版パターンを透過した露光光を前記感光性樹脂膜の表面に照射する露光工程と、
前記感光性樹脂膜に現像処理を施して前記原版パターンに対応する被検査パターンを形成する現像工程と、
を備え、
前記被検査パターンは、当該被検査パターンの前記主面に沿った所定方向一端側から他端側に向かうにつれて厚みが変化する傾斜構造を有し、
前記原版パターンは、前記被検査パターンの厚み分布に応じた光透過率分布を有し、
前記傾斜構造の表面は、前記一端側から前記他端側に向かうにつれて漸次高さが変化する複数の傾斜面を含み、
前記複数の傾斜面のうち隣り合う傾斜面間に段差が形成されている、
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項1に記載のパターン形成方法であって、前記傾斜構造の段差の数は2以上であることを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項1または2に記載のパターン形成方法であって、前記被検査パターンは、前記主面からほぼ垂直に立ち上る側面を有することを特徴とするパターン形成方法。
- 請求項1から3のうちのいずれか1項に記載のパターン形成方法であって、
前記基板は半導体ウェハであり、
前記被検査領域は、半導体素子が形成されるべき素子形成領域以外の領域に設けられる
ことを特徴とするパターン形成方法。 - 請求項4に記載のパターン形成方法であって、前記被検査領域は、前記半導体ウェハのダイシング領域上に形成されることを特徴とするパターン形成方法。
- 半導体ウェハの主面上における半導体素子が形成される素子形成領域と被検査領域とにそれぞれ感光性樹脂膜を同時に形成する工程と、
投影光学系を用いて、マスクに形成された検査用原版パターンを透過した露光光を前記被検査領域に形成された当該感光性樹脂膜の表面に照射すると同時に、前記マスクに形成された回路用原版パターンを透過した露光光を前記素子形成領域に形成された当該感光性樹脂膜の表面に照射する露光工程と、
前記感光性樹脂膜に現像処理を施して前記検査用原版パターン及び前記回路用原版パターンにそれぞれ対応する被検査パターン及び回路形成用パターンを形成する現像工程と、
を備え、
前記被検査パターンは、当該被検査パターンの前記主面に沿った所定方向一端側から他端側に向かうにつれて厚みが変化する傾斜構造を有し、
前記原版パターンは、前記被検査パターンの厚み分布に応じた光透過率分布を有し、
前記傾斜構造の表面は、前記一端側から前記他端側に向かうにつれて漸次高さが変化する複数の傾斜面を含み、
前記複数の傾斜面のうち隣り合う傾斜面間に段差が形成されている、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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