JP5544330B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。

近年、平面表示装置が盛んに開発されており、中でも液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、各種分野に適用されている。このような液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を保持した構成であり、画素電極と共通電極との間の電界によって液晶層を通過する光に対する変調率を制御し、画像を表示するものである。

液晶表示装置は、一対の基板の基板面と略直交する方向の縦電界を液晶層に印加して液晶の配向状態を制御する方式と、一対の基板の基板面と略平行な方向の横電界（フリンジ電界も含む）を液晶層に印加して液晶の配向状態を制御する方式とが知られている。

一対の基板の一方は、マトリクス状に配置された表示画素を駆動する駆動配線と、スイッチング素子と、駆動配線および画素スイッチの上層に配置された透明有機絶縁膜（以下、平坦化膜と称する）と、平坦化膜の上層に配置された導電層とを備えている。

広視野角化の観点から、横電界を利用した構造が特に注目されている。In-Plane Switching（ＩＰＳ）モードや、Fringe Field Switching（ＦＦＳ）モードなどの横電界方式の液晶表示装置は、アレイ基板に形成された画素電極と共通電極とを備え、アレイ基板の主面に対してほぼ平行な横電界で液晶分子をスイッチングするように構成されている。

特開２０１０−２３１７７３号公報

横電界を利用する液晶表示装置では、平坦化膜の上層に共通電極と画素電極とが配置される。また、縦電界を利用する液晶表示装置では、平坦化膜の上層に画素電極が配置され、一対の基板の他方に複数の画素電極と対向するように共通電極が配置される。

平坦化膜が十分な厚さを有していない場合、液晶層の配向状態や平坦化膜の上層に配置された導電層と平坦化膜の下層に配置された駆動配線やスイッチング素子との間に、既成容量が発生することがあった。例えば、接触センサが一体に形成された液晶表示装置の場合、平坦化膜の上層にセンサ電極が配置されることがある。このセンサ電極と駆動配線との間に既成容量が発生すると、接触位置を正確に検出することが困難になることがあった。これに対しセンサ電極に大きな電流を流して接触位置を正確に検出可能とすると、消費電力が大きくなる場合があった。

そこで、平坦化膜の下層に配置された駆動配線等の電界の平坦化膜の上層への影響を抑制するために平坦化膜を厚くすると、平坦化膜のパターン端部を横切るように導電層や絶縁膜が平坦化膜の上層に配置される場合、平坦化膜のパターン端部の段差により露光レジストに十分に覆われない部分が生じ、エッチング加工時に配線切れや膜ベリが発生して導電層の抵抗が大きくなり、表示品位の低下を招くことがあった。

本発明は上記事情を鑑みて成されたものであって、表示品位の良好な液晶表示装置を提供することを目的とする。

実施形態によれば、マトリクス状に配置された複数の表示画素を含む表示領域と、前記複数の表示画素を駆動する駆動配線と、前記駆動配線の上層に配置されパターン端部に膜厚の薄い薄膜部が設けられている平坦化膜と、前記平坦化膜上において前記平坦化膜のパターン端部を横切って配置された第１電極と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板と対向して配置された対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に配置された複数の柱状スペーサと、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を備え、前記平坦化膜は、前記対向基板の割断部と対向する位置と前記表示領域との間に配置された第２平坦化膜をさらに備え、前記第２平坦化膜はパターン端部に膜厚の薄い薄膜部を備え、前記複数の柱状スペーサは、前記割断部の近傍に設けられ前記第２平坦化膜に当接する柱状スペーサを含んでいる液晶表示装置が提供される。

実施形態の液晶表示装置の一構成例を説明するための斜視図である。 図１に示す液晶表示装置の線ＩＩ−ＩＩにおける断面の一例を示す図である。 図２に示す液晶表示パネルの線ＩＩＩで囲むアレイ基板の一部の拡大平面図である。 図３に示すアレイ基板の一部の線ＩＶ−ＩＶにおける断面の一例を説明するための図である。 図１に示す液晶表示装置の表示画素の一構成例を説明するための平面図である。 実施形態の液晶表示装置の平坦化膜の上層に導電層を形成する工程の一例を説明するための図である。 実施形態の液晶表示装置の平坦化膜が配置される位置の一例を説明するための図である。 比較例の液晶表示装置について平坦化膜のパターン端部の一構成例を説明するための図である。 比較例の液晶表示装置の平坦化膜の上層に導電層を形成する工程の一例を説明するための図である。

以下、実施形態の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
図１に、本実施形態の液晶表示装置の一例を概略的に示す。液晶表示装置は、アレイ基板１１０とアレイ基板１１０と所定の間隙をおいて対向配置された対向基板１２０と、アレイ基板１１０と対向基板１２０との間に挟持された液晶層７０（図２に示す）と、マトリクス状に配置された表示画素ＰＸを含む表示領域２５と、を備える液晶表示パネルと、液晶表示パネルを背面側から照明するバックライトユニット１３０と、を備えている。

図２に、図１に示す液晶表示パネルのＩＩ−ＩＩにおける断面の一例を示す。本実施形態の液晶表示装置は、横電界を利用して液晶層７０の配向状態を制御するＦＦＳモードの液晶表示装置である。

アレイ基板１１０は、ガラス等の透明絶縁性基板１０と、透明絶縁性基板１０上に配置された画素駆動配線と、スイッチング素子１４と、絶縁膜Ｌ１、５０と、平坦化膜２０と、共通電極（第１電極）３０と、センサ電極（第２電極）４０と、画素電極（第３電極）６０と、図示しない配向膜と、駆動回路と、を備えている。画素駆動配線は、複数の走査線１１と、複数の信号線１２とを備えている。

駆動回路は、表示領域２５の周囲を囲む額縁領域に配置された複数の走査線１１を駆動する走査線駆動回路ＹＤと、複数の信号線１２を駆動する信号線駆動回路ＸＤと、を備えている。

走査線駆動回路ＹＤは走査線１１が延びる方向における表示領域２５の両脇に配置され、走査線駆動回路ＹＤには表示領域２５から延びる複数の走査線１１が電気的に接続されている。信号線駆動回路ＸＤには表示領域２５から延びる複数の信号線１２が電気的に接続されている。

アレイ基板１１０の端部には図示しないフレキシブル基板が接続され、走査線駆動回路ＹＤおよび信号線駆動回路ＸＤには、フレキシブル基板を介して図示しない信号源から制御信号および映像信号が供給される。

走査線１１は、表示領域２５においてマトリクス状に配置された表示画素ＰＸの行に沿って延びている。信号線１２は、表示領域２５においてマトリクス状に配置された表示画素ＰＸの列に沿って延びている。

スイッチング素子１４は、走査線１１と信号線１２とが交差する位置近傍に配置されている。スイッチング素子１４は、透明絶縁性基板１０上に配置された図示しないアンダーコート層上に配置され、アモルファスシリコンあるいはポリシリコンの半導体層ＳＣと、ゲート電極１４ｂと、ソース電極１４ａと、ドレイン電極１４ｃと、を含む薄膜トランジスタを備えている。

スイッチング素子１４の半導体層ＳＣの上層にはゲート絶縁膜が配置され、ゲート絶縁膜上にスイッチング素子１４のゲート電極１４ｂが配置されている。スイッチング素子１４のソース電極１４ａとドレイン電極１４ｃとは絶縁膜Ｌ１に設けられたコンタクトホールにおいて半導体層ＳＣと接続されている。

スイッチング素子１４のゲート電極１４ｂは、対応する走査線１１と電気的に接続されている（あるいは一体に形成されている）。スイッチング素子１４のソース電極１４ａは、対応する信号線１２と電気的に接続されている（あるいは一体に形成されている）。スイッチング素子のドレイン電極１４ｃは、後述するコンタクトホール２１、５１において対応する画素電極６０と電気的に接続されている。

走査線駆動回路ＹＤにより走査線１１が駆動されてスイッチング素子１４のゲート電極１４ｂに電圧が印加されると、ソース電極１４ａとドレイン電極１４ｃとの間が導通し、スイッチング素子１４が一定期間オン状態となる。スイッチング素子１４がオン状態である期間に、信号線１２からスイッチング素子１４を介して画素電極６０へ映像信号が供給される。

スイッチング素子１４上には平坦化膜２０が配置されている。本実施形態では、平坦化膜２０は透明有機絶縁膜であって、平坦化膜２０の膜厚Ｔ１（図４に示す）は略３μｍである。平坦化膜２０は、コンタクトホール２１を除いて表示領域２５の全体に渡って配置され、対向基板１２０の割断部１２０Ｃと対向する位置近傍に配置された第２平坦化膜２０´（図７に示す）を備えている。スイッチング素子１４のドレイン電極１４ｃ上の平坦化膜２０には、後述する画素電極６０と電気的接続を取るためのコンタクトホール２１が設けられている。また、平坦化膜２０は、パターン端部に薄膜部２３を備えている。

図３に、図２に示す液晶表示パネルの平坦化膜２０の線ＩＩＩで囲むパターン端部の一構成例を説明するための図を示す。

図４に、図３の線ＩＶ−ＩＶにおける断面の一例を示す。平坦化膜２０のパターン端部には薄膜部２３が設けられている。薄膜部２３の膜厚Ｔ２は平坦化膜２０の膜厚Ｔ１よりも薄くなっている。本実施形態では、平坦化膜２０の膜厚Ｔ１が略３μｍであるのに対し、薄膜部２３の膜厚Ｔ２は略１．５μｍである。薄膜部２３は、表示領域２５を囲むように額縁領域に設けられている。

図５に、アレイ基板１１０の表示領域２５の構成の一例を示す。なお、図５では、画素電極６０とセンサ電極４０とを一部省略して共通電極３０の形状を示している。

平坦化膜２０上には共通電極３０が配置されている。共通電極３０は例えばＩＴＯ（indium tin oxide）やＩＺＯ（indium zinc oxide）等の透明電極材料により形成されている。共通電極３０は、表示領域２５においてマトリクス状に配置されている。マトリクス状に配置された複数の共通電極３０のそれぞれは、複数の表示画素ＰＸに渡って配置され、複数の画素電極６０と対向するように配置されている。共通電極３０は後述のセンサ電極４０との重ね合せ精度を考慮した同じパターンも盛り込み形成する。

表示領域２５の端部に配置された共通電極３０は平坦化膜２０のパターン端部を横切って額縁領域へ延びて配置され、例えば外部の信号源からフレキシブル基板を介して共通電圧が印加されている。

また、コンタクトホール２１には共通電極３０と同じ材料で形成された接続電極３１が配置されている。スイッチング素子１４のドレイン電極１４ｃと接続電極３１とはコンタクトホール２１において電気的に接続している。

共通電極３０上にはセンサ電極４０が配置されている。センサ電極４０は、例えばアルミニウムとモリブデンとの多層電極である。センサ電極４０は走査線１１が延びる方向と略平行に延びた電極と信号線１２が延びる方向と略平行に延びた電極とを含む格子状に配置され、複数の共通電極３０を電気的に接続している。センサ電極４０は、表示領域２５において共通電極３０の上の段差のない平坦な部分に配置されることが望ましい。

図３に示すように、センサ電極４０は平坦化膜２０のパターン端部を横切って額縁領域へ延びて配置され、例えば外部に設けられた図示しない感知回路と電気的に接続されている。

本実施形態の液晶表示装置で接触位置を検出する場合、感知回路はセンサ電極４０へ所定波形の信号を供給する。ユーザの指先やペン先とセンサ電極４０と距離に応じて、指先等とセンサ電極４０との間に生じる容量の大きさが変化する。感知回路は、指先等とセンサ電極４０との間の容量の変化によるセンサ電極４０の電位の変化を、センサ電極４０から出力された信号の出力波形から検出して、ユーザの指先やペン先等が接触した位置に対応するセンサ電極４０の座標位置を検出する。

センサ電極４０上には絶縁膜５０が配置されている。絶縁膜５０は、画素電極６０と接続電極３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール５１を備えている。

絶縁膜５０上には画素電極６０が配置され、コンタクトホール５１において接続電極３１と電気的に接続している。画素電極６０は、例えばＩＴＯやＩＺＯ等の透明電極材料により形成されている。画素電極６０の上層には図示しない配向膜が配置されている。

画素電極６０は、互いに略平行に延びたスリット６０Ｓを備えている。本実施形態では、複数のスリット６０Ｓは信号線１２が延びる方向と略平行に延びている。

画素電極６０と共通電極３０との間に生じる電界により液晶層７０の配向状態が制御される。画素電極６０にスリット６０Ｓを設けることにより、表示画素ＰＸの中央部分においても画素電極６０と共通電極３０との間に電界が生じて、液晶層７０の配向状態を制御することが可能となる。

対向基板１２０は、ガラス等の透明絶縁性基板２８と、透明樹脂平坦化膜２９と、複数の着色層と、図示しない配向膜とを備えている。

複数の着色層は、有機絶縁膜である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のうちのいずれかのレジストによって着色された第１着色層２４ａ、第２着色層２４ｂ、第３着色層２４ｃと、黒色の第４着色層２７ａ、第５着色層２７ｂと、を備えている。第４着色層２７ａは表示領域２５を囲むように配置さている。第５着色層２７ｂは、アレイ基板１１０の走査線１１および信号線１２と対向する位置に格子状に配置されている。

アレイ基板１１０と対向基板１２０とは、互いの配向膜が対向するように配置されシール剤２６により固定される。アレイ基板１１０と対向基板１２０との間には、柱状スペーサ２２が配置されている。柱状スペーサ２２によりアレイ基板１１０と対向基板１２０との距離は一定に保持される。本実施形態では、柱状スペーサ２２の高さは２μｍ以上６μｍ以下で任意に制御している。

シール剤２６は、表示領域２５を囲むように配置されている。本実施形態ではシール剤２６は、平坦化膜２０の薄膜部２３により生じる段差の上層に配置されている。

液晶層７０は、アレイ基板１１０、対向基板１２０、およびシール剤２６により囲まれた領域に配置されている。

アレイ基板１１０および対向基板１２０の液晶層７０側と反対に位置する面には図示しない偏光板が夫々配設されている。

続いて、本実施形態の液晶表示装置の製造方法の一例について説明する。
まず、アレイ基板１１０を形成する方法について説明する。複数のアレイ基板１１０を切り出す第１透明絶縁性基板上に成膜とパターンニングとを繰り返してスイッチング素子１４、走査線１１、信号線１２、絶縁膜Ｌ１、および、アレイ基板１１０上の他のスイッチング素子や各種配線を形成する。

続いて、露光レジストを塗布、露光、現像して平坦化膜２０を形成する。このとき、露光レジストは表示領域２５および額縁領域の全面に塗布される。本実施形態では露光レジストは光硬化性のものを採用し、露光マスクを介して露光レジストを露光してコンタクトホール２１を有する所定パターンの平坦化膜２０となるように硬化させる。このとき、平坦化膜２０のパターン端部では露光レジストがハーフトーンマスクを介して露光され、平坦化膜２０の端部に膜厚の薄い薄膜部２３が形成される。

このとき、図７に示すように、平坦化膜２０と同時に、第２平坦化膜２０´が表示領域２５と対向基板１２０の割断部１２０Ｃと対向する位置との間に形成される。第２平坦化膜２０´についても上層に配置される配線と交差する端部では露光レジストがハーフトーンマスクを介して露光され、薄膜部（第３薄膜部）２３´が形成される。

図６に、平坦化膜２０の上層に共通電極３０を形成する工程の一例を説明するための図を示す。平坦化膜２０の上にＩＴＯ等の透明電極材料を成膜し、透明電極材料上にさらに露光レジストＲを塗布する。露光レジストＲは露光および現像して接続電極３１および共通電極３０の所定のパターンにパターンニングする。続いて、エッチングにより透明電極材料をパターンニングした後、露光レジストＲを剥離して所定パターンの共通電極３０を形成する。

続いて、共通電極３０の上層に、アルミニウムおよびモリブデンの成膜およびパターンニングを繰り返して所定の電極パターンを複数回形成してアルミニウムとモリブデンとの多層電極であるセンサ電極４０を形成する。続いて、センサ電極４０上に露光レジストを塗布、露光、現像してコンタクトホール５１を有する絶縁膜５０を形成する。続いて、絶縁膜５０上にＩＴＯ等の透明電極材料を成膜し、スリット６０Ｓを備える所定のパターンにパターンニングして画素電極６０を形成する。その後、画素電極６０の表面には所定方向にラビング処理等の配向処理を施した配向膜を形成する。

上記のように、平坦化膜２０のパターン端部に膜厚の薄い薄膜部２３を形成すると、平坦化膜２０のパターン端部に生じる段差が小さくなるため、上層に配置される透明電極材料を露光レジストＲにより十分覆うことが可能となる。

図８に、薄膜部２３を設けない場合の平坦化膜２０のパターン端部の構成の一例を説明するための図を示す。

図９に、薄膜部２３を設けない場合に平坦化膜２０の上層に導電層を形成する工程の一例を説明するための図を示す。図９は、図８の線ＩＸ−ＩＸにおける断面である。図８に示すように平坦化膜２０のパターン端部に薄膜部２３を設けない場合、平坦化膜２０のパターン端部に３μｍの段差が生じる。このとき、図９に示すように平坦化膜２０のパターン端部を横切るように上層に配置される透明電極材料が露光レジストＲにより十分覆われない部分Ａが生じる場合があった。透明電極材料が露光レジストＲに十分覆われていない状態でエッチング工程を行うと、エッチング工程にて部分Ａの透明電極材料が除去され断線や膜ベリが発生することがある。センサ電極４０についても同様に、断線や膜ベリが生じることがある。したがって、平坦化膜２０のパターン端部に薄膜部２３が設けられない場合には、共通電極３０やセンサ電極４０が高抵抗となることがある。

これに対し、本実施形態の液晶表示装置では、平坦化膜２０のパターン端部に膜厚の薄い薄膜部２３が設けられることにより、パターン端部には略１．５μｍの段差が所定の間隔を置いて２つ形成され、大きな段差が生じることが回避される。このことにより、平坦化膜２０のパターン端部上に配置される露光レジストＲの勾配を緩やかにすることができ、露光レジストＲから透明電極材料が露出することこがなくなる。その結果、平坦化膜２０のパターン端部上を横切るように上層に配置される導電層がエッチング工程にて除去されることがなくなり、共通電極３０やセンサ電極４０が高抵抗となることを回避することが可能となる。

さらに、平坦化膜２０の薄膜部２３により生じる段差は、表示領域２５を囲むように形成され、後述するシール剤２６の下地となっている。例えばシール剤２６が平坦化膜２０のパターン端部の上層に配置され、シール剤２６の下地に段差がある部分と、段差が無い部分とが設けられると、シール剤２６の塗布量を調整することが困難となる。例えばシール剤２６の塗布量が多い部分や少ない部分では、シール剤２６が表示領域２５に流れ出したり、基板間の厚さが不均一となったりすることにより表示品位が低下する可能性がある。これに対し、シール剤２６の下地部分全体に薄膜部２３により生じる段差があることにより、シール剤２６の塗布量の調整が容易となり、表示品位の良好な液晶表示装置を形成することが可能となる。

同様に、表示領域２５と後述する対向基板１２０の割断部１２０Ｃと対向する位置との間にも配置された第２平坦化膜２０´についても、上層に配置される導電層と交差する端部に薄膜部２３´を形成することにより、上層に配置される導電層の断線や膜ベリを防止し、配線抵抗が高くなることを回避することが可能となり、表示品位の良好な液晶表示装置を形成することが可能となる。

次に、対向基板１２０を形成する方法について説明する。複数の対向基板１２０を切り出す第２透明絶縁性基板上に、着色された露光レジストの塗布、露光、現像を繰り返して、第１着色層２４ａ、第２着色層２４ｂ、第３着色層２４ｃ、第４着色層２７ａ、および、第５着色層２７ｂを形成する。さらに、複数の着色層上に透明樹脂平坦化膜２９となる透明樹脂材料を塗布し、所定パターンにパターンニングして透明樹脂平坦化膜２９を形成する。その後、透明樹脂平坦化膜２９の表面に所定方向にラビング処理を施した配向膜を形成する。

柱状スペーサ２２は、第１透明絶縁性基板あるいは第２透明絶縁性基板上に、例えば樹脂材料を塗布し、所定パターンにパターンニングすることにより形成される。このとき、図７に示す割断部１２０Ｃ近傍にも、第２平坦化膜２０´と対向する柱状スペーサ２２が形成される。

続いて、表示領域２５を囲むように第１透明絶縁性基板上あるいは第２透明絶縁性基板上に例えば紫外線硬化樹脂からなるシール剤２６を塗布し、複数のアレイ基板１１０となる透明絶縁性基板と複数の対向基板１２０となる透明絶縁性基板とを互いの配向膜が向かい合うように対向させて位置あわせし、シール剤２６に紫外線を照射して硬化させて固定する。

液晶材料は、シール剤２６が開口した注入口から表示領域２５に注入されてもよく、第１透明絶縁性基板と第２透明絶縁性基板とを貼り合わせる前に、シール剤２６に囲まれた領域に滴下されてもよい。注入口から液晶材料を注入する場合は、注入後に注入口を封止剤により封止して液晶層７０が形成される。液晶材料を滴下する場合には、滴下した後に第１透明絶縁性基板と第２透明絶縁性基板とを貼り合わせて液晶層７０が形成される。

第１透明絶縁性基板と第２透明絶縁性基板とが貼り合わされた状態で、複数のアレイ基板１１０と、アレイ基板１１０と対向する第２透明絶縁性基板の部分とを切り出し、さらに図７に示す割断部１２０Ｃにおいて第２透明絶縁性基板を割断して対向基板１２０を切り出す。

このとき、割断部１２０Ｃの近傍に平坦化膜２０および平坦化膜２０と当接した柱状スペーサ２２が配置されているため、割断部１２０Ｃにて第２透明絶縁性基板を割断する際に柱状スペーサ２２により割断部１２０Ｃ近傍のアレイ基板１１０と対向基板１２０との間が支持され、割断不良となることを防止することができる。

続いて、アレイ基板１１０および対向基板１２０の液晶層７０側と反対に位置する面に偏光板を配設して、液晶表示装置を形成する。

上記のように、本実施形態の液晶表示装置では、平坦化膜２０のパターン端部に薄膜部２３を設けることにより、平坦化膜２０への乗り上げ段差部が階段状になり、露光レジストＲのカバレジ性が改善される。これにより平坦化膜２０のパターン端部上にオーバーラップして積層される導電層のエッチング工程時に発生していた配線切れや膜ベリが防止でき、低抵抗で良質なセンサ電極をもった液晶表示装置を提供することが出来る。

すなわち、本実施形態によれば、配線切れや膜ベリを防止することにより、接触位置の検出精度が低下することを回避し、良好な表示品位の液晶表示装置を提供することができる。

なお、上記実施形態の液晶表示装置では、平坦化膜２０の膜厚Ｔ１は略３μｍとしているがその限りではない。また、薄膜部２３の膜厚Ｔ２は略１．５μｍとしているがその限りではない。平坦化膜２０の膜厚Ｔ１と薄膜部２３の膜厚Ｔ２との差が略２μｍ以下であれば上記実施形態と同様の効果を得ることができる。従って、薄膜部２３の厚さＴ２は、少なくともＴ１−２［μｍ］以上であればよい。

また、上記実施形態の液晶表示装置では、薄膜部２３により平坦化膜２０のパターン端部に２段階の段差（２つの略１．５μｍの段差）を形成しているがその限りではない。平坦化膜２０のパターン端部の段階的に薄くなるように複数の薄膜部を設けて、３段階以上の段差を設けることも可能である。例えば膜厚略３μｍの平坦化膜２０のパターン端部に膜厚略２μｍの薄膜部と膜厚略１μｍの第２薄膜部とをパターン端部の膜厚が段階的に薄くなるように設けて、略１μｍの段差を３つ形成してもよい。複数の薄膜部を形成する場合でも、段差を形成する隣接した層の膜厚の差は２μｍ以下とすることが望ましい。

また、本実施形態の液晶表示装置では平坦化膜２０を用いたアレイ基板１１０であるがその限りではない。カラーフィルタオンアレイ基板（ＣＯＡ基板）を有する液晶表示装置において、表示領域に設けられる複数の着色層（ＲＧＢレイヤー）や、額縁領域に設けられる着色層の端部を横切る配線が上層に配置される場合、最外周に配置される着色層のパターン端部に厚さの薄くなった部分を設けて段差を形成しても良い。その場合でも上述の実施形態の液晶表示装置と同様の効果を得ることができる。

また、上記実施形態ではＦＦＳモードの液晶表示装置について説明したが、ＦＦＳモードの液晶表示装置以外であってもよい。平坦化膜と、平坦化膜のパターン端部を横切るように上層に配置された導電層と、を備えた液晶表示装置であれば、平坦化膜のパターン端部に薄膜部を設けることにより上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。横電界を利用する液晶表示装置だけでなく、縦電界を利用する液晶表示装置にも適用することが可能であることは言うまでもない。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

ＰＸ…表示画素、Ｌ１．５０…絶縁膜、Ｒ…露光レジスト、Ｔ１、Ｔ２…膜厚、１０…透明絶縁性基板、１１…走査線、１２…信号線、１４…スイッチング素子、２０…平坦化膜、２０´…第２平坦化膜、２１…コンタクトホール、２２…柱状スペーサ、２３…薄膜部、２３´…薄膜部（第３薄膜部）、２５…表示領域、２６…シール剤、２８…透明絶縁性基板、３０…共通電極、４０…センサ電極、５０…絶縁膜、５１…コンタクトホール、６０…画素電極、６０Ｓ…スリット、７０…液晶層、１１０…アレイ基板、１２０…対向基板、１２０Ｃ…割断部、１３０…バックライトユニット。

Claims (6)

1. マトリクス状に配置された複数の表示画素を含む表示領域と、
   前記複数の表示画素を駆動する画素駆動配線と、前記画素駆動配線の上層に配置されパターン端部に膜厚の薄い薄膜部を有する平坦化膜と、前記平坦化膜上において前記平坦化膜のパターン端部を横切って配置された第１電極と、を備えたアレイ基板と、
   前記アレイ基板と対向して配置された対向基板と、
   前記アレイ基板と前記対向基板との間に配置された複数の柱状スペーサと、
   前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶層と、を備え、
   前記平坦化膜は、前記対向基板の割断部と対向する位置と前記表示領域との間に配置された第２平坦化膜をさらに備え、前記第２平坦化膜はパターン端部に膜厚の薄い薄膜部を備え、
   前記複数の柱状スペーサは、前記割断部の近傍に設けられ前記第２平坦化膜に当接する柱状スペーサを含んでいる液晶表示装置。
2. 前記アレイ基板と前記対向基板との間において前記表示領域を囲むように配置されたシール剤をさらに備え、
   前記薄膜部は前記表示領域を囲むように設けられ、前記シール剤の下地となっている請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記平坦化膜の膜厚と前記薄膜部の膜厚との差は２μｍ以下である請求項１又は請求項２記載の液晶表示装置。
4. 前記平坦化膜は、前記薄膜部よりも膜厚の薄い第２薄膜部をさらに備え、
   前記薄膜部と前記第２薄膜部とは前記平坦化膜のパターン端部において段階的に膜厚が薄くなるように配置されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の液晶表示装置。
5. 前記第２平坦化膜およびこの第２平坦化膜に当接する柱状スペーサは、前記シール剤の外側に配置されている請求項２に記載の液晶表示装置。
6. 前記第１電極上に格子状に配置された第２電極と、
   前記第２電極の上層に配置された絶縁層を介して前記第１電極と対向するように配置された第３電極と、を備え、
   前記第３電極は、互いに略平行に延びる複数のスリットを有している請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の液晶表示装置。

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