JP5544228B2 - ウェーハの加工方法 - Google Patents

ウェーハの加工方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5544228B2
JP5544228B2 JP2010159478A JP2010159478A JP5544228B2 JP 5544228 B2 JP5544228 B2 JP 5544228B2 JP 2010159478 A JP2010159478 A JP 2010159478A JP 2010159478 A JP2010159478 A JP 2010159478A JP 5544228 B2 JP5544228 B2 JP 5544228B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
ring
shaped reinforcing
reinforcing portion
device region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010159478A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2012023175A (ja
Inventor
カール・プリワッサ
智隆 田渕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Corp filed Critical Disco Corp
Priority to JP2010159478A priority Critical patent/JP5544228B2/ja
Priority to DE102011078726.7A priority patent/DE102011078726B4/de
Publication of JP2012023175A publication Critical patent/JP2012023175A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5544228B2 publication Critical patent/JP5544228B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092Apparatus for mechanical treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Dicing (AREA)

Description

本発明は、デバイス領域の裏面を研削することによりデバイス領域の周囲にリング状補強部が形成されたウェーハからリング状補強部を除去する方法に関する。
IC、LSI等のデバイスが表面側に複数形成されたウェーハは、ダイシング装置等を用いて個々のデバイスに分割され、各種電子機器に組み込まれて広く使用されている。電子機器の小型化、軽量化等を図るために、個々のデバイスに分割される前のウェーハは、裏面が研削され、その厚さが例えば100μm〜50μmになるように形成される。また、こうして形成された複数のデバイスを積層させて機能を向上させる技術も提案され、実用に供されている(例えば特許文献1参照)。
ウェーハを薄く加工すると、その後のウェーハの取り扱いが困難になることから、ウェーハのデバイス領域の裏面側のみを研削してその周囲にリング状補強部を形成してその後のウェーハの取り扱いを容易とする発明が本出願人によって提案され、実用に供されている(例えば特許文献2参照)。
特開2003−249620号公報 特開2007−19461号公報
しかし、デバイス領域とリング状補強部とを分離してからリング状補強部を除去する際には、リング状補強部が破損することがあり、除去作業に時間がかかるという問題がある。また、リング状補強部が破損すると、デバイス領域を傷つけてしまうこともある。さらに、リング状補強部を除去するための特別な装置が必要になるという問題もある。このように、リング状補強部を除去することには様々な困難を伴う。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、デバイス領域の外周側にデバイス領域よりも厚いリング状補強部が形成されたウェーハにおいて、リング状補強部を破損させることなく容易に除去することができるようにすることである。
本発明は、複数のデバイスが形成されたデバイス領域とデバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハについて、ウェーハの裏面のうちデバイス領域の裏側を研削して外周余剰領域の裏側にリング状補強部を形成する工程を含み、リング状補強部が形成されたウェーハに所定の加工を施した後、リング状補強部を除去するウェーハの加工方法に関するもので、少なくとも以下の各工程を含む。
(1)ウェーハを収容する開口部を有するフレームの開口部にウェーハを収容しウェーハの表面及びフレームにダイシングテープを貼着し、ダイシングテープを介して該ウェーハを該フレームに支持させるフレーム配設工程、
(2)フレームに支持されたウェーハを保持テーブルに保持し、切削ブレードによってリング状補強部とデバイス領域との境界部をダイシングテープとともに切断してデバイス領域とリング状補強部とを分離するリング状補強部分離工程、
(3)ダイシングテープを介してフレームに支持されたリング状補強部をフレームとともに保持テーブルから離脱させてリング状補強部を除去するリング状補強部除去工程。
リング状補強部分離工程において、保持テーブルにはリング状補強部とデバイス領域との境界部に対応する位置に切削ブレードの切刃を逃がすための環状の逃げ溝が形成されている場合は、リング状補強部とデバイス領域との境界部をダイシングテープとともに切断してデバイス領域とリング状補強部とを分離する前に、逃げ溝を避けて境界部の内側を切削ブレードで切断し、切削ブレードをダイシングテープを貫通させずに切り込ませてリング状補強部とデバイス領域とを分離することが望ましい。リング状補強部除去工程の後、保持テーブルに保持されたデバイス領域のみからなるウェーハを個々のデバイスに分割する分割工程が実施される。
リング状補強部除去工程の後、保持テーブルに保持されたデバイス領域のみからなるウェーハを収容する開口部を有するフレームの開口部にデバイス領域のみからなるウェーハを収容し、ウェーハの裏面及びフレームにダイシングテープを貼着してダイシングテープを介してウェーハを該フレームに支持させ、ウェーハを個々のデバイスに分割する分割工程が実施されるようにしてもよい。
本発明では、リング状補強部が形成されたウェーハの表面をダイシングテープに貼着してフレームと一体化させ、その状態でデバイス領域とリング状補強部との境界部をダイシングテープとともに切断してデバイス領域とリング状補強部とを分離してから、リング状補強部をフレームとともに除去するようにしたため、ダイシングテープを介してフレームと一体化された状態でリング状補強部を除去することができる。したがって、リング状補強部を破損させることなく短時間で除去することができる。また、リング状補強部が破損しないことにより、デバイス領域を傷つけてしまうことも防止することができる。
さらに、デバイス領域とリング状補強部との境界部を切断する前に、境界部の内側の逃げ溝が存在しない領域においてダイシングテープを完全切断しないようにウェーハを切断することにより予めデバイス領域とリング状補強部とを分離させることで、保持テーブルに形成された逃げ溝の影響でビビリ振動が生じるのを防止することができ、デバイス領域の外周に裏面チッピングが発生するのを防止することができる。
ウェーハ及び保護部材を示す分解斜視図である。 ウェーハの表面に保護部材が貼着された状態を示す斜視図である。 ウェーハにリング状補強部を形成する工程を示す斜視図である。 リング状補強部が形成されたウェーハを示す斜視図である。 リング状補強部が形成されたウェーハを示す断面図である。 リング状補強部が形成されたウェーハがフレームに支持された状態及び切削装置の保持テーブルを示す分解斜視図である。 リング状補強部分離工程においてデバイス領域とリング状補強部との境界部を切削する状態を示す斜視図である。 リング状補強部分離工程の第1の変更例を示す断面図である。 リング状補強部分離工程の第2の変更例を示す断面図である。 リング状補強部分離工程の第3の変更例を示す断面図である。 フレームとともにリング状補強部を除去する状態を示す斜視図である。 デバイス領域のみからなるウェーハを分割する状態を示す斜視図である。 デバイス領域のみからなるウェーハにダイシングテープを貼着してフレームと一体化させる状態を示す斜視図である。 フレームに支持されデバイス領域のみからなるウェーハから保護部材を剥離する状態を示す斜視図である。 フレームに支持されデバイス領域のみからなるウェーハを分割する状態を示す斜視図である。
図1に示すウェーハWの表面Waにおいては、ストリートSによって区画されて複数のデバイスDが形成されており、デバイスDが形成された部分がデバイス領域W1を構成している。また、デバイス領域W1の外周側には、デバイスが形成されていない領域である外周余剰領域W2が形成され、デバイス領域W1は外周余剰領域W2によって囲繞された構成となっており、境界部W12によってデバイス領域W1と外周余剰領域W2とが仕切られた構成となっている。
(1)保護部材貼着工程
このウェーハWの裏面Wbを研磨するにあたり、ウェーハWの表面Waに、デバイスDを保護するためにテープ等からなる保護部材1を貼着し、図2に示す状態とする。なお、図2は、ウェーハWの表面Waに保護部材1を貼着し表裏を反転させた状態を示している。
(2)裏面研削工程
次に、ウェーハWの裏面Wbのうちデバイス領域W1に相当する部分、すなわちデバイス領域1の裏側を研削して所望の厚さにする。かかる研削には、例えば図3に示す研削装置2を用いることができる。
この研削装置2は、ウェーハを保持する保持テーブル20と、保持テーブル20に保持されたウェーハに対して研削を施す研削部21とを備えている。研削部21は、鉛直方向の軸心を有する回転軸22と、回転軸22の下端に装着されたホイール23と、ホイール23の下面に固着された砥石部24とから構成される。砥石部24は、その回転軌道の最外周の直径がデバイス領域W1の半径より大きくデバイス領域W1の直径より小さくなるように、かつ、回転軌道の最内周の直径がデバイス領域W1の半径より小さくなるように形成されている。
ウェーハWは、保護部材1側が保持テーブル20によって保持され、裏面Wbが露出した状態となる。そして、保持テーブル20が回転すると共に、ホイール23が回転しながら研削部21が下降することにより、回転する砥石部24が、回転するウェーハWの裏面Wbに接触して研削が行われる。このとき、砥石部24を、ウェーハWの裏面の回転中心に常時接触させると共に外周余剰領域W2の裏面に接触させないように制御する。
このような制御によって、裏面Wbのうちデバイス領域W1の裏面側のみが研削され、図4及び図5にも示すように、裏面Wbに研削面W3が形成され、外周余剰領域W2の裏側には、研削前と同様の厚さを有するリング状補強部W4が残存する。例えば、リング状補強部W4の幅は2〜3mm程度あればよい。また、リング状補強部W4の厚さは例えば700μm程度あることが望ましい。一方、デバイス領域W1の厚さは、例えば30μm程度にまで薄くすることができる。裏面研削工程終了後は、保護部材1をウェーハWの表面Waから剥離する。
(3)任意的工程
なお、ウェーハWを分割後に複数枚のチップを積層させる場合には、裏面研削工程の後、デバイス領域W1の個々のデバイスDにTSV(Through Silicon Via)加工を施す。また、裏面研削工程の後、蒸着等により研削面W3に金、銀、チタン等からなる金属膜を形成する。
(4)フレーム配設工程
次に、図6に示す環状のフレームF1の開口部F10にウェーハWを収容し、ウェーハWの表面Wa及びフレームF1にダイシングテープT1を貼着することによりダイシングテープT1によって開口部F10を塞ぎ、ダイシングテープT1を介してウェーハWがフレームF1に支持された状態とする。この状態においては、ウェーハWの裏面Wb側が露出する。
こうしてフレームF1に支持されたウェーハWは、切削装置3の保持テーブル30に保持される。この保持テーブル30は、ガラスにより形成されたバキューム領域300と、バキューム領域300の外周側に形成された円環状の逃げ溝301と、逃げ溝301の外周側に形成されたフレーム支持部302とから構成される。逃げ溝301は、ウェーハWを保持した状態において、デバイス領域W1と外周余剰領域W2との境界部W12の下方に位置する。保持テーブル30は、回転軸31を介して回転駆動部32に連結されており、保持テーブル30は、回転駆動部32による駆動により回転可能となっている。保持テーブル30の下方には、フレーム支持部302を透過させてウェーハWの切削すべき領域を撮像し検出するための撮像手段33が配設されている。ダイシングテープT1を介してフレームF1に支持されたウェーハWは、ダイシングテープT1側がバキューム領域300において吸引され、ウェーハWの裏面Wbが露出した状態となる。なお、撮像手段33が保持テーブル30の下方に配設されず、上方に配設されている場合は、境界部W12を撮像して切削すべき領域を検出する。
切削装置3には、図7に示す切削手段34を備えている。切削手段34は、水平方向の回転軸を有するスピンドル340と、スピンドル340に装着された切削ブレード341と、切削ブレード341に対して切削水を供給する切削水ノズル342とを備えている。
(5)リング状補強部分離工程
図7に示すように、保持テーブル30を回転させながら、切削ブレード341の刃先が図6に示した逃げ溝301に収容されるように、回転する切削ブレード341をデバイス領域W1と外周余剰領域W2との境界部W12の若干内側に切り込ませる。そうすると、円形に切断されてデバイス領域W1とリング状補強部W4とが分離される。
なお、逃げ溝301に切削ブレード341が収容されるように境界部W12を切削する前に、図8に示すように、逃げ溝301を避けて切削ブレード341をウェーハWを貫通するとともにダイシングテープT1を貫通しない深さまで切り込ませ、境界部W12の内側を切削することが望ましい(図8の(1))。このように切削すると、デバイス領域W1とリング状補強部W4とが予め分離される。そしてその後、逃げ溝301に切削ブレード341が収容されるように境界部W12をダイシングテープT1とともに切断する(図8の(2))。このようにして2段階の切削を行うと、第1段階の切削によってデバイス領域W1がリング状補強部W4から分離されるため、逃げ溝301の影響で第2段階の切削時にビビリ振動が生じても、それがデバイス領域W1に伝わることがないため、デバイス領域W1の裏面にチッピングが生じるのを防止することができる。
図8に示した2段階の切削では、第1段階の切削の切削位置と第2段階の切削の切削位置とが離れているため、第1段階の切削の切削位置と第2段階の切削の切削位置との間にリング状のリング端材W5が残存する。そこで、このような端材が残らないようにするために、図9に示すように、3段階の切削を行うことが望ましい。まず、第1段階の切削では、図8に示した例と同様に、切削ブレード341がウェーハWを貫通するように逃げ溝301を避けて境界部W12の内側を切削する(図9の(1))。次に、第2段階の切削では、切削ブレード341がウェーハWを貫通するように逃げ溝301を避けて、第1段階の切削における切削箇所の外側を切削する(図9の(2))。最後に、第3段階の切削では、第2段階の切削における切削箇所の外側を、切削ブレード341が逃げ溝301に収容されるように切削する(図9の(3))。第1、第2、第3段階の切削を隙間なく行うことにより、リング状のリング端材が生じるのを回避することができる。
リング状のリング端材5を生じさせないようにするための方法としては、図10に示すように、第1段階の切削で、切削ブレード341がウェーハWを貫通するように逃げ溝301を避けて境界部W12の内側を切削し(図10の(1))、第2段階の切削で、切削ブレード341がウェーハWを貫通するように逃げ溝301を避けて第1の切削における切削箇所の外側を切削し(図10の(2))、第3段階の切削で、第2段階の切削における切削箇所の外側を、切削ブレード341が逃げ溝301に収容されるように、リング状補強部W4も含めて境界部W12の外側を切削するようにしてもよい(図10の(3))。
(6)リング状補強部除去工程
次に、図11に示すように、デバイス領域W1からリング状補強部W4を除去する。リング状補強部W4は、ダイシングテープT1に貼着されており、ダイシングテープT1にはフレームF1が貼着されているため、フレームF1を持ち上げるだけで、ダイシングテープT1とともにリング状補強部W4を除去することができる。したがって、リング状補強部W4を除去するための特別な装置が不要であり、リング状補強部W4が破損して除去作業に時間がかかることがなく、リング状補強部W4が破損することに起因してデバイス領域が傷つけられることもない。リング状補強部除去工程によってリング状補強部W4がダイシングテープT1及びフレームF1とともに除去されると、図11に示すように、表面にダイシングテープT1’が貼着されたデバイス領域W1のみからなるウェーハW’のダイシングテープT1が保持テーブル30において保持された状態となる。
(7)分割工程
次に、撮像手段33による撮像を行い、ガラスによって形成されたバキューム領域300及びダイシングテープT1’を透過させて切削すべきストリートを検出する。そして、図12に示すように、保持テーブル30と切削手段34とを水平方向に相対移動させながら高速回転する切削ブレード341を検出したストリートに切り込ませて表裏を貫通する切削溝Gを順次形成していく。また、同方向のストリートがすべて切削された後、保持テーブル30を90度回転させて同様の切削を行うと、ストリートが縦横に切削され個々のデバイスに分割される。すべてのデバイスは、その後、ウェーハ全面吸着用の吸着パッドによってまとめて搬送される。なお、保持テーブル30の下方に撮像手段33が配設されていない場合や、バキューム領域300が金属等により形成され光を透過させない場合は、赤外線による撮像手段を保持テーブル30の上方に配設し、ウェーハWの裏面側から表面側のストリートを検出することができる。
(8)ダイシングテープ貼り替え工程
図13に示すように、上記リング状補強部除去工程の後に、デバイス領域D1のみからなるウェーハW’の研削面W3にダイシングテープT2を貼着するようにしてもよい。ウェーハW’は、環状のフレームF2の開口部F20に収容され、ウェーハW’の研削面W3及びフレームF2にダイシングテープT2を貼着することにより、ダイシングテープT2によって開口部F20を塞ぎ、ダイシングテープT2を介してウェーハW’がフレームF2に支持された状態となる。すなわちこの状態では、ウェーハW’の表面WaにダイシングテープT1が貼着されており、ウェーハW’の研削面W3にダイシングテープT2が貼着される。そして、図14に示すように、表裏を反転させ、ウェーハ’の表面Wa側からダイシングテープT1を剥離する。このようにして、ウェーハW’の研削面W3にダイシングテープT2が貼着され、ウェーハW’がダイシングテープT2を介してフレームFに支持された状態となる。
(9)分割工程
次に、ダイシングテープ貼り替え工程によって、ウェーハW’の表面WaからダイシングテープT1が剥離され研削面W3にダイシングテープT2が貼着された状態で、保持テーブル30においてダイシングテープT2側を保持し、図15に示すように、ウェーハW’のストリートに切削ブレード341を切り込ませてウェーハW’の表裏を貫通する切削溝Gを形成する。ただし、ダイシングテープT2は貫通させない。また、同方向のストリートがすべて切削された後、保持テーブル30を90度回転させて同様の切削を行うと、ストリートが縦横に切削され個々のデバイスに分割される。すべてのデバイスは、その後、ウェーハ前面吸着用の吸着パッドによってまとめて搬送される。
以上のようにして、リング状補強部W4を破損させることなくリング状補強部W4を除去してからデバイス領域W1のみからなるウェーハW’を分割して個々のデバイスを形成することができる。
W、W’:ウェーハ
Wa:表面 W1:デバイス領域 W2:外周余剰領域 D:デバイス S:ストリート
W12:境界部
Wb:裏面 W3:研削面 W4:リング状補強部 W5:リング端材
T1、T1’、T2:ダイシングテープ
F1、F2:フレーム F10、F20:開口部
1:保護部材
2:研削装置
20:保持テーブル 21:研削部 22:回転軸 23:ホイール 24:砥石部
3:切削装置
30:保持テーブル
300:バキューム領域 301:逃げ溝 302:フレーム支持部
31:回転軸 32:回転駆動部 33:撮像手段
34:切削手段 340:スピンドル 341:切削ブレード 342:切削水ノズル

Claims (4)

  1. 複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とが表面に形成されたウェーハについて、該ウェーハの裏面のうち該デバイス領域の裏側を研削して該外周余剰領域の裏側にリング状補強部を形成する工程を含み、該リング状補強部が形成されたウェーハに所定の加工を施した後、該リング状補強部を除去するウェーハの加工方法であって、
    ウェーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部にウェーハを収容し該ウェーハの表面及び該フレームにダイシングテープを貼着し、該ダイシングテープを介して該ウェーハを該フレームに支持させるフレーム配設工程と、
    該フレームに支持されたウェーハを保持テーブルに保持し、切削ブレードによって該リング状補強部と該デバイス領域との境界部を該ダイシングテープとともに切断して該デバイス領域と該リング状補強部とを分離するリング状補強部分離工程と、
    該ダイシングテープを介して該フレームに支持されたリング状補強部を該フレームとともに該保持テーブルから離脱させて該リング状補強部を除去するリング状補強部除去工程と
    から少なくとも構成されるウェーハの加工方法。
  2. リング状補強部分離工程において、保持テーブルにはリング状補強部とデバイス領域との境界部に対応する位置に切削ブレードの切刃を逃がすための環状の逃げ溝が形成されていて、
    該リング状補強部と該デバイス領域との境界部をダイシングテープとともに切断して該デバイス領域と該リング状補強部とを分離する前に、逃げ溝を避けて該境界部の内側を切削ブレードで切断し、該切削ブレードを該ダイシングテープを貫通させずに切り込ませて該リング状補強部と該デバイス領域とを分離する
    請求項1記載のウェーハの加工方法。
  3. リング状補強部除去工程の後、保持テーブルに保持されたデバイス領域のみからなるウェーハを個々のデバイスに分割する分割工程が実施される
    請求項1記載のウェーハの加工方法。
  4. リング状補強部除去工程の後、保持テーブルに保持されたデバイス領域のみからなるウェーハを収容する開口部を有するフレームの該開口部に該デバイス領域のみからなるウェーハを収容し、該ウェーハの裏面及び該フレームにダイシングテープを貼着して該ダイシングテープを介して該ウェーハを該フレームに支持させ、
    該ウェーハを個々のデバイスに分割する分割工程が実施される
    請求項1記載のウェーハの加工方法。
JP2010159478A 2010-07-14 2010-07-14 ウェーハの加工方法 Active JP5544228B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010159478A JP5544228B2 (ja) 2010-07-14 2010-07-14 ウェーハの加工方法
DE102011078726.7A DE102011078726B4 (de) 2010-07-14 2011-07-06 Bearbeitungsverfahren für einen Wafer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010159478A JP5544228B2 (ja) 2010-07-14 2010-07-14 ウェーハの加工方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012023175A JP2012023175A (ja) 2012-02-02
JP5544228B2 true JP5544228B2 (ja) 2014-07-09

Family

ID=45403116

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010159478A Active JP5544228B2 (ja) 2010-07-14 2010-07-14 ウェーハの加工方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5544228B2 (ja)
DE (1) DE102011078726B4 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6143331B2 (ja) * 2013-03-01 2017-06-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP6317935B2 (ja) 2014-02-05 2018-04-25 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP6385131B2 (ja) * 2014-05-13 2018-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016147342A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 株式会社ディスコ 加工装置のチャックテーブル
JP6479532B2 (ja) 2015-03-30 2019-03-06 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
DE102016110378B4 (de) 2016-06-06 2023-10-26 Infineon Technologies Ag Entfernen eines Verstärkungsrings von einem Wafer
JP6770443B2 (ja) * 2017-01-10 2020-10-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体ウェハ
JP7130323B2 (ja) * 2018-05-14 2022-09-05 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7281873B2 (ja) * 2018-05-14 2023-05-26 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7143019B2 (ja) * 2018-06-06 2022-09-28 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7139048B2 (ja) * 2018-07-06 2022-09-20 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7407561B2 (ja) * 2019-10-30 2024-01-04 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249620A (ja) 2002-02-22 2003-09-05 Toray Eng Co Ltd 半導体の接合方法およびその方法により作成された積層半導体
JP3703807B2 (ja) 2003-02-17 2005-10-05 富士通株式会社 半導体装置
JP5390740B2 (ja) * 2005-04-27 2014-01-15 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2007019379A (ja) 2005-07-11 2007-01-25 Disco Abrasive Syst Ltd ウェーハの加工方法
JP5111938B2 (ja) * 2007-05-25 2013-01-09 日東電工株式会社 半導体ウエハの保持方法
JP2010016188A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法および半導体装置
US8292690B2 (en) * 2008-09-08 2012-10-23 Semiconductor Components Industries, Llc Thinned semiconductor wafer and method of thinning a semiconductor wafer

Also Published As

Publication number Publication date
DE102011078726A1 (de) 2012-01-19
JP2012023175A (ja) 2012-02-02
DE102011078726B4 (de) 2022-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5544228B2 (ja) ウェーハの加工方法
JP5654810B2 (ja) ウェーハの加工方法
CN100355037C (zh) 晶片的加工方法
KR101591109B1 (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP6295154B2 (ja) ウェーハの分割方法
KR20150130228A (ko) 웨이퍼 가공 방법
JP2010186971A (ja) ウエーハの加工方法
JP2010062375A (ja) ウエーハの加工方法
TW201601209A (zh) 晶圓的加工方法
KR20150040760A (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP4800715B2 (ja) ウェーハの分割方法
JP5068705B2 (ja) 加工装置のチャックテーブル
JP2017204555A (ja) 切削方法
KR101990650B1 (ko) 가공 방법
CN108015650B (zh) 晶片的加工方法
JP2016219757A (ja) 被加工物の分割方法
JP2012222310A (ja) ウェーハの加工方法
JP5534793B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP2021072353A (ja) ウェーハの加工方法
JP5338250B2 (ja) ワーク分離方法及び切削加工装置
JP2015149386A (ja) ウェーハの加工方法
JP2010093005A (ja) ウエーハの加工方法
TW201905996A (zh) 晶圓加工方法
JP6501683B2 (ja) 積層ウェーハの加工方法
JP2011124265A (ja) ウエーハの加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130625

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140407

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140415

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140512

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5544228

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250