JP5514925B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5514925B2 JP5514925B2 JP2013027904A JP2013027904A JP5514925B2 JP 5514925 B2 JP5514925 B2 JP 5514925B2 JP 2013027904 A JP2013027904 A JP 2013027904A JP 2013027904 A JP2013027904 A JP 2013027904A JP 5514925 B2 JP5514925 B2 JP 5514925B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- antenna
- layer
- semiconductor device
- functional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F1/00—Refuse receptacles; Accessories therefor
- B65F1/14—Other constructional features; Accessories
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61L—METHODS OR APPARATUS FOR STERILISING MATERIALS OR OBJECTS IN GENERAL; DISINFECTION, STERILISATION OR DEODORISATION OF AIR; CHEMICAL ASPECTS OF BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES; MATERIALS FOR BANDAGES, DRESSINGS, ABSORBENT PADS OR SURGICAL ARTICLES
- A61L9/00—Disinfection, sterilisation or deodorisation of air
- A61L9/01—Deodorant compositions
- A61L9/014—Deodorant compositions containing sorbent material, e.g. activated carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F1/00—Refuse receptacles; Accessories therefor
- B65F1/04—Refuse receptacles; Accessories therefor with removable inserts
- B65F1/08—Refuse receptacles; Accessories therefor with removable inserts with rigid inserts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F1/00—Refuse receptacles; Accessories therefor
- B65F1/14—Other constructional features; Accessories
- B65F1/16—Lids or covers
- B65F1/1615—Lids or covers with means for locking, fastening or permanently closing thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F1/00—Refuse receptacles; Accessories therefor
- B65F1/14—Other constructional features; Accessories
- B65F1/16—Lids or covers
- B65F1/1646—Lids or covers provided with means for mounting on receptacles, e.g. hinges
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/0723—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips the record carrier comprising an arrangement for non-contact communication, e.g. wireless communication circuits on transponder cards, non-contact smart cards or RFIDs
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
- G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
- G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
- G06K19/07758—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card arrangements for adhering the record carrier to further objects or living beings, functioning as an identification tag
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F1/00—Refuse receptacles; Accessories therefor
- B65F1/14—Other constructional features; Accessories
- B65F2001/1653—Constructional features of lids or covers
- B65F2001/1669—Constructional features of lids or covers relating to means for fixing or latching the lid or cover in a certain angle
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F2210/00—Equipment of refuse receptacles
- B65F2210/102—Absorbing means
- B65F2210/1026—Absorbing means for smelling substances
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F2210/00—Equipment of refuse receptacles
- B65F2210/132—Draining means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F2210/00—Equipment of refuse receptacles
- B65F2210/148—Locking means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65F—GATHERING OR REMOVAL OF DOMESTIC OR LIKE REFUSE
- B65F2210/00—Equipment of refuse receptacles
- B65F2210/181—Ventilating means, e.g. holes
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
- G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Details Of Aerials (AREA)
- Credit Cards Or The Like (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Description
に、無線通信によりデータの交信を行う半導体装置として、RFID(Radio Fr
equency Identification)タグ(例えば非接触IC(Integ
rated Circuit)タグ、RFタグ、無線タグ、電子タグ、トランスポンダ、
またはデータキャリアなどを含む)を利用した個体識別技術が注目を集めている。RFI
Dタグ(以下RFIDという)を用いた個体識別技術は、個々の対象物の生産、管理等に
役立てられ始めており、個人認証への応用も期待されている。
、可撓性を得るために機能回路本体が樹脂などの封止材によって封止された構造が用いら
れる。しかし、半導体装置において可撓性を得るために樹脂の膜厚を薄くする必要があり
、膜厚が薄いと外力に対する耐性を十分に高めることができず、破壊する可能性が高くな
る。
る構成が挙げられる(例えば特許文献1)。同じ機能を有する回路を複数設けることによ
り、外力などによる破壊により、複数の同じ機能を有する回路(以下冗長回路という)の
うち、一つの回路において不良を検出すると、他のいずれかの回路を不良と判断された回
路の代わりに動作させることができる。
ることを課題とする。
常であるか否かが判定され、正常であると判定されたときに外部から送信された電波によ
り動作させるか否かが制御される複数の機能回路を有し、機能回路は、アンテナと、アン
テナに電気的に接続され、識別情報が記憶された半導体集積回路と、を有し、複数の機能
回路の識別情報はそれぞれ異なり、複数の機能回路は、同一の封止層に覆われている半導
体装置である。
に接続された電源回路と、送受信回路及び電源回路に電気的に接続されたロジック回路と
、を有する構成とすることもできる。
より正常であるか否かが判定され、正常であると判定されたときに外部から送信された電
波により動作させるか否かが制御される複数の機能回路と、第1のアンテナと、を有し、
機能回路は、第1のアンテナと電磁結合することで電波の送受信を行う第2のアンテナと
、第2のアンテナに電気的に接続され、識別情報が記憶された半導体集積回路と、を有し
、複数の機能回路の識別情報はそれぞれ異なり、複数の機能回路は、同一の封止層に覆わ
れている半導体装置である。
電気的に接続された電源回路と、送受信回路及び電源回路に電気的に接続されたロジック
回路と、を有する構成とすることもできる。
より正常であるか否かが判定され、正常であると判定されたときに外部から送信された電
波により動作させるか否かが制御される複数の機能回路を有し、機能回路は、アンテナと
、半導体集積回路と、を有し、半導体集積回路は、アンテナに電気的に接続された送受信
回路と、送受信回路に電気的に接続された電源回路と、送受信回路及び電源回路に電気的
に接続され、識別情報が記憶されたロジック回路と、電源回路及びロジック回路に電気的
に接続された電源制御回路と、ロジック回路及び電源制御回路に電気的に接続された判定
回路と、を有し、複数の機能回路の識別情報はそれぞれ異なる半導体装置である。
より正常であるか否かが判定され、正常であると判定されたときに外部から送信された電
波により動作させるか否かが制御される複数の機能回路と、第1のアンテナと、を有し、
機能回路は、第1のアンテナと電磁結合することで電波の送受信を行う第2のアンテナと
、半導体集積回路と、を有し、半導体集積回路は、第2のアンテナに電気的に接続された
送受信回路と、送受信回路に電気的に接続された電源回路と、送受信回路及び電源回路に
電気的に接続され、識別情報が記憶されたロジック回路と、電源回路及びロジック回路に
電気的に接続された電源制御回路と、ロジック回路及び電源制御回路に電気的に接続され
た判定回路と、を有し、複数の機能回路の識別情報はそれぞれ異なる半導体装置である。
ゲート端子、ソース端子、及びドレイン端子の少なくとも3つの端子を有し、ゲート端子
とは、ゲート電極の部分(導電層、及び配線などを含む)または、ゲート電極と電気的に
接続されている部分の一部のことを言う。また、ソース端子とは、ソース電極の部分(導
電層、及び配線などを含む)や、ソース電極と電気的に接続されている部分の一部のこと
を言う。また、ドレイン端子とは、ドレイン電極の部分(導電層、及び配線などを含む)
や、ドレイン電極と電気的に接続されている部分の一部のことを言う。
ース端子とドレイン端子は、トランジスタの構造や動作条件などによって変わるため、い
ずれがソース端子またはドレイン端子であるかを限定することが困難である。そこで、本
書類(明細書、特許請求の範囲または図面など)においては、ソース端子及びドレイン端
子から任意に選択した一方の端子をソース端子及びドレイン端子の一方と表記し、他方の
端子をソース端子及びドレイン端子の他方と表記する。
説明に限定されず、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下に示す実施の
形態の記載内容に限定して解釈されるものではないとする。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置について説明する。
は、本実施の形態における半導体装置の回路構成を示すブロック図である。
1は、アンテナ102と、アンテナ102に電気的に接続された半導体集積回路103を
有する。
生成し、電源電圧を用いてアンテナ102で受信した電波における信号の命令に従った動
作を行う機能を有する。また、複数の機能回路101は、同じ機能を有し、それぞれ互い
に同等の動作を行うことができる冗長回路として機能する。
例えば各機能回路101の位置の差、信号の送信または受信にかかる時間の差、若しくは
応答信号の周波数の差などを用いて生成することができる。
問器など、半導体装置100と無線通信によるデータの送受信が可能なもの)107など
と電波の送受信によりデータのやりとりを行う機能を有する。例えば機能回路101は、
機能回路101内において生成された信号を電波108によりアンテナ102を介して外
部無線通信装置107に送信することができる。また、アンテナ102は、例えばオンチ
ップアンテナとすることでアンテナ102と半導体集積回路103との接触不良を抑制す
ることもできる。
周波数は、30MHz以上5GHz以下程度が望ましく、例えば950MHz、2.45
GHzなどの周波数帯を用いればよい。
方式、電磁誘導方式又はマイクロ波方式などを用いることができる。伝送方式は、適宜使
用用途を考慮して選択すればよく、伝送方式に伴って最適な長さや形状のアンテナを設け
ればよい。
た回路である。半導体素子としては、例えばトランジスタ、ダイオード、抵抗素子、及び
容量素子のいずれか1つまたは複数などを適宜用いることができる。また、半導体集積回
路103には上記識別情報が記憶されている。
封止層で複数の機能回路101を覆うことにより、外部から水などの不純物の混入を抑制
することができ、また外力に対する耐性を向上させることができる。封止層としては、例
えば繊維体に樹脂が含浸された材料(例えばプリプレグ)などを用いることができる。
4と、送受信回路104に電気的に接続された電源回路105と、送受信回路104及び
電源回路105に電気的に接続されたロジック回路106と、により構成される。しかし
上記構成に限定されず、例えば他の回路を加えた構成とすることもできる。
5及びロジック回路106に出力する機能を有する。送受信回路104は、例えば整流回
路、変調回路、及び復調回路などにより構成することができる。
有する。生成された電源電圧は、ロジック回路106に出力される。
ナ102で受信した電波の信号における命令の内容に従って、所定の動作を行う機能を有
する。ロジック回路106には、記憶回路が設けられ、記憶回路にはアンテナ102で受
信した電波の信号における命令に応じた動作を行うためのデータ(識別情報など)が書き
込まれる。
ているが、これに限定されない。少なくとも2つ以上の機能回路を有していれば複数の機
能回路とすることができ、例えば機能回路を4つより多く設けることもできる。
テナを半導体装置に設けることもできる。ブースターアンテナを設けた半導体装置の構成
例について図2を用いて説明する。図2は、本実施の形態における半導体装置の他の構成
を示すブロック図である。
のアンテナ202と、を有し、機能回路201は、第2のアンテナ203と、第2のアン
テナ203に電気的に接続された半導体集積回路204と、を有する。
路205と、送受信回路205に電気的に接続された電源回路206と、送受信回路20
5及び電源回路206に電気的に接続されたロジック回路207と、により構成される。
については、図1の半導体集積回路103の説明を援用する。
における送受信回路104、電源回路105、及びロジック回路106に相当する。それ
ぞれの回路の機能については、送受信回路104、電源回路105、及びロジック回路1
06における説明を援用する。
テナ202は、ブースターアンテナともいい、第2のアンテナ203と磁界結合すること
で信号の授受を行うことができる。また第1のアンテナ202は、例えば外部無線通信装
置208などと電波209の送受信によりデータのやりとりを行う機能を有する。例えば
外部無線通信装置208から第1のアンテナ202に電波が送信されると、第1のアンテ
ナ202内に交流の電流が生じ、第1のアンテナ202の周囲に磁界が発生する。そして
、第1のアンテナ202と、第2のアンテナ203とが磁界結合することで、第2のアン
テナ203に誘導起電力が生じる。機能回路201は、誘導起電力を用いることで動作し
、第1のアンテナ202を介して電波209の送受信を行うことができる。また、機能回
路201から外部無線通信装置208に信号を電波として送信する場合には、機能回路2
01内で生成された信号に従って、第2のアンテナ203に電流を流して磁界結合させる
。磁界結合させた第1のアンテナ202には、誘導起電力が生じ、第1のアンテナ202
を介して外部無線通信装置208に電波209が送信される。
成にすることにより、受信可能な電波の周波数帯が限定されず、通信距離を伸ばすことが
できる。
否かが判定される。
の構成を図1の構成であるとして説明する。
判定処理という)を行う。電源回路105における判定処理について図3を用いて説明す
る。図3は、本発明の一態様である半導体装置における機能回路の選択動作を示すフロー
チャート図である。
信装置107から電波が複数の機能回路に送信される。
判定することにより電源回路105の判定処理が行われる。動作した(Yesである)機
能回路101は、アンテナ102を介して応答信号に応じた電波を外部無線通信装置10
7に送信する。応答信号に応じた電波を外部無線通信装置107に送信した機能回路10
1は、正常であると判定される。また、動作しなかった(Noである)機能回路101は
、応答信号が生成されないため、外部無線通信装置107に電波が送信されず、不良と判
定される。正常と判定された機能回路101は、判定処理後も機能回路として外部無線通
信装置107とのデータのやりとりを行い、不良と判定された機能回路101は、判定処
理後は外部無線通信装置107から電波を送信しないようにする。以上により選択動作は
終了となる。
無線通信装置107から受信した電波に対して各機能回路101がそれぞれ異なるタイミ
ングで応答できることが好ましい。例えば機能回路101毎に異なる識別情報を有する場
合には、識別情報に基づいて応答させる機能回路101を選択することができるため、各
機能回路101は、異なるタイミングで応答することができる。
部無線通信装置107から機能回路101に電波を送信し、正常な機能回路101のいず
れか1つのみを動作させ、他の正常な機能回路を停止するようにすることが好ましい。
れか1つの機能回路だけでも正常であれば半導体装置を動作させることが可能であるため
、信頼性を向上させることができる。
ことができる。よって、例えば出荷前などに上記判定動作を行い、不良な機能回路を予め
把握し、正常な機能回路のみを用いることができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の他の構成について説明する。
いて説明する。図4は、本実施の形態における機能回路の構成を示すブロック図である。
有し、機能回路301は、アンテナ302と、アンテナ302に電気的に接続された半導
体集積回路303と、を有する。
生成し、電源電圧を用いてアンテナ302で受信した電波における信号の命令に従った動
作を行う機能を有する。また、複数の機能回路301は同じ機能を有し、それぞれ互いに
同等の動作を行うことができる冗長回路として機能する。
例えば各機能回路301の位置の差、信号の送信または受信にかかる時間の差、若しくは
応答信号の周波数などの差を用いて生成することができる。
やりとりを行う機能を有する。例えば機能回路301は、機能回路301内において生成
された信号を電波によりアンテナ302を介して外部無線通信装置309に送信すること
ができる。また、アンテナ302は、例えばオンチップアンテナとすることでアンテナと
半導体集積回路との接触不良を抑制することもできる。
周波数は、30MHz以上5GHz以下程度が望ましく、例えば950MHz、2.45
GHzなどの周波数帯を用いればよい。
方式、電磁誘導方式又はマイクロ波方式などを用いることができる。伝送方式は、適宜使
用用途を考慮して選択すればよく、伝送方式に伴って最適な長さや形状のアンテナを設け
ればよい。
た回路である。半導体素子としては、例えばトランジスタ、ダイオード、抵抗素子、及び
容量素子のいずれか1つまたは複数などを適宜用いることができる。
封止層で覆うことにより、外部から水などの不純物の混入を抑制することができ、また外
力に対する耐性を向上させることができる。封止層としては、例えば繊維体に樹脂が含浸
された材料(例えばプリプレグ)などを用いることができる。
4と、送受信回路304に電気的に接続された電源回路305及びロジック回路306と
、電源回路305及びロジック回路306に電気的に接続された電源制御回路307と、
電源制御回路307に電気的に接続された判定回路308と、により構成される。ただし
、上記構成に限定されず、例えば他の回路を加えた構成とすることもできる。
5及びロジック回路306に出力する機能を有する。送受信回路304は、例えば整流回
路、変調回路、及び復調回路などにより構成される。
有する。生成された電源電圧は、ロジック回路306に出力される。
ナ302で受信した電波の信号における命令の内容に従って、所定の動作を行う機能を有
する。ロジック回路306には、記憶回路が設けられ、アンテナ302で受信した電波の
信号における命令に応じた動作を行うためのデータ(識別情報など)が書き込まれる。
か否かに従って、記憶回路にハイまたはロウのデータが書き込まれる。なお、本明細書に
おいてロウとは、接地電位またはそれと同等の低電位の状態のことをいい。ハイとはロウ
より高電位の状態のことをいい、任意の値に設定することができるものとする。
たは揮発性メモリなどを用いることができる。例えばDRAM(Dynamic Ran
dom Access Memory)、SRAM(Static Random Ac
cess Memory)、FeRAM、マスクROM(Read Only Memo
ry)、EPROM(Electrically Programmable Read
Only Memory)、EEPROM(Electrically Erasab
le and Programmable Read Only Memory)、フラ
ッシュメモリ、有機メモリ、または無機メモリなどを用いることができる。例えばデータ
の書き換えが不可能なメモリを用いれば、出荷後においても書き込まれたハイまたはロウ
のデータを維持することができる。また、データの書き換えが不可能なメモリを用いれば
、出荷後においても機能回路の不良の判定を行い、すでに書き込まれたハイまたはロウの
データを書き換えることができる。
である否か判定され、判定された複数の機能回路301のうち、正常である機能回路30
1のいずれか一つは、判定された後も外部無線通信装置309とデータのやりとりを行う
。
は、本実施の形態の半導体装置における機能回路の構成を示す図である。
2と、アンテナ302に電気的に接続された送受信回路304と、送受信回路304に電
気的に接続された電源回路305及びロジック回路306と、ロジック回電源回路305
及びロジック回路306に電気的に接続された電源制御回路307と、電源制御回路30
7に電気的に接続された判定回路308と、を有する。
4と同様の構成または機能を有する。
1と、抵抗素子312と、トランジスタ313と、を有する。
ト端子がソース端子及びドレイン端子の一方に電気的に接続され、ソース端子及びドレイ
ン端子の他方が送受信回路304に電気的に接続される。
され、ソース端子及びドレイン端子の一方が送受信回路304に電気的に接続される。
子の他方に電気的に接続され、ソース端子及びドレイン端子の一方がトランジスタ315
のソース端子及びドレイン端子の一方に電気的に接続され、ソース端子及びドレイン端子
の他方がロジック回路306及び電源制御回路307に電気的に接続される。
他方に電気的に接続され、他方の端子は接地される。
ンジスタ311のソース端子及びドレイン端子の他方、及び抵抗素子312の一方の端子
に電気的に接続され、ソース端子及びドレイン端子の一方が接地され、ソース端子及びド
レイン端子の他方がトランジスタ310のソース端子及びドレイン端子の他方及びトラン
ジスタ311のゲート端子に電気的に接続される。
であり、トランジスタ311及びトランジスタ313はN型トランジスタであるが、これ
に限定されず、図5に示した電源回路305と同様の動作を行うことが可能であれば、各
トランジスタにおいて異なる導電型のトランジスタを適用することもできる。また、電源
回路305は、図5に示した構成に限定されず、例えば他の素子などを用いて構成するこ
ともできる。
スタ314を有し、トランジスタ314は、ゲート端子が判定回路308に電気的に接続
され、ソース端子及びドレイン端子の一方が電源回路305及びロジック回路306に電
気的に接続され、ソース端子及びドレイン端子の他方が接地される。なお、電源制御回路
307は、図5に示した構成に限定されず、他の素子を用いて構成することもできる。
テナを半導体装置に設けることもできる。ブースターアンテナを設けた半導体装置の構成
例について図6を用いて説明する。図6は、本実施の形態における半導体装置の他の構成
を示すブロック図である。
のアンテナ402と、を有し、機能回路401は、第2のアンテナ403と、第2のアン
テナ403に電気的に接続された半導体集積回路404を有する。
路405と、送受信回路405に電気的に接続された電源回路406及びロジック回路4
07と、電源回路406及びロジック回路407に電気的に接続された電源制御回路40
8と、ロジック回路407及び電源制御回路408に電気的に接続された判定回路409
と、により構成される。
については、半導体集積回路303の説明を援用する。
、及び判定回路409は、それぞれ図4における送受信回路304、電源回路305、ロ
ジック回路306、電源制御回路307、及び判定回路308に相当する。それぞれの回
路の機能については、送受信回路304、電源回路305、ロジック回路306、電源制
御回路307、及び判定回路308における説明を援用する。
02は、ブースターアンテナともいい、第2のアンテナ403と磁界結合することで信号
の授受を行うことができる。また第1のアンテナ402は、例えば外部無線通信装置41
0などと電波411の送受信によりデータのやりとりを行う機能を有する。例えば外部無
線通信装置410から第1のアンテナ402に電波が送信されると、第1のアンテナ40
2内に交流の電流が生じ、第1のアンテナ402の周囲に磁界が発生する。そして、第1
のアンテナ402と、第2のアンテナ403とが磁界結合することで、第2のアンテナ4
03に誘導起電力が生じる。機能回路401は、誘導起電力を用いることで動作し、第1
のアンテナ402を介して電波411の送受信を行うことができる。また、機能回路40
1から外部無線通信装置410に電波を送信する場合には、機能回路401内で生成され
た信号に従って、第2のアンテナ403に電流を流して磁界結合させる。磁界結合させた
第1のアンテナ402には誘導起電力を生じ、第1のアンテナ402を介して外部無線通
信装置410に電波が送信される。
半導体装置にブースターアンテナを設けた構成にすることにより、受信可能な電波の周波
数帯が限定されず、通信距離を伸ばすことができる。
は例として、半導体装置の構成を図4に示す構成とし、さらに機能回路301の構成を図
5に示す構成として説明する。
るため、図3に示すフローチャートを適宜援用して説明する。まず電源回路305におけ
る判定処理を行うことにより各機能回路301において正常であるか否かを判定する。
有し、外部無線通信装置309からの電波の受信に対して各機能回路301がそれぞれ異
なるタイミングで応答することが好ましい。例えば機能回路301毎に異なる識別情報を
有する場合には、識別情報に基づいて応答する機能回路を選択することができるため、各
機能回路301は、異なるタイミングで応答することができる。
の形態の半導体装置におけるロジック回路の判定処理を示すフローチャート図である。
を行う。判定処理の具体的な方法について、以下に説明する。
れた場合、正常の場合には、判定回路308の記憶回路に正常を示すデータ(本実施の形
態ではハイとする)が書き込まれ、不良の場合には、判定回路308の記憶回路に不良を
示すデータ(本実施の形態ではロウとする)が書き込まれる。
通信装置などから電波を機能回路301に送信してロジック回路306が動作するか否か
を判定する方法などを用いることができる。また、出荷前の段階などの場合には、例えば
プローバーなどを用いて外部からロジック回路306に電源電圧を印加してロジック回路
306が動作するか否かを判定する方法などを用いることもできる。
のトランジスタ314がオン状態となり、トランジスタ314を介して電源回路305に
接地電位が与えられるため、電源回路305は停止し、電源電圧が生成されなくなる。こ
れにより機能回路301は、動作できなくなる。
おいて不良と判断されると、まだ選択されていない別の機能回路301において上記と同
様の判定処理が行われる。これにより、例えば一つの機能回路301において、電源回路
305が正常と判定されたがロジック回路306が不良と判定された場合に機能回路30
1を停止させることができるため、不良と判定されたロジック回路306を有する機能回
路301の誤動作を防止することができる。
定処理で正常と判定された機能回路301の数により、第1の書き込み処理乃至第5の書
き込み処理のいずれか一つの書き込み処理が行われる。それぞれの書き込み処理について
以下に説明する。
定された機能回路301における判定回路308の記憶回路に正常を示すデータが書き込
まれる。正常なデータが書き込まれた機能回路301は、判定処理後も外部(外部無線通
信装置309など)とデータのやりとりを行う。
判定された2つの機能回路301のうち、いずれか一方の機能回路301における判定回
路308の記憶回路に正常を示すデータが書き込まれ、いずれか他方の機能回路301に
おける判定回路308の記憶回路に停止を示すデータ(本実施の形態ではロウとする)が
書き込まれる。停止を示すデータが書き込まれた機能回路301は停止状態となり、正常
を示すデータが書き込まれた機能回路301のみが判定処理後も外部(外部無線通信装置
309など)とデータのやりとりを行う。
判定された3つの機能回路301のうち、いずれか一つの機能回路301における判定回
路308の記憶回路に正常を示すデータが書き込まれ、それ以外の機能回路301におけ
る判定回路308の記憶回路に停止を示すデータ(本実施の形態ではロウとする)が書き
込まれる。停止を示すデータが書き込まれた機能回路301は停止状態となり、正常を示
すデータが書き込まれた機能回路301のみが判定処理後も外部(外部無線通信装置30
9など)とデータのやりとりを行う。
判定された4つの機能回路301のうち、いずれか一つの機能回路301における判定回
路308の記憶回路に正常を示すデータが書き込まれ、それ以外の機能回路301におけ
る判定回路308の記憶回路に停止を示すデータ(本実施の形態ではロウとする)が書き
込まれる。停止を示すデータが書き込まれた機能回路301は停止状態となり、正常を示
すデータが書き込まれた機能回路301のみが判定処理後も外部(外部無線通信装置30
9など)とデータのやりとりを行う。
タをハイとしてもよい。また、ハイ及びロウ以外の電位の状態を用いて正常、若しくは異
常または停止を示すデータとしてもよい。
機能回路301における判定回路308の記憶回路に不良を示すデータが書き込まれる。
このとき複数の機能回路301のうち、最後に判定される機能回路301については、判
定処理を行わなくてもよい。
れか1つの機能回路だけでも正常であれば動作が可能であるため、信頼性を向上させるこ
とができる。
行うことにより、正常である機能回路を選択して用いることができる。よって、例えば出
荷前などに上記判定動作を行い、不良な機能回路を予め把握し、正常である機能回路のみ
を用いることができる。また、正常である機能回路が複数ある場合、正常である機能回路
のいずれか1つを選択して用いることもできるため、消費電力を低減することができる。
本実施の形態では、本発明の一態様である半導体装置の構造の一例について説明する。
8は、本実施の形態における半導体装置の構造の一例を示す斜視図である。
層501と、封止層500及び封止層501に覆われた複数の機能回路502(点線部)
と、を有する。
封止層500を点線で示した図である。図8(B)に示すように、封止層500(点線部
)及び封止層501に覆われた複数の機能回路502は、機能回路502上に設けられた
アンテナ503と、を有する。
は、図8(B)の線分A−Bにおける断面図である。
0上に設けられた剥離層504と、剥離層504上に設けられた半導体素子層505と、
半導体素子層505上に設けられ、開口部を有する第1の絶縁層506及び第2の絶縁層
507と、一部が開口部を介して半導体素子層505に接するように設けられた導電層5
08と、導電層508及び第2の絶縁層507を覆うように設けられた第3の絶縁層50
9と、第3の絶縁層509上に設けられた封止層501と、を有する複数の機能回路50
2と、を有する。
500及び封止層501は、端部において接しており、剥離層504、半導体素子層50
5、第1の絶縁層506、第2の絶縁層507、導電層508、及び第3の絶縁層509
が、封止層500及び封止層501からなる一つの封止層に覆われている。封止層500
及び封止層501としては、例えば図9に示すように繊維体510などに樹脂を含浸させ
た材料(例えばプリプレグ)などを適用することができる。このとき繊維体510は、有
機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いた織布または不織布である。高強度繊維と
しては、具体的には引張弾性率が高い繊維、または、ヤング率が高い繊維である。高強度
繊維の代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド
系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾ
ール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維である。ガラス繊維としては、Eガラス、Sガラ
ス、Dガラス、Qガラス等を用いたガラス繊維を用いることができる。なお、繊維体51
0は、一種類の上記高強度繊維で形成されてもよい。また、複数の上記高強度繊維で形成
されてもよい。
、静電破壊を抑制することができる。
て製織した織布、または複数種の繊維の糸束をランダムまたは一方向に堆積させた不織布
で構成されてもよい。織布の場合、例えば平織り、綾織り、またはしゅす織りなどを用い
ることができる。
た高周波の振動、連続超音波の振動、ロールによる押圧等によって、開繊加工をした繊維
糸束を用いてもよい。開繊加工をした繊維糸束は、糸束幅が広くなり、厚み方向の単糸数
を削減することが可能であり、糸束の断面が楕円形または平板状となる。また、繊維糸束
として低撚糸を用いることで、糸束が扁平化やすく、糸束の断面形状が楕円形状または平
板形状となる。このように、断面が楕円形または平板状の糸束を用いることで、繊維体5
10の厚さを薄くすることが可能である。このため、封止層500及び封止層501の厚
さを薄くすることが可能であり、薄型の半導体装置を作製することができる。繊維の糸束
径は4μm以上400μm以下、さらには4μm以上200μm以下であればよく、また
、繊維の太さは、4μm以上20μm以下であればよいが、繊維の材料によってはさらに
薄くすることもでき、繊維の材料の種類に応じて適宜設定することができる。
。
間隔をあけた緯糸510bが織られている。このような繊維体には、経糸510a及び一
緯糸510bが存在しない領域(バスケットホール510cという)を有する。このよう
な繊維体510は、有機樹脂が繊維体に含浸される割合が高まり、繊維体510及び素子
層の密着性を高めることができる。
密度が高く、バスケットホール510cの割合が低いものでもよい。代表的には、バスケ
ットホール510cの大きさが、局所的に押圧される面積より小さいことが好ましい。代
表的には、一辺が0.01mm以上0.2mm以下の矩形であることが好ましい。繊維体
510のバスケットホール510cの面積がこのように小さいと、先端の細い部材(代表
的には、ペンや鉛筆等の筆記用具)により押圧されても、当該圧力を繊維体510全体で
吸収させることが可能である。
良い。例えば、繊維表面を活性化させるためのコロナ放電処理、プラズマ放電処理等があ
る。また、シランカップリング剤、チタネートカップリング剤を用いた表面処理がある。
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、また
はシアネート樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。また、ポリフェニレンオキシ
ド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることがで
きる。さらにUV硬化性樹脂や可塑性有機樹脂を用いてもよい。また、上記熱可塑性樹脂
及び上記熱硬化性樹脂の複数を用いてもよい。上記樹脂を用いることで、熱処理により繊
維体510を半導体素子層505に固着することが可能である。なお、樹脂はガラス転移
温度が高いほど、局所的押圧に対して破壊しにくいため好ましい。
、さらには10μm以上30μm以下が好ましい。このような厚さの封止層を用いること
で、薄型で湾曲することが可能な半導体装置を作製することができる。
熱伝導性フィラーとしては、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素、アルミナ等があ
る。また、高熱伝導性フィラーとしては、銀、銅等の金属粒子がある。高熱伝導性フィラ
ーが有機樹脂または繊維糸束内に含まれることにより素子層での発熱を外部に放出しやす
くなるため、半導体装置の蓄熱を抑制することが可能であり、半導体装置の破壊を低減す
ることができる。
体素子層505に薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor)が含
まれている場合、TFTの下方にカーボン粒子が分散された樹脂または繊維体510を有
する封止層500及び封止層501を設けると、静電気によりTFTが破壊されるのを防
ぐことができる。
形成するために用いられる基板とを剥離するための層として機能し、例えばタングステン
、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、
ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、及び珪素などの中から選
択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物材料か
らなる層を、単層または複数の層を積層させて形成することができる。
ステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは
酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステ
ンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タング
ステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する
。
して金属酸化物層を形成する。代表的には、1層目の金属層として、タングステン、モリ
ブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、2層目として、タン
グステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステン
、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化物、タングステン、モリブ
デン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、又はタングステン、モリブ
デン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
成する場合、金属層としてタングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成され
る絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層と
してタングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属
層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等
を行って金属酸化物層を形成してもよい。
などがある。
る。半導体素子層505は、1μm以上10μm以下、さらには1μm以上5μm以下の
厚さで形成されることが好ましい。半導体素子層505の厚さを上記の範囲にすることに
より、湾曲することが可能な半導体装置を作製することができる。また半導体装置の上面
の面積は、4mm2以上、さらには9mm2以上が好ましい。
1は、本実施の形態における半導体素子層の構成を示す断面図である。
下地層600上に設けられた複数のトランジスタ601を有し、複数のトランジスタ60
1は、不純物領域を有する半導体層602と、半導体層602を覆うように設けられたゲ
ート絶縁層603と、ゲート絶縁層603を介して半導体層602の一部の上に設けられ
たゲート電極604と、ゲート電極604及びゲート絶縁層603上に設けられ、開口部
を有する第1の層間絶縁層605及び第2の層間絶縁層606と、開口部を介して半導体
層602の不純物領域の一部に接するように設けられた電極607と、を有する。
る第1の絶縁層506及び第2の絶縁層507の開口部を介して導電層508の一部が接
している。
素膜のいずれか1つ、あるいは2つ以上の積層膜を用いればよい。
aと、下地層600bの2層構造とし、一方の下地層の一部がエッチングにより除去され
た構造とすることもできる。他方の下地層をエッチング後においても残すことにより、不
純物の混入を抑制することができる。
602としては、非晶質(アモルファス)半導体、微結晶(マイクロクリスタル)半導体
、または多結晶半導体を用いることができる。微結晶半導体は、非晶質と結晶構造(単結
晶、多結晶を含む)の中間的な構造を有し、自由エネルギー的に安定な状態を有する半導
体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する結晶質な領域を含んでいる。少なくとも
膜中の一部の領域には、0.5以上20nm以下の結晶領域を観測することができ、珪素
を主成分とする場合にはラマンスペクトルが520cm−1よりも低波数側にシフトして
いる。X線回折では珪素結晶格子に由来するとされる(111)、(220)の回折ピー
クが観測される。未結合手(ダングリングボンド)の補償するものとして水素又はハロゲ
ンを少なくとも1原子%又はそれ以上含ませている。例えば微結晶シリコンを用いる場合
には、材料ガスをグロー放電分解(プラズマCVD)して形成する。このときの材料ガス
としては、SiH4、その他にもSi2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl
4、SiF4などを用いることができる。また、GeF4を混合させても良い。この材料
ガスをH2、あるいは、H2とHe、Ar、Kr、Neから選ばれた一種又は複数種の希
ガス元素で希釈してもよい。このときの希釈率は2倍以上1000倍以下の範囲である。
また、圧力は0.1Pa以上133Pa以下の範囲である。また、電源周波数は1MHz
以上120MHz以下、好ましくは13MHz以上60MHz以下の範囲である。また、
基板加熱温度は300℃以下の範囲とする。膜中の不純物元素として、酸素、窒素、炭素
などの大気成分の不純物濃度は、酸素、窒素、炭素ともそれぞれ1×1020/cm3以
下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019/cm3以下、好ましくは1×
1019/cm3以下とする。
例えばリンやヒ素などのn型不純物元素、またはボロンなどのp型不純物元素を添加する
ことにより形成される。さらに不純物領域に接する電極は、ソース電極またはドレイン電
極として機能する。また、半導体層602のそれぞれに同じ導電型を付与する不純物元素
を添加することもできる。また、それぞれの半導体層602において異なる導電型を付与
する不純物元素を添加することもできる。また、本実施の形態において、ソース領域また
はドレイン領域となる不純物領域より不純物濃度の低い低濃度不純物領域(LDD領域と
もいう)を設けることもできる。低濃度不純物領域を設けることによりオフ電流を抑える
ことができる。
、酸素を含む窒化珪素膜のいずれか1つ、あるいは2つ以上の積層膜などを用いることが
できる。ゲート絶縁層603は、スパッタ法又はプラズマCVD法などによって形成する
ことができる。
とすることができる。ゲート電極604の材料としては、導電膜を用いることができる。
例えば、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、シリコンなどの元素の
単体膜、あるいは、元素の窒化膜(代表的には窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒
化チタン膜)、あるいは、元素を組み合わせた合金膜(代表的にはMo−W合金、Mo−
Ta合金)、あるいは、元素のシリサイド膜(代表的にはタングステンシリサイド膜、チ
タンシリサイド膜)などを用いることができる。なお、上述した単体膜、窒化膜、合金膜
、シリサイド膜などは、単層または積層して用いることができる。
素を含む酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜のいずれか1つ、あるいは2つ
以上の積層膜などを用いることができる。
タン、白金、銅、タンタル、金、またはマンガンなどの元素の単体膜、あるいは、元素の
窒化膜、あるいは、元素を組み合わせた合金膜、あるいは、元素のシリサイド膜などを用
いることができる。例えば、元素を複数含む合金として、炭素及びチタンを含有したアル
ミニウム合金、ニッケルを含有したアルミニウム合金、炭素及びニッケルを含有したアル
ミニウム合金、炭素及びマンガンを含有したアルミニウム合金などを用いることができる
。例えば、積層構造で設ける場合、アルミニウムをモリブデン又はチタンなどで挟み込ん
だ構造とすることで、アルミニウムにおける、熱や化学反応に対する耐性を向上すること
ができる。
構造に限定されず、ダイオード、抵抗素子、容量素子、またはフローティングゲートを有
するトランジスタなどの半導体素子を設けることもできる。
スタガ構造、フィンFET構造等の構造のトランジスタの構造とすることもできる。例え
ばフィンFET構造とすることで、トランジスタサイズの微細化に伴う短チャネル効果を
抑制することができる。また、トランジスタ601として、SOI基板など、半導体基板
を用いることもできる。半導体基板を用いて作製されたトランジスタは、移動度が高いた
め、トランジスタサイズを小さくすることができる。また、有機半導体を用いたトランジ
スタ、またはカーボンナノチューブを用いたトランジスタなども用いることができる。
む酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜のいずれか1つ、あるいは2つ以上の
積層膜などを用いることができる。第1の絶縁層506で半導体素子層505を覆うこと
により、半導体集積回路となる半導体素子層505への不純物の混入を抑制することがで
きる。
ができる。
ケル、白金、パラジウム、タンタル、モリブデン、チタン、アルミニウム等のいずれか1
つあるいは2つ以上を用いて形成することができる。本実施の形態においてアンテナの形
状をループ状としているが、ループ状にすることにより、機能回路の面積を小さくするこ
とができる。ただし、これに限定されず、アンテナ503の形状は、電波を受信できる形
であればよい。例えば、ダイポールアンテナ、折り返しダイポールアンテナ、スロットア
ンテナ、メアンダラインアンテナ、マイクロストリップアンテナ等なども用いることがで
きる。
化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜のいずれか1つ、あるいは2つ以上の積層膜などを用い
ることができる。また、非晶質珪素膜を用いる場合、一導電型を付与する不純物元素を添
加することもできる。一導電性型を付与する不純物元素を添加することにより素子の静電
破壊を防止することができる。なお、第3の絶縁層509を設けない構成とし、半導体装
置の厚さを薄くすることもできる。
層508が封止層500及び封止層501からなる同一の封止層により覆われた構造とな
っている。これにより半導体集積回路となる半導体素子層505への不純物の混入を抑制
することができる。
において封止層500及び封止層501が接する構成とし、半導体素子層505、第1の
絶縁層506、及び導電層508が封止層500及び封止層501からなる同一の封止層
に覆われた構造とすることもできる。これにより半導体集積回路となる半導体素子層への
不純物の混入を抑制することができる。
性を高めることができるため、信頼性を向上させることができる。また、半導体集積回路
への不純物の混入を抑制し、曲げに対するストレスを緩和することができ、外力に対する
耐性を高めることができるため、各機能回路において信頼性を向上させることができる。
明する。図14乃至図17は、本実施の形態における半導体装置の作製方法を示す断面図
である。ここでは例として、図11に示した構成における半導体装置の作製方法について
説明する。
上に半導体素子層505を形成する。剥離層504は、スパッタリング法やプラズマCV
D法、塗布法、印刷法等を用いることにより形成することができる。なお、塗布法とは、
溶液を被処理物上に吐出させて成膜する方法であり、例えばスピンコーティング法や液滴
吐出法を含む。また、液滴吐出法とは、微粒子を含む組成物の液滴を微細な孔から吐出し
て所定の形状のパターンを形成する方法である。
成する。
エッチングにより除去する。このとき、少なくとも半導体素子層505を覆っている部分
の第1の絶縁層506及び第2の絶縁層507が残るようにする。また、半導体素子層5
05上に残った第1の絶縁層506及び第2の絶縁層507の一部には、開口部を設ける
。
導体素子層505における電極と一部が接するように導電層508を形成する。導電層5
08は、例えば上記に挙げた導電層508として適用可能な材料の金属粒子を有する液滴
やペーストなどを、別途基板上に液滴吐出法(インクジェット法、ディスペンス法など)
により吐出し、乾燥焼成して形成することができる。液滴吐出法により導電層508を形
成することで工程数の削減が可能であり、それに伴うコスト削減が可能である。
3の絶縁層509を形成する。
する方法としては例えば封止層501をプレスして接着する方法などが挙げられる。
プ512を設けて、粘着テープ512上にローラ513を回転させながら剥離層504を
剥離して、基板511を分離する。
、剥離層504、第3の絶縁層509、及び封止層501の一部に溝515を形成する。
なお粘着テープ512は、溝515を形成後に剥離してもよいし、溝515を形成する前
に剥離してもよい。
に封止層500を接着する。接着する方法としては例えば封止層500をプレスして接着
する方法などが挙げられる。封止層500を接着することにより封止層500及び封止層
501における樹脂が溝515に流れることにより封止層500及び封止層501が一つ
となる。このとき溝515より端部の封止層500及び封止層501が合わさっていない
部分は除去する。
形態の半導体装置の作製方法を用いることにより、半導体素子層505が封止層500及
び封止層501に挟持された構造を形成することができる。なお、本実施の形態に示す半
導体装置の作製方法は、一例であり、他の作製方法を用いることもできる。
8は、本実施の形態における半導体装置の他の構成を示す斜視図である。
と、機能回路700上に設けられた基板701(点線部)と、基板701の一方の上に設
けられたアンテナ702と、を有する。
状とすることで半導体装置の面積を小さくすることができる。またループ状に限定されず
、アンテナ702の形状は、電波を受信できる形であればよく、例えば、ダイポールアン
テナ、折り返しダイポールアンテナ、スロットアンテナ、メアンダラインアンテナ、マイ
クロストリップアンテナ等の形状を用いることができる。
きる。基板701を用いないことにより、半導体装置の厚さを薄くすることができる。
る。図19は、図18の線分A−Bにおける断面図である。
03上に設けられた剥離層704と、剥離層704上に設けられた半導体素子層705と
、半導体素子層705上に設けられ、開口部を有する第1の絶縁層706及び第2の絶縁
層707と、一部が開口部を介して半導体素子層705に接するように設けられた導電層
708と、導電層708及び第2の絶縁層707を覆うように設けられた第3の絶縁層7
09と、第3の絶縁層709上に設けられた封止層710と、を有する機能回路700と
、封止層710上に設けられ、導電層711を有する基板701と、を有する。
縁層706、第2の絶縁層707、導電層708、第3の絶縁層709、及び封止層71
0のそれぞれは、図9における封止層500、剥離層504、半導体素子層505、第1
の絶縁層506、第2の絶縁層507、導電層508、第3の絶縁層509、及び封止層
501のそれぞれに適用可能な構成及び材料を適用することができる。
能し、例えば銀、金、銅、ニッケル、白金、パラジウム、タンタル、モリブデン、チタン
、アルミニウム等のいずれか1つあるいは2つ以上を用いて形成することができる。
ループ状にすることにより、機能回路の面積を小さくすることができる。ただし、これに
限定されず、アンテナ702の形状は、電波を受信できる形であればよい。例えば、ダイ
ポールアンテナ、折り返しダイポールアンテナ、スロットアンテナ、メアンダラインアン
テナ、マイクロストリップアンテナ等の形状なども用いることができる。
る第2のアンテナとなる導電層711とを設けた構成の場合には、第1のアンテナと第2
のアンテナとの間における電力の授受を非接触で行うことができる。また第2のアンテナ
を設けることにより、受信可能な電波の周波数帯が限定されず、通信距離を伸ばすことが
できる。
本実施の形態における半導体装置の他の構成の作製方法を示す断面図である。
を用いて機能回路700を形成する。
1とを、導電層711が形成された面が機能回路700側になるように貼り合わせる。こ
のとき別途接着層を介して基板701と機能回路700とを貼り合わせることもできる。
接着層を設けることにより、貼り合わせ面の接着強度を向上させることができる。
半導体装置を作製することができる。本実施の形態の作製方法を用いることにより、半導
体素子層705が封止層703及び封止層710からなる一つの封止層に覆われた構造を
形成することができる。また、第2のアンテナの下に複数の機能回路を配置することによ
り、半導体装置の面積を小さくすることができる。
こともできる。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した半導体装置の使用例について説明する。
は、本実施の形態における半導体装置の使用例を示す図である。
途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免
許証や住民票等、図21(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図21(C)
参照)、記録媒体(DVDソフトやビデオテープ等、図21(B)参照)、乗り物類(自
転車等、図21(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等)、食品類、植物類、動物類、人
体、衣類、生活用品類、または電子機器(液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装
置、または携帯電話)等の物品、若しくは各物品に取り付ける荷札(図21(E)、図2
1(F)参照)等に設けて使用することができる。
物品に固定される。例えば、本であれば紙に埋め込む、または有機樹脂からなるパッケー
ジであれば当該有機樹脂に埋め込み、各物品に固定される。半導体装置800は、小型、
薄型、軽量を実現するため、物品に固定した後もその物品自体のデザイン性を損なうこと
がない。また、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、または証書類等に半導体装置8
00を設けることにより、認証機能を設けることができ、この認証機能を活用すれば、偽
造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類
、生活用品類、または電子機器等に半導体装置を取り付けることにより、検品システム等
のシステムの効率化を図ることができる。また、乗り物類であっても、半導体装置を取り
付けることにより、盗難などに対するセキュリティ性を高めることができる。
の形態に挙げた各用途に用いることにより、物品の認証性、またはセキュリティ性などを
より高めることができる。
101 機能回路
102 アンテナ
103 半導体集積回路
104 送受信回路
105 電源回路
106 ロジック回路
107 外部無線通信装置
108 電波
200 半導体装置
201 機能回路
202 アンテナ
203 アンテナ
204 半導体集積回路
205 送受信回路
206 電源回路
207 ロジック回路
208 外部無線通信装置
209 電波
300 半導体装置
301 機能回路
302 アンテナ
303 半導体集積回路
304 送受信回路
305 電源回路
306 ロジック回路
307 電源制御回路
308 判定回路
309 外部無線通信装置
310 トランジスタ
311 トランジスタ
312 抵抗素子
313 トランジスタ
314 トランジスタ
315 トランジスタ
400 半導体装置
401 機能回路
402 アンテナ
403 アンテナ
404 半導体集積回路
405 送受信回路
406 電源回路
407 ロジック回路
408 電源制御回路
409 判定回路
410 外部無線通信装置
411 電波
500 封止層
501 封止層
502 機能回路
503 アンテナ
504 剥離層
505 半導体素子層
506 絶縁層
507 絶縁層
508 導電層
509 絶縁層
510 繊維体
510a 経糸
510b 緯糸
510c バスケットホール
511 基板
512 粘着テープ
513 ローラ
514 領域
515 溝
600 下地層
600a 下地層
600b 下地層
601 トランジスタ
602 半導体層
603 ゲート絶縁層
604 ゲート電極
605 層間絶縁層
606 層間絶縁層
607 電極
608 電極
700 機能回路
701 基板
702 アンテナ
703 封止層
704 剥離層
705 半導体素子層
706 絶縁層
707 絶縁層
708 導電層
709 絶縁層
710 封止層
711 導電層
800 半導体装置
Claims (4)
- 複数の機能回路を有する半導体装置であって、
前記複数の機能回路のそれぞれは、
アンテナと、
前記アンテナと電気的に接続された送受信回路と、
前記送受信回路と電気的に接続された電源回路と、
前記送受信回路及び前記電源回路と電気的に接続されたロジック回路と、を有し、
前記複数の機能回路は、互いに異なる識別情報を有し、
前記複数の機能回路のうち、一つの機能回路のみが外部から送信された電波により動作し、それ以外の機能回路は動作しない半導体装置であって、
前記複数の機能回路は、同一の封止層に覆われ、
前記封止層は、繊維体と有機樹脂とを有し、
前記同一の封止層は、第1の封止層の一部に形成された溝に、前記第1の封止層の有機樹脂、及び第2の封止層の有機樹脂が流れ込み、一つとなったものであり、
前記繊維体は、一定の間隔をあけた複数の経糸と、一定の間隔をあけた複数の緯糸とを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記繊維体は、アラミド系繊維を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記有機樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、又はポリイミド樹脂を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記複数の機能回路はそれぞれ、トランジスタを有し、
前記トランジスタはフィン型構造を有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013027904A JP5514925B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-02-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008020938 | 2008-01-31 | ||
JP2008020938 | 2008-01-31 | ||
JP2013027904A JP5514925B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-02-15 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009006520A Division JP2009205669A (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-15 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013127812A JP2013127812A (ja) | 2013-06-27 |
JP5514925B2 true JP5514925B2 (ja) | 2014-06-04 |
Family
ID=40527578
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009006520A Withdrawn JP2009205669A (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-15 | 半導体装置 |
JP2013027904A Expired - Fee Related JP5514925B2 (ja) | 2008-01-31 | 2013-02-15 | 半導体装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009006520A Withdrawn JP2009205669A (ja) | 2008-01-31 | 2009-01-15 | 半導体装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8432254B2 (ja) |
EP (1) | EP2088541B1 (ja) |
JP (2) | JP2009205669A (ja) |
KR (1) | KR101532255B1 (ja) |
CN (1) | CN101499144B (ja) |
TW (1) | TWI471806B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5301299B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR101633282B1 (ko) | 2009-09-09 | 2016-06-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서와 상기 이미지 센서를 포함하는 이미지 픽업 장치 |
US9269914B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
WO2016059497A1 (en) | 2014-10-17 | 2016-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device |
WO2017017553A1 (en) * | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device |
US10371129B2 (en) * | 2016-02-26 | 2019-08-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and sensor system |
DE102017222983A1 (de) * | 2017-12-18 | 2019-06-19 | Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft | Verfahren zur Herstellung eines Faserverbundbauteils |
WO2020158500A1 (ja) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
Family Cites Families (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63164630A (ja) | 1986-12-26 | 1988-07-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Crc回路 |
DE69032210D1 (de) * | 1989-01-25 | 1998-05-07 | Asahi Chemical Ind | Vorimprägnierte kompositgiessformen und herstellung einer kompositgiessform |
DE3907757A1 (de) * | 1989-03-10 | 1990-09-13 | Mtu Muenchen Gmbh | Schutzfolie |
US5888609A (en) * | 1990-12-18 | 1999-03-30 | Valtion Teknillinen Tutkimuskeskus | Planar porous composite structure and method for its manufacture |
US5163837A (en) * | 1991-06-26 | 1992-11-17 | Amp Incorporated | Ordered area array connector |
JPH05190582A (ja) | 1992-01-08 | 1993-07-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止半導体装置及びその製造方法 |
JP3578466B2 (ja) | 1992-04-14 | 2004-10-20 | ユニチカ株式会社 | 補強用無機繊維織布及びそれを用いた多層プリント配線板 |
DE4345610B4 (de) * | 1992-06-17 | 2013-01-03 | Micron Technology Inc. | Verfahren zur Herstellung einer Hochfrequenz-Identifikationseinrichtung (HFID) |
US7158031B2 (en) * | 1992-08-12 | 2007-01-02 | Micron Technology, Inc. | Thin, flexible, RFID label and system for use |
JP2819445B2 (ja) * | 1993-12-31 | 1998-10-30 | アンリツ株式会社 | Icカード処理装置 |
WO1995033246A1 (fr) * | 1994-05-27 | 1995-12-07 | Ake Gustafson | Procede de realisation d'un module electronique et module electronique obtenu selon ce procede |
TW371285B (en) | 1994-09-19 | 1999-10-01 | Amp Akzo Linlam Vof | Foiled UD-prepreg and PWB laminate prepared therefrom |
FR2725824B1 (fr) * | 1994-10-18 | 1997-01-03 | Thomson Csf Semiconducteurs | Memoire insensible aux perturbations |
JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US5757456A (en) * | 1995-03-10 | 1998-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
JP3406727B2 (ja) | 1995-03-10 | 2003-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
EP0832467B8 (en) * | 1995-06-16 | 2008-05-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device, ic card utilizing the same and communication system |
US6621410B1 (en) * | 1996-08-26 | 2003-09-16 | Rf Code, Inc. | System for item and orientation identification |
US6482495B1 (en) * | 1996-09-04 | 2002-11-19 | Hitachi Maxwell, Ltd. | Information carrier and process for production thereof |
JPH1092980A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 無線カードおよびその製造方法 |
JP3249405B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2002-01-21 | 株式会社東芝 | 誤り訂正回路および誤り訂正方法 |
JP3109595B2 (ja) * | 1998-08-28 | 2000-11-20 | 日本電気株式会社 | 受信ダイバーシティ制御方法およびダイバーシティ受信機 |
TW484101B (en) * | 1998-12-17 | 2002-04-21 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP2004078991A (ja) | 1998-12-17 | 2004-03-11 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7034660B2 (en) * | 1999-02-26 | 2006-04-25 | Sri International | Sensor devices for structural health monitoring |
US6224965B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-05-01 | Honeywell International Inc. | Microfiber dielectrics which facilitate laser via drilling |
JP4423779B2 (ja) | 1999-10-13 | 2010-03-03 | 味の素株式会社 | エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた接着フィルム及びプリプレグ、及びこれらを用いた多層プリント配線板及びその製造法 |
JP3675688B2 (ja) * | 2000-01-27 | 2005-07-27 | 寛治 大塚 | 配線基板及びその製造方法 |
JP4884592B2 (ja) | 2000-03-15 | 2012-02-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
JP2001331772A (ja) | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Sony Corp | 非接触型情報授受装置および情報処理システムおよび情報処理装置および情報処理方法 |
JP4269502B2 (ja) | 2000-09-07 | 2009-05-27 | 三菱マテリアル株式会社 | データキャリア |
US6764615B2 (en) * | 2001-05-21 | 2004-07-20 | Cortec Corporation | Migrating corrosion inhibitor fibers |
JP4027740B2 (ja) | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW564471B (en) * | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP2003049388A (ja) | 2001-08-08 | 2003-02-21 | Du Pont Toray Co Ltd | 扁平化したアラミド繊維からなる布帛 |
CN100380673C (zh) * | 2001-11-09 | 2008-04-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光设备及其制造方法 |
KR100430001B1 (ko) * | 2001-12-18 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 다층기판의 제조방법, 그 다층기판의 패드 형성방법 및 그다층기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법 |
AU2002255430A1 (en) * | 2002-04-25 | 2003-11-11 | Cet Technologies Pte Ltd | An antenna |
JP2004014956A (ja) | 2002-06-11 | 2004-01-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 微小半導体素子の加工処理方法 |
US7485489B2 (en) * | 2002-06-19 | 2009-02-03 | Bjoersell Sten | Electronics circuit manufacture |
US7402897B2 (en) * | 2002-08-08 | 2008-07-22 | Elm Technology Corporation | Vertical system integration |
JP4070193B2 (ja) * | 2002-10-01 | 2008-04-02 | 京セラ株式会社 | 配線基板および電子部品実装構造体 |
JP2004140267A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2004194276A (ja) * | 2002-10-18 | 2004-07-08 | Murakami Corp | 監視カメラ伝送装置およびそのシステム |
US7230316B2 (en) * | 2002-12-27 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having transferred integrated circuit |
JP4828088B2 (ja) | 2003-06-05 | 2011-11-30 | 凸版印刷株式会社 | Icタグ |
US7566001B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card |
US7230580B1 (en) * | 2003-08-29 | 2007-06-12 | National Semiconductor Corporation | Design of a two interconnect IC chip for a radio frequency identification tag and method for manufacturing same |
JP3904556B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2007-04-11 | 松下電器産業株式会社 | 無線通信装置および間欠受信制御方法 |
GB0402035D0 (en) * | 2004-01-30 | 2004-03-03 | Hewlett Packard Development Co | Physical object with memory tags and apparatus for writing and using such objects |
JP4540359B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2010-09-08 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
US7472296B2 (en) * | 2004-02-20 | 2008-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Integrated circuit, semiconductor device and ID chip |
JP4720098B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2011-07-13 | 日本電気株式会社 | Id発行管理システム、物品情報管理システムおよびid発行管理方法 |
US20050233122A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-20 | Mikio Nishimura | Manufacturing method of laminated substrate, and manufacturing apparatus of semiconductor device for module and laminated substrate for use therein |
KR20060045208A (ko) * | 2004-11-12 | 2006-05-17 | 삼성테크윈 주식회사 | 반도체 팩키지용 회로기판 및 이의 제조방법 |
US7736964B2 (en) * | 2004-11-22 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
JP4274135B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2009-06-03 | 日本電信電話株式会社 | Rfidタグ |
JP2006261297A (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Fujikura Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US7465674B2 (en) * | 2005-05-31 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US7727859B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-06-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7685706B2 (en) * | 2005-07-08 | 2010-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Method of manufacturing a semiconductor device |
US7700463B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US7545276B2 (en) * | 2005-09-13 | 2009-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
EP1938458B1 (en) * | 2005-09-21 | 2015-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Cyclic redundancy check circuit and devices having the cyclic redundancy check circuit |
US8242908B2 (en) * | 2005-12-09 | 2012-08-14 | Tego Inc. | Methods and systems of a multiple radio frequency network node RFID tag |
WO2007068002A2 (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Tego Inc. | Multiple radio frequency network node rfid tag |
US8279065B2 (en) * | 2005-12-09 | 2012-10-02 | Tego Inc. | Methods and systems of a multiple radio frequency network node RFID tag |
US20080186180A1 (en) * | 2005-12-09 | 2008-08-07 | Butler Timothy P | Methods and systems of a multiple radio frequency network node rfid tag |
US8947233B2 (en) * | 2005-12-09 | 2015-02-03 | Tego Inc. | Methods and systems of a multiple radio frequency network node RFID tag |
US20080186138A1 (en) * | 2005-12-09 | 2008-08-07 | Butler Timothy P | Methods and systems of a multiple radio frequency network node rfid tag |
JP4815217B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2011-11-16 | リンテック株式会社 | アンテナ回路、icインレット、マルチタグ及びマルチタグ製造方法 |
WO2007096793A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-08-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Printed item having a memory |
CN101385039B (zh) * | 2006-03-15 | 2012-03-21 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
JP4901525B2 (ja) * | 2006-04-17 | 2012-03-21 | 富士フイルム株式会社 | アンテナ内蔵基板 |
JP5192732B2 (ja) * | 2006-05-31 | 2013-05-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び当該半導体装置を具備するicラベル、icタグ、icカード |
TWI431726B (zh) * | 2006-06-01 | 2014-03-21 | Semiconductor Energy Lab | 非揮發性半導體記憶體裝置 |
JP2008011696A (ja) * | 2006-06-02 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蓄電装置及び当該蓄電装置を具備する移動型電子機器 |
WO2008001703A1 (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2008020938A (ja) | 2006-07-10 | 2008-01-31 | Brother Ind Ltd | 保存指示装置、ノード装置、保存指示プログラム及び制御プログラム |
US7764046B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-07-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device and semiconductor device provided with the power storage device |
JP5325415B2 (ja) * | 2006-12-18 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
EP1956523B1 (en) * | 2007-02-02 | 2013-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless identification system, semiconductor device, and communication device |
US20080204238A1 (en) * | 2007-02-28 | 2008-08-28 | Symbol Technologies, Inc. | Method to RFID enable electronic devices |
EP1970951A3 (en) * | 2007-03-13 | 2009-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
EP1976000A3 (en) * | 2007-03-26 | 2009-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
EP1976001A3 (en) * | 2007-03-26 | 2012-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5322346B2 (ja) * | 2007-06-07 | 2013-10-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5248240B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2013-07-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
WO2009031482A1 (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP5301299B2 (ja) * | 2008-01-31 | 2013-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP5455753B2 (ja) * | 2009-04-06 | 2014-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Icカード |
KR101708607B1 (ko) * | 2009-11-20 | 2017-02-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
-
2009
- 2009-01-15 JP JP2009006520A patent/JP2009205669A/ja not_active Withdrawn
- 2009-01-16 EP EP09000602A patent/EP2088541B1/en not_active Not-in-force
- 2009-01-22 CN CN2009100099092A patent/CN101499144B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-22 TW TW98102581A patent/TWI471806B/zh not_active IP Right Cessation
- 2009-01-23 US US12/358,345 patent/US8432254B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-01-30 KR KR1020090007340A patent/KR101532255B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-02-15 JP JP2013027904A patent/JP5514925B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090195359A1 (en) | 2009-08-06 |
CN101499144B (zh) | 2013-09-25 |
KR101532255B1 (ko) | 2015-06-29 |
JP2009205669A (ja) | 2009-09-10 |
US8432254B2 (en) | 2013-04-30 |
KR20090084735A (ko) | 2009-08-05 |
TWI471806B (zh) | 2015-02-01 |
TW200941355A (en) | 2009-10-01 |
EP2088541B1 (en) | 2011-05-11 |
CN101499144A (zh) | 2009-08-05 |
JP2013127812A (ja) | 2013-06-27 |
EP2088541A1 (en) | 2009-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5514925B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI442513B (zh) | 半導體裝置的製造方法 | |
JP5464914B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
TWI447822B (zh) | 半導體裝置及使用具有上及下纖維體密封層的半導體裝置的商品追蹤系統以及其製造方法 | |
JP2020150277A (ja) | 半導体装置 | |
JP5581426B2 (ja) | 半導体装置 | |
US8284579B2 (en) | Semiconductor device | |
TWI472009B (zh) | 半導體裝置及其製造方法 | |
JP2008262547A (ja) | 半導体装置及びその作製方法 | |
US8232181B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP5779272B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131205 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140107 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140131 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140325 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140331 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5514925 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |