JP5490590B2 - 排気ガス制御装置 - Google Patents
排気ガス制御装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5490590B2 JP5490590B2 JP2010070982A JP2010070982A JP5490590B2 JP 5490590 B2 JP5490590 B2 JP 5490590B2 JP 2010070982 A JP2010070982 A JP 2010070982A JP 2010070982 A JP2010070982 A JP 2010070982A JP 5490590 B2 JP5490590 B2 JP 5490590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- dlc
- concentration
- exhaust gas
- sliding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Control Of Throttle Valves Provided In The Intake System Or In The Exhaust System (AREA)
Description
(1)本発明の排気ガス制御装置は、燃焼機関の排気ガスの経路に配設され該排気ガスの流れを制御する制御弁と、該制御弁と一体的に可動する可動軸と、該可動軸を摺動させつつ支承し該可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受と、を備える排気ガス制御装置であって、前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、ケイ素(Si)、水素(H)および残部である炭素(C)からなる非晶質炭素膜を有し、該非晶質炭素膜は、付着する界面に臨む臨界部と該臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなり、該表面部は、Si濃度が8〜30原子%である部分を有し、該臨界部は、該表面部よりもSi濃度が低いと共に該界面側から該表面部側にかけてSi濃度が漸増する傾斜部を有し、該臨界部の付着界面近傍におけるSi濃度が該非晶質炭素膜中で最も低くなっていることを特徴とする。
本明細書では、DLC−Si膜の高温域における摩擦摺動特性、耐酸化性、耐摩耗性、耐久性、耐割れ性または耐剥離等をまとめて適宜「耐熱性」という。
特に断らない限り、本明細書でいう「x〜y」は、下限値xおよび上限値yを含む。また、本明細書に記載した種々の下限値または上限値は、任意に組合わされて「a〜b」のような範囲を構成し得る。さらに、本明細書に記載した範囲内に含まれる任意の数値を、数値範囲を設定するための上限値または下限値とすることができる。
2 ボール・オン・ディスク試験装置
3 排気圧力制御装置
4 摺動試験装置
24 スロットルバルブ(制御弁)
S、27 シャフト(可動軸)
B1、B2、34、39 軸受
S1a、S2a 摺動面
B1a、B2a 摺受面
排気ガス制御装置は、上述した制御弁、可動軸および軸受を備えるものである限り、構造や用途などは問わない。本発明の排気ガス制御装置の用途として、例えば、再生DPF用の排気圧力制御装置やEGR用排気流路(クーラバイパス流路)切替装置などがある。
(1)臨界部と表面部
本発明に係る非晶質炭素膜(DLC−Si膜)のSi濃度(Si組成)は、臨界部で低く、表面部で高くなっている。Si濃度は、DLC−Si膜が付着する基材界面(以下「付着界面」という。)から、DLC−Si膜の膜表面付近にかけて緩やかな変化してもよい。Si濃度の変化は臨界部でほぼ収束し、表面部では均一な方が、DLC−Si膜の摩擦摺動特性と耐久性の両立を図る上で好ましい。
ちなみに本明細書では、表面部および臨界部を次のように定義する。その説明図を図10に示した。
(i)先ずDLC−Si膜の全体厚さ(t0=t1+t2)を光学顕微鏡等で確定する。
(ii)次に、そのDLC−Si膜をEPMA分析して得られたSi濃度分布を示す曲線(以下「Si濃度曲線」という。/図4参照)に基づいて、DLC−Si膜の最表面から起算してDLC−Si膜の全体厚さの10〜30%に相当する領域におけるSi濃度を、積分した平均値(平均濃度)を「表面部のSi濃度」と定義する。
(iii)Si濃度曲線中のSi濃度がその平均濃度の1/2となる点Eを求める。この点Eを表面部と臨界部との境界点とする。この境界点を通り、Si濃度曲線の横軸に垂直な線が表面部と臨界部との境界線となる。被覆部材として観れば、その境界点を通る基材表面に平行な面が両者の境界面となる。
(iv)以上を踏まえて本明細書では、その境界線(境界面)からDLC−Si膜の最表面までの領域を「表面部」と、その境界線(境界面)から基材の最表面までの領域を「臨界部」と定義する。
(v)なお本明細書で規定する「臨界部のSi濃度」の上限値は、Si濃度曲線上の境界点におけるSi濃度(平均濃度の1/2のSi濃度)とする。その下限値は、Si濃度曲線上で、基材の最表面から0.5μmだけ境界点側へ移動した点HにおけるSi濃度とする。
Siは、高温環境下におけるDLC−Si膜の耐酸化性、耐久性、硬さ、耐摩耗性などの有効な元素である。Si濃度が過小ではこれらの効果が十分に得られず、Si濃度が過大になると、DLC−Si膜の硬さは向上するが脆化し耐久性が低下し得る。また、Si濃度が過大になると、DLC−Si膜のヤング率も過大となり、DLC−Si膜に作用する応力も過大となって割れなども生じ易くなる。ちなみにDLC−Si膜のヤング率は、Si濃度が30原子%のとき190GPa、Si濃度が10原子%のとき100GPaとなり、Si濃度の増加と共にヤング率も増加する。
さらに臨界部のSi濃度は1〜15原子%さらには2〜15原子%の範囲内にあり、H濃度は20〜40原子%さらには24〜36原子%の範囲内にあると好適である。これにより、DLC−Si膜の密着性や耐剥離性などが確保され易い。
DLC−Si膜の全膜厚は問わないが、高温環境下で使用される場合でも安定して低摩擦係数が維持されるために、3〜50μmさらには5〜30μm程度であると好ましい。膜厚が過小では耐久性が低下し摩擦係数の長期低減を図れず、過大では割れや剥離を生じ易くなる。
DLC−Si膜の硬さも問わないが、耐摩耗性を確保して摩擦係数の長期低減を図るために、表面部のビッカース硬さはHv800〜3000、特に400℃でHv600以上、500℃でHv500以上あると好ましい。
DLC−Si膜により被覆される可動軸または軸受の基材表面には、DLC−Si膜の成膜前に別の表層(中間層)が形成されていてもよい。このような中間層として、例えば、窒化層、浸炭層、浸炭窒化層、窒化クロム層、硬質クロム層などのメッキ層等がある。このような中間層を設けることで、DLC−Si膜の基材への密着性の向上や基材自体の高温強度や高温耐食性の向上等を図れる。
(1)本発明に係るDLC−Si膜の成膜方法は問わないが、例えば、化学蒸着法(CVD)や物理蒸着法(PVD)などを用いることができる。具体的には、プラズマ化学蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等により成膜できる。中でも、基材の形状にかかわらず比較的安価に成膜できるプラズマ化学蒸着法(以下「プラズマCVD法」という。)が好ましい。
《DLC−Si膜》
[供試材の製造]
基材表面が非晶質炭素膜で被膜された供試材を以下のように製造した。
(1)直流プラズマCVD成膜装置
図1に示す直流プラズマCVDを行う成膜装置1を用いて、基材15に非晶質炭素膜を成膜した。成膜装置1は、円筒形の炉室をもつステンレス鋼製のチャンバー10と、このチャンバー10内に配置された載置台11と、チャンバー10の上方内に連通するガス導入管12と、チャンバー10の下方内に連通する排気管13とを備えてなる。
ガス導入管12には、マスフローコントローラ(MFC:図略)が設けてある。このMFCの上流側には、種々の原料ガスが個別に封入された複数のガスボンベ(図略)が接続されている。MFCにより、チャンバー10内へ導入するガスの種類、配合、流量等を制御できる。これにより、非晶質炭素膜の組成等が調整可能となる。
チャンバー10の内壁が陽極板14を兼ねる。この陽極板14と陰極側となる載置台11との間に、プラズマ直流電源16が直流電圧を印加する。なお、プラズマ直流電源16の正極および陽極板14は接地されている。
基材15の表面への成膜は次のようにして行った。
先ず、チャンバー10内の載置台11上に基材15を載置した。この後、チャンバー10を密封し、排気管13から排気して、チャンバー10内の到達真空度を6.7×10−3Paにした(排気工程)。排気後のチャンバー10内へ、ガス導入管12から、水素ガスを15sccm(standard cc/min:以下単に「sccm」という。)の流量で導入し、チャンバー10内の圧力を約133Paとした。この後、陽極板14と載置台11との間に200Vの直流電圧を印加し、グロー放電を開始させた。こうして基材15の温度が500℃になるまでイオン衝撃による昇温を行った(予熱工程)。なお、基材15の表面温度は、チャンバー10の側面から炉外へ突出する透光窓(図略)を介して赤外線放射温度計(図略)により測定した(表面温度の測定は以下同様の方法で行った)。
上記の成膜を行う基材として、次の3種類を用意した。基材a:ステンレス(JIS SUS304C)からなるディスク(φ30x厚さ3:mm)、基材b:ステンレス製(JIS SUS440C)からなるボール(φ6:mm)、基材c:高速度鋼(JIS SKH51)からなる板片(13x13x5:mm)である。表1〜3の試験No.に付した添字は基材の種類を意味する。
各供試材の非晶質炭素膜中のC濃度、Si濃度おおびH濃度は次のように求めた。先ず、電子プローブ微小部分析法(EPMA)を用いた測定により、膜中に存在するCとSiの量比(原子比)を求める。次に、あらかじめ燃焼法で求めた膜中のH量と弾性反跳粒子検出法(ERDA)法で求めた電子線強度との関係から膜中に存在するHの原子割合(原子%)を求める。これらの結果に基づき、膜全体を100原子%として、膜中のC、SiおよびHの原子%を特定した。ちなみに、ERDAは、2MeVのヘリウムイオンビームを膜表面に照射して、膜からはじき出される水素イオンを半導体検出器により検出し、膜中の水素濃度を測定する方法である。
(1)耐酸化性(表1:試験No.1a〜C2a)
上記の基材aに非晶質炭素膜を設けた供試材の耐酸化性を調べた。具体的には、表1に示した各供試材を電気炉に入れ、350〜550℃x1時間の大気中に曝して酸化させた。この加熱前後の各供試材の重量(質量)変化を調べた。この結果を表1に示した。
上記の基材cに非晶質炭素膜を設けた供試材の高温硬さを調べた。具体的には表2に示した各供試材について、400℃および500℃の真空中における表面硬さを、ビッカース硬さ計を用いて荷重25gで測定した。この結果を表2に示した。これら各供試材の非晶質炭素膜の厚さは約12μmであった。
図2に示すボール・オン・ディスクタイプの試験装置(CSM INSTRUMENTS社製 高温摩擦試験機)2を用いて、各供試材の摩擦摺動特性を調べた。ボール・オン・ディスク試験装置2は、基材aからなるディスク20を回転させる回転装置(図略)と、基材bからなるボール21(相手材)のディスク20上への押付け荷重を付与する荷重装置(図略)を備える。この装置を用いて、ボール21の荷重1N、摺動速度0.2m/s、摺動距離600mの条件下で摩擦摩耗試験を行った。この試験の際、ディスク20を300〜480℃に加熱した。
スクラッチ試機(CSM INSTRUMENTS社製 AEセンサー付き自動スクラッチ試験機 REVETEST RST)を用いて、DLC−Si膜の密着性を調べた。DLC−Si膜の成膜直後の供試材と、DLCその成膜後に冷熱サイクルを与えた供試材についてそれぞれ、密着力を測定した。その結果を表4に示した。冷熱サイクルは、「成膜後の供試材を大気雰囲気の加熱炉内に入れて500℃で5分間保持した後、3℃冷却水に2分間浸漬し、その後500℃の前記炉内に戻す」という操作を50回繰り返しておこなった。
(1)耐酸化性
表1に示す結果から解るように、DLC−Si膜で表面が被覆された供試材(No.1a、No.2a)は、高温加熱の前後で重量変化がほとんどなかった。つまり350〜550℃という高温の大気中にあっても、非常に安定した耐酸化性を示すことが明らかとなった。
一方、Siを含有しないDLC膜で被覆された供試材(No.C1a)では、高温加熱すると供試材の重量が大きく変化した。特に、500℃で加熱すると酸化が激しくDLC膜が消失した。
この試験から、耐酸化性ひいては耐熱性の確保には、Siを含有したDLC−Si膜であることが必要であることがわかった。特に500℃以上の高温域でも耐え得るには、Siを少なくとも6原子%以上含有していることが必要であった。
表2に示す結果から解るように、DLC−Si膜で表面が被覆された供試材(No.1c、No.2c)は、500℃という高温加熱下でも、非常に大きな硬さを保持していた。一方、Siを含有しないDLC膜で被覆された供試材(No.C1c)は、高温加熱すると、400℃で硬さが急減し、500℃では測定すらできない状況であった。
ちなみに、基材c自体の硬さは、加熱前にHv1100、500℃でHv650となる。本発明に係るDLC−Si膜を設けると、基材自体よりも硬質になることがわかる。特に表面部のSi濃度が22%程度になると、500℃でも基材の常温硬さに相当する硬さをほぼ維持することもわかった。
表3に示す結果から解るように、適量のSiを含むDLC−Si膜で表面被覆された供試材同士を摺接させた場合(No.2ab)、摩擦係数は300〜480℃の高温域であまり変化せず、いずれも0.25以下で安定していた。一方、DLC−Si膜で被覆されない供試材を用いた場合(No.C3ab)、摩擦係数が0.63〜0.43と相当に高く、不安定であった。
DLC−Si膜の高温摩擦摺動特性には、その表面部が大きく寄与し得る。ただ実用性を考慮すると、摩擦摺動特性のみならず、DLC−Si膜が剥離等せず基材表面に長期にわたって付着していることも重要である。つまり、DLC−Si膜には、常温域は勿論のこと高温域においても高い密着性が求められる。
本発明の排気ガス制御装置に係る一例として、図5に示すようなディーゼルエンジン用の再生DPF装置(図略)の下流に配設される排気圧力制御装置3がある。再生DPF装置は、ディーゼルエンジンの排気ガス中に含まれるパティキュレート(PM)や黒鉛を捕集するセラミック製フィルタ(DPF)と酸化触媒とからなる。この再生DPF装置を排気ガスが通過することで、排気ガスは浄化されて外部へ排出可能となる。
(1)排気圧力制御装置3は、ボア21とバイパス通路22を含むケーシング23(筐体)と、ボア21を開閉するバタフライ式のスロットルバルブ24(制御弁)と、バイパス通路22を開閉するバイパスバルブ25とを備える。
本発明に係るDLC−Si膜がその摺動部に介在していると、長期にわたり、高温時の摩擦係数を安定的に低減できると考えられる。これを実証するため、上述したシャフト27および軸受34、39の関係を模擬的に再現できる摺動試験装置を考案した。この装置を用いて、DLC−Si膜およびそれ以外の表面被膜を摺動部に設けた場合についても評価した。
この摺動試験装置4を上述の排気圧力制御装置3と対比すると、支持部32、33は軸受ホルダ41、42に、シャフト27はシャフトSに、スロットルバルブ24へ作用する排圧よりシャフト27へ印可される荷重は錘48の荷重に、アクチュエータ36、ロッド37およびレバー38はモータ45に、それぞれ相当する。
(1)摺動試験装置4を用いて、種々の表面処理を行ったシャフトSおよび軸受B1、B2の摩擦摺動特性を測定した。シャフトSの摺動面S1a、S2aおよび軸受B1、B2の摺受面B1a、B2aに施した表面処理の組み合わせは表5にまとめて示した。表5中の「DLC−Si」は、試験No.1aに用いた供試材と同様の方法でDLC−Si膜を成膜したものである。表5中の「窒化」および「CrN」はそれぞれ、次のような表面処理を行ったものである。すなわち、「窒化」処理はタフトライド法により、「CrN」処理はイオンプレーティング法により行った。表5中に示した膜組成は、摺動面または摺受面の表面部の組成である。
表5に示した試験No.F1〜F5について、常温域および500℃で測定した摩擦係数を図7に棒グラフで示した。また試験No.F1およびF5について、耐久試験中の摩擦係数の変化を図8および図9に折れ線グラフで示した。図8はその摩擦係数を常温域で測定したものであり、図9は500℃で測定したものである。
(1)摩擦係数
表5および図7に示す結果から明らかなように、シャフトSの摺動面または軸受B1、B2の摺受面のいずれか一方に本発明に係るDLC−Si膜が存在する場合、DLC−Si膜が存在しない場合(試験No.F5)に比べて、摩擦係数が大幅に低減することがわかる。特に常温域の摩擦係数は1/3以下にまで低下した。またDLC−Si膜が存在する場合、常温域と500℃の高温域との摩擦係数差が小さかった。つまり、DLC−Si膜が存在すると、常温域から高温域まで摩擦係数が安定的に低減されることが明らかとなった。
表5、図8および図9に示す結果から明らかなように、シャフトSと軸受B1、B2の摺動部にDLC−Si膜が存在すると、500℃で繰り返し摺動させても、摩擦係数はあまり変化しない。特に、摺動面がDLC−Si膜で摺受面がCrN膜である場合、摩擦係数は摺動回数が増加しても、ほぼ一定値であった。この傾向は摩擦係数を常温域で測定しても高温域(500℃)で測定してもほぼ同様であった。これらのことから、その摺動部に用いたDLC−Si膜は耐摩耗性に優れ、使用温度が変化しても低い摩擦係数を長期的に維持することを示す。
Claims (5)
- 燃焼機関の排気ガスの経路に配設され該排気ガスの流れを制御する制御弁と、
該制御弁と一体的に可動する可動軸と、
該可動軸を摺動させつつ支承し該可動軸の摺動面に摺接する摺受面を有する軸受と、
を備える排気ガス制御装置であって、
前記摺動面または前記摺受面の少なくとも一方は、ケイ素(Si)、水素(H)および残部である炭素(C)からなる非晶質炭素膜を有し、
該非晶質炭素膜は、付着する界面に臨む臨界部と該臨界部に連なり表面側へ延びる表面部とからなり、
該表面部は、Si濃度が8〜30原子%である部分を有し、
該臨界部は、該表面部よりもSi濃度が低いと共に該界面側から該表面部側にかけてSi濃度が漸増する傾斜部を有し、
該臨界部の付着界面近傍におけるSi濃度が該非晶質炭素膜中で最も低くなっていることを特徴とする排気ガス制御装置。 - 前記表面部は、H濃度が20〜40原子%である部分を有する請求項1に記載の排気ガス制御装置。
- 前記臨界部は、前記非晶質炭素膜全体に対して厚さが50%以下である請求項1に記載の排気ガス制御装置。
- 前記摺受面と前記摺動面は、一方が前記非晶質炭素膜を有し、他方が窒化クロム膜を有する請求項1または3に記載の排気ガス制御装置。
- 前記摺受面が前記非晶質炭素膜を有し、前記摺動面が窒化クロム膜を有する請求項1または4に記載の排気ガス制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010070982A JP5490590B2 (ja) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | 排気ガス制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010070982A JP5490590B2 (ja) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | 排気ガス制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011202596A JP2011202596A (ja) | 2011-10-13 |
JP5490590B2 true JP5490590B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=44879488
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010070982A Expired - Fee Related JP5490590B2 (ja) | 2010-03-25 | 2010-03-25 | 排気ガス制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5490590B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2971928B2 (ja) * | 1989-12-28 | 1999-11-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 潤滑性を有する硬質非晶質炭素―水素―珪素薄膜、表面に該薄膜を有する鉄系金属材料、およびその製造方法 |
JPH08100686A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Ntn Corp | 排気ブレーキのバタフライ弁用滑り軸受および弁軸並びに弁装置 |
JP2006022882A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Koyo Seiko Co Ltd | 駆動軸 |
JP4876464B2 (ja) * | 2005-07-19 | 2012-02-15 | 株式会社豊田中央研究所 | 低摩擦摺動部材 |
JP4922662B2 (ja) * | 2006-05-17 | 2012-04-25 | トーヨーエイテック株式会社 | 機械部品及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-03-25 JP JP2010070982A patent/JP5490590B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011202596A (ja) | 2011-10-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101823893B1 (ko) | 엔진 배기계 부품용 코팅재 및 이의 제조방법 | |
JP4251738B2 (ja) | 硬質被膜及び被覆部材 | |
US6821497B2 (en) | Amorphous hard carbon film, mechanical parts and method for producing amorphous hard carbon film | |
US7700167B2 (en) | Erosion-protective coatings on polymer-matrix composites and components incorporating such coated composites | |
Cao et al. | High temperature tribological performance and thermal conductivity of thick Ti/Ti-DLC multilayer coatings with the application potential for Al alloy pistons | |
CN105088127B (zh) | 一种涂层及其制备方法 | |
CN105908126A (zh) | 一种高Al含量的AlTiN复合涂层及制备方法 | |
EP2390381B1 (en) | Method of producing coated member | |
CN115287592B (zh) | 一种指尖密封用高温耐磨自润滑涂层及其制备方法 | |
KR101428600B1 (ko) | 핀 또는 샤프트용 코팅재 및 이의 제조방법 | |
BRPI0901939B1 (pt) | Anel de pistão para motor de combustão interna | |
CN113584438A (zh) | 一种周期性多层结构涂层带锯条及其制备方法和应用 | |
JP2006022666A (ja) | 非晶質硬質炭素膜を備えたピストンリング、ピストン、シリンダ、ピストンピン | |
KR101640912B1 (ko) | 고온 저마찰성 코팅층 및 이의 제조방법 | |
JP5724197B2 (ja) | 被覆部材およびその製造方法 | |
JP5490590B2 (ja) | 排気ガス制御装置 | |
JP2002097573A (ja) | 摺動部材 | |
WO2014196259A1 (ja) | 摺動部品 | |
CN108265291A (zh) | 一种软质基体表面的碳基涂层及其制备方法 | |
CN107326363A (zh) | 基体表面的高硬度、耐磨损,且在乳化液环境中耐腐蚀的碳基涂层及其制备方法 | |
WO1997014555A1 (en) | Diamond-like nanocomposite thin films for automotive powertrain component coatings | |
JP7280578B2 (ja) | 耐摩耗被膜を備える摺動部材及び耐摩耗被膜の形成方法 | |
JP4372663B2 (ja) | エンジン動弁系部品 | |
CN101550539B (zh) | 一种在陶瓷阀芯表面沉积防护薄膜的方法 | |
CN114875359A (zh) | 一种在钛合金表面形成耐磨抗氧化复合涂层的处理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130313 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130617 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130618 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5490590 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |