JP5489305B2

JP5489305B2 - 回路基板及び導電膜形成方法

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Publication number: JP5489305B2
Application number: JP2012144747A
Authority: JP
Inventors: 祐一川戸; 倫広三田; 祐介前田; 富雄工藤
Original assignee: Ishihara Chemical Co Ltd
Current assignee: Ishihara Chemical Co Ltd
Priority date: 2012-06-27
Filing date: 2012-06-27
Publication date: 2014-05-14
Anticipated expiration: 2032-06-27
Also published as: WO2014002529A1; US20150021071A1; CN104303609A; EP2869677A1; KR101553499B1; TW201408155A; TWI558289B; JP2014011199A; EP2869677A4; KR20140132756A

Description

本発明は、銅微粒子から成る皮膜を光焼成して形成される導電膜を有する回路基板、その導電膜を基材上に形成する導電膜形成方法、及びその導電膜の基材への密着性を向上する密着向上剤に関する。

従来から、銅箔から成る回路をフォトリソグラフィによって基板上に形成した回路基板（プリント基板）がある。フォトリソグラフィは、銅箔をエッチングする工程を有し、エッチングで発生する廃液の処理等にコストがかかる。

エッチングを要しない技術として、銅微粒子（銅ナノ粒子）を分散媒中に含有する銅微粒子分散液（銅インク）を用いて基板上に導電膜（導電性フィルム）を形成する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、銅微粒子分散液の液膜が基板上に形成され、液膜が乾燥され、銅微粒子から成る皮膜が形成される。この皮膜が光焼成されてバルク化し、導電膜が形成される。基板は、光のエネルギーを吸収した銅微粒子の発熱に耐えるように、ガラスやポリイミド等、非熱可塑性の基材から成る。

この導電膜は、電気抵抗が低く、粘着テープで剥がれない程度に基材との密着性を有する。しかしながら、電気抵抗をさらに低くするために導電膜の膜厚を増大させようとすると、導電膜が剥離し易くなることが懸念される。

米国特許出願第ＵＳ２００８／０２８６４８８号公報

本発明は、上記問題を解決するものであり、銅微粒子から成る皮膜を光焼成して形成される導電膜において、導電膜の基材への密着性を向上することを目的とする。

本発明の回路基板は、導電膜を有する回路と基板とを備えたものであって、前記基板と前記導電膜との間に樹脂層をさらに備え、前記基板は、非熱可塑性の基材から成り、前記樹脂層は、熱可塑性樹脂を含有し、前記導電膜は、銅微粒子から成る皮膜を光焼成して形成されることを特徴とする。

この回路基板において、前記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂及びスチロール樹脂よりなる群から選ばれることが好ましい。

この回路基板において、前記導電膜は、めっきが施されることが好ましい。

この回路基板において、前記めっきは、電気めっき又は無電解めっきであることが好ましい。

本発明の導電膜形成方法は、基材上に導電膜を形成する方法であって、熱可塑性樹脂を含有する密着向上剤を用いて非熱可塑性の基材上に樹脂層を形成する工程と、銅微粒子分散液を用いて前記樹脂層上に銅微粒子から成る皮膜を形成する工程と、前記皮膜を光焼成する工程とを有することを特徴とする。

この、導電膜形成方法において、前記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂及びスチロール樹脂よりなる群から選ばれることが好ましい。

この、導電膜形成方法において、光焼成された前記皮膜にめっきを施す工程を有することが好ましい。

この、導電膜形成方法において、前記めっきは、電気めっき又は無電解めっきであることが好ましい。

本発明の回路基板によれば、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層を備えるので、導電膜は、樹脂層を介して基材への密着性が向上する。

本発明の一実施形態に係る回路基板の断面構成図。（ａ）〜（ｆ）は同回路基板の作成における導電膜形成方法を時系列順に示す断面構成図。

本発明の一実施形態に係る回路基板について図１を参照して説明する。回路基板１は、導電膜２を有する回路と基板３とを備える。この回路基板１は、基板３と導電膜２との間に樹脂層４をさらに備える。基板３は、非熱可塑性の基材３１から成る。樹脂層４は、熱可塑性樹脂を含有する。導電膜２は、銅微粒子２１から成る皮膜を光焼成して形成される。本実施形態では、導電膜２は、めっき５が施される。めっき５は、電気めっきである。めっき５は、無電解めっきであってもよい。めっき５は、導電膜２の一部又は全部において省略しても構わない。

樹脂層４の形成には、密着向上剤が用いられる。密着向上剤は、熱可塑性樹脂を溶媒中に溶解したものである。

回路基板１についてさらに詳述する。回路基板１は、プリント基板である。その回路は、導電膜２を有する。導電膜２は、例えば、回路素子間を電気的に接続する導線を構成する。導電膜２は、回路素子又はその一部、例えば、キャパシターの電極やコイル等を構成してもよい。導電膜２の形成に用いられる銅微粒子２１は、中心粒子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ未満のナノ粒子である。基板３は、基材３１を板状に成形したものである。基材３１は、非熱可塑性を有する耐熱性が高い材料であり、ガラス、非熱可塑性のポリイミド、セラミックス、熱硬化性樹脂、シリコンウェハ等が挙げられるが、これらに限定されない。樹脂層４は、導電膜２の下地として基材３１上に形成される層である。樹脂層４に含有される熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、スチロール樹脂等が挙げられるが、これらに限定されない。樹脂層４は、単層に限定されず、樹脂種類の異なる複数層を積層してもよい。

めっき５は、導電膜２の膜厚を増大するために施される。めっき５が電気めっきである場合、めっき金属は、銅、ニッケル、錫、クロム、パラジウム、金、ビスマス、コバルト、鉄、銀、鉛、白金、イリジウム、亜鉛、インジウム、ルテニウム、ロジウム等が挙げられるが、これらに限定されない。めっき５が無電解めっきである場合、めっき金属は、銅、錫、銀、ニッケル、パラジウム、金等が挙げられるが、これらに限定されない。めっきは合金めっきであってもよい。

上記のように構成される回路基板１の作成における導電膜形成方法について図２（ａ）〜（ｆ）を参照して説明する。図２（ａ）、（ｂ）に示されるように、基材３１から成る基板３上に密着向上剤が所定の膜厚になるように塗布された後、密着向上剤の溶媒が乾燥され、樹脂層４が形成される。

図２（ｃ）に示されるように、銅微粒子分散液から成る液膜２２が樹脂層４上に形成される。銅微粒子分散液は、銅微粒子２１が液中に分散された液体である。樹脂層４上の液膜２２は、例えば、印刷法で形成される。印刷法では、銅微粒子分散液が印刷用のインクとして用いられ、印刷装置によって樹脂層４上に所定のパターンが印刷され、そのパターンの液膜２２が形成される。次に、液膜２２が乾燥される。液膜２２の乾燥によって、図２（ｄ）に示されるように、銅微粒子２１が樹脂層４上に残り、銅微粒子２１から成る皮膜２３が樹脂層４上に形成される。

次に、銅微粒子２１から成る皮膜２３に光が照射され、この皮膜２３が光焼成される。光焼成において、皮膜２３内の銅微粒子２１の表面酸化皮膜が除去されるとともに、銅微粒子２１が焼結される。図２（ｅ）に示されるように、銅微粒子２１は、焼結において互いに溶融し、樹脂層４に溶着する。光焼成は、大気下、室温で行われる。光焼成に用いられる光源は、例えば、キセノンランプである。光源にレーザー装置を用いてもよい。光の照射によって光焼成された皮膜２４は、バルク化して導電性になるとともに、樹脂層４に密着する。

次に、光焼成された皮膜２４にめっき５が施される。このめっき５は、電気めっき又は無電解めっきである。電気めっきにおいては、光焼成された皮膜２４は、めっき液に浸漬され、シード層としての陰極となる。無電解めっきにおいては、光焼成された皮膜２４は、めっき液に含まれる還元剤の酸化反応に対して触媒活性なシード層となる。図２（ｆ）に示されるように、めっき５によって、導電膜２の膜厚が増大する（めっき増膜される）。

この導電膜形成方法おいて、銅微粒子２１から成る皮膜２３に照射される光のエネルギーは、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層４を損傷しないように設定される。このため、光焼成された皮膜２４は、バルク化が不十分となって、電気抵抗（シート抵抗）が高くなることがある。この皮膜２４は、電気抵抗が高くても、導電性を有するので、電気めっきにおけるシード層として用いることができる。また、無電解めっきにおいては、シード層の電気抵抗は問題とならない。したがって、光焼成された皮膜２４にめっきを施すことができる。導電膜２の電気抵抗は、めっき５によって、バルク金属の抵抗値となる。

本実施形態とは異なり、樹脂層４を形成せずに、ガラス等の非熱可塑性の基材３１上に直接、銅微粒子２１から成る皮膜を形成する場合、光焼成によって形成される皮膜は、粘着テープで剥がれない程度に基材３１との密着性を有し、電気抵抗（シート抵抗）が低い。これは、光焼成における光の照射エネルギーを大きくできるので、皮膜の基材３１への溶着とバルク化が十分に行われるためである。この皮膜の電気抵抗をさらに低くするためには、膜厚を増大する必要がある。膜厚を増大するため、皮膜にめっきを施して導電膜２を形成すると、めっきを施した導電膜２が基材３１から剥離し易くなることを、本願発明の発明者が実験によって発見した。

このような、めっきによる導電膜２の剥離は、下記のような作用によると考えられる。銅微粒子２１から成る皮膜を光焼成して形成される皮膜は、光焼成における光の照射エネルギーが十分に大きければ、粘着テープで剥がれない程度に基材３１との密着性を有するが、基材３１が非熱可塑性であるので、銅微粒子２１の基材３１への溶着が充分ではない。このため、皮膜にめっきを施して形成された導電膜２は、導電膜２のめっき層内に残留する内部応力によって、基材３１から剥離し易くなる。なお、上記の作用は、実験結果を説明するための一説であり、本発明を限定するものではない。

本実施形態のように、基材３１上に熱可塑性樹脂を含有する樹脂層４を形成し、樹脂層４上に光焼成により形成された皮膜２４にめっき５を施すと、導電膜２が剥離し難くなることを、本願発明の発明者が実験によって発見した。

このような樹脂層４による導電膜２の密着性の向上は、下記のような作用によると考えられる。銅微粒子２１から成る皮膜２３が光焼成される時、銅微粒子２１は、光のエネルギーを吸収して発熱し、樹脂層４に接している銅微粒子２１は、樹脂層４にくい込むように強く溶着する。光焼成された皮膜２４は、光焼成によるバルク化が不十分となって銅微粒子２１間に隙間が生じても、めっきにおいて析出する金属でその隙間が充填されるので、バルク化される。このようなバルク化によって形成された導電膜２は、樹脂層４に強く溶着した銅微粒子２１がアンカーとなって、樹脂層４からの剥離が防がれる。なお、上記の作用は、実験結果を説明するための一説であり、本発明を限定するものではない。

また、本願発明の発明者の実験によれば、基材３１上に熱可塑性樹脂を含有しない層を形成しても、その層によって導電膜２の密着性は向上しない。

導電膜形成方法に用いられる銅微粒子分散液について詳述する。銅微粒子分散液は、銅微粒子２１と、この銅微粒子２１を含有する少なくとも１種の分散媒と、少なくとも１種の分散剤とを有する。分散媒は、例えば、プロトン性分散媒又は比誘電率が３０以上の非プロトン性の極性分散媒である。分散剤は、銅微粒子２１を分散媒中で分散させるものであり、例えば、少なくとも１個の酸性官能基を有し、分子量が２００以上１０００００以下の化合物又はその塩である。

プロトン性分散媒としては、例えば、３−メトキシ−３−メチルブタノール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノ−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル、２−オクタノール、２−メチルペンタン−２，４−ジオール、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、ソルビトール等が挙げられるが、これらに限定されない。

比誘電率が３０以上の非プロトン性極性分散媒としては、例えば、プロピレンカーボネート、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ヘキサメチルフォスフォラミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチルピロリドン、ニトロベンゼン、Ｎ、Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、フルフラール、γ−ブチロラクトン、エチレンスルファイト、スルホラン、ジメチルスルホキシド、スクシノニトリル、エチレンカーボネート等が挙げられるが、これらに限定されない。

分散剤は、例えば、リン酸基、ホスホン酸基、スルホン酸基、硫酸基、又はカルボキシル基等を酸性官能基として有する。

以上、本実施形態に係る回路基板１によれば、熱可塑性樹脂を含有する樹脂層４を備えるので、導電膜２は、光焼成において樹脂層４に溶着し、樹脂層４を介して基材３１への密着性が向上する。

導電膜２は、密着性が向上するので、めっき５が施されても剥離が防止される。導電膜２にめっき５が施されることにより、導電膜２がバルク化されるとともに膜厚が増大するので、導電膜２の電気抵抗が低くなり、電流容量が大きくなる。

本実施形態に係る導電膜形成方法によれば、熱可塑性樹脂を溶媒中に溶解した密着向上剤を用いるので、樹脂層４を容易に形成することができる。銅微粒子分散液を用いるので、銅微粒子２１から成る皮膜２３を印刷法等によって容易に形成することができ、その皮膜２３を光焼成して導電膜２を容易に形成することができる。

本発明の導電膜形成方法を用い、実施例として基材３１上に導電膜２を形成し、形成された導電膜２について試験、評価を行った。

基材３１として耐熱性を有するポリイミドのフィルム（東レ・デュポン株式会社製、商品名「カプトン（登録商標）２００ＥＮ」）を用いた。密着向上剤として、ブロック共重合ポリイミドを主成分としてポリイミド樹脂（熱可塑性樹脂）を含有するポリイミドインクを用いた。この密着向上剤を、基材３１上にスピンコート法により塗布後、溶媒を乾燥させるために大気雰囲気下１００℃〜２５０℃で３０分間乾燥し、膜厚０．５μｍの樹脂層４を形成した。この樹脂層４上に銅微粒子分散液（石原薬品株式会社製、商品名「ＣＪ−０１０４」）をスピンコート法により塗布し、大気雰囲気下１００℃で３０分間乾燥した後、キセノンランプを用いたフラッシュ照射装置にて光焼成して試料基板を作った。光焼成は、０．５Ｊ／ｃｍ^２以上、３０Ｊ／ｃｍ^２以下のエネルギー範囲で、１回につき０．１ｍｓ〜１０ｍｓの時間実施し、１回又は複数回の光照射によって約１０００ｍΩ／□以下のシート抵抗の導電膜が得られるまで行った。

次に、電気銅めっき液を建浴した。電気銅めっきは、めっき金属が銅である電気めっきである。このめっき液の組成は、２価の銅イオンの供給源として硫酸銅五水和物を１２０ｇ／Ｌ、硫酸を１８０ｇ／Ｌ、塩酸を２５ｐｐｍ、及び純水（残余）とした。

試料基板を１０ｗｔ％硫酸中で前処理を施し、直ちに純水で洗浄した。そして、上記の電気銅めっき液に浸漬し、液温２５℃、陰極電流密度４．０Ａ／ｄｍ^２の条件で試料基板に電気銅めっきを施した。試料基板を純水で洗浄し、乾燥した。試料基板における導電膜２のめっき厚は、１０μｍであった。

導電膜２の密着性をクロスカット法（ＪＩＳＫ５６００）で試験した。この試験において、導電膜２の試験面に２５マスの格子パターンを切り込み、粘着テープを貼り付け、粘着テープを引き剥がし、試験面を観察した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

樹脂層４の膜厚を１μｍとした以外は実施例１と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

樹脂層４の膜厚を２μｍとした以外は実施例２と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

密着向上剤としてポリアミドイミド樹脂（熱可塑性樹脂）を含有する樹脂溶液を用い、樹脂層４の膜厚を０．３μｍとし、導電膜２のめっき厚を５μｍとした以外は実施例３と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

密着向上剤としてポリイミドワニス（熱可塑性樹脂）を含有する別の樹脂溶液を用いた以外は実施例４と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

密着向上剤としてポリエステル（熱可塑性樹脂）を含有する別の樹脂溶液を用い、樹脂層４の膜厚を１μｍとした以外は実施例５と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

基材３１として無アルカリガラス（コーニング社製、商品名「イーグルＸＧ」）を用いた以外は実施例６と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

密着向上剤としてポリフェニレンスルフィド樹脂（熱可塑性樹脂）を含有する樹脂溶液を用い、樹脂層４の膜厚を０．３μｍとした以外は実施例７と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２３マスであった。

基材３１としてソーダガラスを用い、密着向上剤としてポリウレタンシリカハイブリッド樹脂を主成分としてポリウレタン樹脂（熱可塑性樹脂）を含有する樹脂溶液を用い、樹脂層４の膜厚を１μｍとした以外は実施例８と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、５マスであった。

密着向上剤としてポリウレタン樹脂（熱可塑性樹脂）を含有する別の樹脂溶液を用いた以外は実施例９と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、５マスであった。

基材３１として実施例７と同じ無アルカリガラスを用い、密着向上剤としてポリ塩化ビニル樹脂（熱可塑性樹脂）を含有する塩化ビニル樹脂系接着剤を用いた以外は実施例１１と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、５マスであった。

密着向上剤としてスチロール樹脂（熱可塑性樹脂）を含有するスチロール樹脂系接着剤を用いた以外は実施例１２と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、５マスであった。

無電解銅めっき液を建浴した。このめっき液の組成は、２価の銅イオンの供給源として硫酸銅五水和物を２．０ｇ／Ｌ、還元剤としてホルムアルデヒドを５．０ｇ／Ｌ、キレート剤としてＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）を３０．０ｇ／Ｌ、ｐＨ調整剤として水酸化ナトリウムを９．６ｇ／Ｌ、及び純水（残余）とした。めっき液のｐＨ（２０℃）は、１２．８に調整した。

実施例４と同様にしてめっきを施す前の試験基板を作った。その試料基板を純水で洗浄した後、上記の無電解銅めっき液中に浸漬し、液温５０℃の条件で試料基板に無電解銅めっきを施した。試料基板を純水で洗浄し、乾燥した。導電膜２のめっき厚は、５μｍであった。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

密着向上剤として実施例５と同じ樹脂溶液を用いた以外は実施例１４と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、２５マスであった。

基材３１として実施例８と同じ無アルカリガラスを用い、密着向上剤として実施例８と同じ樹脂溶液を用い、導電膜２のめっき厚を１μｍとした以外は実施例１５と同様にして試験基板を作った。導電膜２の密着性をクロスカット法で試験した。２５マスのうち剥離しなかったマスは、３マスであった。

上記の実施例１〜１３から、熱可塑性樹脂を含有する密着向上剤を用いることによって、光焼成した皮膜上に電気めっきを施すことができ、導電膜２の膜厚を増大できることが確認された。実施例１４〜１６から、熱可塑性樹脂を含有する密着向上剤を用いることによって、光焼成した皮膜上に無電解めっきを施すことができ、導電膜２の膜厚を増大できることが確認された。

（比較例１）
密着向上剤に替えて、熱可塑性樹脂を含有しないプライマーとして、混合系エポキシ（熱硬化性樹脂）を主成分とする樹脂溶液を用い、乾燥後のプライマーの膜厚を１μｍとし、導電膜２のめっき厚を５μｍとした以外は実施例１と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例２）
プライマーとして混合系エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）を主成分とする別の樹脂溶液を用いた以外は比較例１と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例３）
プライマーとして酸化チタンを主成分とする無機系溶液を用いた以外は比較例２と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例４）
基材３１として実施例７と同じ無アルカリガラスを用いた以外は比較例１と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例５）
プライマーとして比較例２と同じ樹脂溶液を用いた以外は比較例４と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例６）
プライマーとして比較例３と同じ無機系溶液を用いた以外は比較例５と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例７）
プライマーとしてアミノ基を含有するシランカップリング剤を用い、プライマーの膜厚を０．１μｍとした以外は比較例６と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例８）
プライマーとして別のエポキシ基を含有するシランカップリング剤を用いた以外は比較例７と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例９）
基材３１としてソーダガラスを用い、プライマーとしてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）を主成分とする樹脂溶液を用いた以外は比較例６と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例１０）
プライマーとしてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）とアルコキシシランを主成分とする２液反応タイプの別の樹脂溶液を用いた以外は比較例９と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例１１）
プライマーとしてエポキシ樹脂（熱硬化性樹脂）とアルコキシシランを主成分とする別の樹脂溶液を用いた以外は比較例１０と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

（比較例１２）
プライマーとして熱硬化性樹脂を主成分とする２液反応タイプの別の樹脂溶液を用いた以外は比較例１１と同様にして試験基板を作った。導電膜２は、めっき途中で剥離した。

上記の比較例１〜１２から、密着向上剤に替えて熱可塑性樹脂を含有しないプライマーを用いた場合、導電膜２のプライマーに対する密着性が十分でなく、めっきを施すことができないことが確認された。

なお、本発明は、上記の実施形態の構成に限られず、発明の要旨を変更しない範囲で種々の変形が可能である。例えば、基材３１の形状は、板状に限られず、任意の３次元形状であってもよい。

１回路基板
２導電膜
２１銅微粒子
３基板
３１基材
４樹脂層
５めっき

Claims

導電膜を有する回路と基板とを備えた回路基板であって、
前記基板と前記導電膜との間に樹脂層をさらに備え、
前記基板は、非熱可塑性の基材から成り、
前記樹脂層は、熱可塑性樹脂を含有し、
前記導電膜は、銅微粒子から成る皮膜を光焼成して形成されることを特徴とする回路基板。
前記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂及びスチロール樹脂よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
前記導電膜は、めっきが施されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の回路基板。
前記めっきは、電気めっき又は無電解めっきであることを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
基材上に導電膜を形成する導電膜形成方法であって、
熱可塑性樹脂を含有する密着向上剤を用いて非熱可塑性の基材上に樹脂層を形成する工程と、
銅微粒子分散液を用いて前記樹脂層上に銅微粒子から成る皮膜を形成する工程と、
前記皮膜を光焼成する工程とを有することを特徴とする導電膜形成方法。
前記熱可塑性樹脂は、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂及びスチロール樹脂よりなる群から選ばれることを特徴とする請求項５に記載の導電膜形成方法。
光焼成された前記皮膜にめっきを施す工程を有することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の導電膜形成方法。
前記めっきは、電気めっき又は無電解めっきであることを特徴とする請求項７に記載の導電膜形成方法。