JP5479244B2

JP5479244B2 - 光測定装置及び光ファイバ線路試験方法

Info

Publication number: JP5479244B2
Application number: JP2010146727A
Authority: JP
Inventors: 達幸牧
Original assignee: Anritsu Corp
Current assignee: Anritsu Corp
Priority date: 2010-06-28
Filing date: 2010-06-28
Publication date: 2014-04-23
Anticipated expiration: 2030-06-28
Also published as: JP2012008104A

Description

本発明は、ＯＴＤＲ測定及び光強度測定を行う光測定装置及び光ファイバ線路試験方法に関する。

光ファイバの敷設、保守に用いられる測定装置として、ＯＴＤＲ（ＯｐｔｉｃａｌＴｉｍｅＤｏｍａｉｎＲｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ）が知られている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１の光測定装置は、被測定光ファイバに接続可能な接続部と、光パルスを発生するレーザモジュールと、被測定光ファイバに入射された光パルスの戻り光を受光する受光器と、を備え、ＯＴＤＲ測定を行う。

特開平６−１６７４１７号公報

光ファイバの敷設、保守の現場では、実際に被測定光ファイバの一端に信号光を入射し、被測定光ファイバの他端でこの信号光を受光して、光強度測定装置（ＯＰＭ：ＯｐｔｉｃａｌＰｏｗｅｒＭｅｔｅｒ）を用いて光強度の測定も行われる。このように、敷設、保守の担当者は、ＯＴＤＲ測定のほかに、信号光の光源装置（ＬＳ：ＬｉｇｈｔＳｏｕｒｃｅ）や光強度測定装置など、多数の測定装置を準備し、現場に携帯していかなければならなかった。

そこで、本発明は、ＯＴＤＲ測定及び光強度測定を１台の装置で行うことの可能な光測定装置及び光ファイバ線路試験方法の提供を目的とする。

本願発明の光測定装置は、被測定光ファイバが接続可能な接続部（１４）と、所定波長の光パルスである測定光を発生し前記接続部を介して前記被測定光ファイバに向けて出射するレーザモジュール（１２）と、前記被測定光ファイバから前記接続部を介して入射される前記光パルスの戻り光を受光して当該戻り光を電気信号に変換する第１の受光器（１５）と、前記レーザモジュールから出射される前記測定光を受けて前記接続部に出射するとともに、前記接続部からの前記戻り光を受けて、当該戻り光を前記第１の受光器に出射する光カプラ（１３）と、前記第１の受光器の電気信号に基づいて、前記被測定光ファイバの特性を測定するＯＴＤＲ測定部（１８−１）と、を備えた光測定装置において、受光した光を電気信号に変換する第２の受光器（２１）と、当該電気信号に基づいて前記第２の受光器で受光した光の光強度を測定する光強度測定部（１８−２）と、を備え、前記光カプラは、外部の光源からの信号光が前記被測定光ファイバを介して前記接続部に入射されたとき、当該信号光を前記接続部から受けて前記レーザモジュールに出射するとともに、当該信号光が前記レーザモジュールで反射した反射光を受けて前記第２の受光器に出射し、前記光強度測定部は、前記第２の受光器で受光した前記反射光の光強度を用いて、前記信号光の光強度を測定することを特徴とする。

接続部と、レーザモジュールと、第１の受光器と、光カプラと、ＯＴＤＲ測定部と、を備えるため、ＯＴＤＲ測定を行うことができる。接続部と、光カプラと、第２の受光器と、光強度測定部と、を備えるため、光強度測定を行うことができる。ここで、第２の受光器は、信号光がレーザモジュールで反射した反射光を受光するため、共通の接続部に被測定光ファイバを接続した状態でＯＴＤＲ測定及び光強度測定を行うことができる。したがって、本願発明の光測定装置は、ＯＴＤＲ測定及び光強度測定を１台の装置で行うことができる。

本願発明の光測定装置では、前記レーザモジュールは、所定波長の連続波光と前記所定波長の光パルスとのいずれかの測定光を選択的に発生し、前記光カプラは、前記レーザモジュールから出射される前記測定光を受けて２つに分岐し、一方を前記接続部に出射し、他方を前記第２の受光器に向けて出射し、前記第２の受光器の電気信号に基づいて、前記レーザモジュールが発生する前記連続波の光強度を安定化させる光強度制御部（３３）をさらに備えてもよい。
レーザモジュールが連続波光を発生し、光強度制御部を備えるため、光接続部から光強度の安定した連続波光を出力することができる。これにより、本願発明の光測定装置は、連続波光源としての機能も備えることができる。

本願発明の光測定装置では、前記光カプラは、前記接続部から受けた前記信号光を２つに分岐し、分岐した当該信号光の一方を前記レーザモジュールに出射するとともに、分岐した当該信号光の他方を前記第１の受光器に出射し、前記光強度測定部は、前記信号光の光強度が所定の閾値以上の場合は、前記第２の受光器で受光した前記反射光の光強度を用いて前記信号光の光強度を測定し、前記信号光の光強度が所定の閾値未満の場合は、前記第１の受光器で受光した前記他方の信号光の光強度を用いて前記信号光の光強度を測定してもよい。
これにより、信号光の強度を広い範囲にわたって測定することができる。

本願発明の光測定装置では、前記光強度測定部は、前記反射光の光強度を予め記憶した補正値で補正して、前記信号光の光強度を算出してもよい。

本願発明の光ファイバ線路試験方法は、所定波長の光パルスをレーザモジュールで発生して被測定光ファイバに出射し、前記被測定光ファイバから入射される前記光パルスの戻り光を受光して前記被測定光ファイバの特性を測定する光測定装置を用いた光ファイバ線路試験方法において、前記被測定光ファイバを前記光測定装置に接続する接続手順（Ｓ１０１）と、前記被測定光ファイバの特性を測定するための第１の測定（Ｓ２１０）と前記被測定光ファイバを介して入射された外部の光源からの信号光の光強度を測定するための第２の測定（Ｓ２２０）とを含む測定を行う測定手順（Ｓ１０２）と、前記被測定光ファイバを前記光測定装置から外す脱離手順（Ｓ１０３）と、を順に有し、前記第１の測定は、前記光パルスを前記レーザモジュールで発生し前記被測定光ファイバに出射する出射手順（Ｓ２１１）と、前記被測定光ファイバからの前記光パルスの戻り光を受光して当該戻り光を電気信号に変換する戻り光受光手順（Ｓ２１２）と、当該電気信号に基づいて、前記被測定光ファイバの特性を測定する特性測定手順（Ｓ２１３）と、を順に有し、前記第２の測定は、前記被測定光ファイバを介して入射された外部の光源からの信号光を前記レーザモジュールで反射させる反射手順（Ｓ２２１）と、前記反射手順で反射させた反射光を受光して電気信号に変換する反射光受光手順（Ｓ２２２）と、当該電気信号に基づいて、前記信号光の光強度を測定する光強度測定手順（Ｓ２２３）と、を順に有することを特徴とする。

接続手順と、第１の測定と、脱離手順と、を有するため、ＯＴＤＲ測定を行うことができる。接続手順と、第２の測定と、脱離手順と、を有するため、光強度測定を行うことができる。ここで、第２の測定が反射手順、反射光受光手順及び光強度測定手順を有するため、光ファイバを接続し直すことなく、ＯＴＤＲ測定及び光強度測定を行うことができる。したがって、本願発明の光ファイバ線路試験方法は、ＯＴＤＲ測定及び光強度測定を１台の装置で行うことができる。

なお、上記各発明は、可能な限り組み合わせることができる。

本発明によれば、ＯＴＤＲ測定及び光強度測定を１台の装置で行うことの可能な光測定装置及び光ファイバ線路試験方法を提供することができる。

実施形態１に係る光測定装置の一例を示す。実施形態１に係る光ファイバ線路試験方法の一例を示す。実施形態３に係る光測定装置の一例を示す。

添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施の例であり、本発明は、以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。

（実施形態１）
図１に、本実施形態に係る光測定装置の一例を示す。本実施形態に係る光測定装置は、タイミング発生部１１と、レーザモジュール１２と、光カプラ１３と、接続部１４と、第１の受光器１５と、ＴＩＡ（Ｔｒａｎｓ−ＩｍｐｅｄａｎｃｅＡｍｐｌｉｆｉｅｒ）１６と、ＡＤＣ（Ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−ＤｉｇｉｔａｌＣｏｎｖｅｒｔｅｒ）１７と、ＯＴＤＲ測定部１８−１と、第２の受光器２１と、ＴＩＡ２２と、ＡＤＣ２３と、光強度測定部１８−２と、表示部１９と、を備え、被測定光ファイバ１００のＯＴＤＲ測定を行う。

第２の受光器２１は、外部の光源からの信号光Ｓ_１の光強度を測定するための受光器である。第１の受光器１５は、戻り光Ｐ_２の光強度を測定するための受光器である。信号光Ｓ_１の光強度と戻り光Ｐ_２の光強度とは異なり、例えば、第１の受光器１５にはＡＰＤ（ＡｖａｌａｎｃｈｅＰｈｏｔｏＤｉｏｄｅ）を用い、第２の受光器２１には例えばＰＩＮ型フォトダイオードを用いる。

また、本実施形態に係る光測定装置は、接続部１４と、光カプラ１３と、第２の受光器２１と、ＴＩＡ２２と、ＡＤＣ２３と、光強度測定部１８−２と、表示部１９と、を備え、被測定光ファイバ１００によって伝送された信号光Ｓ_１の光強度測定を行う。

接続部１４は、被測定光ファイバ１００が接続可能である。本実施形態では、接続部１４と被測定光ファイバ１００を接続した状態で、ＯＴＤＲ測定及び光強度測定の両方を行うことができる。測定部１８は、ＯＴＤＲ測定部１８−１及び光強度測定部１８−２を備える。測定部１８には、演算処理回路を用いることができる。表示部１９は、測定部１８の測定結果を表示する。

本実施形態に係る光ファイバ線路試験方法は、所定波長の光パルスである測定光Ｐ_１をレーザモジュール１２で発生して被測定光ファイバ１００に出射し、被測定光ファイバ１００から入射される光パルスの戻り光Ｐ_２を受光して被測定光ファイバ１００の特性を測定する光測定装置を用いた光ファイバ線路試験方法である。

図２に、本実施形態に係る光ファイバ線路試験方法の一例を示す。本実施形態に係る光ファイバ線路試験方法は、接続手順Ｓ１０１と、測定手順Ｓ１０２と、脱離手順Ｓ１０３と、を有する。以下、光ファイバ線路試験方法の詳細について、図１を参照しながら説明する。

接続手順Ｓ１０１では、被測定光ファイバ１００を光測定装置の接続部１４に接続する。測定手順Ｓ１０２では、被測定光ファイバ１００の特性を測定するための第１の測定Ｓ２１０と被測定光ファイバ１００を介して入射された外部の光源からの信号光Ｓ_１の光強度を測定するための第２の測定Ｓ２２０とを含む測定を行う。第１の測定Ｓ２１０は、第２の測定Ｓ２２０の前に行ってもよいし、第２の測定Ｓ２２０の後に行ってもよい。脱離手順Ｓ１０３では、被測定光ファイバ１００を光測定装置の接続部１４から外す。このように、本実施形態に係る光ファイバ線路試験方法では、被測定光ファイバ１００を接続しなおさずに、第１の測定Ｓ２１０及び第２の測定Ｓ２２０を行う。

第１の測定Ｓ２１０ではＯＴＤＲ測定を行う。第１の測定Ｓ２１０は、出射手順Ｓ２１１と、戻り光受光手順Ｓ２１２と、特性測定手順Ｓ２１３とを順に有する。

出射手順Ｓ２１１では、所定波長の光パルスである測定光Ｐ_１をレーザモジュール１２で発生して出力する。例えば、タイミング発生部１１がレーザモジュール１２を駆動する。これにより、レーザモジュール１２は、タイミング発生部１１からのタイミング信号に基づいたパルス幅とパルス発生間隔とを有する光パルスである測定光Ｐ_１を発生する。次に、光カプラ１３は、レーザモジュール１２から出射される測定光Ｐ_１を受けて接続部１４に出射する。これにより、光測定装置は、光パルスである測定光Ｐ_１を、接続部１４を介して被測定光ファイバ１００に向けて出射する。

戻り光受光手順Ｓ２１２では、被測定光ファイバ１００からの光パルスの戻り光Ｐ_２を受光して当該戻り光Ｐ_２を電気信号に変換する。このとき、光カプラ１３は、接続部１４からの戻り光Ｐ_２を受けて、当該戻り光Ｐ_２を第１の受光器１５に出射する。第１の受光器１５は、被測定光ファイバ１００から接続部１４を介して入射される光パルスの戻り光Ｐ_２を受光して当該戻り光Ｐ_２を電気信号に変換する。ＴＩＡ１６は、第１の受光器１５からの電気信号の電流値を電圧値に変換する。ＡＤＣ１７は、ＴＩＡ１６からのアナログ信号をデジタル信号に変換する。

特性測定手順Ｓ２１３では、ＯＴＤＲ測定部１８−１は、ＡＤＣ１７からの電気信号に基づいて、被測定光ファイバ１００の特性を測定し、測定結果としてのＯＴＤＲ測定波形を表示部１９に表示する。これにより、本実施形態に係る光測定装置は、被測定光ファイバ１００の特性を測定することができる。

第２の測定Ｓ２２０では光強度測定を行う。第２の測定Ｓ２２０は、反射手順Ｓ２２１と、反射光受光手順Ｓ２２２と、光強度測定手順Ｓ２２３と、を順に有する。

反射手順Ｓ２２１では、外部の光源からの信号光Ｓ_１が被測定光ファイバ１００を介して接続部１４に入射される。光カプラ１３は、信号光Ｓ_１を接続部１４から受けてレーザモジュール１２に出射する。このとき、信号光Ｓ_１は、レーザモジュール１２で反射される。例えば、レーザモジュール１２にはフェルールが組み込まれており、光カプラ１３とレーザモジュール１２を結ぶ光ファイバの端面がフェルール内で固定されている。このフェルール内の光ファイバの端面で信号光Ｓ_１が反射する。これにより、被測定光ファイバ１００を介して入射された外部の光源からの信号光Ｓ_１をレーザモジュール１２で反射させる。光カプラ１３は、信号光Ｓ_１がレーザモジュール１２で反射した反射光Ｓ_２を受けて第２の受光器２１に出射する。このとき、光カプラ１３と第１の受光器１５の間に設けてある光シャッタ（不図示）を閉じ、信号光Ｓ_１が光カプラ１３から第１の受光器１５に入射しないようにしてもよい。

反射光受光手順Ｓ２２２では、反射手順Ｓ２２１で反射させた反射光Ｓ_２を受光して電気信号に変換する。このとき、光カプラ１３は、信号光Ｓ_１がレーザモジュール１２で反射した反射光Ｓ_２を受けて第２の受光器２１に出射する。第２の受光器２１は、受光した光を電気信号に変換する。ＴＩＡ２２は、第１の受光器２１からの電気信号の電流値を電圧値に変換する。ＡＤＣ２３は、ＴＩＡ２２からのアナログ信号をデジタル信号に変換する。

光強度測定手順Ｓ２２３では、ＡＤＣ２３からの電気信号に基づいて、信号光Ｓ_１の光強度を測定する。例えば、光強度測定部１８−２は、第２の受光器２１で受光した反射光Ｓ_２の光強度を測定する。そして、光強度測定部１８−２は、予め記憶した補正値で、反射光Ｓ_２を変換した電気信号を補正して、信号光Ｓ_１の光強度を算出する。補正値は、例えば、接続部１４に入射時の光強度と第２の受光器２１で受光した光強度との差分を予め波長ごとに測定しておき、反射光Ｓ_２の光強度と信号光Ｓ_１の光強度との対応表を光強度測定部１８−２に格納する。これにより、本実施形態に係る光測定装置は、光強度測定を行うことができる。

（実施形態２）
光強度測定を行う際、信号光Ｓ_１の光強度が弱い場合もある。そこで、本実施形態に係る光測定装置は、信号光Ｓ_１の光強度が強いときは第２の受光器２１が反射光Ｓ_２を受光し、信号光Ｓ_１の光強度が弱いときは第１の受光器１５が信号光Ｓ_１を受光する。

例えば、第２の受光器２１が所定の閾値以上の光強度の光を受光し、第１の受光器１５が所定の閾値未満の光強度の光を受光する。第２の受光器２１の所定の閾値と、第１の受光器１５の所定の閾値とは、同一であってもよいし、異なってもよい。本構成を採用することで、信号光Ｓ_１の光強度を２つの受光器を用いて測定することができる。

より詳細には、光カプラ１３は、信号光Ｓ_１を接続部１４から受けて２つに分岐するようになっている。分岐した信号光Ｓ_１の一方は、レーザモジュール１２に出射されて反射し、第２の受光器２１で受光され、光強度測定部１８−２で光強度が測定される。分岐した信号光Ｓ_１の他方は、第１の受光器１５で受光される。そして、図１に破線で示すように、光強度測定部１８−２は、第１の受光器１５からの電気信号をＡＤＣ１７を介して受ける。なお、図１では、光カプラ１３で分岐した信号光Ｓ_１の一方及び他方の両方とも、符号Ｓ_１で示している。正確には、信号光Ｓ_１の一方及び他方は光カプラ１３で分岐されているため、それぞれの光強度が接続部１４に入力されたときの信号光Ｓ_１よりも低下している。

また、光強度測定部１８−２は、前述の第２の受光器２１に対応する補正値と同様に、接続部１４に入射時の光強度と第１の受光器１５で受光した光強度との差分を予め波長ごとに測定しておき、第１の受光器１５に対応する補正値として格納している。そして、光強度測定部１８−２は、第１の受光器１５からの電気信号をこの補正値で補正して、信号光Ｓ_１の光強度を算出する。

ここで、前述のように、第１の受光器１５には例えばＡＰＤ、第２の受光器２１には例えばＰＩＮ型フォトダイオードが用いられている。一般にＡＰＤはＰＩＮ型フォトダイオードより低レベルの光強度が測定可能であり、ＰＩＮ型フォトダイオードはＡＰＤより高レベルの光強度が測定可能であるという特性を有する。

そして、光強度測定部１８−２は、測定する光強度について、内部に予め前述の閾値を設けておき、第１の受光器１５で受光し補正して算出した信号光Ｓ_１の光強度、又は、第２の受光器２１で受光し補正して算出した信号光Ｓ_１の光強度のいずれかをこの閾値と比較する。そして、信号光Ｓ_１の光強度が閾値以上の場合は、第２の受光器２１で受光し補正して算出した信号光Ｓ_１の光強度を測定値として用いる。一方、信号光Ｓ_１の光強度が閾値未満の場合は、第１の受光器１５で受光し補正して算出した信号光Ｓ_１の光強度を測定値として用いる。このように、２つの受光器の特性の違いを利用することで、信号光Ｓ_１の光強度を広い範囲にわたって測定することができる。

（実施形態３）
図３に、本実施形態に係る光測定装置の一例を示す。本実施形態に係る光測定装置は、
実施形態１の光測定装置に加えてスイッチ３２及び光強度制御部３３をさらに備え、実施形態１で説明したレーザモジュール１２に代えてレーザモジュール３１を備える。本構成を採用することで、本実施形態に係る光測定装置は、連続光源としての機能も備える。以下、実施形態１では備わっていなかった特徴について説明する。

スイッチ３２は、ＴＩＡ２２からの電気信号をＡＤＣ２３又は光強度制御部３３に選択的に出力する。ＴＩＡ２２とＡＤＣ２３を接続すると、本実施形態に係る光測定装置は、実施形態１で説明したＯＴＤＲ測定及び光強度測定用の装置として機能する。ＴＩＡ２２と光強度制御部３３を接続すると、本実施形態に係る光測定装置は、連続光源として機能する。光測定装置を連続光源として機能させるため、スイッチ３２は、ＴＩＡ２２と光強度制御部３３を接続する。

レーザモジュール３１は、所定波長の連続波光と所定波長の光パルスとのいずれかの測定光を測定光Ｐ_１として選択的に発生する。例えば、タイミング発生部１１の動作を停止させる。これにより、レーザモジュール３１は、所定波長の連続波光を光カプラ１３に向けて出力することができる。連続波光の波長は、光パルスの波長と同一であってもよい。レーザモジュール３１の波長が可変である場合には、連続波光の波長は光パルスの波長と異なってもよい。

光カプラ１３は、レーザモジュール３１から出射される測定光Ｐ_１を受けて２つに分岐し、一方を接続部１４に出射し、他方を第２の受光器２１に向けて出射する。第２の受光器２１は、測定光Ｐ_１を電気信号に変換する。ＴＩＡ２２は、第２の受光器２１からの電気信号の電流値を電圧値に変換する。スイッチ３２は、ＴＩＡ２２からの電気信号を光強度制御部３３に出力する。光強度制御部３３は、ＴＩＡ２２からの電気信号に基づいて、レーザモジュール１２が発生する連続波の光強度を安定化させる。これにより、本実施形態に係る光測定装置は、連続光源として機能し、例えば、光強度測定のための光源として用いることもできる。

本実施形態に係る光測定装置は、ＯＴＤＲ及び光強度測定の試験を行うことができるのに加え、さらに連続光源としても用いることができるため、光ファイバの敷設や保守に携帯する装置の数を減らすことができる。また、被測定光ファイバ１００を接続しなおすことなくＯＴＤＲ及び光強度測定の試験並びに連続光を用いた種々の試験も行うことができるため、光ファイバの敷設や保守に要する時間を短縮することができる。

本発明は、情報通信産業に適用することができる。

１１：タイミング発生部
１２：レーザモジュール
１３：光カプラ
１４：接続部
１５：第１の受光器
１６、２２：ＴＩＡ
１７、２３：ＡＤＣ
１８−１：ＯＴＤＲ測定部
１８−２：光強度測定部
１９：表示部
２１：第２の受光器
３１：レーザモジュール
３２：スイッチ
３３：光強度制御部
１００：被測定光ファイバ

Claims

被測定光ファイバが接続可能な接続部（１４）と、
所定波長の光パルスである測定光を発生し前記接続部を介して前記被測定光ファイバに向けて出射するレーザモジュール（１２）と、
前記被測定光ファイバから前記接続部を介して入射される前記光パルスの戻り光を受光して当該戻り光を電気信号に変換する第１の受光器（１５）と、
前記レーザモジュールから出射される前記測定光を受けて前記接続部に出射するとともに、前記接続部からの前記戻り光を受けて、当該戻り光を前記第１の受光器に出射する光カプラ（１３）と、
前記第１の受光器の電気信号に基づいて、前記被測定光ファイバの特性を測定するＯＴＤＲ（ＯｐｔｉｃａｌＴｉｍｅＤｏｍａｉｎＲｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｅｒ）測定部（１８−１）と、
を備えた光測定装置において、
受光した光を電気信号に変換する第２の受光器（２１）と、
当該電気信号に基づいて前記第２の受光器で受光した光の光強度を測定する光強度測定部（１８−２）と、を備え、
前記光カプラは、外部の光源からの信号光が前記被測定光ファイバを介して前記接続部に入射されたとき、当該信号光を前記接続部から受けて前記レーザモジュールに出射するとともに、当該信号光が前記レーザモジュールで反射した反射光を受けて前記第２の受光器に出射し、
前記光強度測定部は、前記第２の受光器で受光した前記反射光の光強度を用いて、前記信号光の光強度を測定することを特徴とする光測定装置。
前記レーザモジュールは、所定波長の連続波光と前記所定波長の光パルスとのいずれかの測定光を選択的に発生し、
前記光カプラは、前記レーザモジュールから出射される前記測定光を受けて２つに分岐し、一方を前記接続部に出射し、他方を前記第２の受光器に向けて出射し、
前記第２の受光器の電気信号に基づいて、前記レーザモジュールが発生する前記連続波の光強度を安定化させる光強度制御部（３３）をさらに備える
ことを特徴とする請求項１に記載の光測定装置。
前記光カプラは、前記接続部から受けた前記信号光を２つに分岐し、分岐した当該信号光の一方を前記レーザモジュールに出射するとともに、分岐した当該信号光の他方を前記第１の受光器に出射し、
前記光強度測定部は、
前記信号光の光強度が所定の閾値以上の場合は、前記第２の受光器で受光した前記反射光の光強度を用いて前記信号光の光強度を測定し、
前記信号光の光強度が所定の閾値未満の場合は、前記第１の受光器で受光した前記他方の信号光の光強度を用いて前記信号光の光強度を測定する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光測定装置。
前記光強度測定部は、前記反射光の光強度を予め記憶した補正値で補正して、前記信号光の光強度を算出する
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の光測定装置。
所定波長の光パルスをレーザモジュールで発生して被測定光ファイバに出射し、前記被測定光ファイバから入射される前記光パルスの戻り光を受光して前記被測定光ファイバの特性を測定する光測定装置を用いた光ファイバ線路試験方法において、
前記被測定光ファイバを前記光測定装置に接続する接続手順（Ｓ１０１）と、
前記被測定光ファイバの特性を測定するための第１の測定（Ｓ２１０）と前記被測定光ファイバを介して入射された外部の光源からの信号光の光強度を測定するための第２の測定（Ｓ２２０）とを含む測定を行う測定手順（Ｓ１０２）と、
前記被測定光ファイバを前記光測定装置から外す脱離手順（Ｓ１０３）と、
を順に有し、
前記第１の測定は、
前記光パルスを前記レーザモジュールで発生し前記被測定光ファイバに出射する出射手順（Ｓ２１１）と、
前記被測定光ファイバからの前記光パルスの戻り光を受光して当該戻り光を電気信号に変換する戻り光受光手順（Ｓ２１２）と、
当該電気信号に基づいて、前記被測定光ファイバの特性を測定する特性測定手順（Ｓ２１３）と、を順に有し、
前記第２の測定は、
前記被測定光ファイバを介して入射された外部の光源からの信号光を前記レーザモジュールで反射させる反射手順（Ｓ２２１）と、
前記反射手順で反射させた反射光を受光して電気信号に変換する反射光受光手順（Ｓ２２２）と、
当該電気信号に基づいて、前記信号光の光強度を測定する光強度測定手順（Ｓ２２３）と、を順に有する
ことを特徴とする光ファイバ線路試験方法。