JP4876735B2 - 光パルス試験器 - Google Patents
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Description
発光部10が、信号処理部50からの指示に従って所定のタイミングでパルス光を出力する。そして、発光部10から出力されたパルス光が、光カプラ20、BPF30、測定コネクタCNを経て、被測定光ファイバF1に入射する。被測定光ファイバF1内部では、レイリー散乱が発生し、その一部はパルス光の進行方向とは逆方向に進み後方散乱光としてOTDR100に戻ってくる。また、被測定光ファイバF1の接続点で発生するフレネル反射光もOTDR100に戻ってくる。
信号処理部50が、測定を行なう縦軸(光信号レベル)方向のレンジ、横軸方向の距離レンジ等に基づいてパルス光を、所定のパルス強度、パルス幅にしてパルス光を出力させる。また、信号処理部50が、レンジごとにあらかじめ定められた利得となるようにIV変換回路45、増幅回路46を設定し、バイアス回路42に対してもレンジごとにあらかじめ定められたバイアス電圧を出力させる。つまり、レンジによって回路45、46の利得は固定であり、バイアス回路42のバイアス電圧も固定である。
光通信用の光が伝送される被測定光ファイバにパルス光を出射し、出射したパルス光の戻り光に基づいて信号処理部が前記被測定光ファイバの測定を行なう光パルス試験器において、
前記光通信用の光および戻り光を受光する受光部と、この受光部が受光した前記光通信用の光の影響分をキャンセルするオフセット調整部とを設け、
前記オフセット調整部は、
前記バイアス回路のバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
前記DA変換回路の出力電圧を制御するDA制御手段と、
前記IV変換回路の利得を制御するIV制御手段と、
前記AD変換回路からのデジタルデータを参照し、前記バイアス制御手段、前記DA制御手段、前記IV制御手段に影響分をキャンセルさせる判定手段、
とで構成されたことを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、
前記光通信用の光と前記パルス光の波長が同じであることを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、請求項1または2記載の発明において、
前記被測定光ファイバからの光のうち、前記被測定光ファイバ内を伝送される光通信用の光および前記戻り光を前記受光部に出力するバンドパスフィルタを設けたことを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の発明において、
前記受光部は、
前記戻り光を受光するアバランシェフォトダイオードと、
このアバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を印加して増倍度を調整するバイアス回路と、
出力する電圧が可変なDA変換回路と、
利得が可変であり、前記アバランシェフォトダイオードの出力をIV変換するとともに、前記DA変換回路の電圧を前記アバランシェフォトダイオードの出力に加算するIV変換回路と、
利得が可変であり、前記IV変換回路からの電圧を増幅する増幅回路と、
この増幅回路の出力をAD変換し、前記信号処理部と前記オフセット調整部とに出力するAD変換回路と
を有することを特徴とするものである。
請求項5記載の発明は、請求項1〜4のいずれかに記載の発明において、
前記判定手段は、前記バイアス制御手段による増倍度、前記DA制御手段による出力電圧、前記IV制御手段による利得によって、光通信用の光の有無を判断することを特徴とするものである。
図1は、本発明の一実施例を示した構成図である。ここで、図3、図4と同一のものには同一符号を付し、説明を省略する。図1において、OTDR100に、オフセット調整部70が設けられる。オフセット調整部70は、バイアス制御手段71、DA制御手段72、IV制御手段73、増幅回路制御手段74、判定手段75が設けられ、信号処理部50と相互に接続され、受光部40のAD変換回路47からデジタル信号の電気信号が入力される。
図示しない設定部から、信号処理部50に縦軸および横軸のレンジが設定される。この設定部(図示せず)からのレンジ設定に従って信号処理部50が、オフセット調整部70のバイアス制御手段71に増倍度M、DA制御手段72にDA値、IV制御手段73、増幅回路制御手段74に利得率を出力する。そして、バイアス制御手段71が、指示された増倍度Mとなる印加電圧をバイアス回路42に出力させ、DA制御手段72が、指示されたDA値となる電圧をDA変換回路43に出力させ、IV制御手段73が、指示された利得となるようにIV変換回路43を調整し、増幅回路制御手段74が、指示された利得となるように増幅回路46の各アンプを調整する。
図1に示す装置において、ステップS21において、増幅回路46の利得を最小に変更してから、DA変換回路43のDA値、APD41の増倍度M、IV変換回路45の利得を調整する構成を示したが、増幅回路46の利得のレンジ変更はせずに、オフセット分の調整を行なってもよい。すなわち、ステップS21、S23は、省略してもよい。
41 アバランシェフォトダイオード
42 バイアス回路
43 DA変換回路
45 IV変換回路
46 増幅回路
47 AD変換回路
50 信号処理部
70 オフセット調整部
71 バイアス制御手段
72 DA制御手段
73 IV制御手段
75 判定手段
100 OTDR
F1 被測定光ファイバ
Claims (5)
- 光通信用の光が伝送される被測定光ファイバにパルス光を出射し、出射したパルス光の戻り光に基づいて信号処理部が前記被測定光ファイバの測定を行なう光パルス試験器において、
前記光通信用の光および戻り光を受光する受光部と、この受光部が受光した前記光通信用の光の影響分をキャンセルするオフセット調整部とを設け、
前記オフセット調整部は、
前記バイアス回路のバイアス電圧を制御するバイアス制御手段と、
前記DA変換回路の出力電圧を制御するDA制御手段と、
前記IV変換回路の利得を制御するIV制御手段と、
前記AD変換回路からのデジタルデータを参照し、前記バイアス制御手段、前記DA制御手段、前記IV制御手段に影響分をキャンセルさせる判定手段、
とで構成されたことを特徴とする光パルス試験器。 - 前記光通信用の光と前記パルス光の波長が同じであることを特徴とする請求項1記載の光パルス試験器。
- 前記被測定光ファイバからの光のうち、前記被測定光ファイバ内を伝送される光通信用の光および前記戻り光を前記受光部に出力するバンドパスフィルタを設けたことを特徴とする請求項1または2記載の光パルス試験器。
- 前記受光部は、
光を受光するアバランシェフォトダイオードと、
このアバランシェフォトダイオードにバイアス電圧を印加して増倍度を調整するバイアス回路と、
出力する電圧が可変なDA変換回路と、
利得が可変であり、前記アバランシェフォトダイオードの出力をIV変換するとともに、前記DA変換回路の電圧を前記アバランシェフォトダイオードの出力に加算するIV変換回路と、
利得が可変であり、前記IV変換回路からの電圧を増幅する増幅回路と、
この増幅回路の出力をAD変換し、前記信号処理部と前記オフセット調整部とに出力するAD変換回路と
を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の光パルス試験器。 - 前記判定手段は、前記バイアス制御手段による増倍度、前記DA制御手段による出力電圧、前記IV制御手段による利得によって、光通信用の光の有無を判断することを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の光パルス試験器。
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